DE102012218209A1 - Ableitungsverfahren für ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht ausgebildet ist - Google Patents

Ableitungsverfahren für ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht ausgebildet ist Download PDF

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Abstract

Ein Ablationsverfahren zum Aufbringen eines Laserstrahls auf ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht aus Nitrid ausgebildet ist, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, wird bereitgestellt. Das Ablationsverfahren beinhaltet einen Schutzschichtausbildungsschritt zum Aufbringen eines flüssigen Harzes, das ein feines Pulver eines Oxids, das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge des Laserstrahls aufweist, enthält, auf zumindest einen abzudampfenden Subjektbereich des Substrats, wodurch eine das feine Pulver enthaltende Schutzschicht an zumindest dem Subjektbereich des Substrats ausgebildet wird, und einen Laserbearbeitungsschritt des Aufbringens des Laserstrahls auf den mit der Schutzschicht beschichteten Subjektbereich, wodurch die Ablation durch die Schutzschicht an dem Subjektbereich des Substrats durchgeführt wird, nachdem der Schutzschichtausbildungsschritt durchgeführt wurde.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Ablationsverfahren zum Aufbringen eines Laserstrahls auf ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht aus Nitrid ausgebildet ist, wodurch eine Ablation durchgeführt wird.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Mehrere Bauelemente, wie zum Beispiel ICs, LSIs und LEDs, sind an der Vorderseite eines Wafers, wie zum Beispiel eines Siliziumwafers und eines Saphirwafers so ausgebildet, dass sie durch mehrere Trennlinien abgeteilt sind. Der Wafer wird durch eine Teilungsvorrichtung, wie zum Beispiel eine Schneidvorrichtung und eine Laserbearbeitungsvorrichtung, in die einzelnen Bauelemente geteilt. Diese Bauelemente sind zur Verwendung in verschiedenen elektrischen Geräten, wie zum Beispiel Mobiltelefonen und PCs, weit verbreitet. Als ein Verfahren zum Teilen des Wafers in die einzelnen Bauelemente wird häufig ein Zerteilverfahren unter Verwendung einer als Zerteilsäge bezeichneten Schneidvorrichtung angewandt. Bei diesem Zerteilverfahren wird eine Schneidklinge mit einer Dicke von annähernd 30 μm mit einer hohen Geschwindigkeit von annähernd 30000 U/min gedreht und in den Wafer zugeführt, um den Wafer zu schneiden, wodurch der Wafer in die einzelnen Bauelemente geteilt wird. Die Schneidklinge ist durch ein Verbinden von Schleifkörnern aus Diamant zum Beispiel mit Metall oder Harz ausgebildet.
  • Andererseits wurde kürzlich ein anderes Teilungsverfahren vorgeschlagen, das die Schritte beinhaltet, einen gepulsten Laserstrahl mit einer Absorptionswellenlänge auf den Wafer aufzubringen, um dadurch mehrere laserbearbeitete Nuten durch Ablation auszubilden, und anschließend den Wafer unter Verwendung einer Brechvorrichtung entlang der laserbearbeiteten Nuten zu brechen, wodurch der Wafer in die einzelnen Bauelemente geteilt wird (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. Hei 10-305420 ). Dieses Ablationsverfahren zum Ausbilden der laserbearbeiteten Nuten weist den Vorteil gegenüber dem Zerteilverfahren unter Verwendung einer Zerteilsäge auf, dass die Bearbeitungsgeschwindigkeit höher ist und auch ein aus einem harten Material, wie zum Beispiel Saphir und SiC, ausgebildeter Wafer relativ leicht bearbeitet werden kann. Außerdem kann die Breite jeder laserbearbeiteten Nut auf 10 μm oder weniger verringert werden, so dass die Anzahl an pro Wafer erhaltbaren Bauelementen verglichen mit dem Zerteilverfahren erhöht werden kann.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn ein gepulster Laserstrahl mit einer Absorptionswellenlänge (z. B. 355 nm) auf ein Halbleitersubstrat als den Wafer aufgebracht wird, erreicht die Energie des von dem Halbleitersubstrat absorbierten Laserstrahls eine Bandlückenenergie, so dass die atomaren Bindungen in dem Halbleitersubstrat aufgebrochen werden, wodurch die Ablation durchgeführt wird. Jedoch besteht, falls eine Passivierungsschicht aus Nitrid, wie zum Beispiel Si3N4, an der Vorderseite des Halbleitersubstrats ausgebildet ist, ein Problem dahingehend, dass eine Streuung der Energie des Laserstrahls und eine Reflexion des Laserstrahls auftreten können, so dass die Energie des Laserstrahls nicht ausreichend für die Ablation verwendet werden kann, wodurch ein großer Energieverlust bewirkt wird. Ferner besteht ein weiteres Problem dahingehend, dass der durch die Passivierungsschicht hindurch getretene Laserstrahl das Halbleitersubstrat abdampfen und die Passivierungsschicht von deren innerer Oberfläche aus brechen kann.
  • Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Ablationsverfahren bereitzustellen, das die Streuung der Energie und die Reflexion des Laserstrahls bei der Ablation eines Substrats, an dem eine Passivierungsschicht ausgebildet ist, unterdrücken kann.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Ablationsverfahren zum Aufbringen eines Laserstrahls auf ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht aus Nitrid ausgebildet ist, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, bereitgestellt, wobei das Ablationsverfahren beinhaltet: einen Schutzschichtausbildungsschritt des Aufbringens eines flüssigen Harzes, das ein feines Pulver eines Oxids, das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge des Laserstrahls aufweist, enthält, auf zumindest einen abzudampfenden Subjektbereich des Substrats, wodurch eine das feine Pulver enthaltende Schutzschicht an zumindest dem Subjektbereich des Substrats ausgebildet wird; und einen Laserbearbeitungsschritt des Aufbringens des Laserstrahls auf den mit der Schutzschicht beschichteten Subjektbereich, wodurch die Ablation durch die Schutzschicht an dem Subjektbereich des Substrats durchgeführt wird, nachdem der Schutzschichtausbildungsschritt durchgeführt wurde.
  • Vorzugsweise weist das feine Pulver des Oxids eine durchschnittliche Teilchengröße auf, die kleiner als der Fleckdurchmesser des Laserstrahls ist. Vorzugsweise beträgt die Wellenlänge des Laserstrahls 355 nm oder weniger; beinhaltet das feine Pulver des Oxids ein Metalloxid, das aus der Gruppe bestehend aus Fe2O3, ZnO, TiO2, CeO2, CuO, Cu2O und MgO ausgewählt ist; und beinhaltet das flüssige Harz Polyvinylalkohol.
