DE102011006403B4

DE102011006403B4 - Mikromechanische Anordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE102011006403B4
Application number: DE102011006403.6A
Authority: DE
Inventors: Jochen Reinmuth; Andreas Scheurle; Christian Bierhoff
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2011-03-30
Filing date: 2011-03-30
Publication date: 2019-01-17
Anticipated expiration: 2031-03-31
Also published as: US20120251799A1; US9309107B2; DE102011006403A1

Abstract

Mikromechanische Anordnung mit:
einem Substrat (S);
einem ersten mikromechanischen Funktionsbereich (P1), welcher oberhalb des Substrats (S) angeordnet ist;
einem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2), welcher oberhalb des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs (P1) angeordnet ist und über eine erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) mit dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich (P1) verbunden ist;
wobei die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) aus dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2) gebildet ist;
einem dritten mikromechanischen Funktionsbereich (P3), welcher oberhalb des zweiten mikromechanischen Funktionsbereichs (P2) angeordnet ist und welcher einen ersten Unterbereich (P3a) und einen zweiten Unterbereich (P3b) aufweist;
wobei der erste Unterbereich (P3a) über eine zweite stegartige Verankerungstrukur (KR3, KR4; KS6-KS10) mit dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2) verbunden ist;
wobei die zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) aus dem dritten mikromechanischen Funktionsbereich (P3) gebildet ist;
wobei der zweite Unterbereich (P3b) durch den ersten Unterbereich (P3a) schwebend über dem Substrat (S) gehaltert ist; und
wobei die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) und die zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) keine Überlappung oder nur kreuzungsartige Überlappungen aufweisen.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine mikromechanische Anordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren, insbesondere zur Anwendung bei mikromechanischen Beschleunigungssensoren, Drehdatensensoren, u.ä..
Stand der Technik
Es ist allgemein bekannt, zur Herstellung von MEMS-Strukturen eine dicke Polysilizium-Funktionsschicht über einer dünnen vergrabenen Polysiliziumschicht anzuordnen. Die vergrabene Polysiliziumschicht dient dabei als Leiterbahn oder als Elektrode. Die Polysilizium-Funktionsschicht wird üblicherweise über einem Trenchprozess und ein Opferschicht-Ätzverfahren freigestellt.
Aus der DE 10 2007 060 878 A1 sind ein mikromechanisches System und ein entsprechendes Herstellungsverfahren bekannt, wobei eine zweite vergrabene Polysiliziumschicht vorgesehen wird, die wie die erste Polysilizium-Funktionsschicht freigestellt werden kann. Diese Schicht kann als Leiterbahn eingesetzt werden, so dass beispielsweise in Kombination mit der ersten vergrabenen Polysiliziumschicht als Leiterbahn auch Leiterbahnkreuzungen möglich sind. Die zweite vergrabene Polysiliziumschicht kann auch als mechanisch freitragende Schicht eingesetzt werden. Die drei Schichten werden durch Oxidschichten, die auch als Opferschichten dienen, getrennt. Die Oxidschichten definieren den Abstand zwischen den einzelnen Schichten und werden je nach Anwendung relativ dick ausgelegt. Werden Verbindungen zwischen den Schichten angelegt, so entsteht an der Oberfläche eine hohe Topologie, die die Herstellung von Strukturen mit hoher Auflösung erschwert. Je kleiner die Kontaktflächen ausgelegt werden, desto geringer werden die Einflüsse durch die erhöhte Topographie, jedoch wird damit gleichzeitig die mechanische Stabilität der Verbindung stark reduziert.
Die Oxidschichten zwischen den einzelnen Polysiliziumschichten können einerseits bewusst zur mechanischen Versteifung verwendet werden. Andererseits kann es aufgrund der unterschiedlichen mechanischen Parameter aber zu mechanischen Verspannungen kommen, die sich auch mit der Temperatur verändern können. Weiterhin kann es je nach Geometrie mehr oder weniger schwierig sein, die Oxide zwischen den Polysiliziumschichten im Opferschicht-Ätzprozess vollständig zu entfernen.
