DE102013217318A1

DE102013217318A1 - Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench und entsprechende mikromechanische Sensoranordnung

Info

Publication number: DE102013217318A1
Application number: DE102013217318.0A
Authority: DE
Inventors: Hubert Benzel
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2013-08-30
Filing date: 2013-08-30
Publication date: 2015-03-05

Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench und eine entsprechende mikromechanische Sensoranordnung. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), wobei an der Vorderseite (VS) ein Membranbereich (M) mit einer darunter befindlichen Kavität (K), welche eine erste Tiefenerstreckung (TT1) im Substrat (1) aufweist, gebildet ist; Bilden eines Ringes von Gräben (T0–T3) um den Membranbereich (M) herum im Substrat (1), wobei die Gräben (T0–T3) eine zweite Tiefenerstreckung (TT2) im Substrat (1) aufweisen, die größer als die erste Tiefenstreckung (TT1), wobei der Membranbereich (M) über eine Mehrzahl von Verbindungsstegen (100–103) mit dem umgebenden Substrat (1) verbunden bleibt; Bilden einer Oxidschicht (50‘) in der Kaverne (K) und innerhalb des Ringes von Gräben (T0–T3); und Bilden des Rückseitentrenchs (TK‘) unter Verwendung einer auf der Rückseite (RS) aufgebrachten Ätzmaske (MR), wobei die Oxidschicht (50‘) in der Kaverne (K) und innerhalb des Ringes von Gräben (T0–T3) als Ätzstopp wirkt.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench und eine entsprechende mikromechanische Sensoranordnung.
Obwohl auf beliebige mikromechanische Sensoranordnungen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik in Bezug auf mikromechanische Differenzdruck-Sensoranordnungen erläutert.
Stand der Technik
Bekannt sind mikromechanischen Differenzdruck-Sensoranordnungen mit einem Membranbereich, unterhalb dessen sich im Substrat ein anisotrop geätzter Rückseitentrench befindet. Mittels piezoresistiver Widerstände, welche im Membranbereich integriert sind, lassen sich Differenzdrücke über Verformungen des Membranbereichs messen.
Die Herstellung einer Membran mit porösem Silizium, wobei ein Hohlraum unter der Membran im Silizium hergestellt wird, der als Kaverne für eine Druckdose verwendet wird, ist beispielsweise aus der DE 101 38 759 A1 bekannt.
2 ist eine schematische vertikale Querschnittsdarstellung einer beispielhaften mikromechanischen Sensoranordnung mit Rückseitentrench zur Erläuterung der der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Problematik.
In 2 bezeichnet Bezugszeichen 1 ein SOI-Halbleitersubstrat mit einer Vorderseite VS und einer Rückseite RS. Auf der Vorderseite aufgebracht ist eine Oxidschicht 2, und darauf eine dünne monokristalline Schicht aus Silizium 1a (Devicelayer des SOI-Wafers).
Aufgewachsen auf der Schicht 1a bezeichnet 20 eine monokristalline Epitaxischicht aus Silizium, welche über einem Rückseitentrench K0 einen Membranbereich M ausbildet. Piezoresistive Widerständer R sind in dem Membranbereich M integriert. Auf der Oberseite der Epitaxischicht 20 aus Silizium befindet sich eine Passivierungsschicht 90, beispielsweise eine Nitridschicht.
Bei dieser beispielhaften mikromechanischen Sensoranordnung wird der Rückseitentrench K0 von der Rückseite RS her mittels eines Ätzprozesses gebildet, welcher an der Oxidschicht O stoppt. Nach Öffnen des Stoppoxids beispielsweise mittels BOE (buffered oxid etch) folgt ein Überätzschritt, der Silizium zur Abrundung der Kanten des Membranbereichs M ätzt. Durch den sehr tiefen rückseitigen Trenchätzschritt durch fast den gesamten Wafer entstehen lateral große Toleranzen in der Lage der piezoresistiven Widerstände R relativ zur Membrankante.
