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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bandsperrfilter mit einem piezoelektrischen Substrat und mit einer Serienverschaltung von zumindest zwei auf dem Substrat angeordneten pi-Gliedern nach Anspruch 1.
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Bandsperrfilter werden benötigt, um unerwünschte Frequenzbänder zu unterdrücken. Solche Filter können beispielsweise vorteilhaft eingesetzt werden, wenn bei zwei nahe beieinander liegenden Frequenzbändern eines drahtlosen Übertragungsstandards eines der beiden ausgeblendet werden soll. Der Durchlassbereich des Filters sollte im Idealfall mindestens die Bandbreite des zu empfangenden Systems aufweisen und dort eine nur geringe Einfügedämpfung erzeugen. Im Sperrbereich sollte so ein Filter eine hohe Dämpfung aufweisen und im Idealfall einen schnellen Übergang von Durchlassbereich zum Bandsperrbereich, also eine steile Flanke des Durchlassbereichs besitzen.
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Es sind Filter basierend auf Kombinationen von Spulen und Kondensatoren bekannt, die jedoch eine extrem hohe Güte der Elemente und hohe Filtergrade erfordern, um die vorgesehenen Anforderungen an Bandbreite, Einfügedämpfung und sperrender Leistung zu erfüllen. Zudem sind derartige Filter kostengünstig und klein nahezu nicht realisierbar.
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Des Weiteren sind SAW-Filter mit Resonatoren als Bandsperre bekannt. Beispielsweise beschreibt die Druckschrift
US 4,803,449 eine Ladderanordnung mit SAW-Resonatoren in Serienzweigen oder Parallelzweigen. In der Druckschrift
EP 1398876 A1 sind beispielsweise Parallelresonatoren mit Serieninduktivitäten bekannt.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Bandsperrfilter anzugeben, das sich durch eine hohe Bandbreite im Durchlassbereich mit geringer Einfügedämpfung und gleichzeitig Sperren mit großer zu sperrender Leistung auszeichnet. Weiter liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein kostengünstiges und miniaturisiertes Bandsperrfilter anzugeben.
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Diese Aufgaben werden unter anderem durch ein Bandsperrfilter mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausführungen des Bandsperrfilters sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Es wird ein Bandsperrfilter angegeben, welches ein piezoelektrisches Substrat und eine Serienverschaltung von zumindest zwei auf dem Substrat angeordneten pi-Gliedern aufweist. Die pi-Glieder umfassen jeweils zumindest zwei elektroakustische Parallelresonatoren und zumindest einen elektroakustischen Serienresonator. Die pi-Glieder sind durch eine erste Serieninduktivität verbunden. Die Serienverschaltung der pi-Glieder weist an einem Eingang eine zweite Serieninduktivität und an einem Ausgang eine dritte Serieninduktivität auf. Die Resonatoren weisen einen Pol-Nullstellenabstand von etwa 9% oder mehr auf.
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Ein derart ausgebildetes Bandsperrfilter erlaubt es, mit einer minimalen Anzahl von hochgütigen und teuren externen Spulen die vorgesehene Spezifikation zu erfüllen. Ein verbessertes Bandsperrfilter mit minimaler Anzahl externer Induktivitäten kann so erzielt werden. Zudem weist ein derartiges Bandsperrfilter eine sehr hohe Bandbreite im Durchlassbereich mit geringer Einfügedämpfung, beispielsweise im Durchlassbereich eines oder mehrerer Mobilfunkbänder oder Rundfunkbänder, sowie gleichzeitig eine hohe Unterdrückung in ausgewählten Frequenzbändern auf. Vorzugsweise wird ein breiter Durchlassbereich im UHF-Band-Bereich und eine Selektion im VHF-Band und bei den 1 und 2 GHz-Mobilfunkbändern gewährleistet.
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Die Resonatoren weisen einen Pol-Nullstellenabstand von 9% oder mehr auf. Wenn Resonatoren mit einem Pol-Nullstellenabstand in diesem Bereich Verwendung finden, können die gewünschten Anforderungen vorteilhafterweise mit einer minimalen Anzahl von externen Spulen und externen Resonatoren erfüllt werden. Das Bandsperrfilter weist so die erforderliche Bandbreite im Durchlassbereich mit geringer Einfügedämpfung sowie einen Sperrbereich mit großer zu sperrender Leistung auf. Zudem ist das Bandsperrfilter so kostengünstig herstellbar.
