DE102010029645A1 - Mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zur Bestimmung der Schichtdicke einer Abstandsschicht und Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur - Google Patents

Mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zur Bestimmung der Schichtdicke einer Abstandsschicht und Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur Download PDF

Info

Publication number
DE102010029645A1
DE102010029645A1 DE102010029645A DE102010029645A DE102010029645A1 DE 102010029645 A1 DE102010029645 A1 DE 102010029645A1 DE 102010029645 A DE102010029645 A DE 102010029645A DE 102010029645 A DE102010029645 A DE 102010029645A DE 102010029645 A1 DE102010029645 A1 DE 102010029645A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
electrode
substrate
spacer layer
seismic mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102010029645A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102010029645B4 (de
Inventor
Jochen Reinmuth
Ralf Boessendoerfer
Axel Franke
Mirko Hattass
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102010029645.7A priority Critical patent/DE102010029645B4/de
Priority to IT000786A priority patent/ITMI20110786A1/it
Priority to US13/116,759 priority patent/US8695427B2/en
Publication of DE102010029645A1 publication Critical patent/DE102010029645A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102010029645B4 publication Critical patent/DE102010029645B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G01B7/08Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means
    • G01B7/085Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means for measuring thickness of coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0035Testing
    • B81C99/0045End test of the packaged device
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0242Gyroscopes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0808Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
    • G01P2015/082Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for two degrees of freedom of movement of a single mass
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0831Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type having the pivot axis between the longitudinal ends of the mass, e.g. see-saw configuration
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Es wird ein mikromechanisches Bauelement (100) umfassend ein Substrat (110) mit einer Abstandsschicht (140) und einer Teststruktur (200) zum Ermitteln der Dicke (dox) der Abstandsschicht (140) beschrieben. Die Teststruktur (200) umfasst dabei: – eine entlang einer Messachse (201) parallel zum Substrat (110) elastisch auslenkbare seismische Masse (210), – eine erste und eine zweite Elektrodenanordnung (220) zum Auslenken der seismischen Masse (210) entlang der Messachse (201) mit jeweils einer durch einen Teil der seismischen Masse (210) gebildeten Massenelektrode (221, 231) und einer am Substrat (110) angeordneten Substratelektrode (222, 232), wobei die erste Elektrodenanordnung (220) im Wesentlichen um die Schichtdicke (dox) der Abstandsschicht (140) dicker ausgebildet ist als die zweite Elektrodenanordnung (230).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zum Bestimmen der Schichtdicke einer Abstandsschicht bei einem mikromechanisch hergestellten Bewegungssensor. Die Erfindung betrifft ferner auch ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur.
  • Stand der Technik
  • Mikromechanische Sensoren kommen in verschiedenen technischen Anwendungen zum Einsatz, beispielsweise als Bewegungssensoren zur Detektion der aktuellen Beschleunigung oder Drehrate. Diese Bewegungssensoren basieren häufig auf kapazitiv auslesbaren mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), bei denen die Bewegung einer seismischen Masse mithilfe einer geeigneten Elektrodenanordnung in eine messbare Kapazitätsänderung umgewandelt wird. Entsprechende Elektroden können auch zur kapazitiven Anregung der Bewegung der seismischen Masse verwendet werden.
  • Die Empfindlichkeit mikroelektromechanischer Sensoren hängt von verschiedenen Parametern ab, die im Herstellungsverfahren unterschiedlich gut kontrolliert werden können. So führen Streuungen im Herstellungsprozess häufig zu Abweichungen in der gewünschten Geometrie einer Sensorstruktur, wodurch das Ansprechverhalten des Sensors negativ beeinflusst werden kann. Als Fehlerquellen kommen beispielsweise die prozessbedingte Variation im Kantenverlust oder Dickenschwankungen der erzeugten Schichten in Frage. Letztere bestimmen die Höhen und Abstände der erzeugten Strukturen. So hängt beispielsweise die Messempfindlichkeit eines kapazitiven Sensors maßgeblich vom Abstand der Sensorelektroden ab, der im Falle eines als Wippe ausgebildeten z-Beschleunigungssensors (out-of-plane Sensorelement) typischerweise mithilfe einer Abstandsschicht eingestellt wird, die dabei als Opferschicht erzeugt und nach Fertigstellung des Sensorkörpers wieder entfernt wird. Da die Abstandsschichtdicke sich im Herstellungsprozess nur unzureichend genau festlegen lässt, schwankt der Abstand der beiden Messelektroden des Sensors und damit auch seine Messempfindlichkeit von Sensor zu Sensor. Aufgrund dieser Empfindlichkeitsschwankungen müssen bei den betreffenden Sensoren aufwändige mechanische Abgleichverfahren durchgeführt werden, wobei jeder Sensor mit den typischen Beschleunigungen beaufschlagt und die internen Verstärkungspfade anhand der jeweiligen Sensorantwort angepasst werden müssen.
  • Alternativ müssen alle Prozesssteuerungen, wie die Dicke der einzelnen Schichten oder der Kantenverlust (Differenz zwischen der im Layout vorgesehenen Breite einer Struktur und der nach der Prozessierung tatsächlich erreichten Strukturbreite), möglichst gut bekannt sein, so dass deren Auswirkungen auf die Funktionsparameter rechnerisch ausgeglichen werden können.