Offenbarung der Erfindung
Die Erfindung schafft eine mikromechanische Anordnung nach Anspruch 1 und ein entsprechendes Herstellungsverfahren nach Anspruch 6.
Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
Vorteile der Erfindung
Die Erfindung hat den Vorteil, dass sie es ermöglicht, Kontaktanbindungen an das Substrat herzustellen, welche mechanisch stabil sind, gleichzeitig auch bei hohen Opferschichtdicken eine geringe Topographie zu erzeugen und vor allem eine mikromechanische Anordnung zu schaffen, die alle unerwünschten Oxidbereiche unterhalb der untersten Funktionsschicht vermeiden kann.
Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee liegt darin, zwischen den Funktionsschichten keine flächige durchgehende Verbindung zu erzeugen, sondern die Funktionsschichten über stegartige Verankerungsstrukturen miteinander zu verbinden. Diese stegartigen Verankerungsstrukturen können beispielsweise eine Stegringstruktur und/oder eine Steglinienstruktur beliebiger Geometrie aufweisen. Die Breite der Stege und deren Zwischenräume wird derart gewählt, dass einerseits eine stabile mechanische Verbindung in Anbetracht des gewünschten Anwendungsbereichs erzielt werden kann, und andererseits eine sichere Entfernung der Opferschicht aus den Zwischenräumen zwischen den einzelnen Stegabschnitten gewährleistet werden kann. Die stegartigen Verankerungsstrukturen können derart schmal ausgebildet werden, dass sich an der Oberfläche der Stegsegmente eine geringe Topographie ausbildet.
Erfindungsgemäß weisen die erste stegartige Verankerungsstruktur zwischen dem ersten Funktionsbereich der ersten Funktionsschicht und dem zweiten Funktionsbereich der zweiten Funktionsschicht und die zweite stegartige Verankerungsstruktur zwischen dem zweiten Funktionsbereich der zweiten Funktionsschicht und dem dritten Funktionsbereich der dritten Funktionsschicht keine Überlappung oder nur kreuzungsartige Überlappungen auf. Dies wirkt sich sehr vorteilhaft auf die Stabilität aus, da die Topographien der beiden Kontaktebenen nicht bzw. nur marginal agieren.
Vorzugsweise werden im dritten Funktionsbereich der dritten Funktionsschicht zweierlei Ätzlöcher vorgesehen. Dabei werden erste Ätzlöcher seitlich versetzt an der zweiten stegartigen Verankerungsstruktur angeordnet und erstrecken sich bis zur dritten Opferschicht. Zweite Ätzlöcher werden über der zweiten stegartigen Verankerungsstruktur angeordnet und erstrecken sich durch die zweite stegartige Verankerungsstruktur bis zur zweiten Opferschicht. Je nach Prozess kann es sich dabei als günstig erweisen, die zweiten Ätzlöcher breiter als die darunter liegende stegartige Verankerungsstruktur auszubilden, so dass die dritte Oxidschicht gleichsam als selbstjustierende Maske wirkt. Durch Vorsehen dieser zwei Typen von Ätzlöchern kann sowohl eine dichte Anordnung der Stegsegmente der Verankerungsstrukturen als auch gleichzeitig eine dichte Anordnung der Ätzzugänge erreicht werden.
Schmale stegartige Verankerungsstrukturen werden bevorzugt eingesetzt, wenn der dritte Funktionsbereich nur eine geringe Politur oder keine Politur bekommt oder generell eine geringe Topographie wünschenswert bzw. vorteilhaft ist. Besonders günstig sind längliche zweite Kontaktlöcher, die senkrecht zu den Stegsegmenten verlaufen, wodurch Prozessschwankungen, wie z.B. Justagefehler, Ätzfehler, ..., gut kompensiert werden können.
Breite Stege werden bevorzugt eingesetzt, wenn der dritte Funktionsbereich eine gute, tiefe Politur erfährt oder die Topographie eine untergeordnete Rolle spielt. Die zweiten Ätzlöcher werden dann bevorzugt innerhalb der Stege angeordnet und deutlich schmäler als die Breite der Stege ausgeführt, um so ebenfalls Prozessschwankungen kompensieren zu können.
