DE102011078548A1

DE102011078548A1 - Stromsensor

Info

Publication number: DE102011078548A1
Application number: DE102011078548A
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Jöckel; Timo Dietz; Klaus Rink; Helge Grasshoff; Thomas Gärtner
Original assignee: Continental Teves AG and Co OHG
Current assignee: Continental Teves AG and Co OHG
Priority date: 2010-07-01
Filing date: 2011-07-01
Publication date: 2012-01-05
Also published as: EP2588869B1; US20130214804A1; EP2588869A1; WO2012001157A1; CN102959407B; KR20130123367A; DE102011078548A8; KR101921765B1; CN102959407A

Abstract

Stromsensor (1), umfassend wenigstens ein Widerstandselement (2), an welchem eine Spannung (UGS) zur Messung des durch das Widerstandselement (2) fließenden Stroms (iMess) erfasst wird, wobei das Widerstandselement (2) so ausgebildet ist, dass zumindest innerhalb eines definierten Messbereichs des Stromsensors der elektrische Widerstand des Widerstandselements abnimmt, wenn der Strom (iMess) durch das Widerstandselement zunimmt.

Description

Die Erfindung betrifft einen Stromsensor gemäß Oberbegriff von Anspruch 1 sowie die Verwendung des Stromsensors in Kraftfahrzeugen.
In Kraftfahrzeugen werden heute an vielen Stellen Strommessungen durchgeführt. Diese Strommessungen sind beispielsweise in Regelkreise eingebunden, dienen der Überwachung von Grenzwerten oder werden zum Messen des Entlade-, bzw. Ladestroms einer Batterie eingesetzt. Bei letzterem Einsatzgebiet wird unter anderem der Ladezustand der Batterie ermittelt. Außerdem werden über das Monitoring bzw. die Überwachung des Innenwiderstandes der Batterie Rückschlüsse auf den Zustand der Batterie gezogen. Hierzu gehören Alter und Kapazität der Batterie. Aufgrund der Suche nach neuen Antriebskonzepten unter Nutzung von erneuerbaren Energien konzentrieren sich zahlreiche Entwicklungen auf Elektro – und Hybridantriebe. Hier gewinnt die Erfassung des Ladezustands und des Gesamtzustandes der Batterie weiter an Bedeutung. Dabei muss der Strom und die Spannung der Batterie gemessen werden. Die Batteriespannungen liegen hier bei bis zu 1000 V und die Entladeströme bei bis zu 600 A. Der Dynamikbereich der zu messenden Ströme erstreckt sich beispielsweise von 10 mA bis 1000 A, also Faktor 1·10^–5. Die Genauigkeit soll häufig < 1% bezogen auf den jeweiligen Messwert betragen. Damit keine zu hohe Verlustleistung entsteht, ist der Wert des Shuntwiderstandes auf maximal 100 μΩ begrenzt.
Am weitesten verbreitet ist die Strommessung anhand der Messung der Spannung über einem, in den Stromkreis geschalteten, ohmschen Widerstand (Shunt). Dabei ist es allerdings häufig schwierig den geforderten Dynamikbereich mit der geforderten Genauigkeit abzudecken. Beispielsweise fällt bei einem Strom von 10 mA am 100 μΩ Widerstand eine Spannung von 1 μV ab, die auf 1% genau gemessen werden muss. Bei 1000 A fallen 100 mV ab, die ebenfalls sehr genau gemessen werden müssen. Hierzu werden zum einen hochauflösende, genaue AD-Wandler benötigt, zum anderen können sich aufgrund der sehr geringen Spannungen und der störintensiven Automotive-Umgebung Probleme bzgl. der EMV-Festigkeit ergeben. Das treibt die Kosten hoch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Stromsensor vorzuschlagen, der relativ kostengünstig einsetzbar ist, insbesondere bei einem relativ großen Messbereich bzw. bei einem relativ großen Dynamikumfang des zu messenden Stroms.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch den Stromsensor gemäß Anspruch 1.
Der Erfindung liegt insbesondere der Gedanke zu Grunde, dass das Widerstandselement so ausgebildet ist, dass zumindest innerhalb eines definierten Messbereichs des Stromsensors der elektrische Widerstand des Widerstandselements abnimmt, wenn der Strom durch das Widerstandselement zunimmt und/oder dass der elektrische Widerstand des Widerstandselements zunimmt, wenn der Strom durch das Widerstandselement abnimmt.
Bevorzugt liegt der Ausbildung des Stromsensors die Anforderung zu Grunde, dass die geforderte Auflösung von deltaI/deltaBit bis auf einen Proportionalitätsfaktor – kleiner ist als der maximale Messfehler e. Dabei ist deltaI die Änderung des zu messenden Stroms durch das wenigstens eine Widerstandselement und deltaBit das Messauflösungsquantum definiert durch einen nachgeschalteten Analog-Digital-Wandler. Der maximale Messfehler e soll dabei konstant bzw. jederzeit höchstens p% vom jeweiligen Messwert betragen, beispielsweise unter 1% bleiben. Im Folgenden wird aus diesen Anforderungen anhand der folgenden Gleichungen beispielhaft ein gewünschter bzw. idealer Zusammenhang zwischen Messspannung und Messstrom theoretisch hergeleitet:
mit:

