DE102011075350A1

DE102011075350A1 - Energiefilteranordnung für Ionenimplantationsanlagen

Info

Publication number: DE102011075350A1
Application number: DE201110075350
Authority: DE
Inventors: Dr. Rüb Michael
Original assignee: Fachhochschule Jena
Current assignee: Fachhochschule Jena
Priority date: 2011-05-05
Filing date: 2011-05-05
Publication date: 2012-11-08

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Energiefilteranordnung für Ionenimplantationsanlagen, ausgebildet zur Differenzierung der Beschleunigungsenergie der Ionen in einem zwecks Ionenimplantation auf einen Festkörper gerichteten Ionenstrahlenbündel (1), so dass die Ionen in Abhängigkeit von ihrer spezifischen Beschleunigungsenergie, die sie beim Auftreffen auf den Festkörper haben, in unterschiedliche Tiefen des Festkörpers eingelagert werden. Erfindungsgemäß umfasst eine Energiefilteranordnung der vorgenannten Art – einen Energiefilter – mit einer Durchtrittsöffnung (3) für das Ionenstrahlenbündel (1), und – mit mindestens einem Strahlungsenergie absorbierenden Filterelement (4), das in der Durchtrittsöffnung (3) angeordnet ist, wobei – die Abmessung des Filterelementes (4) senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels (1) gemessen kleiner ist als die Abmessung der Durchtrittsöffnung (3), und – eine Einrichtung, die den Energiefilter (2) senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels (1) und relativ zum Ionenstrahlenbündel (1) in Schwingungen versetzt. Es können lineare Schwingungen in Richtung X und/oder Y oder kreisförmige Schwingungen in einer Ebene X, Y senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels (1) vorgesehen sein.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Energiefilteranordnung für Ionenimplantationsanlagen, ausgebildet zur Differenzierung der Beschleunigungsenergie der Ionen in einem zwecks Ionenimplantation auf einen Festkörper gerichteten Ionenstrahlenbündel, so dass die Ionen in Abhängigkeit von einer spezifischen Beschleunigungsenergie, die sie beim Auftreffen auf den Festkörper haben, in unterschiedliche Tiefen des Festkörpers eingelagert werden.
Bei der Ionenimplantation werden Fremdatome in Form von beschleunigten Ionen in folgenden Schritten in ein festes Grundmaterial eingebracht:

– Erzeugung der Ionen in einer Ionenquelle,
– Extraktion der Ionen durch ein elektrostatisches Feld,
– Separation der Ionen nach Masse in einem Separator,
– Beschleunigen der Ionen,
– Ablenken der beschleunigten Ionen mittels elektrischer Felder, und
– Einlagerung der Ionen in das Grundmaterial in einer Tiefe, die von der Beschleunigungsenergie abhängig ist.