Auch müssen Schaltungen bei dieser Anordnung SOI-tauglich gestaltet werden, so dass nur spezielle Prozesse geeignet sind.
Offenbarung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench nach Anspruch 1 und eine entsprechende mikromechanische Sensoranordnung nach Anspruch 12.
Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
Vorteile der Erfindung
Die vorliegende Erfindung ermöglicht die Herstellung einer mikromechanischen Sensoranordnung mit Rückseitentrench, insbesondere einer Differenzdruck-Sensoranordnung bzw. Referenzdruck-Sensoranordnung, mit besonders geringer Auswirkung der Toleranzen des Rückseitenätzschritts für den Rückseitentrench bezüglich des Abstands der Piezowiderstände zur jeweiligen Membrankante.
Die der vorliegenden Erfindung zu Grunde liegende Idee liegt in der Bereitstellung eines Ringes von Trenchgräben um den Membranbereich herum, welche zusammen mit der Kaverne oxidiert werden und somit als Ätzstopp für den Ätzprozess des Rückseitentrenches dienen können. Dabei wird der Ätzprozess lateral und vertikal begrenzt, wobei die Unterseite der oxidierten Trenchgräben einen Toleranzbereich für eine rückseitige Maske definieren, welche für den Ätzprozess verwendet wird. Dadurch lassen sich laterale Unterätzungen des Membranbereichs vermeiden.
Zur Aufhängung der Membran können die Trenchgräben auch ein- oder mehrfach unterbrochen sein, beispielsweise in den Ecken oder (nicht dargestellt) durch Stege im Trenchgraben.
Es ergeben sich somit sehr geringe Toleranzen beim Herstellen des Membranbereichs. Die Trenchgräben um den Membranbereich herum werden von der Vorderseite her gebildet. Diese Trenchgräben definieren die Membrankantenlänge. Da die Trenchgräben sowie die Piezowiderstände von der Vorderseite her strukturiert werden (Maske jeweils auf der Vorderseite) treten sehr kleine Toleranzen zwischen diesen Lithographieebenen auf. Beim rückseitigen Ätzprozess für den Rückseitentrench dürfen größere Toleranzen auftreten, da nur auf die Breite der vorderseitigen Trenchgräben justiert werden muss. Die vorderseitigen Trenchgräben werden in der Tiefe üblicherweise breiter, dadurch wird der Justagebereich des rückseitigen Trenches so stark vergrößert, dass somit der rückseitige Ätzprozess ein selbstjustierender Ätzprozess ist.
Schließlich ist es von Vorteil, dass ein Standard-Siliziumwafer als Rohmaterial verwendet werden kann und kein SOI-Wafer wie beim Beispiel gemäß 2 erforderlich ist, wodurch geringere Kosten und geringere Anforderungen für zusätzlich integrierte Schaltungen entstehen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weist der Membranbereich eine erste auf der Vorderseite des Substrats aufgebrachte Epitaxieschicht auf.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird beim Bilden der Oxidschicht in der Kaverne und innerhalb des Ringes von Gräben die Oxidschicht auch auf der ersten Epitaxieschicht gebildet und anschließend wieder von dort ausser von der Oberseite des Ringes von Gräben entfernt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist der Membranbereich eine zweite Epitaxieschicht auf, welche nach dem Entfernen der Oxidschicht auf der ersten Epitaxieschicht abgeschieden wird. So kann die Membrandicke auf einen gewünschten Wert eingestellt werden und durch monokristalines Überwachsen der schmalen Oxidschicht über den Trenchgräben eine monokristalline Schicht im Bereich der später im Prozess erzeugten Piezowiderstände gebildet werden. So kann eine hohe Stressempfidlichkeit der Piezowiderstände erreicht werden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird die Oxidschicht nach dem Bilden des Rückseitentrenchs durch einen Ätzprozeß von der Rückseite her aus der Kaverne und aus dem Ring von Gräben entfernt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform erfolgt nach Entfernen der Oxidschicht aus der Kaverne und aus dem Ring von Gräben ein Überätzen des Substrats und des Membranbereiches im Rückseitentrench durch einen Ätzprozeß von der Rückseite her. Dies erhöht die Stabilität, da Ecken und Kanten am Übergang von Flanke und Membranbereich abgerundet werden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird nach dem Überätzen eine Passivierungsschicht von der Rückseite her auf dem Substrat und auf dem Membranbereich im Rückseitentrench abgeschieden. Dies erhöht die Medienfestigkeit.