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In einer Ausführung weist das Bandsperrfilter im Durchlassbereich eine Breite von mehr als 40% auf. Derartig extrem hohe Bandbreiten im UHF-Durchlassbereich mit geringer Einfügedämpfung sind insbesondere notwendig bei Fernsehanwendungen, beispielweise in Mobiltelefonen.
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In einer Ausführung sind die Resonatoren SAW-Resonatoren. Mit SAW-Resonatoren (SAW: surface acoustic wave) können Filter für HF Signale mit Hilfe des Piezoeffekts und elektroakustischer Wandlung realisiert werden. Ein SAW-Resonator umfasst dabei auf einem piezoelektrischen Einkristall zumindest ein Paar kammförmig ineinandergreifende Elektroden, die zusammen einen Wandler (IDT: interdigital transducer) ausbilden.
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In einer Ausführung sind die Resonatoren SAW-Resonatoren, wobei eine dielektrische Schicht zur Passivierung auf die SAW IDT Strukturen aufgebracht ist. Die dielektrische Schicht kann gleichzeitig zur Temperaturkompensation dienen.
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In einer Ausführung umfasst das Substrat LiNbO3 mit 41YX-Schnitt. Dadurch kann bei gleicher Transmission im UHF-Durchlassband eine um mindestens 10 dB höhere Selektivität im Sperrband erzielt werden. Substrate basierend auf einem derartigen Material sind insbesondere vorteilhaft zur Unterdrückung von Mobilfunkbändern, wie beispielsweise GSM850 Tx und GSM900 Tx.
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Alternativ kann das Substrat LiNbO3 mit 15YX-Schnitt und die Resonatoren eine Metallisierungsstruktur beispielsweise aus Al oder AlCuAl mit einem Metallisierungsverhältnis von 0,4–0,6 umfassen. Die relative Metallisierungshöhe liegt dabei zwischen 2% und 4%.
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In einer Ausführung umfasst das Substrat LiNbO3 YX mit Schnittwinkel zwischen 45° und 0°.
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In einer Ausführung weist das Bandsperrfilter zusätzlich ein Gehäuse auf, in dem das Substrat mit darauf angeordneten pi-Gliedern integriert ist. Das Bandsperrfilter ist somit in dem Gehäuse untergebracht und von diesem gegen mechanische Einflüsse geschützt.
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In einer Ausführung ist das Gehäuse ein 10 pin-Gehäuse. Das Bandsperrfilter kann somit in bekannte 10 pin-Gehäuse integriert werden, wodurch eine spezielle Gehäuseentwicklung nicht erforderlich ist. Insbesondere erfordert ein derart ausgebildetes Bandsperrfilter nur so viele isolierte Anschlüsse im Gehäuse, dass dieses bereits in für 2-in-1-Filter verwendete 10 pin-Gehäuse eingebaut werden kann.
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In einer Ausführung ist das Gehäuse ein 5 pin-Gehäuse.
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In einer Ausführung weist der Sperrbereich der Bandsperre in Summe eine relative Bandbreite von mehr als 10% auf. Insbesondere kann durch das Bandsperrfilter eine Mehrzahl von Sperren mehrerer breiter 1-GHz Mobilfunkbänder mit großer zu sperrender Leistung erzielt werden. Dabei wird eine mäßige Selektion im VHF III-Band und eine hohe Selektion bei den 2 GHz-Mobilfunkbändern erzielt.
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In einer Ausführung sind die Parallelresonatoren als SAW-Resonatoren ohne Reflektoren ausgebildet. Aufgrund des Weglassens der Reflektoren in den Parallelresonatoren verkleinert sich mit Vorteil die Grundfläche derartiger Bandsperrfilter, wobei gleichzeitig auch die Leistungsfestigkeit vergrößert wird. So können miniaturisierte Bandsperrfilter realisiert werden.
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Probleme mit unerwünschten Resonanzen am Reflektor/Wandler Übergang können alternativ durch Verwendung möglichst synchroner Resonatoren vermieden werden. Bei einem synchronen Resonator liegen insbesondere alle Reflekor- und Wandlerfinger auf einem periodischen Raster und sind in etwa gleich breit.
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In einer Ausführung sind die Serienresonatoren als SAW-Resonatoren ohne Reflektoren ausgebildet. Die Vermeidung von Resonanzen, wie oben beschrieben, wird so auch in den Serienresonatoren ermöglicht.