Die Beschleunigungsenergie kann dabei im Bereich von 500 eV bis 6 MeV, in besonderen Fällen auch darüber hinaus liegen. Elektrostatische Ionenimplantationsanlagen für einen Implantationsprozess von Bor-Ionen B+ beispielsweise sind so aufgebaut, dass die Ionen mit einer Energie von 1,2 MeV zur Verfügung gestellt werden.
Trifft ein solcher Ionenstrahl beispielsweise auf einen Siliziumwafer, so werden die Ionen im Wafermaterial abgebremst und kommen in einer bestimmten, nach Stand der Technik gut berechenbaren Tiefe zum Liegen.
Für eine Reihe von Anwendungen wird jedoch Material gewünscht, bei dem die implantierten Ionen in einem breiteren Bereich in der Tiefe verteilt sind. Zur Erzielung einer breiteren Zonenverteilung in der Tiefe steht beispielsweise ein Energiefilter zur Verfügung, der einen monoenergetischen Ionenstrahl in einen Ionenstrahl mit kontinuierlich verteilten Energien verwandelt.
Beschrieben ist dieser Filter in M. Rüb, Siemens Technical Report, Jahrgang 4 Nr. 14, Dezember 2001, Seite 30.
1 zeigt einen derartigen Energiefilter in einem Schnitt entlang der Ausbreitungsrichtung Z eines Ionenstrahlenbündels 1. Das Ionenstrahlenbündel 1 mit dem Durchmesser D trifft zunächst auf eine in einen Energiefilter 2 eingearbeitete kreisrunde Durchtrittsöffnung 3, die das Ionenstrahlenbündel 1 mit einem Durchmesser d passieren lässt. Innerhalb der Durchtrittsöffnung 3 sind Filterelemente 4 lateral zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels 1 mehrfach periodisch nebeneinander angeordnet. Die Filterelemente 4 bestehen zum Beispiel aus Silizium. Sie wirken als Bremsmedium auf die beschleunigten Ionen ein.
Da die Filterelemente 4 kegelförmig ausgebildet und mit ihrer Achse parallel zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels 1 ausgerichtet sind, durchlaufen die Ionen – abhängig vom Ort ihres Auftreffens auf die Grundfläche der Kegel – verschieden lange Strecken durch das Filtermaterial, wodurch ihre Beschleunigungsenergie verschieden stark gebremst wird. Folglich haben die aus dem Energiefilter 2 austretenden die Ionen von der Gestalt und Ausdehnung der Filterelemente 4 abhängige differenzierte und damit spezifische Beschleunigungsenergien.
Auf diese Weise wird erreicht, dass unter einem so bestrahlten Implantationsfleck gleichzeitig sowohl Ionen mit höherer Energie als auch Ionen mit geringerer Energie implantiert werden. Die Energie der austretenden Ionen ist – außer durch die Filterelemente 4 – auch definiert durch eine Hilfsschicht 6 konstanter Dicke b, die zugleich zur Aufnahme und mechanischen Stabilisierung der Aneinanderreihung von Filterelementen 4 dient. Sie kann ebenfalls aus Silizium bestehen. Die Differenz aus Maximalenergie Emax und Minimalenergie Emin der innerhalb des Implantationsflecks auftreffenden Ionen jedoch ist definiert durch die jeweilige Wegstrecke, die sie in den Filterelementen 4 durchlaufen müssen.
Im Ergebnis liegt unter dem Implantationsfleck innerhalb des Wafers 5 eine Verteilung implantierter Ionen 7 vor, wie in 1 schematisch angedeutet (wobei hier Streuungen in der Tiefe wie auch lateral nicht dargestellt sind, die aufgrund des sogenannten Gitterführungseffektes bei kristallinen Festkörpern auftreten können).
Für viele Anwendungsfälle, zum Beispiel bei der Dotierung von Leistungsdioden aus SiC, genügt jedoch eine solche Verteilung nicht, weil hierbei eine homogene Dotierung in einem größeren Tiefenbereich benötigt wird.
Davon ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde eine Energiefilteranordnung zu schaffen, die zur Implantation von Ionen in vorgegebenen Tiefenbereichen bei gleichmäßiger Verteilung sowohl in der Einstrahlrichtung als auch in mindestens einer dazu lateralen Richtung nutzbar ist. Eine weitere Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Filteranordnung anzugeben, welche diese Anforderungen erfüllt.
Erfindungsgemäß umfasst eine Energiefilteranordnung

– einen Energiefilter
– mit einer Durchtrittsöffnung für das Ionenstrahlenbündel, und
– mit mindestens einem Strahlungsenergie absorbierenden Filterelement, das in der Durchtrittsöffnung angeordnet ist, wobei
– die Abmessung des Filterelementes senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels gemessen kleiner ist als die Abmessung der Durchtrittsöffnung, und
– eine Einrichtung, die den Energiefilter senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels und relativ zum Ionenstrahlenbündel in Schwingungen versetzt.