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weiten sich die Gräben mit größerer Tiefenerstreckung im Substrat auf. Dies vergrößert den Toleranzbereich gegen Fehljustage der Maske für den Rückseitentrench zur Ausbildung der Kaverne.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist der Membranbereich im Wesentlichen rechteckig, insbesondere quadratisch, wobei die Verbindungsstege mit dem umgebenden Substrat in den Ecken liegen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist der Ring von Gräben um den Membranbereich herum im Substrat geschlossen, d.h. die tieferen Bereiche der Trenchgräben sind miteinander verbunden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform werden im Membranbereich piezoresistive Widerstände eingebracht, wobei die Sensoranordnung eine Differenzdruck-Sensoranordnung ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren der Zeichnungen angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen
1a), b2) und 1c) bis j) schematische vertikale Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens für eine mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
1b1) eine schematische horizontale Querschnittsdarstellung entsprechend 1b2), wobei die 1a), b2) und 1c) bis j) entlang der Linie A-A‘ in 1b1) verlaufen; und
2 eine schematische vertikale Querschnittsdarstellung einer beispielhaften mikromechanischen Sensoranordnung mit Rückseitentrench zur Erläuterung der der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Problematik.
Ausführungsformen der Erfindung
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente.
1a), b2) und 1c) bis j) sind schematische vertikale Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens für eine mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 1b1) ist eine schematische horizontale Querschnittsdarstellung entsprechend 1b2), wobei die 1a), b2) und 1c) bis j) entlang der Linie A-A‘ in 1b1) verlaufen.
In 1a) bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Silizium-Halbleitersubstrat mit einer Vorderseite VS und einer Rückseite RS. An der Vorderseite VS ist ein Membranbereich M mit einer darunter befindlichen Kavität K gebildet. Der Membranbereich M bzw. die Kavität K wird durch einen Dotierungsring 5 lateral begrenzt, welcher für das Herstellungsverfahren des Membranbereichs M mit der darunterliegenden Kavität K eine Begrenzung bildet, welcher aber aus Gründen der Übersichtlichkeit in den folgenden Figuren weggelassen werden wird, da er funktionell zur erfindungsgemäßen Ausführungsform nichts beiträgt.
Auf der Vorderseite VS des Substrats befindet sich im Membranbereich M bzw. im danebenliegenden Bereich des Substrats 1 eine erste Silizium-Epitaxischicht 10. Bezugszeichen SB bezeichnet einen Schaltungsbereich in der Peripherie des Membranbereichs M mit vergrabenen Dotierungen.
Weiter mit Bezug auf 1b1) und 1b2) erfolgt ausgehend vom Prozesszustand gemäß 1a) ein Bilden eines Rings von Gräben T0, T1, T2, T3 um den Membranbereich M herum, wobei der Membranbereich M bei diesem Ausführungsbeispiel quadratisch ist und die Gräben bzw. der Ring von Gräben T0, T1, T2, T3 parallel zu den Seitenkanten verlaufen und nur Verbindungsstege in 100, 101, 102, 103, 104 in den Ecken des quadratischen Membranbereichs M aussparen, an denen der Membranbereich M am umgebenen Substrat gehalten wird. Dieser Schritt definiert somit den endgültigen Membranbereich M. Da der Membranbereich derart gebildet wird, sind die Toleranzen, die vor allem beim Bilden der Gräben T0, T1, T2, T3 in der Tiefe entstehen, an der Oberfläche in Bezug zur (späteren) Lage der Piezowiderstände vernachlässigbar.