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In einer Ausführung weisen die Resonatoren zumindest teilweise eine Kaskadierung auf. Die Verwendung von Kaskaden führt vorteilhafterweise zur Erhöhung der Leistungsfestigkeit und Verringerung der Einfügedämpfung beziehungsweise der Welligkeit im Durchlassbereich. Eine derartige Kaskadierung von Resonatoren ist beispielsweise aus der Druckschrift
DE 100 57 848 A1 bekannt, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
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In einer Ausführung variieren Abstände benachbarter Elektrodenfinger zumindest eines als SAW-Resonator ausgebildeten Parallelresonators über die Länge des Resonators. Dadurch kann eine Verbesserung der Selektivität im Sperrbereich erzielt werden. Eine derartige Variation der benachbarten Elektrodenfinger ist beispielsweise dem Fachmann aus der Druckschrift
DE 101 11 959 A1 bekannt, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
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In einer Ausführung ist am Eingang und am Ausgang der Serienverschaltung ein weiterer Parallelresonator in einem gegen die Masse geschalteten Parallelzweig vorgesehen. Am Ein- und Ausgang des Filters wird somit je ein zusätzlicher Parallelresonator verwendet, womit beispielsweise ein Filtergrad von 10 verwendet werden muss. Die Filteranforderungen können dabei auch mit Resonatoren mit einem geringeren Pol-Nullstellenabstand von beispielsweise zirka 5,5% erreicht werden, allerdings auf Kosten der Komplexität der Verschaltung.
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Derartige weitere Parallelresonatoren sind beispielsweise aus der Druckschrift
EP 2093881 A1 bekannt, deren Offenbarungsgehalt hiermit explizit durch Rückbezug in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
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In einer Ausführung ist der Serienresonator des ersten pi-Glieds auf dem Substrat versetzt in transversaler Richtung gegenüber dem Serienresonator des zweiten pi-Glieds angeordnet, so dass akustische Wellen, die den ersten Serienresonator verlassen, nicht auf den zweiten Serienresonator treffen können und somit die Selektion in den Sperrbändern verringern.
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Ebenso können die Parallelresonatoren des ersten pi-Glieds auf dem Substrat in transversaler Richtung versetzt gegenüber den Parallelresonatoren des zweiten pi-Glieds angeordnet sein.
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In einer Ausführung sind die Resonanzfrequenzen der Parallelresonatoren höher als die Resonanzfrequenzen der Serienresonatoren.
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Ein Bandsperrfilter, wie oben beschrieben, findet vorzugsweise in einem Kommunikationsgerät für den Mobilfunk Verwendung, das zusätzlich zum Empfangen in einem Video- und/oder Audiodaten übertragenden Frequenzband ausgelegt ist. Gerade bei derartigen Anwendungen werden Bandsperrfilter mit einer hohen Bandbreite im Durchlassbereich mit geringer Einfügedämpfung und eine hohe Unterdrückung in ausgewählten Frequenzbändern, wie beispielsweise in Mobilfunkbändern, benötigt.
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Weitere Merkmale, Vorteile, Ausführungen und Zweckmäßigkeiten des Bandsperrfilters ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
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1 eine Spezifikation eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bandsperrfilters,
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2A ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bandsperrfilters,
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2B das Ausführungsbeispiel von 2A, wobei zur Erläuterung des Zustandekommens des Durchlassbereichs die Resonatoren durch ihre statischen Kapazitäten ersetzt sind,
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2C die Durchlasskurven des in 2A, 2B gezeigten Filters,
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3A, 3B ein Ausführungsbeispiel der Übertragungsfunktion eines Resonators eines erfindungsgemäßen Bandsperrfilters,
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4 ein Ausführungsbeispiel eines Bandsperrfilters im Ersatzschaltbild gemäß dem Stand der Technik, und
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5 ein Diagram der Resonatorgüte als Funktion des Pol-Nullstellenabstands der Resonatoren für ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bandsperrfilters im Vergleich zum Stand der Technik, und
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6A, 6B jeweils ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bandsperrfilters mit versetzten Resonatoren.
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Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
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In 1 ist eine Spezifikation eines Ausführungsbeispiels eines Bandsperrfilters gezeigt. In der Spezifikation ist entlang der X-Achse die Frequenz in MHz aufgetragen. Entlang der Y-Achse ist die Dämpfung des Bandsperrfilters in dB aufgetragen.