Figurenliste
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die Figuren erläutert. Es zeigen:

1a,b bis 6a,b aufeinanderfolgende Prozessstadien einer ersten Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen mikromechanischen Anordnung, und zwar a) jeweils in Draufsicht und b) jeweils im Schnitt entlang Linie AA' in a); und
7a,b bis 11a,b aufeinanderfolgende Prozessstadien einer zweiten Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen mikromechanischen Anordnung, und zwar a) jeweils in Draufsicht und b) jeweils im Schnitt entlang Linie AA' in a).

Ausführungsformen der Erfindung
1a,b bis 6a,b zeigen aufeinanderfolgende Prozessstadien einer ersten Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen mikromechanischen Anordnung, und zwar a) jeweils in Draufsicht und b) jeweils im Schnitt entlang Linie AA' in a).
In 1 bezeichnet Bezugszeichen S ein Siliziumsubstrat, beispielsweise ein Wafersubstrat. Auf dem Siliziumsubstrat S ist eine erste Opferschicht O1 aus Oxid beispielsweise durch Abscheidung vorgesehen. P1 bezeichnet einen ersten mikromechanischen Funktionsbereich aus Polysilizium, welcher auf der ersten Opferschicht 01 strukturiert worden ist.
Weiter mit Bezug auf 2 wird eine zweite Opferschicht 02 aus Oxid über dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich P1 und der umgebenden ersten Opferschicht 01 abgeschieden, welche eine Stufe K1 am ersten mikromechanischen Funktionsbereich P1 bildet.
Über dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich P1 wird anschließend eine erste stegartige Grabenstruktur RG1, RG2 in der zweiten Opferschicht 02 gebildet, welche entsprechende Teile des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 freilegt. Bei der ersten Ausführungsform hat die erste stegartige Grabenstruktur RG1, RG2 die Form von Ringgräben RG1, RG2, wobei der größere Ringgraben RG1 den kleineren Ringgraben RG2 mit einem dazwischen liegenden Abstand umgibt und von den Kanten des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 beabstandet ist, wobei sich Letzteres insbesondere aus 2b) ergibt.
Oberhalb des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 wird, wie in 3 dargestellt, auf der zweiten Opferschicht 02 ein zweiter mikromechanischer Funktionsbereich P2 aus Polysilizium gebildet. Dabei entsteht in der ersten stegartigen Grabenstruktur RG1, RG2 eine erste stegartige Verankerungsstruktur in Form von Kontaktringen KR1, KR2, über die der zweite mikromechanische Funktionsbereich P2 mit dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich P1 verbunden ist.
Die Kontaktringe KR1, KR2, welche die erste stegartige Verankerungsstruktur bilden, werden hinsichtlich ihrer Stegbreite und ihres Abstands bzw. ihrer Anzahl entsprechend der jeweiligen Verwendung und der damit gewünschten Stabilität gewählt. Es ist vorteilhaft, die Dicke des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 aus Polysilizium möglichst dünn zu wählen und den Abstand des ersten Kontaktrings KR1 zur Oxidkante K1 der zweiten Opferschicht so groß wie die Schichtdicke des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 zu wählen.
Weiter mit Bezug auf 4 wird über der Struktur gemäß 3 eine dritte Opferschicht 03 auf dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich P2 und auf der umliegenden zweiten Opferschicht 02 abgeschieden, welche eine Stufe K2 am zweiten mikromechanischen Funktionsbereich P2 bildet.
Im Anschluss daran wird eine zweite stegartige Grabenstruktur RG3, RG4 in der dritten Opferschicht 03 oberhalb des zweiten mikromechanischen Funktionsbereichs P2 gebildet, welche entsprechende Teile des zweiten mikromechanischen Funktionsbereichs P2 freilegt. Die zweite stegartige Grabenstruktur RG3, RG4 weist einen dritten Ringgraben RG3 und einen vierten Ringgraben RG4 auf, welche bezüglich der darunter liegenden Kontaktringe KR1, KR2 versetzt sind und ebenso wie der erste und zweite Kontaktring KR1, KR2 ineinander verschachtelt sind.