Wie insbesondere aus 1b2) ersichtlich, weist die Kaverne eine erste Tiefenerstreckung TT1 ausgehend von der Vorderseite VS des Substrats 1 auf, wohingegen die Gräben bzw. der Ring von Gräben T0, T1, T2, T3 eine zweite Tiefenerstreckung TT2 aufweist, welche größer als die erste Tiefenerstreckung TT1 ist. Beim vorliegenden Beispiel weiten sich die Gräben T0, T1, T2, T3 mit größer werdender Tiefenerstreckung in der Breite auf, d.h. die Trenchflanken bzw. Grabenflanken weiten sich auf. Typischerweise haben die Gräben T0, T1, T2, T3 eine Breite von einem bis einige µm. Der Trenchprozess kann aber auch so erfolgen, dass eine Aufweitung von 10–100 µm erreicht werden kann.
Wie 1c) dargestellt, erfolgt anschließend das Bilden einer Oxidschicht 50‘ in der Kaverne K und innerhalb des Ringes von Gräben T0–T3, welche in diesem Ausführungsbeispiel einem geschlossenen Ring unterhalb der Vorderseite VS im Substrat bilden. Ebenfalls oxidiert mit der Oxidschicht 50‘ wird die Epitaxischicht 10 aus Silizium auf der Vorderseite VS.
Wie in 1d) illustriert wird dann die Oxidschicht 50‘ auf der Epitaxischicht 10 derart strukturiert, dass sie nur an der Oberseite OS der Gräben T0–T3 verbleibt, wo sie zum Verschluss der Gräben T0–T3 dient. Optional könnte hierzu auch ein Planarisierungsschritt angewendet werden.
Weiter mit Bezug auf 1e) folgt das Bilden einer zweiten Epitaxieschicht 20 aus Silizium auf der ersten Epitaxischicht 10 aus Silizium und der Oberseite OS der oxidierten Gräben T0–T3. An der Oberseite OS der oxidierten Gräben T0–T3 wachsen Polysiliziumbereiche 30 oberhalb des Oxides, wohingegen der Rest der zweiten Epitaxischicht 20 monokristallin auf der ersten Epitaxischicht 10 aufwächst. Durch geeignete Wachstumsbedingungen kann erreicht werden, dass das Polysilizium monokristallin überwachsen wird, so dass nur unmittelbar über dem Oxid ein polykristalliner Bereich entsteht und auf der Oberseite der 2. Epitaxieschicht wieder eine monokristalline Schicht entsteht. Die Dicke der zweiten Epitaxischicht 20 beträgt typischerweise 5–20 µm oder sogar mehr.
Wie in 1f) dargestellt, werden dann am Rand des Membranbereichs M oberhalb der Gräben T0–T3 piezoresistive Widerstände in den Membranbereich in die zweite Epitaxischicht 20 integriert, und anschließend wird eine Passivierungsschicht 90, beispielsweise aus Nitrid, über der zweiten Epitaxischicht 20 mit den integrierten piezoresistiven Widerständen R abgeschieden. Ebenfalls wird ein zweiter Schaltungsbereich SB‘ oberhalb des ersten Schaltungsbereich SB gebildet.
Anschließend erfolgt, wie in 1g) dargestellt, dass Bilden des Rückseitentrenches TK‘. Hierzu wird auf der Rückseite RS eine Maske MR gebildet, beispielsweise durch abschneiden und strukturieren einer entsprechenden Maskenschicht.
Aufgrund der lateralen Breite der oxidierten Gräben T0–T3 ist für die Aufbringung der Maske ein lateraler Toleranzbereich vorgesehen, welcher mit Bezugszeichen TL bezeichnet ist.
Somit kann die Maske MR im Toleranzbereich TL verschoben werden, ohne dass sich die Membrangröße verändert. Der Ätzschritt, welcher von der Rückseite RS aus zum Bilden des Rückseitentrench TK‘ erfolgt, ist ein selbstjustierender Schritt, da die vergrabene Oxidschicht 50 im Bereich der Gräben T0–T3 und der Kaverne K als Ätzstopp dient. Bei der geringen Trenchtiefe ausgehend von der Rückseite RS bis zum Erreichen der Gräben T0–T3 hatte der Ätzprotzes selbst auch nur laterale Toleranzen, so dass sich diese ebenfalls nicht auswirken können.
