CN113676153A - 一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器 - Google Patents

一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器 Download PDF

Info

Publication number
CN113676153A
CN113676153A CN202110908595.0A CN202110908595A CN113676153A CN 113676153 A CN113676153 A CN 113676153A CN 202110908595 A CN202110908595 A CN 202110908595A CN 113676153 A CN113676153 A CN 113676153A
Authority
CN
China
Prior art keywords
band
resonator
circuit
matching inductor
parallel resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110908595.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王刚
董元旦
杨涛
马增红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd
Original Assignee
Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd filed Critical Chengdu Pinnacle Microwave Co Ltd
Priority to CN202110908595.0A priority Critical patent/CN113676153A/zh
Publication of CN113676153A publication Critical patent/CN113676153A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本发明涉及通信技术领域，具体涉及一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器，包括带阻电路和带通电路，所述带阻电路和带通电路均由声波滤波器和匹配单元组成，所述带阻电路包括第一输入端、第一输出端、第一串联谐振器组、第一并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第一输入端、第一输出端的第一匹配电感、第二匹配电感，所述带通电路包括第二输入端、第二输出端、第二串联谐振器组、第二并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第二输入端、第二输出端的第三匹配电感、第四匹配电感，所述第一输出端与第二输入端连接，所述第二匹配电感与第三匹配电感融合为独立匹配电感，以实现较高的抑制度，提升通信质量。