I_max:: maximaler Messstrom
n:: Bitbreite AD-Wandler
D:: AD gewandelter Messwert [LSB]
U_AD:: AD-Wandler Eingangsspannung
U_ADmax:: maximaler AD Wandlungsbereich
U_sense:: aktuelle Messspannung

Aus der zweckmäßigen Forderung einer prozentual konstanten Auflösung ergibt sich idealerweise ein zumindest quadratischer Zusammenhang zwischen Messspannung und zu messendem Strom, welcher bevorzugt auch durch eine antiproportionale Funktion bzw. eine 1/x-Funktion zwischen Messspannung und Messstrom angenähert werden kann, durch eine entsprechende Auslegung des Widerstandselements.
Der Stromsensor ist vorzugsweise so ausgebildet, dass die prozentuale Auflösung der Strommessung bezogen auf den aktuellen Wert des Stroms bzw. den aktuellen Messstrom durch das Widerstandselement zumindest über den definierten Messbereich des Stromsensors im Wesentlichen konstant bleibt.
Der Stromsensor umfasst bevorzugt mindestens einen Regelkreis, mit welchem die Spannung über dem Widerstandselement auf einen definierten Referenzspannungswert eingeregelt wird, zumindest innerhalb eine definierten Messbereichs. Insbesondere beträgt dabei der definierte Referenzspannungswert mindestens 1 mV, besonders bevorzugt wenigstens 100 mV. Solch ein bevorzugter Referenzspannungswert ist gegenüber dem Spannungswert über einem Shunt bei geringen Strömen deutlich störfester, da die Spannung über einem Shunt üblicherweise nur einen Wert im μV-Bereich aufweist.
Vorzugsweise ist der Stromsensor so ausgebildet, dass die definierte Referenzspannung zur Messbereichserweiterung einstellbar ist.
Der Stromsensor weist zur Bereitstellung der wenigstens einen Referenzspannung zweckmäßigerweise zumindest eine Referenzspannungsquelle auf.
Das Widerstandselement umfasst vorzugsweise mindestens ein Transistorelement, insbesondere wenigstens einen Feld-Effekt-Transistor, besonders bevorzugt zumindest einen MOSFET. Zur Messung des durch das Widerstandselement fließenden Stroms wird zweckmäßigerweise die Gate-Source-Spannung bzw. Basis-Emitter-Spannung an dem Transistorelement erfasst.
Der definierte Messbereich des Messstroms umfasst vorzugsweise mindestens vier Zehnerpotenzen, insbesondere wenigstens fünf Zehnerpotenzen.
Bei geregelter Spannung über dem Widerstandselement ist vorzugsweise der Widerstandswert des Widerstandselements im Wesentlichen abhängig von 1 durch den Wert des Stroms durch das Widerstandselement oder im Wesentlichen abhängig von 1 durch die Wurzel aus dem Wert des Stroms durch das Widerstandselement.
Das wenigstens eine Widerstandselement umfasst vorzugsweise zwei oder mehr parallel geschaltete Teilwiderstandselemente, welche zu- und/oder abschaltbar ausgebildet sind zur Messbereichserweiterung, wobei diese Teilwiderstandselemente insbesondere in den Regelkreis integriert sind.
Es ist bevorzugt, dass der Stromsensor zumindest ein Temperaturmesselement aufweist, welches die Temperatur des wenigstens einen Widerstandselements erfasst, wobei diese Temperatur bei der Messung des durch das mindestens eine Widerstandselement fließenden Stroms berücksichtigt wird, insbesondere durch eine Berechnung in wenigstens einer Signalverarbeitungseinheit des Stromsensors.