Nachdem der Rückseitentrench TK‘ die vergrabene von vorne eingebrachten Oxidschicht erreicht hat, gibt es durch die Flanken des Oxids an den Gräben T0–T3 eine seitliche Führung des Trenches, so dass kein Passivierungsschritt im Trencher mehr ausgeführt werden muss. Man kann nun in einen Stück durchätzen, bis das Stoppoxid unter der Kaverne K erreicht wird. Durch Einsparen der Passivierungszeit erfolgt der Rückseiten-Prozess schneller und damit kostengünstiger.
Der Ätzprozess endet, wenn der Ätzstopp auf der vergrabenen Oxidschicht 50‘ erreicht ist.
Wie in 1h) dargestellt, erfolgt dann ein entfernen der vergrabenen Oxidschicht von der Rückseite RS her mittels eines trockenen oder nassen Ätzprozesses, wobei sich auf die Kaverne K auflöst und ein bis zur Membranbereich M durchgängiger Rückseitentrench TK‘ erhalten wird. Der derart gebildete Rückseitentrench TK‘ ist umgeben durch einen Ring von Halbgräben HT0, HT3 welche sich vom Membranbereich bis zum Tiefenerstreckung TT2 ins Substrat 1 erstrecken.
Optional erfolgt dann ein Überätzen der Rückseite RS her mittels eines Siliziumätzprozesses, beispielsweise um eine Ätztiefe von 0,5–20 µm, um glattere Übergänge an Kanten und Stufen zu ermöglichen, was zu höheren Berstdrücken führt. Bei diesem Überätzen werden abgerundete Talgräben HT0‘, HT3‘ wie ein modifizierter abgerundeter Rückseitentrench TK‘‘ gebildet. Auch werden bei diesem Schritt die Polysiliziumbereiche 30 entfernt.
Der Ätzprozess bewirkt somit auch das erzeugen einer etwas dünneren Membranaufhängung, wodurch der Stress bei den piezoresistiven Widerständen R erhöht wird, was insgesamt zu einer erhöhten Empfindlichkeit der Differenzdruck-Sensoranordnung führt.
Schließlich mit Bezug auf 1j) erfolgt ein optionales Aufbringen einer Passivierungsschicht RP von der Rückseite R her im Rückseitentrench TK‘‘, was zu einem besseren Medienschutz führt.
Abschließen sei angemerkt, dass die Abmessungen in den Figuren nicht maßstäblich sind, dies erfolgte daher damit die ausführungsgemäßen Details, wie Schichtenfolge und Radien überhaupt sichtbar gemacht werden können. Die lateralen Abmessungen sind tatsächlich deutlich größer. Auch das Dickenverhältnis von erster und zweiter Epitaxischicht aus Silizium ist willkürlich.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsformen erläutert worden ist, ist sie nicht darauf beschränkt und vielfältig modifizierbar. Insbesondere kann die Ringgeometrie der Trenchgräben um den Membranbereich herum anders gewählt werden, beispielsweise beliebig polygonal. Die quadratische Anordnung ist lediglich ein bevorzugtes Beispiel. Auch sind die Materialien nur beispielhaft angegeben.
