DE102012215291A1 - Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien wird beschrieben. Eine Mikrowellenkammer beinhaltet eine erste Wärmeabsorptionsplatte und eine zweite Wärmeabsorptionsplatte auf, die der ersten Wärmeabsorptionsplatte entspricht. Ein erstes Supraleitermaterial und ein zweites Supraleitermaterial sind zwischen der ersten Wärmeabsorptionsplatte und der zweiten Wärmeabsorptionsplatte in der Mikrowellenkammer angeordnet. Das erste Supraleitermaterial und das zweite Supraleitermaterial weisen zwischen einander einen überlappenden Bereich auf und ein Druck wird an die erste Wärmeabsorptionsplatte und die zweite Wärmeabsorptionsplatte angelegt. Mikrowellenenergie wird der Mikrowellenkammer zugeführt. Die erste Wärmeabsorptionsplatte und die zweite Wärmeabsorptionsplatte wandeln die Mikrowellenenergie in Wärmeenergie um, um so das erste Supraleitermaterial und das zweite Supraleitermaterial an dem überlappenden Bereich zu verbinden.

Description

  • Hintergrund
  • Technisches Gebiet
  • Die Offenbarung bzw. Erfindung betrifft ein Verbindungsverfahren und insbesondere ein Verfahren zum Verbinden bzw. Vereinen von Supraleitermaterialien.
  • Verwandter Stand der Technik
  • Basierend auf der derzeitigen industriellen Technologie werden Supraleitermaterialien unter Verwendung von Kupfermetall als ein Hilfsverbindungsmaterial verbunden. Jedoch kann eine produzierte Hochtemperatursupraleiterleitung aus Yttrium-Barium-Kupfer-Oxid (YBCO) durch Verwenden des Verbindungstyps lediglich eine Maximallänge von 500 Meter haben. Falls die Länge der Supraleiterleitung weiter verlängert wird, wird die Leistungsfähigkeit eines Supraleiterprodukts davon beeinträchtigt nachdem es für eine lange Zeit verwendet wurde. Der Hauptgrund ist, dass obwohl der Widerstandswert des Kupfermetalls, das verwendet wird, um Supraleitermaterialien zu verbinden, nicht hoch ist, das Kupfermetall am Ende doch einen gewissen Widerstandswert hat. Daher kann zwangsläufig Wärme während einer langen Betriebszeit erzeugt werden, um den Energieverbrauch zu verursachen und sogar die Supraleiterleitung dazu bringen ihre Leitfähigkeit zu verlieren. Daher ist die ganze Qualität der Supraleiterübertragungsleitung beeinträchtigt.
  • Abgesehen davon sind Hochtemperatursupraleitermaterialien fast in einer komplexen Struktur von Keramikoxidmaterialien. Für die Bindung zwischen herkömmlichen Keramikmaterialien kann ein Flussmittel verwendet werden, um eine Bindungstemperatur von Keramik zu verringern (geringer als eine Sintertemperatur davon). Jedoch, obwohl die Keramik zusammenverbunden werden kann, wird die Schnittstellenstruktur bzw. die Grenzflächenstruktur verändert und ist daher nicht fähig die gleiche zu sein wie die des Ursprungsmaterials. Daher existiert an der Bindungsschnittstelle definitiv ein eher großer Widerstandswert.