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Das Bandsperrfilter weist im Durchlassbereich DB eine hohe Bandbreite von etwa 47% auf. Der Durchlassbereich liegt etwa in einem Bereich zwischen 470 MHz und 752 MHz. Der Durchlassbereich DB weist somit eine Breite von zirka 282 MHz auf. Vorzugsweise liegt der Durchlassbereich im UHF-Band und weist eine geringe Einfügedämpfung auf. Die Einfügedämpfung liegt im vorliegenden Ausführungsbeispiel beispielsweise bei –2 dB.
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Die Spezifikation weist weiter eine Mehrzahl von Sperrbändern SB1, SB2, Sb3, SB4 auf, die in Summe aneinandergereiht etwa eine Breite von 1 GHz aufweisen. Das vorliegende erste Sperrband SB1 liegt im Frequenzbereich zwischen 824 MHz und 849 MHz. Dieser Bereich entspricht dem Mobilfunkband GSM850 Tx.
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Das zweite Sperrband SB2 liegt in einem Frequenzbereich zwischen 880 MHz und 915 MHz und entspricht somit dem Mobilfunkband GSM900 Tx. Das erste Sperrband SB1 und das zweite Sperrband SB2 weisen jeweils etwa eine Dämpfung von etwa –40 dB auf.
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Das dritte Sperrband SB3 liegt in einem Frequenzbereich von 1710 MHz bis 1785 MHz, dies entspricht dem GSM1800 Tx-Bereich. Das vierte Sperrband SB4 liegt im Frequenzbereich zwischen 1920 MHz und 1980 MHz, also im WCDMA2100 Tx-Bereich. Das dritte Sperrband SB3 und das vierte Sperrband SB4 weisen eine Dämpfung von etwa –35 dB auf.
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In 2A ist ein Schaltbild eines möglichen Ausführungsbeispiels eines Bandsperrfilters dargestellt. Dieses weist auf einem piezoelektrischen Substrat eine Serienverschaltung von zumindest zwei pi-Gliedern Pi1, Pi2 auf. Das erste pi-Glied Pi1 weist zwei elektroakustische Parallelresonatoren RP1, RP2 und einen elektroakustischen Serienresonator RS1 auf. Das zweite pi-Glied Pi2 weist zwei elektroakustische Parallelresonatoren RP3, RP4 und einen elektroakustischen Serienresonator RS2 auf. Die pi-Glieder Pi1, Pi2 sind durch eine erste Serieninduktivität IS1 verbunden. An einem Eingang weist die Serienverschaltung der pi-Glieder PI1, PI2 eine zweite Serieninduktivität ISIN und an einem Ausgang eine dritte Serieninduktivität ISOUT auf. Die einzelnen Resonatoren des Bandsperrfilters weisen einen Pol-Nullstellenabstand von ca. 10% oder mehr auf. Die Resonatoren sind beispielsweise SAW-Resonatoren.
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Das Filter wird beispielsweise auf einem Lithiumniobatsubstrat mit einer Metallisierungsstruktur beispielsweise aus Al, AlCuAl oder TiCuAl ausgeführt.
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Bei dem in 2A dargestellten Ausführungsbeispiel kann ein Filtergrad von 8 erzielt werden. Diese Ausgestaltung kann in bekannte 2-in-1 10 Pin-Gehäusen untergebracht werden, sodass eine Gehäuseentwicklung nicht erforderlich ist. Die Resonatoren sind hier auf einem Substrat realisiert, das beispielsweise LiNbO3 41YX oder LiNbO3 0YX umfasst. Das Substrat mit dem darauf angeordneten pi-Gliedern wird anschließend in dem 10 Pin-Gehäuse integriert.
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Ein Bandsperrfilter nach 2A erlaubt es, mit einer minimalen Anzahl von hochgütigen, daher teuren externen Spulen die in 1 dargestellte Spezifikation zu erfüllen. Zur Erhöhung der Leistungsfestigkeit und Verringerung der Einfügedämpfung beziehungsweise der Welligkeit im Durchlassbereich ist die Verwendung von Kaskaden vorteilhaft. Die Parallel- und/oder Serienresonatoren RP1, RP2, RP3, RP4, RS1 und RS2 können also teilweise eine Kaskadierung aufweisen.
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Zur miniaturisierten Ausgestaltung des Bandsperrfilters können die Reflektoren in den Parallelresonatoren RP1, RP2, RP3, RP4 oder in den Serienresonatoren RS1, RS2 weggelassen werden. Damit vergrößert sich mit Vorteil auch die Leistungsfestigkeit.