Die vorliegende Erfindung ist auch nicht auf die beschriebenen Differenzdruck-Sensoranordnungen beschränkt, sondern auf beliebige mikromechanische Sensoranordnungen anwendbar, welche einen Membranbereich aufweisen, unter dem ein Rückseitentrench im Substrat liegt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 10138759 A1 [0004]

Claims

Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), wobei an der Vorderseite (VS) ein Membranbereich (M) mit einer darunter befindlichen Kavität (K), welche eine erste Tiefenerstreckung (TT1) im Substrat (1) aufweist, gebildet ist; Bilden eines Ringes von Gräben (T0–T3) um den Membranbereich (M) herum im Substrat (1), wobei die Gräben (T0–T3) eine zweite Tiefenerstreckung (TT2) im Substrat (1) aufweisen, die größer als die erste Tiefenstreckung (T1), wobei der Membranbereich (M) über eine Mehrzahl von Verbindungsstegen (100–103) mit dem umgebenden Substrat (1) verbunden bleibt; Bilden einer Oxidschicht (50‘) in der Kaverne (K) und innerhalb des Ringes von Gräben (T0–T3); und Bilden des Rückseitentrenchs (TK‘) unter Verwendung einer auf der Rückseite (RS) aufgebrachten Ätzmaske (MR), wobei die Oxidschicht (50‘) in der Kaverne (K) und innerhalb des Ringes von Gräben (T0–T3) als Ätzstopp wirkt.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Membranbereich (M) eine erste auf der Vorderseite (VS) des Substrats (1) aufgebrachte Epitaxieschicht (10) aufweist.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei beim Bilden der Oxidschicht (50‘) in der Kaverne (K) und innerhalb des Ringes von Gräben (T0–T3) die Oxidschicht (50‘) auch auf der ersten Epitaxieschicht (10) gebildet wird und anschließend wieder von dort ausser von der Oberseite (OS) des Ringes von Gräben (T0–T3) entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Membranbereich (M) eine zweite Epitaxieschicht (20) aufweist, welche nach dem Entfernen der Oxidschicht (50‘) auf der ersten Epitaxieschicht (10) abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Oxidschicht (50‘) nach dem Bilden des Rückseitentrenchs (TK‘) durch einen Ätzprozeß von der Rückseite (RS) her aus der Kaverne (K) und aus dem Ring von Gräben (T0–T3) entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei nach Entfernen der Oxidschicht (50‘) aus der Kaverne (K) und aus dem Ring von Gräben (T0–T3) ein Überätzen des Substrats (1) und des Membranbereiches (M) im Rückseitentrench (TK‘) durch einen Ätzprozeß von der Rückseite (RS) her erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei nach dem Überätzen eine Passivierungsschicht (RP) von der Rückseite (RS) her auf dem Substrat (1) und auf dem Membranbereich (M) im Rückseitentrench (TK‘) abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die Gräben (T0–T3) mit größerer Tiefenerstreckung im Substrat (1) aufweiten.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Membranbereich (M) im Wesentlichen rechteckig, insbesondere quadratisch, ist und die Verbindungsstege (100–103) mit dem umgebenden Substrat (1) in den Ecken liegen.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Ring von Gräben (T0–T3) um den Membranbereich (M) herum im Substrat (1) geschlossen ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Membranbereich (M) piezoresistive Widerstände (R) eingebracht werden und die Sensoranordnung eine Differenzdruck-Sensoranordnung ist.
Mikromechanische Sensoranordnung mit Rückseitentrench mit: einem Substrat (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), wobei an der Vorderseite (VS) ein Membranbereich (M) gebildet ist, unter dem sich der Rückseitentrench (TK‘; TK‘‘) im Substrat (1) ausgehend von der Rückseite (RS) befindet; und wobei der Rückseitentrench (TK‘; TK‘‘) lateral durch einen Ring von Halbgräben (HT0, HT3) um den Membranbereich (M) herum im Substrat (1) begrenzt ist, welche sich vom Membranbereich (M) bis zu einer Tiefenerstreckung (TT2) ins Substrat (1) erstrecken.
Mikromechanische Sensoranordnung nach Anspruch 12, wobei eine Passivierungsschicht (RP) im Rückseitentrench (TK‘) vorgesehen ist.
Mikromechanische Sensoranordnung nach Anspruch 12 oder 13, wobei der Membranbereich (M) im Wesentlichen rechteckig, insbesondere quadratisch, ist.
Mikromechanische Sensoranordnung nach Anspruch 12, 13 oder 14, wobei der Ring von Halbgräben (HT0, HT3) um den Membranbereich (M) herum im Substrat (1) geschlossen ist.