Durch diese Anordnung lassen sich die Topologien der beiden Verankerungsstrukturen komplett entkoppeln, da es keine Überlappungen gibt.
Weiter mit Bezug auf 5 wird oberhalb der Struktur gemäß 4 ein dritter mikromechanischer Funktionsbereich P3 auf der zweiten Opferschicht 02 gebildet, welche einen ersten Unterbereich P3a und einen zweiten Unterbereich P3b aufweist, wobei der zweite Unterbereich P3b seitlich von der ersten und zweiten stegartigen Verankerungsstruktur und dem ersten und zweiten mikromechanischen Funktionsbereich P1, P2 beabstandet ist und wesentlich schmaler ausgebildet ist als der erste Unterbereich P3a. Weiterhin ist der dritte mikromechanische Funktionsbereich P3 aus Polysilizium wesentlich dicker als der erste und zweite mikromechanische Funktionsbereich P1, P2.
Bei der Herstellung des dritten mikromechanischen Funktionsbereichs P3 durch eine entsprechende Trenchätzung werden auch entsprechende erste, zweite und dritte Ätzlöcher L1, L2, L3 im dritten mikromechanischen Funktionsbereich P3 gebildet, wobei die ersten und zweiten Ätzlöcher L1, L2 im ersten Unterbereich P3a gebildet werden und wobei die dritten Ätzlöcher L3 im zweiten Unterbereich P3b gebildet werden.
Beim Bilden des dritten mikromechanischen Funktionsbereichs P3 auf der zweiten Opferschicht entsteht eine zweite stegartige Verankerungsstruktur KR3, KR4 in der zweiten stegartigen Grabenstruktur RG3, RG4, welche die Form von Kontaktringen KR3, KR4 aufweist.
Die ersten Ätzlöcher L1 sind seitlich versetzt zur zweiten stegartigen Verankerungsstruktur KR3, KR4 in Form der Kontaktringe KR3, KR4 angeordnet und erstrecken sich bis zur Oberseite der dritten Opferschicht O3. Die zweiten Ätzlöcher L2 sind direkt über der zweiten stegartigen Verankerungsstruktur KR3, KR4 angeordnet, durchsetzen diese und erstrecken sich bis zur Oberseite der zweiten Opferschicht O2. Dabei weisen die zweiten Ätzlöcher L2 eine geringere Breite auf als die Stegbreite der zweiten stegartigen Verankerungsstruktur KR3, KR4. Die dritten Ätzlöcher L3 durchsetzen den zweiten Unterbereich P3b und enden ebenfalls an der Oberseite der dritten Opferschicht O3.
Wie in 6 dargestellt, erfolgt dann ein Opferschichtätzen der ersten, zweiten und dritten Opferschicht O1, O2, O3, wobei die zweite und dritte Opferschicht O2, O3 vollständig entfernt werden. Letzteres wird insbesondere durch die gewählte Form der ersten und zweiten Ätzlöcher im ersten Unterbereich P3a gewährleistet. Ein Teil der ersten Opferschicht O1 verbleibt als Verankerung des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 am Siliziumsubstrat S. Es ist vorteilhaft, einen bestimmte Abstand d des äußeren Kontaktrings KR1 der ersten stegartigen Verankerungsstruktur von einer endgültigen Außenkante A der verbleibenden ersten Opferschicht O1 zu wählen, wie in 6 angedeutet, um Spannungen in diesem Bereich zu vermeiden.
Der zweite untere Bereich P3b des dritten mikromechanischen Funktionsbereichs P3 ist nach dem Opferschichtätzen über den ersten Unterbereich P3a schwebend über dem Siliziumsubstrat S gelagert. Eine derartige Struktur lässt sich beispielsweise als Biegebalkenstruktur in einem Beschleunigungssensor oder Drehratensensor oder ähnlichen Sensoren verwenden.