  • Gemäß dem Ablationsverfahren der vorliegenden Erfindung wird zunächst das flüssige Harz, das das feine Pulver des Oxids, das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge des Laserstrahls aufweist, enthält, auf zumindest den Subjektbereich des abzudampfenden Substrats aufgebracht, wodurch die Schutzschicht, die das feine Pulver des Oxids enthält, ausgebildet wird. Danach wird die Ablation durch die Schutzschicht an dem Subjektbereich des Substrats durchgeführt. Dementsprechend wird die Energie des Laserstrahls durch das in der Schutzschicht enthaltene feine Pulver des Oxids absorbiert, um eine Bandlückenenergie zu erreichen und die atomaren Bindungen aufzubrechen, wodurch eine Kettenablation an der Passivierungsschicht bewirkt wird. Als Folge dessen können die Streuung der Energie und die Reflexion des Laserstrahls unterdrückt werden, um dadurch die Ablation des Substrats, an dem die Passivierungsschicht ausgebildet ist, effizient und problemlos durchzuführen.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, in der diese verwirklicht werden, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen studiert werden, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen des Ablationsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist ein Blockdiagramm einer Laserstrahlaufbringeinheit;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, der durch ein Haftband an einem ringförmigen Rahmen gehalten wird;
  • 4 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers, an dem eine Passivierungsschicht aus Nitrid ausgebildet ist;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Flüssigharzaufbringschritt zeigt;
  • 6 ist ein Graph, der den spektralen Transmissionsgrad verschiedener Metalloxide zeigt;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Laserbearbeitungsschritt durch Ablation zeigt; und
  • 8 ist eine der 3 ähnliche perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die Ablation abgeschlossen ist.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun im Einzelnen mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2 zum Durchführen des Ablationsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung zum Abdampfen eines Substrats, an dem eine Passivierungsschicht ausgebildet ist. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet eine ortsfeste Basis 4 und einen ersten Schiebeblock 6, der so an der ortsfesten Basis 4 gehalten ist, dass er in der durch einen Pfeil X gezeigten X-Richtung bewegbar ist. Der erste Schiebeblock 6 ist in einer Zuführrichtung, das heißt in der X-Richtung, entlang eines Paars von Führungsschienen 14 durch ein Zuführmittel 12, das eine Kugelgewindespindel 8 und einen Pulsmotor 10 beinhaltet, bewegbar.
  • Ein zweiter Schiebeblock 16 ist so an dem ersten Schiebeblock 6 gehalten, dass er in der durch einen Pfeil Y gezeigten Y-Richtung bewegbar ist. Der zweite Schiebeblock 16 ist in einer Einteilungsrichtung, das heißt in der Y-Richtung, entlang eines Paars von Führungsschienen 24 durch ein Einteilungsmittel 22, das eine Kugelgewindespindel 18 und einen Pulsmotor 20 beinhaltet, bewegbar. Ein Einspanntisch 28 ist durch ein zylindrisches Halteelement 26 an dem zweiten Schiebeblock 16 gehalten. Dementsprechend ist der Einspanntisch 28 sowohl in der X-Richtung als auch in der Y-Richtung durch das Zuführmittel 12 und das Einteilungsmittel 22 bewegbar. Der Einspanntisch 28 ist mit einem Paar von Klemmen 30 zum Klemmen eines Halbleiterwafers W (siehe 2), der an dem Einspanntisch 28 unter Ansaugen gehalten ist, versehen.
  • Eine Säule 32 ist an der ortsfesten Basis 4 vorgesehen und ein Gehäuse 35 zum Aufnehmen einer Laserstrahlaufbringeinheit 34 ist an der Säule 32 angebracht. Wie in 2 gezeigt ist, beinhaltet die Laserstrahlaufbringeinheit 34 einen Laseroszillator 62, wie zum Beispiel einen YAG-Laseroszillator oder einen YVO4-Laseroszillator, ein Wiederholungsfrequenzeinstellmittel 64, ein Pulsbreiteneinstellmittel 66 und ein Leistungseinstellmittel 68. Ein gepulster Laserstrahl wird durch den Laseroszillator 62 erzeugt und die Leistung des gepulsten Laserstrahls wird durch das Leistungseinstellmittel 68 eingestellt. Ein Fokussiermittel 36 ist an dem vorderen Ende des Gehäuses 35 angebracht und beinhaltet einen Spiegel 70 und eine Fokussierobjektivlinse 72. Der gepulste Laserstrahl von der Laserstrahlaufbringeinheit 34 wird von dem Spiegel 70 reflektiert und anschließend durch die Objektivlinse 72 in dem Fokussiermittel 36 fokussiert, so dass ein Laserstrahlfleck an der Vorderseite des an dem Einspanntisch 28 gehaltenen Halbleiterwafers W ausgebildet wird.