  • Zusammenfassung
  • Die Offenbarung erstrebt ein Bereitstellen eines Verfahrens zum Verbinden von Supraleitermaterialien, was die Probleme der Widerstandswerte und andere Angelegenheiten löst, die herkömmliche Verbindungsverfahren auf sich ziehen. In dem Verfahren wird eine Mikrowellenkammer bereitgestellt. Die Mikrowellenkammer weist eine erste Wärmeabsorptionsplatte und eine zweite Wärmeabsorptionsplatte auf, die der ersten Wärmeabsorptionsplatte entspricht. Ein erstes Supraleitermaterial und ein zweites Supraleitermaterial sind zwischen der ersten Wärmeabsorptionsplatte und der zweiten Wärmeabsorptionsplatte in der Mikrowellenkammer angeordnet. Das erste Supraleitermaterial und das zweite Supraleitermaterial weisen zwischen sich bzw. zwischen einander einen überlappenden Bereich auf. Ein Druck wird an die erste Wärmeabsorptionsplatte und die zweite Wärmeabsorptionsplatte angewendet bzw. angelegt. Mikrowellenstrom bzw. Mikrowellenenergie wird in die Mikrowellenkammer gespeist bzw. zugeführt. Die erste Wärmeabsorptionsplatte und die zweite Wärmeabsorptionsplatte wandeln die Mikrowellenenergie in thermische Energie bzw. Wärmeenergie um, um so das erste Supraleitermaterial und das zweite Supraleitermaterial an dem überlappenden Bereich zu verbinden.
  • Einige exemplarische Ausführungsformen sind, begleitet von Figuren, im Folgenden detailliert beschrieben, um die die Offenbarung weiterhin im Detail zu beschreiben.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die begleitenden Zeichnungen sind umfasst, um ein weiteres Verständnis bereitzustellen und sind eingearbeitet in und stellen eine Teil dieser Beschreibung dar. Die Zeichnungen zeigen exemplarische Ausführungsformen und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erklären der Grundlagen der Offenbarung.
  • 1 ist ein schematisches Diagramm eines Verfahrens zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm eines Verfahrens zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß einer anderen exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung.
  • 3 ist ein schematisches Diagramm zum Verbinden eines ersten Supraleitermaterials und eines zweiten Supraleitermaterials in 1.
  • 4 ist ein Diagramm der Beziehung zwischen der Temperatur und dem Widerstand eines Supraleitermaterials nachdem es gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung verbunden wurde.
  • 5 ist ein Diagramm der Beziehung zwischen der Temperatur und dem Widerstand eines Supraleitermaterials nachdem es gemäß einer anderen exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung verbunden wurde.
  • Detaillierte Beschreibung der offenbarten Ausführungsformen
  • 1 ist ein schematisches Diagramm eines Verfahrens zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung. Mit Bezug auf 1 wird zuerst eine Mikrowellenkammer 200 bereitgestellt. Zusätzlich ist die Mikrowellenkammer 200 über eine Wellenleitvorrichtung 102 mit einem Mikrowellengenerator 100 verbunden. Der Mikrowellengenerator 100 kann Mikrowellenenergien mit unterschiedlichen Stufen bzw. Levels erzeugen. Die erzeugte Mikrowellenenergie tritt durch die Wellenleitvorrichtung 102 in die Mikrowellenkammer 200 ein und kann eine Resonanz und einen Fokuseffekt in der Mikrowellenkammer 200 erzeugen.
  • In dieser exemplarischen Ausführungsform ist die Mikrowellenkammer 200 ein geschlossener Raum, der auf einer oberen Struktur 200a und einer unteren Struktur 200b gebildet ist. Zusätzlich sind eine erste Wärmeabsorptionsplatte 210 und eine zweite Wärmeabsorptionsplatte 220 in der Mikrowellenkammer 200 angeordnet. Die erste Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweite Wärmeabsorptionsplatte 220 sind aus einem Plattenmaterial gefertigt, das fähig ist die Mikrowellenenergie zu absorbieren und die Mikrowellenenergie schnell in Wärmeenergie umzuwandeln. Zum Beispiel können die erste Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweite Wärmeabsorptionsplatte 220 Silizium-Karbid (SIC), Graphit, Aktivkohle oder andere Materialien beinhalten, die Mikrowellenenergie gut absorbieren können. Zusätzlich kann die Mikrowellenkammer weiterhin einen O-förmigen Ring 204, eine Quarzplatte 202, Schrauben 206, einen Temperatursensor 207 und andere Komponenten beinhalten. Die Architektur und Komponenten der Mikrowellenkammer 200 sind durch die Offenbarung nicht begrenzt.