Das beschriebene Herstellungsverfahren ermöglicht eine mechanisch robuste Aufhängung, welche sich insbesondere dadurch auszeichnet, dass sie keine Vorauslenkung hat und die Auslenkung auch nicht über Temperatur oder andere äußere Einflüsse, z.B. Wasseranlagerung in den Oxiden, beeinflusst wird. Die Aufhängungen haben nur eine geringe Topographie und können gut in vorhandenen Prozessen implementiert werden.
7a,b bis 11a,b zeigen aufeinanderfolgende Prozessstadien einer zweiten Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer erfindungsgemäßen mikromechanischen Anordnung, und zwar a) jeweils in Draufsicht und b) jeweils im Schnitt entlang Linie AA' in a).
Die Darstellung in 7 entspricht der Darstellung in 2, wobei in dieser zweiten Ausführungsform die erste stegartige Grabenstruktur Liniengräben LG1, LG2, LG3, LG4, LG5 aufweist, welche parallel beabstandet zueinander über dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich P1 angeordnet sind und entsprechende Teile davon freilegen. Ansonsten entspricht der Prozesszustand gemäß 7 dem Prozesszustand gemäß 2.
Weiter mit Bezug auf 8, welche 3 der ersten Ausführungsform entspricht, entsteht durch die Bildung des zweiten mikromechanischen Funktionsbereichs P2 eine erste stegartige Verankerungsstruktur KS1, KS2, KS3, KS4, KS5 in den Liniengräben LG1, LG2, LG3, LG4, LG5 der ersten stegartigen Grabenstruktur in Form von geradlinigen Stegen, welche ebenfalls von der Oxidkante K1 bzw. dem Seitenrand des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 beabstandet sind.
Gemäß 9, welche analog zu 4 ist, wird eine dritte Opferschicht 03 aus Oxid über der Struktur gemäß 8 abgeschieden und darin eine zweite stegartige Grabenstruktur in Form von parallelen Liniengräben LG6, LG7, LG8, LG9, LG10 strukturiert, wobei die Liniengräben LG6-LG10 oberhalb der Zwischenräume der Kontaktstege KS1-KS5 angeordnet sind, so dass sich diese nicht überlappen. Somit sind die entsprechenden Verankerungsstrukturen ebenfalls voneinander entkoppelt.
Weiter mit Bezug auf 10, welche den zu 6 analogen Prozesszustand bezeichnet, wird der dritte mikromechanische Funktionsbereich P3 aus Polysilizium gebildet und strukturiert, wobei sich die zweite stegartige Verankerungsstruktur KS6, KS7, KS8, KS9, KS10 in der zweiten stegartigen Grabenstruktur ausbildet.
Auch bei dieser zweiten Ausführungsform werden erste, zweite und dritte Ätzlöcher L1', L2' und L3' im dritten mikromechanischen Funktionsbereich P3 gebildet, der die Unterbereiche P3a und P3b aufweist.
Die ersten und zweiten Ätzlöcher L1', L2' werden im Unterbereich P3a gebildet, wobei die ersten Ätzlöcher seitlich versetzt zur zweiten stegartigen Verankerungsstruktur KS6-KS10 gebildet werden und sich bis zur Oberseite der dritten Opferschicht 03 erstrecken und wobei die zweiten Ätzlöcher über der zweiten stegartigen Verankerungsstruktur KS6-KS10 angeordnet werden und sich dadurch bis zur Oberseite der zweiten Opferschicht 02 erstrecken.
Im Gegensatz zum ersten Beispiel sind die ersten und zweiten Ätzlöcher L1', L2' länglich gestaltet, wobei die zweiten Ätzlöcher L2' eine größere Längsbreite aufweisen als die darunter liegenden Kontaktstege KS6-KS10 der zweiten stegartigen Verankerungsstruktur. Dadurch lässt sich gleichsam eine Selbstjustierung erreichen.
Die dritten Ätzlöcher L3' im zweiten Unterbereich P3b entsprechen den Ätzlöchem L3, welche bereits oben in Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform erläutert worden sind.