  • Mit erneutem Bezug auf 1 ist außerdem eine Abbildungseinheit 38 zum Erfassen eines laserzubearbeitenden Subjektbereichs des Halbleiterwafers W an dem vorderen Ende des Gehäuses 35 so vorgesehen, dass sie in der X-Richtung neben dem Fokussiermittel 36 liegt. Die Abbildungseinheit 38 beinhaltet eine übliche Abbildungseinrichtung, wie zum Beispiel eine CCD, zum Abbilden des Subjektbereichs des Halbleiterwafers W unter Verwendung sichtbaren Lichts. Die Abbildungseinheit 38 beinhaltet ferner eine Infrarotabbildungseinheit, die aus einem Infrarotlichtaufbringmittel zum Aufbringen infraroten Lichts auf den Halbleiterwafer W, einem optischen System zum Einfangen des durch das Infrarotlichtaufbringmittel auf den Halbleiterwafer W aufgebrachten infraroten Lichts und einer Infrarotabbildungseinrichtung, wie zum Beispiel einer Infrarot-CCD, zum Ausgeben eines elektrischen Signals, das dem durch das optische System eingefangenen infraroten Licht entspricht, besteht. Ein von der Abbildungseinheit 38 ausgegebenes Bildsignal wird zu einer Steuereinrichtung (Steuermittel) 40 übertragen.
  • Die Steuereinrichtung 40 ist durch einen Computer gebildet und beinhaltet einen Prozessor (CPU) 42 zum Durchführen einer Betriebsverarbeitung gemäß einem Steuerprogramm, einen Festspeicher (ROM) 44, der vorausgehend das Steuerprogramm speichert, einen auslesbaren und beschreibbaren Arbeitsspeicher (RAM) 46 zum Speichern der Ergebnisse von Berechnungen u. s. w., einen Zähler 48, eine Eingabeschnittstelle 50 und eine Ausgabeschnittstelle 52. Das Bezugszeichen 56 bezeichnet ein Zuführbetragserfassungsmittel, das eine entlang einer der Führungsschienen 14 vorgesehene lineare Skala 54 und einen an dem ersten Schiebeblock 6 vorgesehen Lesekopf (nicht gezeigt) beinhaltet. Ein Erfassungssignal von dem Zuführbetragserfassungsmittel 56 wird in die Eingabeschnittstelle 50 der Steuereinrichtung 40 eingegeben.
  • Das Bezugszeichen 60 bezeichnet ein Einteilbetragserfassungsmittel, das eine entlang einer der Führungsschienen 24 vorgesehene lineare Skala 58 und einen an dem zweiten Schiebeblock 16 vorgesehenen Lesekopf (nicht gezeigt) beinhaltet. Ein Erfassungssignal von dem Einteilbetragserfassungsmittel 60 wird in die Eingabeschnittstelle 50 der Steuereinrichtung 40 eingegeben. Ein Bildsignal von der Abbildungseinheit 38 wird auch in die Eingabeschnittstelle 50 der Steuereinrichtung 40 eingegeben. Andererseits werden von der Ausgabeschnittstelle 52 der Steuereinrichtung 40 Steuersignale an den Pulsmotor 10, den Pulsmotor 20 und die Laserstrahlaufbringeinheit 34 ausgegeben.
  • Wie in 3 gezeigt ist, sind mehrere erste Straßen S1 und mehrere zu den ersten Straßen S1 senkrechte zweite Straßen S2 an der Vorderseite des Halbleiterwafers (Halbleitersubstrats) W als eines durch die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 zu bearbeitenden Werkstücks ausgebildet, wodurch mehrere rechteckige Bereiche abgeteilt sind, in denen mehrere Bauelemente D jeweils ausgebildet sind. Ferner ist, wie am besten in 4 gezeigt ist, eine Passivierungsschicht 11 aus Nitrid an der Vorderseite (Bauelementoberfläche) des Halbleiterwafers W ausgebildet. Spezieller ist die Passivierungsschicht 11 aus Siliziumnitrid, wie zum Beispiel Si3N4 und SiN (SixNy), ausgebildet.