  • Der Prozess des Verbindens von Supraleitermaterialien unter Verwendung der zuvor erwähnten Mikrowellenkammer 200 wird im Folgenden beschrieben. Zuerst werden ein erstes Supraleitermaterial 214 und ein zweites Supraleitermaterial 224 zwischen der ersten Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweiten Wärmeabsorptionsplatte 220 in der Mikrowellenkammer 200 geklemmt bzw. befestigt. Gemäß dieser exemplarischen Ausführungsform sind das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 das gleiche Supraleitermaterial. Jedoch ist die Offenbarung dadurch nicht begrenzt. In anderen Ausführungsformen können das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 unterschiedliche Supraleitermaterialien sein. Hier beinhalten das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 besonders ein Supraleitermaterial, wie etwa eine Yttrium-Barium-Kupfer-Oxid-Mischung (YBa2Cu3O7-δ, YBCO) oder eine dotiere Yttrium-Barium-Kupfer-Oxid-Mischung (YBa2Cu3-xMxO7-δ oder Y1-xNxBa2Cu3O7-δ). Hier repräsentiert M Zn, Li, Ni oder Zr, repräsentiert N Ca, Zr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb oder Lu und repräsentiert δ 0~1. Das Supraleitermaterial kann auch Bi2Sr2Ca2Cu3O10 (BSCCO), Tl2Ba2Ca2Cu3O10 (TBCCO) oder Hg12Tl3Ba30Ca30Cu45O127 (HBCCO) sein. Abgesehen davon reicht die Dicke des ersten Supraleitermaterials 214 und des zweiten Supraleitermaterials 224 von 0,1 bis 5 μm.
  • Zusätzlich, in dieser exemplarischen Ausführungsform, wird das erste Supraleitermaterial 214 von bzw. auf einem ersten Substrat 212 getragen und wird das zweite Supraleitermaterial 224 auf einem zweiten Substrat 222 getragen. Das erste Supraleitermaterial 214 kann durch einen Evaporationsprozess, einen Ionenstrahl-gestützten Abscheidungsprozess, einen metallorganischen chemischen Gasabscheidungsprozess oder einen Pulslaserabscheidungsprozess auf dem ersten Substrat 212 gebildet werden. Das zweite Supraleitermaterial 224 kann durch einen Evaporationsprozess, einen Ionenstrahl-gestützten Abscheidungsprozess, einen metallorganischen chemischen Gasabscheidungsprozess oder einen Pulslaserabscheidungsprozess auf dem zweiten Substrat 222 gebildet werden. Allgemein gesagt, bezieht sich die Auswahl des Materials des ersten Substrats 212 auf das des ersten Supraleitermaterials 214 und bezieht sich die Auswahl des Materials des zweiten Substrats 222 auf das des zweiten Supraleitermaterials 224. Hier sind das erste Substrat 212 und das zweite Substrat 222 jeweils ein Strontium-Titanat(STO)-Substrat und ein Lanthan-Aluminat(LAO)-Substrat.
  • Basierend auf dem zuvor Erwähnten weisen das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224, die zwischen der ersten Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweiten Wärmeabsorptionsplatte 220 befestigt sind, einen überlappenden Bereich R zwischen sich auf, wie in 3 gezeigt wird. Gemäß dieser exemplarischen Ausführungsform ist die Länge 1 des überlappenden Bereichs R zwischen dem ersten Supraleitermaterial 214 und dem zweiten Supraleitermaterial 224 größer oder gleich 0,5 cm, exemplarisch 0,5 cm.