Description

一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器
技术领域
本发明属于通信技术领域，具体涉及一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器。
背景技术
常见的声波滤波器为了做到较高的隔离度，在某一频段实现较好的抑制，一般是通过在基板上增加电容、电感的方式，受制于其谐振器Q值的限制，很难做到较高的抑制度。
发明内容
本发明提供一种高抑制度电路结构，以解决上述问题，包括带阻电路和带通电路，所述带阻电路和带通电路均由声波滤波器和匹配单元组成，所述带阻电路包括第一输入端、第一输出端、第一串联谐振器组、第一并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第一输入端、第一输出端的第一匹配电感、第二匹配电感，所述带通电路包括第二输入端、第二输出端、第二串联谐振器组、第二并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第二输入端、第二输出端的第三匹配电感、第四匹配电感，所述第一输出端与第二输入端连接，所述第二匹配电感与第三匹配电感融合为独立匹配电感。
优选的，所述声波滤波器为声表面波滤波器或体声波滤波器或薄膜腔声波滤波器。
优选的，所述独立匹配电感的电感值等于第二匹配电感和第三匹配电感通过串联或并联后的等效值。
优选的，所述电路结构应用于滤波器制作时，所述独立匹配电感设置在基板上。
优选的，所述第一串联谐振器组包括第一串联谐振器，所述第一并联谐振器组包括第一并联谐振器、第二并联谐振器，所述第一串联谐振器设置在所述第一并联谐振器和第二并联谐振器之间，所述第一匹配电感设置在第一输入端和第一并联谐振器之间。
优选的，所述第二串联谐振器组包括第二串联谐振器、第三串联谐振器、第四串联谐振器，所述第二并联谐振器组包括第三并联谐振器、第四并联谐振器，所述第四匹配电感设置在第四串联谐振器和第二输出端之间。
优选的，所述独立匹配电感设置在第二并联谐振器和第二串联谐振器之间。
本发明还提供一种高隔离度双工器，所述双工器包含上述的电路结构。
本发明还提供一种高隔离度多工器，所述多工器包含上述的电路结构。
本发明具有以下有益效果：提供一种高抑制度电路结构，主要包括由声波滤波器组成的带通电路和带阻电路，并在其中加入匹配电感，以实现较高的抑制度，提升通信质量。
附图说明
图1为本发明实施例中带阻电路的电路模型示意图；
图2为本发明实施例中带阻电路模型的S参数曲线示意图；
图3为本发明实施例中带通电路的电路模型示意图；
图4为本发明实施例中带通电路模型的S参数曲线示意图；
图5为本发明实施例中整体电路结构的示意图；
图6为本发明实施例中整体电路结构的S参数曲线示意图。
10-带阻电路；11-第一输入端；12-第一输出端；13-第一串联谐振器；14-第一并联谐振器；15-第二并联谐振器；16-第一匹配电感；17-第二匹配电感；20-带通电路；21-第二输入端；22-第二输出端；23-第二串联谐振器；24-第三串联谐振器；25-第四串联谐振器；26-第三并联谐振器；27-第四并联谐振器；28-第三匹配电感；29-第四匹配电感；31-独立匹配电感。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。
如图1-图6所示，一种高抑制度电路结构，包括带阻电路10和带通电路20，带阻电路10和带通电路20均由声波滤波器和匹配单元组成，带阻电路10包括第一输入端11、第一输出端12、第一串联谐振器13组、第一并联谐振器14组以及分别设置在靠近第一输入端11、第一输出端12的第一匹配电感16、第二匹配电感17，带通电路20包括第二输入端21、第二输出端22、第二串联谐振器23组、第二并联谐振器15组以及分别设置在靠近第二输入端21、第二输出端22的第三匹配电感28、第四匹配电感29，第一输出端12与第二输入端21连接，第二匹配电感17与第三匹配电感28融合为独立匹配电感31，第一输入端11和第二输出端22分别作为整体电路的输入端和输出端。
带阻电路10也可以是高通电路或低通电路，带阻电路10和带通电路20中，串联谐振器组合并联谐振器组的结构根据具体的通信需求设置即可，此处为本领域技术人员公知的技术常识，不做赘述。
带阻电路10和带通电路20实现在传输通带内的低损耗传输，其抑制阻带则分为靠近传输通带和远离传输通带的两段阻带，带阻电路10实现靠近传输通带的阻带的次要抑制和远离传输通带的阻带的部分抑制，带通电路20实现靠近传输通带的阻带的主要抑制和远离传输通带的阻带的部分抑制，两个电路级联后，在传输通带内叠加为低损耗传输，而阻带则叠加为整个阻带上的高抑制度。
相较于现有技术中常用的在基板上增加电容、电感的方式，本发明直接通过声波滤波器构建的电路结构更容易实现高抑制度，给出了一种可行的实施方案，基于本申请的技术方案可以进一步进行拓展研发，为通信领域拓宽了发展的路，有利于通信领域的发展。
作为优选的方案，声波滤波器为声表面波滤波器或体声波滤波器或薄膜腔声波滤波器，即上述的电路结构中可以应用多种滤波器实现，基于电路结构本身的作用，可以进行自由选择。
作为优选的方案，独立匹配电感31的电感值等于第二匹配电感17和第三匹配电感28通过串联或并联后的等效值。
作为优选的方案，电路结构应用于滤波器制作时，独立匹配电感31设置在基板上。
上述高抑制度电路结构由带阻电路10和带通电路20级联构成，其中第二匹配电感17和第三匹配电感28位于连接点处，根据二者本身与当前电路的连接方式，比如这两个匹配电感是串联电感，那么独立匹配电感31的电感值则是这两个匹配电感以串联的方式连接后的等效值，在具体制作时，将之设置在基板上，比如说这两个电感是并联电感，电感值为2nH，那么独立匹配电感31的电感值为1nH，这时我们可以直接在基板上绕一个1nH的电感，而第一匹配电感16和第四匹配电感29则可以采用贴片线圈等方式实现。
作为优选的方案，第一串联谐振器13组包括第一串联谐振器13，第一并联谐振器14组包括第一并联谐振器14、第二并联谐振器15，第一串联谐振器13设置在第一并联谐振器14和第二并联谐振器15之间，第一匹配电感16设置在第一输入端11和第一并联谐振器14之间。
作为优选的方案，第二串联谐振器23组包括第二串联谐振器23、第三串联谐振器24、第四串联谐振器25，第二并联谐振器15组包括第三并联谐振器26、第四并联谐振器27，第四匹配电感29设置在第四串联谐振器25和第二输出端22之间。
作为优选的方案，所述独立匹配电感31设置在第二并联谐振器15和第二串联谐振器23之间。
以band8的发射滤波器为例，带阻电路10包括第一输入端11、第一输出端12、第一串联谐振器13、第一并联谐振器14、第二并联谐振器15以及分别设置在靠近第一输入端11、第一输出端12的第一匹配电感16、第二匹配电感17，带通电路20包括第二输入端21、第二输出端22、第二串联谐振器23、第三串联谐振器24、第四串联谐振器25、第三并联谐振器26、第四并联谐振器27以及分别设在靠近第二输入端21第二输出端22的第三匹配电感28和第四匹配电感29，当带通带路和带阻电路10级联后，由第二匹配电感17和第三匹配电感28融合形成的独立匹配电感31设置在第二并联谐振器15和第二串联谐振器23之间，其中带阻电路10和带通电路20的谐振器参数如下表所示：
谐振器 频率 静态电容
第一串联谐振器 923MHz 5.3pF
第一并联谐振器 945MHz 2.3pF
第二并联谐振器 934MHz 2.3pF
第二串联谐振器 892MHz 5.8pF
第三串联谐振器 896MHz 1.6pF
第四串联谐振器 891MHz 7.4pF
第三并联谐振器 855MHz 6.3pF
第四并联谐振器 855MHz 6.3pF
带阻电路10实现传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输，抑制阻带925MHz-960MHz则分为靠近传输通带的近端阻带925MHz-935MHz和远离传输通带的远端阻带935MHz-960MHz，带阻电路10实现近端阻带的次要抑制和远端阻带则的部分抑制。
带通电路20实现传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输，抑制阻带925MHz-960MHz则分为靠近传输通带的近端阻带925MHz-935MHz和远离传输通带的远端阻带935MHz-960MHz，带通电路20实现近端阻带的主要抑制和远端阻带则的部分抑制。
将带阻电路10和带通电路20级联后，二者在传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输叠加为整体电路在传输通带814MHz-915MHz的低损耗传输，二者在近端阻带925MHz-935MHz的抑制度叠加为整体电路在近端阻带925MHz-935MHz的高抑制度；二者在远端阻带935MHz-960MHz的抑制度叠加为整体电路在远端阻带935MHz-960MHz的高抑制度，也即实际上实现了阻带的高抑制度。
图6中曲线1为带阻电路10的S参数传输曲线，曲线2为带通电路20的S参数传输曲线，曲线3为上述二者级联后整体电路的S参数传输曲线。
本发明还提供一种高隔离度双工器，双工器包含上述的电路结构。
本发明还提供一种高隔离度多工器，多工器包含上述的电路结构。
将本发明的高抑制度电路结构应用于双工器以及多工器中，以其高抑制度使得双工器、多工器具有较高的隔离度。
以上的实施例仅是对本发明的优选方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形、变型、修改、替换，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。