Es ist zweckmäßig, dass der Stromsensor einen ersten und einen zweiten Regelkreis umfasst, mit welchen jeweils die Spannung über einem Widerstandselement auf einen definierten Referenzspannungswert eingeregelt wird, zumindest innerhalb eines definierten Messbereichs, wobei das Widerstandselement des ersten Regelkreises von dem zu messenden Strom mit einer ersten definierten Richtung durchflossen werden kann und das Widerstandselement des zweiten Regelkreises von dem zu messenden Strom mit einer zweiten, zur ersten Richtung entgegengesetzten Richtung durchflossen werden kann und der zu messende Strom je nach Stromrichtung mittels des ersten Regelkreises oder mittels des zweiten Regelkreises erfasst und gemessen wird. Die Referenzspannungswerte des ersten und zweiten Regelkreises sind insbesondere unterschiedlich einstellbar.
Es ist bevorzugt, dass die Widerstandselemente des ersten und zweiten Regelkreises als zwei zueinander komplementär ausgebildete Feldeffekttransistoren ausgebildet sind und/oder dass die Widerstandselemente des ersten und zweiten Regelkreises parallel geschaltet sind und dabei der Drainanschluss oder Kollektoranschluss des einen Widerstandselements jeweils mit dem Sourceanschluss oder Emitteranschluss des anderen Widerstandselements verbunden ist, insbesondere wechselseitig.
Dem wenigstens einen Widerstandselement ist vorzugsweise zumindest ein SenseFET zugeordnet, welcher mit einem Analog-Digital-Wandler verbunden ist, wobei mittels des SenseFETs der Strom durch das Widerstandselement bestimmt wird.
Zumindest der SenseFET und das zugeordnete Widerstandselement sind zweckmäßigerweise gemeinsam auf einem Chip ausgebildet.
Besonders bevorzugt ist die Gate-Source-Spannung bzw. Basis-Emitter-Spannung des SenseFETs gleich der Gate-Source-Spannung bzw. Basis-Emitter-Spannung des zugeordneten Widerstandselements ausgeprägt.
Zweckmäßigerweise weist der Quotient aus dem Wert des Drain-Source-Widerstands bzw. Kollektor-Emitter-Widerstands des SenseFETs zu dem Wert des Drain-Source-Widerstands bzw. Kollektor-Emitter-Widerstands des zugeordneten Widerstandselements einen definierten Wert auf. Insbesondere ist eine Referenzspannungsquelle oder Referenzstromquelle mit dem SenseFET verbunden, wodurch der Temperatureinfluss der Strommessung im Wesentlichen unterdrückt werden kann.
Unter einer Auflösung wird vorzugsweise eine definierte Mindestmessgenauigkeit verstanden.
Zweckmäßigerweise umfasst der wenigstens eine Regelkreis mindestens einen Verstärker als Stellglied.
Das wenigstens eine Widerstandselement ist vorzugsweise als Regelstrecke seines Regelkreises ausgebildet, wobei insbesondere die Drain-Source-Spannung bzw. Kollektor-Emitter-Spannung über dem Widerstandselement die Regelgröße bildet und die Gate-Source-Spannung bzw. Basis-Emitter-Spannung an dem Widerstandselement die Stellgröße, aus welcher direkt oder indirekt der Messstrom bzw. der Wert des Stroms durch das Widerstandselements berechnet wird. Es ist bevorzugt, dass die Drain-Source-Spannung bzw. Kollektor-Emitter-Spannung über dem wenigstens einen Transistorelement, als das zumindest eine Widerstandselement, von mindestens einem Regelkreis auf einen konstanten, durch eine Referenzspannungsquelle bestimmten Wert, eingeregelt wird, unabhängig vom Strom, der durch das Widerstandselement fließt. Das heißt, das Widerstandselement arbeitet als geregelter Widerstand.