  • Anschließend, mit Bezug af 1, wird Mikrowellenenergie unter Verwendung des Mikrowellengenerators 100 erzeugt. Die erzeugte Mikrowellenenergie wird in die Mikrowellenkammer 200 übertragen. Gemäß dieser exemplarischen Ausführungsform ist die Mikrowellenenergie circa 500 W. Die Zeit, um die Mikrowellenenergie in die Mikrowellenkammer 200 zuzuführen ist circa 1 Minute. Zusätzlich kann der Druck in der Mikrowellenkammer 200 ein atmosphärischer Druck sein. In dieser exemplarischen Ausführungsform, wenn die Mikrowellenenergie in die Mikrowellenkammer 200 zugeführt wird, kann weiterhin durch die Schrauben 206 ein Druck, der größer als 1000 Kg/m2 ist, zu dem ersten Supraleitermaterial 214 und dem zweiten Supraleitermaterial 224 zwischen der ersten Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweiten Wärmeabsorptionsplatte 220 zugeführt werden. Anders ausgedrückt, falls die Schrauben 206 nach unten geschlossen bzw. festgestellt bzw. festgezogen werden, wird der Druck, der an die erste Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweite Wärmeabsorptionsplatte 220 angelegt wird, größer. Andererseits, falls die Schrauben 206 nach oben bewegt bzw. gelöst werden, wird der Druck, der an die erste Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweite Wärmeabsorptionsplatte 220 angelegt wird, geringer. Hier ist der Druck geringer als ein Druck, der das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 beschädigen kann.
  • Nachdem die Mikrowellenenergie in die Mikrowellenkammer 200 übertragen wurde, absorbieren die erste Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweite Wärmeabsorptionsplatte 220 die Mikrowellenenergie und wandeln die Mikrowellenenergie schnell in Wärmeenergie um. Zu diesem Zeitpunkt können die erste Wärmeabsorptionsplatte 210 und die zweite Wärmeabsorptionsplatte 220 die Wärmeenergie jeweils zu dem ersten Supraleitermaterial 214 und dem zweiten Supraleitermaterial 224 übertragen, um so das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 auf eine Temperatur zwischen etwa 790°C und 830°C zu erwärmen. Zusätzlich kann in dieser exemplarischen Ausführungsform die Temperatur in der Mikrowellenkammer 200 oder die Temperatur der Quarzplatte 202 durch den Temperatursensor 207 gemessen werden, um so sicherzugehen, dass das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt werden. Anders ausgedrückt, werden das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 unter Verwendung des zuvor erwähnten Mikrowellenerwärmungsverfahrens in Kombination mit selektiv zugeführtem Druck an dem überlappenden Bereich R verbunden. Anschließend, wenn auf Raumtemperatur gekühlt, sind das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 gänzlich miteinander verbunden.
  • In dieser exemplarischen Ausführungsform werden das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 ohne Verwenden irgendeines anderen Schmelz- oder Bindungsmaterials verbunden. Stattdessen werden das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 direkt durch das Mikrowellenerwärmungsverfahren miteinander verbunden bzw. zusammengeklebt oder vereint. Daher hat die vorliegende Ausführungsform nicht das Problem, dass eine Verbindungsschnittstellenwiderstandswert verursacht wird und weiterhin die Effizienz einer Supraleitungsvorrichtung beeinflusst wird. Zusätzlich ist es nicht nötig den Mikrowellenerwärmungsprozess dieser exemplarischen Ausführungsform unter einer Vakuumbedingung durchzuführen. Das Verbinden kann innerhalb einer kurzen Zeit umgesetzt werden. Daher weist das Verbindungsverfahren dieser exemplarischen Ausführungsform geringe Kosten und eine schnelle Geschwindigkeit auf.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm eines Verfahrens zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß einer anderen exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung. Die exemplarische Ausführungsform von 2 ist ähnlich der von 1, so dass das gleiche Element mit dem gleichen Symbol angezeigt wird, was nicht wieder wiederholt wird. Mit Bezug auf 2 beinhaltet die Mikrowellenkammer 200 weiterhin eine Gaseinlassvorrichtung 250. Anders ausgedrückt, wenn die Mikrowellenenergie in die Mikrowellenkammer 200 zugeführt wird, um das erste Supraleitermaterial 214 und das zweite Supraleitermaterial 224 zu verbinden, kann weiterhin Sauerstoffgas durch die Gaseinlassvorrichtung 250 in die Mikrowellenkammer 200 eingelassen werden. Hier reicht die Sauerstoffflussrate von 0 bis 10000 sccm bzw. Standardkubikzentimeter pro Minute, exemplarisch 300 sccm.