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Zudem können Abstände benachbarter Elektrodenfinger eines als SAW-Resonator ausgebildeten Parallelresonators RP1, RP2, RP3, RP4 über die Länge des Resonators variieren. Dadurch verbessert sich vorteilhafterweise die Selektion im Sperrbereich.
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Vorliegend sind die Resonanzfrequenzen der Parallelresonatoren RP1, RP2, RP3, RP4 höher als die Resonanzfrequenzen der Serienresonatoren RS1, RS2. Vorzugsweise ist der Serienresonator (RS1) des ersten pi-Glieds (Pi1) gegenüber dem Serienresonator (RS2) des zweiten pi-Glieds (Pi2) in transversaler Richtung versetzt (nicht dargestellt). Aufgrund dieses Versetzens kann eine auftretende akustische Verkopplung der Serienresonatoren RS1, RS2 der pi-Glieder Pi1, Pi2 vermieden werden, womit ein großer Gewinn an Selektion in der Bandsperre erzielt werden kann.
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In 2B sind zum Zweck der Erläuterung der Filterfunktion die Resonatoren RS1, RS2, RP1, RP2, RP3, RP4 des Bandsperrfilters nach 2A durch ihre statischen Kapazitäten CS1, CS2, CP1, CP2, CP3, CP4 ersetzt. So kann eine Selektion im VHF und 2 GHz-Frequenzbereich erzielt werden, sowie der breite Durchlassbereich.
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2C vergleicht Simulationen nach den Ausführungsbeispielen der 2A, 2B. In dem Diagramm ist die Dämpfung in dB gegen die Frequenz in MHz aufgetragen. Das Bandsperrfilter nach 2A weist dabei den Durchlassbereich zwischen etwa 470 MHz und 750 MHz auf, wobei im anschließenden Frequenzbereich bei etwa 800 MHz bis 850 MHz ein erstes Sperrband auftritt. Die Durchlasskurve des in 2A gezeigten Filters ist als Kurve 2a dargestellt. Insbesondere weist ein derart ausgebildetes Filter die Spezifikation nach 1 auf.
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Die Kurve 2b zeigt die Durchlasskurve des in 2B gezeigten vereinfachten Filters. Dieses weist einen Durchlassbereich zwischen etwa 470 MHz und 850 MHz auf. Ein derart ausgebildetes Filter weist aber keine Bandsperre in einem Bereich zwischen zirka 800 MHz und 850 MHz auf.
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3A zeigt jeweils die Übertragungsfunktion eines Serienresonators mit konstanter Antiresonanzfrequenz aber variierter Bandbreite. Hierzu ist die Dämpfung in dB gegen die Frequenz in MHz aufgetragen. In dem Diagramm sind Serienresonatoren mit unterschiedlichem Pol-Nullstellenabstand gezeigt. Insbesondere sind Serienresonatoren mit einem Pol-Nullstellenabstand von 3,6%, einem Pol-Nullstellenabstand von 5,4%, einem Pol-Nullstellenabstand von 10% und einem Pol-Nullstellenabstand von 14% eingetragen. Dabei ist gezeigt, dass ein höherer Pol-Nullstellenabstand zu einer breiteren und tieferen Bandsperre führt, wobei jedoch die Steilheit der Flanke des Durchlassbandes reduziert wird. Abhängig von der jeweiligen Spezifikation kann jeweils ein optimaler Pol-Nullstellenabstand der Resonatoren Verwendung finden.
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In 3B ist die Übertragungsfunktion eines Parallelresonators im Schaltbild mit konstanter Resonanzfrequenz und variiertem Pol-Nullstellenabstand dargestellt. Als Übertragungsfunktion ist hierbei die Auswirkung des Parallelresonators auf die Übertragung im seriellen Zweig zu verstehen.
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Hierzu ist die Dämpfung in dB gegen die Frequenz in MHz aufgetragen. Insbesondere sind Parallelresonatoren mit einem Pol-Nullstellenabstand von 3,6%, 5,4%, 10% und 14% gezeigt. Wie bei den Serienresonatoren der 3A führt ein höherer Pol-Nullstellenabstand zu einer breiteren und tieferen Bandsperre, wobei jedoch gleichzeitig die Steilheit der Flanke des Durchlassbereichs reduziert wird.