  • Der Wafer W ist an einem Zerteilungsband T als einem Haftband, dessen Umfangsabschnitt vorausgehend an einem ringförmigen Rahmen F angebracht wurde, angebracht. Dementsprechend wird der Wafer W durch das Zerteilungsband T an dem ringförmigen Rahmen F gehalten. Der Wafer W wird durch das Zerteilungsband T an dem Einspanntisch 28 unter Ansaugen gehalten und der ringförmige Rahmen F wird durch die in 1 gezeigten Klemmen 30 fixiert. Daher wird der durch das Zerteilungsband T an dem ringförmigen Rahmen F gehaltene Wafer W fest an dem Einspanntisch 28 in dem Zustand gehalten, in dem die Vorderseite des Wafers W nach oben gerichtet ist.
  • Bei dem Ablationsverfahren der vorliegenden Erfindung wird ein Flüssigharzaufbringschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass ein flüssiges Harz, das ein feines Pulver eines Oxids, das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge des Laserstrahls aufweist, enthält, auf den abzudampfenden Subjektbereich des Halbleiterwafers (Halbleitersubstrats) W aufgebracht wird. Zum Beispiel ist, wie in 5 gezeigt ist, ein flüssiges Harz 80, wie zum Beispiel PVA (Polyvinylalkohol), das ein feines Pulver des Oxids (zum Beispiel TiO2), das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge (zum Beispiel 355 nm) des Laserstrahls aufweist, enthält, in einer Flüssigharzquelle 76 gespeichert.
  • Eine Pumpe 78 ist mit der Flüssigharzquelle 76 verbunden und eine Düse 74 ist mit der Pumpe 78 verbunden. Dementsprechend wird, wenn die Pumpe 78 angetrieben wird, das in der Flüssigharzquelle 76 gespeicherte flüssige Harz 80 von der Düse 74 der Vorderseite des Wafers W zugeführt und dann auf diese aufgebracht. Danach wird das auf die Vorderseite des Wafers W aufgebrachte flüssige Harz 80 ausgehärtet, um eine Schutzschicht 82 auszubilden, die das feine Pulver des Oxids, das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge des Laserstrahls aufweist, enthält. Als ein Verfahren zum Aufbringen des flüssigen Harzes 80 auf die Vorderseite des Wafers W kann eine Rotationsbeschichtung angewandt werden, um das flüssige Harz 80 aufzubringen während der Wafer W gedreht wird. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird TiO2 als das feine Pulver des Oxids verwendet, das in das flüssige Harz 80, wie zum Beispiel PVA (Polyvinylalkohol) und PEG (Polyethylenglykol), gemischt ist.
  • Während das das feine Pulver des Oxids enthaltende flüssige Harz 80 bei dieser in 5 gezeigten bevorzugten Ausführungsform auf die gesamte Oberfläche der Vorderseite des Wafers W aufgebracht wird, um die Schutzschicht 82 auszubilden, kann das flüssige Harz 80 nur auf den abzudampfenden Subjektbereich, das heißt die ersten Straßen S1 und die zweiten Straßen S2, aufgebracht werden. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist der Halbleiterwafer W aus einem Siliziumwafer ausgebildet. Die Absorptionskantenwellenlänge von Silizium beträgt 1100 nm, so dass die Ablation des Wafers W durch Verwendung des Laserstrahls mit einer Wellenlänge von 355 nm oder weniger problemlos durchgeführt werden kann. Die durchschnittliche Teilchengröße des in das flüssige Harz 80 gemischten feinen Pulvers des Oxids ist vorzugsweise kleiner als der Fleckdurchmesser des Laserstrahls, spezieller kleiner als zum Beispiel 10 μm.