Außerdem bezieht sich die Erfindung auch auf die Verwendung des Stromsensors in Kraftfahrzeugen, insbesondere zur Messung eines Ent- und/oder Aufladestroms eines elektrischen Energiespeichers in einem Elektro- oder Hybridfahrzeug.
Weitere bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen und den nachfolgenden Beschreibungen von Ausführungsbeispielen an Hand von Figuren.
Es zeigen in schematischer Darstellung
1 ein Ausführungsführungsbeispiel des Stromsensors zur Messung des Lade- und Entladestroms einer Batterie,
2 einen beispielhaften Stromsensor mit zwei Regelkreisen, jeweils umfassend ein Widerstandselement, welchem ein SenseFET zugeordnet ist,
3 eine beispielhafte Veranschaulichung des Regelkreises des Stromsensors, und
4 ein Ausführungsbeispiel, bei welchem das Widerstandselement parallel geschaltete und dabei zu- und abschaltbare Teilwiderstandselemente umfasst zur Messbereichserweiterung.
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Stromsensors 1, der zur Messung des Entlade- und Ladestroms i_Mess eines elektrischen Energiespeichers bzw. Batterie 12 benutzt wird. Stromsensor 1 umfasst dabei einen ersten und einen zweiten Regelkreis, wobei der erste Regelkreis das linke Widerstandselement 2, den linken Verstärker 4 bzw. Sig1 sowie die diesem zugeordnete Referenzspannungswertvorgabe der Referenzspannungsquelle 11 umfasst, und der zweite Regelkreis das rechte Widerstandselement 2, den rechten Verstärker 4 bzw. Sig2 und die entsprechende Referenzspannungswertvorgabe umfasst. Die beiden Widerstandselemente der beiden Regelkreise werden von dem zum messenden Strom i_Mess durchflossen, wobei das Widerstandselement des ersten Regelkreises beim Entladen von Stromdurchflossen wird und das Widerstandselement des zweiten Regelkreises beim Laden, also wenn Messstrom i_Mess die entgegengesetzte Fließrichtung aufweist. Die Widerstandselemente 2 des ersten und zweiten Regelkreises sind beispielgemäß als zwei zueinander komplementär ausgebildete MOS-Feldeffekttransistoren ausgebildet und parallel geschaltet, wobei der Drainanschluss des einen Widerstandselements jeweils mit dem Sourceanschluss des anderen Widerstandselements wechselseitig verbunden ist. Die Drain-Source-Spannung der beiden MosFETs wird dabei auf einen definierten Referenzspannungswert eingeregelt, wodurch der Widerstandswert der beiden Widerstandselemente im Wesentlichen abhängig von 1 durch den Wert des Stroms i_Mess durch das Widerstandselement ausgeprägt ist und somit bei steigendem Messstrom i_Mess der Widerstandswert abnimmt und bei abnehmendem Strom der Widerstandswert der Widerstandselement 2 zunimmt. Zur Messung des Stroms wird dabei die Gate-Source-Spannung des entsprechenden Widerstandselements erfasst, welche die Stellgröße des ersten und zweiten Regelkreises ist und dem Analog-Digital-Wandler 9 zugeführt wird. Stromsensor 1 weist außerdem ein Temperaturmesselement 7 auf, das die Temperatur ϑ der bei den Widerstandselemente 2 erfasst, wobei diese Temperatur bei der Berechnung des Messstroms in der Signalverarbeitungseinheit 10 berücksichtigt wird. Die zu regelnde Drain-Source-Spannung liegt jeweils weit unter der Flussspannung der parasitären Dioden, bei einigen mV. Die Berücksichtigung der Temperaturabhängigkeit der Transistorkennlinien erfolgt durch Messen der Transistortemperatur und anschließender Temperaturkompensation der Rohdaten.
Die Vorteile sind hier unter anderem:

– Es wird mit erheblich höheren Spannungen gearbeitet, beispielsweise mehr als 100 mV bis einige Volt, als an einem Shunt, Spannungen im μV-Bereich, was eine wesentlich höhere EMV-Festigkeit zur Folge hat.
– Es muss kein Spezial IC zur Messwertaufnahme verwendet werden, d. h. es können Standardmikrokontroller als Signalverarbeitungseinheit 10 mit integriertem AD-Wandler 9 verwendet werden, was die Kosten gering hält.

In 2 ist ein Ausführungsbeispiel veranschaulicht, das ausgehend vom Stromsensor aus 1 den MosFET-Widerstandselementen der beiden Regelkreise jeweils einen zugeordneten SenseFET 8 umfasst. Also beiden LeistungsFETs als Widerstandselemente 2 ist noch jeweils ein SENSE-FET zugeordnet, welcher mit Analog-Digital-Wandler 9 verbunden ist, wobei mittels des SenseFETs der Strom durch das Widerstandselement 2 bestimmt wird. Die Gate-Source-Spannung des SenseFETs ist jeweils gleich der Gate-Source-Spannung des zugeordneten Widerstandselements bzw. LeistungsFETs ausgeprägt. Der Quotient aus dem Wert des Drain-Source-Widerstands des SenseFETs zu dem Wert des Drain-Source-Widerstands des zugeordneten Widerstandselements weist einen definierten Wert X/Y auf. Dieser Wert X/Y kann dabei für jeden Pfad unterschiedlich sein (X1/Y1 – X2/Y2). Das Verhältnis dieser beiden Widerstandswerte bzw. -wertepaare ist nahezu temperaturunabhängig und lässt sich sehr genau herstellen. Die beiden SENSE-FETs werden über zwei getrennte Stromquellen mit einem stabilen, präzisen Strom beaufschlagt. Misst man nun die Spannungen U11 bzw. U12 und dividiert diese durch den bekannten Strom der Stromquellen, so erhält man den eingeregelten Widerstandswert der Leistungs FETs dividiert durch den Teilungsfaktor X/Y. Durch Multiplikation mit der gemessenen Spannung Ugeregelt erhält man den Strom i_Mess, der durch die LeistungsFETs bzw. Widerstandselemente 2 fließt.
3a) zeigt einen schematischen Regelkreis, dem gegenübergestellt anhand der 3b) ein beispielhafter Regelkreis des Stromsensors erläutert wird. Der Referenzspannungswert U_REF ist die Führungsgröße. In Verstärker 4, der als Reglereinheit und Stelleinrichtung ausgebildet ist, wird die Stellgröße U_GS als Gate-Source-Spannung bereitgestellt, die über dem Widerstandselement anliegend eingeregelt wird.
Das Widerstandselement 2 selbst bildet die Regelstrecke, welche durch den Messstrom i_Mess sowie die Temperatur ϑ beeinflusst wird. Aus der Regelgröße U_DS als Drain-Source-Spannung des Widerstandselements wird Messstrom i_Mess berechnet.
Anhand der 4 ist eine Ausführungsform veranschaulicht, bei der Widerstandselement 2 drei parallel geschaltete Teilwiderstandselemente 5 umfasst, welche durch Schalter 6 zu- und abschaltbar ausgebildet sind zur Messbereichserweiterung. Die Teilwiderstandselemente 5 werden von Verstärker 4, als Reglereinheit und Stelleinrichtung, angesteuert.