Es können lineare Schwingungen des Energiefilters in Richtung X und/oder Y oder kreisförmige Schwingungen in einer Ebene X, Y senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels vorgesehen sein.
Die Filterelemente sind vorteilhaft kegelförmig oder zylindrisch ausgeführt und mit ihrer Achse parallel zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels ausgerichtet. In unterschiedlichen Ausführungsvarianten ist entweder nur ein Filterelement in der Durchtrittsöffnung positioniert, oder es sind mehrere Filterelemente in verschiedenen Bereichen der Durchtrittsöffnung angeordnet. Die Filterelemente bestehen bevorzugt aus Silizium.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind mehrere Filterelemente periodisch nebeneinander angeordnet, wobei ihre Grundflächen in einer Ebene X, Y senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels so aneinander grenzen, dass die Summe ihrer Grundflächen der Abmessung der Durchtrittsöffnung entspricht. Vorteilhaft wird der Energiefilter in eine lineare Schwingung in Richtung X und/oder Y versetzt, wobei die Amplitude der Schwingung der halben Periode der Filterelementeanordnung entspricht. Die Durchtrittsöffnung ist beispielsweise kreisrund oder rechteckig geformt.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die Energiefilteranordnung mikromechanisch kompakt als Baueinheit aus einem Schwingantrieb, dem Energiefilter als schwingendem Körper und federnden Koppelelementen aufgeführt, die zwischen dem Schwingantrieb und dem Energiefilter angeordnet sind. Der Schwingantrieb arbeitet beispielsweise nach elektrostatischem Wirkprinzip, und der Energiefilter und die federnden Koppelelemente sind aus einem oder mehreren Wafern gefertigt.
Energiefilter und federnde Koppelelemente sind vorteilhaft monolithisch integriert, wobei sie aus einem Stück Silizium gefertigt sind, oder hybrid integriert, wobei der Energiefilter und die Koppelelemente zunächst getrennt aus Silizium hergestellt und dann zu einer Funktionseinheit zusammengefügt werden.
Die wesentlichen Vorteile der erfindungsgemäßen Energiefilteranordnung bestehen darin, dass

– die Filterelemente bezüglich ihrer Gestalt und der Anordnung prinzipiell keinen Einschränkungen unterliegen, es ist lediglich eine Abstimmung mit der Richtung und der Amplitude der Schwingungen erforderlich,
– die Implantation von Ionen in unterschiedliche Tiefenbereiche bei gleichmäßiger Verteilung sowohl in der Einstrahlrichtung als auch in mindestens einer dazu lateralen Richtung mit einem konstant auf das Grundmaterial ausgerichteten Ionenstrahlenbündel, also ungescannt, durchgeführt werden kann,
– die erfindungsgemäße Energiefilteranordnung kompakt aufgebaut und deshalb mit geringem Platzbedarf in einer Vakuumumgebung positioniert sein kann, beispielsweise innerhalb eines Strahlrohres, durch das der Ionenstrahl geführt wird,
– der mikromechanische Aufbau der Energiefilteranordnung einen geringen Energiebedarf für die Schwingungserzeugung ermöglicht, so dass für die Stromversorgung eine Batterie genügt und keine separate Kabeldurchführung aus der Vakuumumgebung erforderlich ist.

Gegenstand der Erfindung ist weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Energiefilteranordnung der vorbeschriebenen Art nach folgenden Verfahrensschritten:

a) Herstellen des Energiefilters durch nasschemisches anisotropes Ätzen aus einem ersten Wafer,
b) Herstellen von zur Verbindung des Energiefilters mit einem Schwingantrieb geeigneten federnden Koppelelementen durch nasschemisches anisotropes Ätzen aus einem zweiten Wafer, und
c) mechanisch festes Verbinden der Koppelelemente mit dem Energiefilter und dem Schwingantrieb.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:
1 die Prinzipdarstellung einer Energiefilteranordnung nach Stand der Technik,
2 die Prinzipdarstellung einer ersten Ausführungsvariante der erfindungsgemäßen Energiefilteranordnung,
3 Prinzipdarstellungen verschiedener weiterer Ausführungsvarianten der erfindungsgemäßen Energiefilteranordnung,
4 das Beispiel einer erfindungsgemäßen, mikromechanisch ausgeführten Energiefilteranordnung mit einem elektrostatischen Schwingantrieb und federnden Koppelelementen, die den Energiefilter mit dem Schwingantrieb verbinden, hergestellt aus Wafern.
Die Wirkungsweise eines Energiefilters nach 1 ist bereits eingangs erläutert worden. Erläutert worden sind dort ebenfalls die Nachteile eines solchen Filters.
Um eine Energiefilteranordnung zu schaffen, welche die Implantation von Ionen in vorgegebene Tiefenbereiche bei gleichmäßiger Verteilung sowohl in der Einstrahlrichtung als auch in mindestens einer dazu lateralen Richtung ermöglicht, sind Mittel vorgesehen, die den Energiefilter 2 in eine lineare periodische Schwingung y(f); x(f) in Richtung X und/oder Y oder in eine kreisförmig periodische Schwingung φ(f) in einer Ebene X, Y um einen Winkel φ versetzen. Dabei erstrecken sich die Richtungen X und Y bzw. die von X und Y aufgespannte Ebene senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z eines beispielsweise mit einem Durchmesser D von 1 mm bis 3 mm aus der Beschleunigungsstrecke eines Hochenergiebeschleunigers herausgeführten Ionenstrahlenbündels 1.
In 2 ist beispielhaft eine lineare Schwingung y(f) angedeutet. Um diese zu erzeugen, ist beispielsweise ein elektrostatischer Schwingantrieb über federnde Koppelelemente mit dem Energiefilter 3 verbunden. Ein Beispiel für eine konkret ausgeführte derartige Anordnung ist weiter unten anhand 4 erläutert.
Der Energiefilter 2 weist eine Durchtrittsöffnung 3 auf, deren Durchmesser d zwar ebenfalls wie bei dem Energiefilter nach 1 kleiner ist als der Durchmesser D des Ionenstrahlenbündels 1, wobei hier jedoch gilt D ≥ d + 2y₀ mit y₀ der Amplitude der Schwingung y(f).
In der Durchtrittsöffnung 3 sind Strahlungsenergie absorbierende Filterelemente 4 vorgesehen, die beispielsweise wiederum kegelförmig ausgebildet und mit ihren Achsen parallel zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels 1 ausgerichtet sind. Die Filterelemente 4 sind in gleicher Größe ausgeführt und in gleicher Ausrichtung in X- und/oder Y-Richtung periodisch oder in der Ebene X, Y matrixförmig nebeneinander angeordnet.
Beim Betreiben der erfindungsgemäßen Energiefilteranordnung haben die aus dem Energiefilter 2 austretenden Ionen spezifische, von der Gestalt und der Ausdehnung der Filterelemente 4 abhängige Beschleunigungsenergien. Die Ionen sind aufgrund der Schwingungen des Energiefilters 2 zeitlich nacheinander auf unterschiedliche Orte innerhalb eines sich in Richtung Y erstreckenden Bereiches der Oberfläche des Wafers 5 gerichtet und dringen von dort in das Wafermaterial ein. Wie weit sich diese Bereiche in Richtung Y erstrecken, ist mit der Schwingungsamplitude y₀ definiert. In dem nach 2 gewählten Beispiel entspricht die Schwingungsamplitude y₀ der halben Periode, mit der die Filterelemente in Richtung Y nebeneinander angeordnet sind.
Im Ergebnis der Bestrahlung liegt innerhalb des Wafers 5 eine Verteilung der implantierten Ionen 7 vor, wie in 2 schematisch angedeutet (wobei auch hier Streuungen in der Tiefe wie auch lateral nicht dargestellt sind, die aufgrund des Gitterführungseffektes auftreten können).
Wie aus 3 hervorgeht, liegen unterschiedliche Ausführungsvarianten von Filterelementen 4.1, 4.2, 4.3 im Rahmen der Erfindung. In Abhängigkeit von der Schwingungsamplitude y₀ und den Strecken, welche die Ionen in dem jeweiligen Filterelement 4.1, 4.2, 4.3 zu durchlaufen haben, werden Verteilungen der implantierten Ionen 7.1, 7.2, 7.3 wie dargestellt erzielt.
Vom Erfindungsgedanken eingeschlossen sind weiterhin Ausgestaltungsvarianten, bei denen innerhalb der Durchtrittsöffnung 3 ein einzelnes Filterelement 4.1, 4.2 oder 4.3, mehrere in Form und Größe gleiche Filterelemente 4.1, 4.2 oder 4.3 oder auch mehrere verschiedene Filterelemente 4.1, 4.2 oder 4.3 nebeneinander angeordnet sind. Die Dicke b der Hilfsschicht 6 kann dabei über die gesamte Durchtrittsöffnung hinweg konstant sein, wie in 2 gezeigt, oder in Zuordnung zu einzelnen Filterelementen 4.1, 4.2 oder 4.3 je nach Anwendungsfall unterschiedlich vorgegeben sein, um auf diese Weise die Tiefenbereiche, in denen Ionen 7.1, 7.2 oder 7.3 implantiert sind, in Richtung Z zu variieren.
4 zeigt in einer Draufsicht das Beispiel einer erfindungsgemäßen Energiefilteranordnung mit dem in Richtung Y schwingenden Energiefilter 2, Verankerungen 8 und 9, Koppelelementen 10, die den Energiefilter 2 mit den Verankerungen 8 und 9 federnd verbinden, und einem elektrostatischen Schwingantrieb, der symbolisch durch die kammartig ausgebildeten Elektroden 11 und Gegenelektroden 12, die mit den Elektroden 11 korrespondieren, dargestellt ist. Sowohl der Energiefilter 2 als auch die Koppelelemente 10 sind hier beispielhaft aus Wafern hergestellt. Der Schwingantrieb ist beispielsweise entsprechend eines „Comb-Drive-Resonators” der Fa. MEMSCAP S. A., Parc des Fontaines, Bernin, 38 926 Crolles Cedex, France ausgebildet.
Ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Energiefilteranordnung kann beispielsweise folgende Verfahrensschritte umfassen:

a) Herstellen des Energiefilters 2 durch nasschemisches anisotropes Ätzen aus einem ersten Wafer,
b) Herstellen von zur Verbindung des Energiefilters 2 mit dem Schwingantrieb geeigneten federnden Koppelelementen 10 durch nasschemisches anisotropes Ätzen aus einem zweiten Wafer, und
c) mechanisch festes Verbinden der Koppelelemente 10 mit dem Energiefilter 2 und dem Schwingantrieb.

Dieses Verfahren beruht in seinem Kernprozess auf dem nasschemischen anisotropen Ätzen von Silizium mit alkalischen Medien. Prinzipiell sind eine Reihe anderer Realisierungsmöglichkeiten denkbar, wie etwa die Nutzung von Technologien der Silizium-Oberflächen-Mikromechanik oder eine Kombination von in Siliziumtechnologie hergestelltem Filterelement 2 und Resonator mit Hilfe des LIGA-Verfahrens, wobei die Abkürzung LIGA für die Verfahrensschritte Lithographie, Galvanik und Abformung steht.
Ausgangsbasis für die Herstellung sind beispielsweise SOI(Silicon on insulator)-Wafer. Dabei werden aus einem ersten Wafer der Energiefilter 2 und aus einem zweiten Wafer die federnden Koppelelemente hergestellt. Die Herstellung des Energiefilters 2 und der Koppelelemente 10 erfolgt jeweils in einem Lithographieschritt sowie einer nachfolgenden anisotropen Ätzung.
In anschließenden Verfahrensschritten werden die Strukturen des Energiefilters 2 und der Koppelelemente 10 herausgearbeitet. Danach erfolgt die Zusammensetzung bzw. Verbindung des Waferabschnittes mit dem Energiefilters 2 mit dem Waferabschnitt, der die Koppelelemente 10 aufweist.
Im Bereich des Energiefilters 2 bzw. der vorzusehenden Filterelemente 4, welche die Ionen durchdringen müssen, wird die Rückseite beider Wafer geöffnet. Ein letzter Schritt besteht dann darin, den Waferabschnitt, der den Energiefilter 2 aufweist, und den Waferabschnitt, der die Koppelelemente 10 aufweist, mit dem Schwingantrieb zu verbinden, was beispielsweise durch Kleben erfolgt.
Mittels einer strukturierten Metallisierung werden zwei Elektroden vorgesehen, an die eine Wechselspannung angelegt wird, welche das Filterelement 2 in Schwingungen versetzt. Alternativ kann die Energiefilteranordnung durch eine Ätzung in zwei galvanisch getrennte Teile zerlegt werden, an welche die Wechselspannung angelegt wird. Vorteilhaft wird dabei das Filterelement 2 auf Erdpotential gehalten, um eine Beeinflussung der Ionen zu verhindern.
Bezugszeichenliste