Zum Erreichen des Endzustands gemäß 11, welche 6 entspricht, erfolgt das besagte Opferschichtätzen, wobei die zweite und dritte Opferschicht O2, O3 vollständig entfernt werden und wobei ein Teil der ersten Opferschicht 01 als Verankerung des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs P1 am Siliziumsubstrat S zurückbleibt.
Bezugszeichen d' bezeichnet in 11b) den bevorzugten Abstand der äußersten Stege KS1, KS5 von der Außenkante A' des verbleibenden Restes der ersten Opferschicht O1.
Mit Ausnahme der unterschiedlichen Gestaltung der jeweiligen ersten und zweiten stegartigen Verankerungsstruktur ist die mikromechanische Anordnung gemäß 11 gleich aufgebaut wie die mikromechanische Anordnung gemäß 6 und lässt sich beispielsweise als Biegebalken in einem Beschleunigungssensor oder Drehartensensor oder ähnlichem Sensor verwenden.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand von zwei Ausführungsbeispielen erläutert wurde, ist sie nicht beschränkt, sondern in vielfältiger Weise variierbar.
Insbesondere sind die Stegbreiten und Geometrien der ersten und zweiten Verankerungsstruktur anwendungsspezifisch variierbar und nicht auf die gezeigte Ringform bzw. Linienform beschränkt. Auch die Abstände zwischen den Stegen bzw. Stegsegmenten können anwendungsbedingt variiert werden. Weiterhin sind die erwähnten Schichtmaterialien für die Opferschichten und die Funktionsschichten nicht auf die genannten Materialien beschränkt.

Claims

Mikromechanische Anordnung mit: einem Substrat (S); einem ersten mikromechanischen Funktionsbereich (P1), welcher oberhalb des Substrats (S) angeordnet ist; einem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2), welcher oberhalb des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs (P1) angeordnet ist und über eine erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) mit dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich (P1) verbunden ist; wobei die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) aus dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2) gebildet ist; einem dritten mikromechanischen Funktionsbereich (P3), welcher oberhalb des zweiten mikromechanischen Funktionsbereichs (P2) angeordnet ist und welcher einen ersten Unterbereich (P3a) und einen zweiten Unterbereich (P3b) aufweist; wobei der erste Unterbereich (P3a) über eine zweite stegartige Verankerungstrukur (KR3, KR4; KS6-KS10) mit dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2) verbunden ist; wobei die zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) aus dem dritten mikromechanischen Funktionsbereich (P3) gebildet ist; wobei der zweite Unterbereich (P3b) durch den ersten Unterbereich (P3a) schwebend über dem Substrat (S) gehaltert ist; und wobei die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) und die zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) keine Überlappung oder nur kreuzungsartige Überlappungen aufweisen.
Mikromechanische Anordnung nach Anspruch 1, wobei die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) eine erste Stegringstruktur (KR1, KR2) und/ oder eine erste Steglinienstruktur (KS1-KS5) aufweist.
Mikromechanische Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) eine zweite Stegringstruktur (KR3, KR4) und/ oder eine zweite Steglinienstruktur (KS6-KS10) aufweist.
Mikromechanische Anordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der erste, zweite und dritte mikromechanische Funktionsbereich (P1, P2, P3) Polysiliziumbereiche sind.
Mikromechanische Anordnung nach Anspruch 4, wobei der erste mikromechanischen Funktionsbereich (P1) über eine erste Oxidschicht (O1) mit dem Substrats (S) verbunden ist und die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) einen Abstand (d; d') zu einer Außenkante (A; A') der ersten Oxidschicht (O1) aufweist.
Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Anordnung mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats (S) mit einer darauf befindlichen ersten Opferschicht (O1); Bilden eines ersten mikromechanischen Funktionsbereichs (P1) auf der ersten Opferschicht (O1); Bilden einer zweiten Opferschicht (02) auf dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich (P1) und auf der umliegenden ersten Opferschicht (O1); Bilden einer ersten stegartigen Grabenstruktur (RG1, RG2; LG1-LG5) in der zweiten Opferschicht (02), welche entsprechende Teile des ersten mikromechanischen Funktionsbereichs (P1) freilegt; Bilden eines zweiten mikromechanischen Funktionsbereichs (P2) auf der zweiten Opferschicht (02), wobei sich in der ersten stegartigen Grabenstruktur (RG1, RG2; LG1-LG5) eine erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) aus dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2) ausbildet, über die der zweite mikromechanische Funktionsbereich (P2) mit dem ersten mikromechanischen Funktionsbereich (P1) verbunden ist; Bilden einer dritten Opferschicht (03) auf dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2) und auf der umliegenden zweiten Opferschicht (02); Bilden einer zweiten stegartigen Grabenstruktur (RG3, RG4; LG6-LG10) in der dritten Opferschicht (03), welche entsprechende Teile des zweiten mikromechanischen Funktionsbereichs (P2) freilegt; Bilden eines dritten mikromechanischen Funktionsbereichs (P3) auf der zweiten Opferschicht (02), welcher einen ersten Unterbereich (P3a) und einen zweiten Unterbereich (P3b) aufweist, wobei sich in der zweiten stegartigen Grabenstruktur (RG3, RG4; LG6-LG10) eine zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) aus dem dritten mikromechanischen Funktionsbereich (P3) ausbildet, über die der erste Unterbereich (P3a) mit dem zweiten mikromechanischen Funktionsbereich (P2) verbunden ist; wobei die erste stegartige Grabenstruktur (RG1, RG2; LG1-LG5) und die zweite stegartige Grabenstruktur (RG3, RG4; LG6-LG10) derart ausgebildet werden, dass die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) und die zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) keine Überlappung oder nur kreuzungsartige Überlappungen aufweisen; und Opferschichtätzen der ersten, zweiten und dritten Opferschicht (O1, O2, O3), wobei die zweite und dritte Opferschicht (O2, O3) vollständig entfernt werden, wobei ein Teil der ersten Opferschicht (O1) verbleibt, über den der erste mikromechanische Funktionsbereich mit den Substrat (S) verbunden ist und wobei der zweite Unterbereich (P3b) gehaltert durch den ersten Unterbereich (P3a) schwebend über dem Substrat (S) gemacht wird.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei vor dem Opferschichtätzen erste und zweite Ätzlöcher (L1, L2; L1', L2') in dem ersten Unterbereich (P3a) gebildet werden, wobei die ersten Ätzlöcher (L1; L1') seitlich versetzt zur zweiten stegartigen Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) angeordnet werden und sich bis zur dritten Opferschicht (O3) erstrecken und wobei die zweiten Ätzlöcher (L2; L2') über der zweiten stegartigen Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) angeordnet werden und sich bis zur zweiten Opferschicht (O2) erstrecken.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei die zweiten Ätzlöcher (L2; L2') breiter als die darunterliegende stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) ausgebildet werden.
Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8, wobei vor dem Opferschichtätzen dritte Ätzlöcher (L3; L3') in dem zweiten Unterbereich (P3c) gebildet werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei die erste stegartige Grabenstruktur (RG1, RG2; LG1-LG5) eine erste Stegringgrabenstruktur (RG1, RG2) und/ oder eine erste Stegliniengrabenstruktur (LG1-LG5) aufweist, wodurch die erste stegartige Verankerungsstruktur (KR1, KR2; KS1-KS5) eine entsprechende erste Stegringstruktur (KR1, KR2) und/ oder eine entsprechende erste Steglinienstruktur (KS1-KS5) aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei die zweite stegartige Grabenstruktur (RG3, RG4; LG6-LG10) eine zweite Stegringgrabenstruktur (RG3, RG4) und/ oder eine erste Stegliniengrabenstruktur (LG6-LG10) aufweist, wodurch die zweite stegartige Verankerungsstruktur (KR3, KR4; KS6-KS10) eine entsprechende zweite Stegringstruktur (KR3, KR4) und/ oder eine entsprechende zweite Steglinienstruktur (KS6-KS10) aufweist.