Claims

Stromsensor (1), umfassend wenigstens ein Widerstandselement (2), an welchem eine Spannung (U_GS) zur Messung des durch das Widerstandselement (2) fließenden Stroms (i_Mess) erfasst wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Widerstandselement (2) so ausgebildet ist, dass zumindest innerhalb eines definierten Messbereichs des Stromsensors der elektrische Widerstand des Widerstandselements abnimmt, wenn der Strom (i_Mess) durch das Widerstandselement zunimmt.
Stromsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dieser so ausgebildet ist, dass die prozentuale Auflösung der Strommessung bezogen auf den aktuellen Wert des Stroms (i_Mess) durch das Widerstandselement (2) über den definierten Messbereich des Stromsensors (1) im Wesentlichen konstant bleibt.
Stromsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass dieser mindestens einen Regelkreis (2, 4) umfasst, mit welchem die Spannung (U_DS) über dem Widerstandselement (2) auf einen definierten Referenzspannungswert eingeregelt wird, zumindest innerhalb eines definierten Messbereichs.
Stromsensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der definierte Referenzspannungswert mindestens 1 mV beträgt.
Stromsensor nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass dieser so ausgebildet ist, dass die definierte Referenzspannung zur Messbereichserweiterung einstellbar ist.
Stromsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Widerstandselement (2) ein Transistorelement, insbesondere einen Feld-Effekt-Transistor, umfasst.
Stromsensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannung (U_GS) zur Messung des durch das Widerstandselement fließenden Stroms als Gate-Source-Spannung oder Basis-Emitter-Spannung an dem Transistorelement (2) erfasst wird.
Stromsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der definierte Messbereich des Messstroms (i_Mess) ein Messintervall von mindestens vier Zehnerpotenzen, insbesondere mindestens fünf Zehnerpotenzen, umfasst.
Stromsensor nach mindestens einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass bei geregelter Spannung (U_DS) über dem Widerstandselement (2) der Widerstandswert des Widerstandselements im Wesentlichen abhängig ist von 1 durch den Wert des Stroms (i_Mess) durch das Widerstandselement oder im Wesentlichen abhängig ist von 1 durch die Wurzel aus dem Wert des Stroms (i_Mess) durch das Widerstandselement.
Stromsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Widerstandselement (2) zwei oder mehr parallel geschaltete Teilwiderstandselemente (5) umfasst, welche zu- und/oder abschaltbar (6) ausgebildet sind im Wesentlichen zur Messbereichserweiterung.
Stromsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass dieser zumindest ein Temperaturmesselement (7) aufweist, welches die Temperatur (ϑ) des wenigstens einen Widerstandselements (2) erfasst, wobei diese Temperatur bei der Messung des durch das mindestens eine Widerstandselement fließenden Stroms (i_Mess) berücksichtigt wird, insbesondere durch eine Berechnung in wenigstens einer Signalverarbeitungseinheit (10) des Stromsensors.
Stromsensor nach mindestens einem der Ansprüche 3 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass dieser einen ersten und einen zweiten Regelkreis umfasst, mit welchen jeweils die Spannung (U_DS) über einem Widerstandselement (2) auf einen definierten Referenzspannungswert eingeregelt wird, zumindest innerhalb eines definierten Messbereichs, wobei das Widerstandselement des ersten Regelkreises von dem zu messenden Strom mit einer ersten definierten Richtung durchflossen werden kann und das Widerstandselement des zweiten Regelkreises von dem zu messenden Strom mit einer zweiten, zur ersten Richtung entgegengesetzten Richtung durchflossen werden kann und der zu messende Strom je nach Stromrichtung mittels des ersten Regelkreises oder mittels des zweiten Regelkreises erfasst und gemessen wird.
Stromsensor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstandselemente des ersten und zweiten Regelkreises als zwei zueinander komplementär ausgebildete Feldeffekttransistoren ausgebildet sind und/oder dass die Widerstandselemente des ersten und zweiten Regelkreises parallel geschaltet sind und dabei der Drainanschluss oder Kollektoranschluss des einen Widerstandselements jeweils mit dem Sourceanschluss oder Emitteranschluss des anderen Widerstandselements verbunden ist, insbesondere wechselseitig.
Stromsensor nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass dem wenigstens einen Widerstandselement (2) zumindest ein SenseFET (8) zugeordnet ist, welcher mit einem Analog-Digital-Wandler (9) verbunden ist, wobei mittels des SenseFETs (8) der Strom (i_Mess) durch das Widerstandselement (2) bestimmt wird.
Verwendung des Stromsensors nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 14 in Kraftfahrzeugen, insbesondere zur Messung eines Ent- und/oder Aufladestroms eines elektrischen Energiespeichers (12) in einem Elektro- oder Hybridfahrzeug.