Claims (9)

1.一种高抑制度电路结构，其特征在于：包括带阻电路和带通电路，所述带阻电路和带通电路均由声波滤波器和匹配单元组成，所述带阻电路包括第一输入端、第一输出端、第一串联谐振器组、第一并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第一输入端、第一输出端的第一匹配电感、第二匹配电感，所述带通电路包括第二输入端、第二输出端、第二串联谐振器组、第二并联谐振器组以及分别设置在靠近所述第二输入端、第二输出端的第三匹配电感、第四匹配电感，所述第一输出端与第二输入端连接，所述第二匹配电感与第三匹配电感融合为独立匹配电感。
2.根据权利要求1所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述声波滤波器为声表面波滤波器或体声波滤波器或薄膜腔声波滤波器。
3.根据权利要求2所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述独立匹配电感的电感值等于第二匹配电感和第三匹配电感通过串联或并联后的等效值。
4.根据权利要求3所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述电路结构应用于滤波器制作时，所述独立匹配电感设置在基板上。
5.根据权利要求1所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述第一串联谐振器组包括第一串联谐振器，所述第一并联谐振器组包括第一并联谐振器、第二并联谐振器，所述第一串联谐振器设置在所述第一并联谐振器和第二并联谐振器之间，所述第一匹配电感设置在第一输入端和第一并联谐振器之间。
6.根据权利要求5所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述第二串联谐振器组包括第二串联谐振器、第三串联谐振器、第四串联谐振器，所述第二并联谐振器组包括第三并联谐振器、第四并联谐振器，所述第四匹配电感设置在第四串联谐振器和第二输出端之间。
7.根据权利要求6所述的一种高抑制度电路结构，其特征在于：所述独立匹配电感设置在第二并联谐振器和第二串联谐振器之间。
8.一种高隔离度双工器，其特征在于：所述双工器包括如权利要求1-7任一所述的电路结构。
9.一种高隔离度多工器，其特征在于：所述多工器包括如权利要求1-7任一所述的电路结构。
CN202110908595.0A 2021-08-09 2021-08-09 一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器 Pending CN113676153A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110908595.0A CN113676153A (zh) 2021-08-09 2021-08-09 一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110908595.0A CN113676153A (zh) 2021-08-09 2021-08-09 一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113676153A true CN113676153A (zh) 2021-11-19