  • Mit Bezug auf 6 ist die Beziehung zwischen spektralem Transmissionsgrad und Wellenlänge für verschiedene Metalloxide, das heißt ZnO, TiO2, CeO2 und Fe2O3, gezeigt. Dem in 6 gezeigten Graphen kann entnommen werden, dass der für die Ablation zu verwendende Laserstrahl durch das feine Pulver dieser Metalloxide durch Einstellen der Wellenlänge des Laserstrahls auf 355 nm oder weniger annähernd absorbiert wird. Als weitere nicht in 6 gezeigte Metalloxide weisen CuO, Cu2O und MgO ein ähnliches Verhalten des spektralen Transmissionsgrads auf. Dementsprechend können auch CuO, Cu2O und MgO bei der vorliegenden Erfindung als das in das flüssige Harz gemischte feine Pulver des Oxids verwendet werden, Daher kann bei der vorliegenden Erfindung eines von TiO2, Fe2O3, ZnO, CeO2, CuO, Cu2O und MgO als das in das flüssige Harz gemischte feine Pulver des Oxids verwendet werden.
  • Tabelle 1 zeigt die Extinktionskoeffizienten k und Schmelzpunkte dieser Metalloxide. Es besteht eine Beziehung α = 4πk/λ zwischen dem Extinktionskoeffizienten k und dem Absorptionskoeffizienten α, wobei λ die Wellenlänge des zu verwendenden Lichts ist. [Tabelle 1]
    Extinktionskoeffizient k (@355 nm) Schmelzpunkt (°C)
    ZnO 0,38 1975
    TiO2 0,2 1870
    Fe2O3 1 < 1566
    CeO2 0,2 1950
    CuO 1,5 1201
    Cu2O 1,44 1235
  • Nachdem der Flüssigharzaufbringschritt zum Ausbilden der Schutzschicht 82 an der Vorderseite des Wafers W durchgeführt wurde, wird ein Laserbearbeitungsschritt durch Ablation durchgeführt. Dieser Laserbearbeitungsschritt wird, wie in 7 gezeigt ist, auf eine solche Weise durchgeführt, dass ein gepulster Laserstrahl 37 mit einer Absorptionswellenlänge (zum Beispiel 355 nm) für den Halbleiterwafer W und das in der Schutzschicht 82 enthaltene feine Pulver des Oxids durch das Fokussiermittel 36 fokussiert und auf die Vorderseite des Halbleiterwafers W aufgebracht wird. Gleichzeitig wird der Einspanntisch 28, der den durch das Zerteilungsband T an dem ringförmigen Rahmen F gehaltenen Halbleiterwafer W hält, mit einer vorgegebenen Zuführgeschwindigkeit in der in 7 durch einen Pfeil X1 gezeigten Richtung bewegt, um dadurch entlang einer vorgegebenen Straße der ersten Straßen S1 eine laserbearbeitete Nut 84 an der Vorderseite des Wafers W durch Ablation auszubilden.
  • Danach wird der den Wafer W haltende Einspanntisch 28 in der Y-Richtung bewegt, um die Ablation in ähnlicher Weise entlang aller ersten Straßen S1 durchzuführen, wodurch mehrere laserbearbeitete Nuten 84 an der Vorderseite des Wafers W entlang aller ersten Straßen S1 ausgebildet werden. Danach wird der Einspanntisch 28 um 90° gedreht, um die Ablation in ähnlicher Weise entlang aller zweiten Straßen S2 senkrecht zu den ersten Straßen S1 durchzuführen, wodurch mehrere laserbearbeitete Nuten 84 an der Vorderseite des Wafers W entlang aller zweiten Straßen S2 ausgebildet werden. 8 ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand zeigt, in dem die laserbearbeiteten Nuten 84 entlang aller ersten und zweiten Straßen S1 und S2 ausgebildet wurden.