1: Ionenstrahlenbündel
2: Energiefilter
3: Durchtrittsöffnung
4: Filterelemente
5: Wafer
6: Hilfsschicht
7: implantierte Ionen
8: Verankerung
9: Verankerung
10: Koppelelemente
11: Elektroden
12: Gegenelektroden
D, d: Durchmesser
b: Dicke
Emin: minimale Beschleunigungsenergie
Emax: maximale Beschleunigungsenergie

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

M. Rüb, Siemens Technical Report, Jahrgang 4 Nr. 14, Dezember 2001, Seite 30 [0006]

Claims

Energiefilteranordnung für Ionenimplantationsanlagen, ausgebildet zur Differenzierung der Beschleunigungsenergie der Ionen in einem zwecks Ionenimplantation auf einen Festkörper gerichteten Ionenstrahlenbündel (1), so dass die Ionen in Abhängigkeit von ihrer spezifischen Beschleunigungsenergie, die sie beim Auftreffen auf den Festkörper haben, in unterschiedliche Tiefen des Festkörpers eingelagert werden, umfassend: – einen Energiefilter – mit einer Durchtrittsöffnung (3) für das Ionenstrahlenbündel (1), und – mit mindestens einem Strahlungsenergie absorbierenden Filterelement (4), das in der Durchtrittsöffnung (3) angeordnet ist, wobei – die Abmessung des Filterelementes (4) senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels (1) gemessen kleiner ist als die Abmessung der Durchtrittsöffnung (3), und – eine Einrichtung, die den Energiefilter (2) senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels (1) und relativ zum Ionenstrahlenbündel (1) in Schwingungen versetzt.
Energiefilteranordnung nach Anspruch 1, bei welcher lineare Schwingungen in Richtung X oder Y oder kreisförmige Schwingungen in einer Ebene X, Y senkrecht zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels (1) vorgesehen sind.
Energiefilteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei welcher mehrere Filterelemente (4) in unterschiedlichen Bereichen der Durchtrittsöffnung (3) nebeneinander angeordnet sind.
Energiefilteranordnung nach Anspruch 3, bei welcher die Filterelemente (4) kegelförmig oder zylindrisch ausgeführt und mit ihren Achsen parallel zur Ausbreitungsrichtung Z des Ionenstrahlenbündels (1) ausgerichtet sind.
Energiefilteranordnung nach Anspruch 4, bei welcher die Filterelemente (4) in einer Ebene X, Y periodisch nebeneinander angeordnet sind, wobei die Summe ihrer Grundflächen bevorzugt der Abmessung der Durchtrittsöffnung (3) entspricht.
Energiefilteranordnung nach Anspruch 5, bei der die Amplitude der linearen Schwingungen der halben Periode der Filterelementeanordnung entspricht.
Energiefilteranordnung nach einem der vorgenannten Ansprüche, bei der die Filterelemente (4) aus Silizium bestehen.
Energiefilteranordnung nach Anspruch 7, wobei – ein elektrostatischer Schwingantrieb vorgesehen ist, und – der Energiefilter (2) sowie federnde Koppelelemente (10), die den Energiefilters (2) mit dem Schwingantrieb verbinden, aus Wafern gefertigt sind.
Verfahren zur Herstellung einer Energiefilteranordnung mit einem senkrecht zur Ausbreitungsrichtung eines Ionenstrahlenbündels (1) schwingenden Energiefilter (2) nach folgenden Verfahrensschritten: a) Herstellen des Energiefilters (2) durch nasschemisches anisotropes Ätzen aus einem ersten Wafer, b) Herstellen von zur Verbindung des Energiefilters (2) mit einem Schwingantrieb geeigneten, federnden Koppelelementen (10) durch nasschemisches anisotropes Ätzen aus einem zweiten Wafer, und c) mechanisch festes Verbinden der Koppelelemente (10) mit dem Energiefilter (2) und dem Schwingantrieb.