Family

ID=78541892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110908595.0A Pending CN113676153A (zh) 2021-08-09 2021-08-09 一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113676153A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115664376A (zh) * 2022-12-12 2023-01-31 成都频岢微电子有限公司 一种实现多通带滤波器的拓扑电路结构及多通带滤波器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101454873A (zh) * 2006-05-24 2009-06-10 恩吉迈特公司 具有改进的接地结构的射频装置
CN102035493A (zh) * 2010-11-24 2011-04-27 南京理工大学 带通/带阻式微型低温共烧陶瓷双工器
CN102571239A (zh) * 2012-01-13 2012-07-11 中兴通讯股份有限公司 一种射频指标的测试系统
CN103155411A (zh) * 2010-10-20 2013-06-12 埃普科斯股份有限公司 具有至少两个pi组件的串联电路的带阻滤波器
CN104718549A (zh) * 2013-03-15 2015-06-17 谐振公司 微波滤波器中的元件去除设计
CN109301425A (zh) * 2018-10-25 2019-02-01 电子科技大学 一种三导体并联合成谐振器及双频滤波器及设计方法
CN111200418A (zh) * 2020-01-15 2020-05-26 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波滤波器和信号处理设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101454873A (zh) * 2006-05-24 2009-06-10 恩吉迈特公司 具有改进的接地结构的射频装置
CN103155411A (zh) * 2010-10-20 2013-06-12 埃普科斯股份有限公司 具有至少两个pi组件的串联电路的带阻滤波器
CN102035493A (zh) * 2010-11-24 2011-04-27 南京理工大学 带通/带阻式微型低温共烧陶瓷双工器
CN102571239A (zh) * 2012-01-13 2012-07-11 中兴通讯股份有限公司 一种射频指标的测试系统
CN104718549A (zh) * 2013-03-15 2015-06-17 谐振公司 微波滤波器中的元件去除设计
CN109301425A (zh) * 2018-10-25 2019-02-01 电子科技大学 一种三导体并联合成谐振器及双频滤波器及设计方法
CN111200418A (zh) * 2020-01-15 2020-05-26 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波滤波器和信号处理设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115664376A (zh) * 2022-12-12 2023-01-31 成都频岢微电子有限公司 一种实现多通带滤波器的拓扑电路结构及多通带滤波器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7234062B2 (ja) 無線周波数フィルタのためのカスケード接続フィルタ回路、及び無線周波数信号をフィルタリングする方法
CN110492864B (zh) 一种体声波滤波器的封装结构及该滤波器的制造方法
US7501912B2 (en) General matching network for acoustic wave filters and acoustic resonators
CN104412509B (zh) 微波声波滤波器的网络合成设计
WO2011100014A2 (en) Electro-acoustic filter
US20080101263A1 (en) Single-ended to differential duplexer filter
CN110798166A (zh) 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备
CN112350684A (zh) 一种声波滤波器、多工器、通信设备
CN115021710A (zh) 体声波滤波器及其谐波抑制方法和多工器以及通信设备
US11206011B2 (en) Filter and multiplexer
CN113676153A (zh) 一种高抑制度电路结构及高隔离度双工器、多工器
CN111130498A (zh) 一种双工器
CN116527009B (zh) 电学器件与声学器件混合的滤波器及射频前端
CN111988007A (zh) 带通滤波器和滤波器
CN116032243A (zh) 一种大带宽高滚降的带通滤波电路
CN112688660B (zh) Fbar滤波器电路
CN212305276U (zh) 带通滤波器和滤波器
CN211830724U (zh) 带通滤波电路和多工器
CN113630102A (zh) 一种声波滤波器
CN112491384A (zh) 一种fbar滤波器电路
JP2004048283A (ja) 縦結合型弾性表面波フィルタ
CN115955212B (zh) 一种扩大带宽的saw滤波器
CN214101324U (zh) 一种基于高频声波谐振器的多工器
TWI834692B (zh) 具有諧波抑制的混合式聲音諧振（lc）濾波器
Nasser et al. Quasi-elliptic SAW Filters Using Multi-Resonant Acoustic-Wave Lumped-Element Resonator Stages

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20211119