  • Durch Einlassen von Sauerstoff in die Mikrowellenkammer 200 wird das Sauerstoffgas ergänzt, das während dem Mikrowellenerwärmungsprozess verbraucht wird. Wenn die Mikrowellenkammer 200 ausreichend Sauerstoffgas aufweist, wird eine ausreichende Sauerstoffzufuhr für den Verbindungsprozess durch Mikrowellenerwärmung des ersten Supraleitermaterials 214 und des zweiten Supraleitermaterials 224 sichergestellt und die Verbindungsqualität ist gewährleistet.
  • In der zuvor erwähnten exemplarischen Ausführungsform wird das Verbinden des ersten Supraleitermaterials 214 und des zweiten Supraleitermaterials 224 als Beispiel genommen, so dass Fachleute die Offenbarung klar verstehen können.
  • Basierend auf dem zuvor Erwähnten, werden in der vorliegenden Ausführungsform mehrere Supraleitermaterialien zur gleichen Zeit durch das Mikrowellenerwärmungsverfahren direkt miteinander verbunden oder vereint, um so eine lange Leitung zu bilden. Daher weist die exemplarische Ausführungsform nicht das Problem auf, dass eine Verbindungsschnittstellenwiderstandswert verursacht wird und weiterhin die Effizienz einer Supraleitungsvorrichtung beeinflusst wird. Abgesehen davon werden die Supraleitermaterialien in der exemplarischen Ausführungsform direkt miteinander verbunden oder vereint ohne irgendein anderes Verbindungsmaterial, wodurch sie die Supraleitfähigkeit bei einem Widerstandswert von Null beibehalten können.
  • 4 ist ein Diagramm der Beziehung zwischen der Temperatur und dem Widerstand eines Supraleitermaterials nachdem es gemäß einer exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung verbunden wurde. Mit Bezug auf 4 wird ein YBCO-Supraleitermaterial in 4 angewendet. Die Mikrowellenerwärmungsbedingung für das YBCO-Supraleitermaterial beinhaltet, dass die Mikrowellenenergie 500 W ist und die Zeit des Mikrowellenerwärmens 1 Minute ist. Aus 4 kann gelernt werden, dass eine kritische Temperatur (Tc) des verbundenen YBCO-Supraleitermaterials immer noch bei 80 K gehalten werden kann. Allgemein gesagt, kann ein Supraleitermaterial mit einer kritischen Temperatur (Tc), die höher als 77 K ist, ein potentielles und hochwertiges Material für eine kostengeringe Anwendung sein.
  • 5 ist ein Diagramm der Beziehung zwischen dem Widerstand und der Temperatur eines Supraleitermaterials nachdem es gemäß einer anderen exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung verbunden wurde. Mit Bezug auf 5 wird ein YBCO-Supraleitermaterial in 5 angewendet. Die Mikrowellenerwärmungsbedingung davon beinhaltet, dass die Mikrowellenenergie 500 W ist und die Zeit des Mikrowellenerwärmens 1 Minute ist. Zusätzlich wird Sauerstoff während des Prozesses der Mikrowellenerwärmung eingelassen. Die Menge des eingelassenen Sauerstoffs ist 300 sccm. In der exemplarischen Ausführungsform von 5 kann die kritische Temperatur (Tc) des verbundenen YBCO-Supraleitermaterials auf 85 K erhöht werden.