  • Diese Laserbearbeitung wird zum Beispiel unter den folgenden Bedingungen durchgeführt:
    Lichtquelle: gepulster YAG-Laser
    Wellenlänge: 355 nm (dritte Oberwelle des YAG-Lasers)
    durchschnittliche Leistung: 0,5 bis 10 W
    Wiederholungsfrequenz: 10 bis 200 kHz
    Fleckdurchmesser: φ1 bis 10 μm
    Zuführgeschwindigkeit: 10 bis 100 mm/sek
  • Beispiele des Substrats, die für die vorliegende Erfindung verwendet werden können, können Si-, SiGe-, Ge-, AlN-, InAlN-, InN-, GaN-, InGaN-, SiC- und GaAs-Substrate beinhalten.
  • Gemäß dem Ablationsverfahren dieser bevorzugten Ausführungsformen wird das flüssige Harz 80, welches das feine Pulver des Oxids, das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge des Laserstrahls aufweist, enthält, zunächst auf die Vorderseite des Wafers W aufgebracht, um die Schutzschicht 82 auszubilden. Danach wird die Ablation durch die Schutzschicht 82 an der Vorderseite des Wafers W durchgeführt. Dementsprechend wird die Energie des Laserstrahls durch das in der Schutzschicht 82 enthaltene feine Pulver des Oxids absorbiert, um eine Bandlückenenergie zu erreichen und die atomaren Bindungen aufzubrechen, wodurch eine Kettenablation an der Passivierungsschicht 11 bewirkt wird.
  • Als Folge dessen können die Streuung der Energie und die Reflexion des Laserstrahls unterdrückt werden, um dadurch die Ablation effektiv und problemlos durchzuführen. Das in das flüssige Harz gemischte feine Pulver des Oxids wirkt als ein Bearbeitungsbeschleuniger. Nachdem die laserbearbeiteten Nuten 84 entlang aller Straßen S1 und S2 ausgebildet wurden, wird das Zerteilungsband T unter Verwendung einer in der Technik bekannten Brechvorrichtung radial aufgeweitet, um dadurch eine äußere Kraft auf den Wafer W auszuüben. Als Folge dessen wird der Wafer W durch diese äußere Kraft entlang der laserbearbeiteten Nuten 84 geteilt, um die einzelnen Bauelemente D zu erhalten.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 10-305420 [0003]

Claims (3)

  1. Ablationsverfahren zum Aufbringen eines Laserstrahls auf ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht aus Nitrid ausgebildet ist, wodurch eine Ablation durchgeführt wird, wobei das Ablationsverfahren umfasst: einen Schutzschichtausbildungsschritt des Aufbringens eines flüssigen Harzes, das ein feines Pulver eines Oxids, das ein Absorptionsvermögen für die Wellenlänge des Laserstrahls aufweist, enthält, auf zumindest einen abzudampfenden Subjektbereich des Substrats, wodurch eine das feine Pulver enthaltende Schutzschicht an zumindest dem Subjektbereich des Substrats ausgebildet wird; und einen Laserbearbeitungsschritt des Aufbringens des Laserstrahls auf den mit der Schutzschicht beschichteten Subjektbereich, wodurch die Ablation durch die Schutzschicht an dem Subjektbereich des Substrats durchgeführt wird, nachdem der Schutzschichtausbildungsschritt durchgeführt wurde.
  2. Ablationsverfahren nach Anspruch 1, bei dem das feine Pulver des Oxids eine durchschnittliche Teilchengröße aufweist, die kleiner als ein Fleckdurchmesser des Laserstrahls ist.
  3. Ablationsverfahren nach Anspruch 1, bei dem die Wellenlänge des Laserstrahls 355 nm oder weniger beträgt; das feine Pulver des Oxids ein aus der aus Fe2O3, ZnO, TiO2, CeO2, CuO, Cu2O und MgO bestehenden Gruppe ausgewähltes Metalloxid beinhaltet; und das flüssige Harz Polyvinylalkohol beinhaltet.
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