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4 zeigt das Schaltbild einer weiteren Ausgestaltung eines Bandsperrfilters nach dem Stand der Technik, beispielsweise bekannt aus der Druckschrift
EP 2093881 A1 , deren Offenbarungsgehalt hiermit explizit durch Rückbezug in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird. Im Vergleich zu dem in
2A dargestellten Ausführungsbeispiel ist am Eingang und am Ausgang der Serienverschaltung je ein weiterer Parallelresonator RP
5, RP
6 in einem gegen die Masse geschalteten Parallelzweig vorgesehen. Durch diese zusätzlichen Parallelresonatoren RP
5, RP
6 finden Resonatoren mit einem geringeren Pol-Nullstellenabstand von etwa 5,5% Verwendung. Mit einem derartigen Bandsperrfilter kann ein Filtergrad von 10 erreicht werden.
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In 5 ist die minimal notwendige Resonatorgüte als Funktion des Pol-Nullstellenabstands der Resonatoren für Bandsperrfilter nach den Ausführungsbeispielen der 2A und 4 gezeigt. Die Kurve 5a gibt dabei die erforderliche Resonatorgüte als Funktion des Pol-Nullstellenabstands der Resonatoren für Bandsperrfilter nach 2A, die Kurve 5b nach 4 wieder, wenn damit eine Spezifikation gemäß 1 erfüllt werden soll.
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Durch Verwendung von breitbandigen Resonatoren sinken im Filter die Anforderungen an die Güte, wodurch sich Filter mit geringerer Einfügedämpfung realisieren lassen, wobei gleichzeitig die Komplexität von Layout und Gehäuse geringer sind.
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In 6A ist eine Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Bandsperrfilters gezeigt, bei dem der Serienresonator RS1 des ersten pi-Glieds auf dem Substrat S gegenüber dem Serienresonator RS2 des zweiten pi-Glieds in transversaler Richtung Vt versetzt ist. Aufgrund dieses Versetzens kann eine auftretende akustische Verkopplung der Serienresonatoren RS1, RS2 der pi-Glieder vermieden werden, womit mit Vorteil ein großer Gewinn an Selektion in der Bandsperre erzielt werden kann.
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6B zeigt im Vergleich zu der Ausgestaltung der 6A eine Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Bandsperrfilters mit entsprechender Versetzung der Parallelresonatoren RP1, RP2 des ersten pi-Glieds auf dem Substrat S in transversaler Richtung gegenüber den Parallelresonatoren RP3, RP4 des zweiten pi-Glieds.
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Die Erfindung wurde nur anhand weniger Ausführungsbeispiele erläutert und ist nicht auf diese beschränkt. Erfindungsgemäße Bandsperrfilter sind beispielsweise zum Einsatz in zukünftigen Endgeräten der mobilen Kommunikation geeignet, um eine für den digitalen Fernsehstandard UHF ausgelegte Antenne von dem Tx-Band des nahegelegenen GSM800-Standards zu entkoppeln beziehungsweise das Fernsehsignal vor Störsignalen aus diesem Tx-Band zu schützen. Weiterhin ist es möglich, erfindungsgemäße Bandsperrfilter in Empfängern für den digitalen TV-Standard DVB-T einzusetzen und auch dort das Tx-Band von GSM-Mobilfunkgeräten auszufiltern.
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Bezugszeichenliste
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- DB
- Durchlassbereich
- SB1, SB2, SB3, SB4
- Sperrbänder
- Pi1, Pi2
- pi-Glieder
- RP1, RP2, RP3, RP4
- Parallelresonatoren
- RP5, RP6
- weitere Parallelresonatoren
- RS1, RS2
- Serienresonatoren
- IS1
- erste Serieninduktivität
- ISIN
- zweite Serieninduktivität
- ISOUT
- dritte Serieninduktivität
- S
- Substrat
- Vt
- Versetzung der Resonatoren zueinander
- 2a
- Durchlasskurve des Filters der 2A
- 2b
- Durchlasskurve des Filters der 2B
- 5a
- Resonatorgüte des Filters der 2A
- 5b
- Resonatorgüte des Filters der 4
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- EP 2093881 A1 [0004, 0027, 0060]
- WO 2010/001522 [0004]
- EP 1976116 A1 [0004]
- EP 1986320 A1 [0004]
- EP 1944867 A1 [0004]
- US 4803449 [0005]
- EP 1398876 A1 [0005]
- DE 10057848 A1 [0024]
- DE 10111959 A1 [0025]