  • Basierend auf dem zuvor erwähnten, werden in der Offenbarung Supraleitermaterialien unter Verwendung eines Mikrowellenerwärmungsverfahrens verbunden. Da das Verbindungsverfahren in der Offenbarung keine anderes Material als Schnittstellenverbindungsmaterial verwendet, tritt das Problem, dass bei dem Verbinden mit herkömmlichen Verfahren existiert, die andere Materialien anlegen bzw. verwenden, was in Widerstandsabweichung von einer Schnittstelle oder Verbindungsmaterial resultiert, nicht länger aus. Zusätzlich weist die Struktur, die durch Verbinden von Supraleitermaterialien mit dem Mikrowellenerwärmungsverfahren gebildet wird, in der Offenbarung immer noch Eigenschaften der Hochtemperatur-Supraleitfähigkeit auf.
  • Es wird für Fachleute offensichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen an der Struktur der offenbarten Ausführungsformen vorgenommen werden können, ohne den Schutzbereich oder das Wesen der Erfindung zu verlassen. Hinsichtlich des Vorhergehenden ist es beabsichtigt, dass die Offenbarung Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung überdeckt, falls sie in den Schutzbereich der folgenden Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.

Claims (9)

  1. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien, umfassend: Bereitstellen einer Mikrowellenkammer, wobei die Mikrowellenkammer eine erste Wärmeabsorptionsplatte und eine zweite Wärmeabsorptionsplatte, die der ersten Wärmeabsorptionsplatte entspricht, umfasst; Anordnen eines ein ersten Supraleitermaterials und eines zweiten Supraleitermaterials zwischen der ersten Wärmeabsorptionsplatte und der zweiten Wärmeabsorptionsplatte in der Mikrowellenkammer, wobei das erste Supraleitermaterial und das zweite Supraleitermaterial einen überlappenden Bereich zwischen einander aufweisen und ein Druck an die erste Wärmeabsorptionsplatte und die zweite Wärmeabsorptionsplatte angelegt wird; und Zuführen von Mikrowellenenergie in die Mikrowellenkammer, wobei die erste Wärmeabsorptionsplatte und die zweite Wärmeabsorptionsplatte die Mikrowellenenergie in Wärmeenergie umwandeln, um so das erste Supraleitermaterial und das zweite Supraleitermaterial an dem überlappenden Bereich zu verbinden.
  2. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 1, weiterhin umfassend: ein Einströmenlassen von Sauerstoffgas in die Mikrowellenkammer.
  3. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 2, wobei die Sauerstoffgasströmungsrate von 0 bis 10000 sccm reicht.
  4. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 1, wobei das das erste Supraleitermaterial und das zweite Supraleitermaterial jeweils eine Yttrium-Barium-Kupfer-Oxid-Mischung (YBa2Cu3O7-δ, YBCO), eine dotierte Yttrium-Barium-Kupfer-Oxid-Mischung (YBa2Cu3-xMxO7-δ oder Y1-xNxBa2Cu3O7-δ), wobei M Zn, Li, Ni oder Zr repräsentiert und N Ca, Zr, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb oder Lu repräsentiert und δ 0~1 repräsentiert, Bi2Sr2Ca2Cu3O10 (BSCCO), Tl2Ba2Ca2Cu3O10 (TBCCO) oder Hg12Tl3Ba30Ca30Cu45O127 (HBCCO) sein.
  5. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 1, wobei eine Dicke des ersten Supraleitermaterials und eine Dicke des zweiten Supraleitermaterials jeweils von 0,1 bis 5 μm reichen.
  6. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 1, wobei eine Länge des überlappenden Bereichs zwischen dem ersten Supraleitermaterial und dem zweiten Supraleitermaterial größer oder gleich 0,5 cm ist.
  7. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 1, wobei das erste Supraleitermaterial auf einem ersten Substrat getragen wird und das zweite Supraleitermaterial auf einem zweiten Substrat getragen wird.
  8. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 1, wobei die erste Wärmeabsorptionsplatte und die zweite Wärmeabsorptionsplatte jeweils Siliziumkarbid (SiC), Graphit oder Aktivkohle umfassen.
  9. Verfahren zum Verbinden von Supraleitermaterialien gemäß Anspruch 1, wobei der Druck größer als 1000 Kg/m2 ist.
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