  • Die bisherigen Testmethoden erlauben es nicht, die für den Empfindlichkeitsabgleich eines z-Beschleunigungssensors wesentlichen Prozessparameter, insbesondere die Opferschichtdicke, mit hinreichender Genauigkeit zu bestimmen.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung eine in den Sensorkern integrierbare Teststruktur bereitzustellen, die eine genaue Bestimmung der Dicke einer Abstandsschicht ermöglich. Diese Aufgabe wird durch ein mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 1 gelöst. Ferner wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Bestimmen der Schichtdicke einer Abstandsschicht nach Anspruch 6 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements nach Anspruch 9 gelöst.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Gemäß der Erfindung ist ein mikromechanisches Bauelement umfassend ein Substrat mit einer Abstandsschicht und einer Teststruktur zum Ermitteln der Dicke der Abstandsschicht vorgesehen. Die Teststruktur umfasst dabei eine entlang einer Messachse parallel zum Substrat elastisch auslenkbare seismische Masse, eine erste und eine zweite Elektrodenanordnung zum Auslenken der seismischen Masse entlang der Messachse mit jeweils einer durch einen Teil der seismischen Masse gebildeten Massenelektrode und einer am Substrat angeordneten Substratelektrode. Die erste Elektrodenanordnung ist dabei im Wesentlichen um die Schichtdicke der Abstandsschicht dicker ausgebildet ist als die zweite Elektrodenanordnung. Durch die unterschiedliche Elektrodendicke ergibt sich eine unterschiedliche effektive Elektrodenfläche und damit verbunden eine unterschiedliche elektrostatische Wirkung der betreffenden Elektrodenanordnungen. Daher wird die seismische Masse beim Anlegen einer Ansteuerspannung an den Elektroden der beiden Elektrodenanordnungen von der ersten Elektrodenanordnung stärker ausgelenkt als von der zweiten Elektrodenanordnung. Da die resultierende Auslenkung der seismischen Masse unmittelbar mit dem Dickenunterschied der beteiligten Elektroden zusammenhängt, lässt sich hieraus die Dicke der Abstandsschicht ermitteln. Dies erlaubt eine einfache Bestimmung solcher Eigenschaften des mikromechanischen Bauelements bzw. seiner Komponenten, die von der Dicke der Abstandsschicht abhängen. Beispielsweise kann mithilfe der Teststruktur eine Kalibrierungen einer Sensorstruktur realisiert werden, die mittels der Abstandsschicht erzeugt wurde. Hierdurch kann auf aufwändige mechanische Testverfahren der Sensorstruktur verzichtet werden, was sich in niedrigeren Herstellungskosten niederschlägt.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die beiden Masseelektroden und ihre zugehörigen Substratelektroden jeweils als zwei ineinander greifende Kammstrukturen ausgebildet sind. Solche Kammstrukturen ermöglichen eine hohe effektive Elektrodenfläche, was zu einer besseren Empfindlichkeit der jeweiligen Elektrodenanordnung führt. Die Kammelektroden erzeugen eine größere elektrostatische Kraft und bewirken daher eine größere Auslenkung der seismischen Masse. Durch die größere Auslenkung wird wiederum die Messbarkeit und damit die Genauigkeit des Testverfahrens erhöht.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Teststruktur als ein lateraler Beschleunigungssensor mit wenigstens einer Detektionselektrodenanordnung zum Erfassen der lateralen Auslenkung der seismischen Masse ausgebildet ist. Es ist vorteilhaft einen auf dem Substrat ohnehin vorhandenen Beschleunigungssensor als Teststruktur zu verwenden, da sich hierdurch zusätzliche mikromechanische Strukturen einsparen lassen.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist auf dem Substrat eine Sensorstruktur mit einer im Wesentlichen senkrecht zum Substrat beweglichen Masse angeordnet. Die Masse umfasst dabei wenigstens eine Elektrode, die mit einer davon in einem im Wesentlichen durch die Dicke der Abstandsschicht bestimmten Abstand entfernt angeordneten Gegenelektrode zusammenwirkt.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Sensorstruktur als ein wippen- oder trampolinförmiger z-Beschleunigungs- oder Drehratensensor ausgebildet. Da bei diesen Sensoren der Abstand der seismischen Masse und dem darunter liegendem Substrat mittels einer als Opferschicht dienenden Abstandsschicht eingestellt wird, eignet sich die Teststruktur ideal zur Abstimmung eines solchen Sensors.
  • Erfindungsgemäß ist ferner ein Verfahren zum Bestimmen der Dicke einer Abstandsschicht auf einem Substrat mithilfe einer entsprechenden Teststruktur vorgesehen, wobei in einem ersten Schritt eine erste Ansteuerspannung an die erste Elektrodenanordnung zum Auslenken der seismischen Masse in eine erste Richtung und eine zweite Ansteuerspannung an die zweite Elektrodenanordnung zum Auslenken der seismischen Masse in eine der ersten Richtung entgegen gesetzte zweite Richtung angelegt werden. Anschließend wird die resultierende Auslenkung der seismischen Masse gemessen. Schließlich wird die Schichtdicke der Abstandsschicht anhand der resultierenden Auslenkung der seismischen Masse berechnet. Das Testverfahren benötigt keinen externen Eingriff. Vielmehr erfolgt die Messung der Schichtdicke lediglich durch das Ansteuern der Elektroden und durch das Auswerten der Antwort der Teststruktur. Damit eignet sich das Testverfahren optimal zur Kalibrierung von Sensorstrukturen, die gemeinsam mit der Teststruktur auf dem Substrat ausgebildet sind. Die Möglichkeit einer Ansteuerung der beiden Elektrodenanordnungen mit unterschiedlichen Ansteuerspannungen erlaubt es, die resultierende Auslenkung der seismischen Masse zu begrenzen, beispielsweise wenn ein ungünstiges Dickenverhältnis der beiden Elektrodenanordnungen zu einer zu starken Auslenkung führen würde. Ferner kann damit auch eine Kompensation der unterschiedlichen elektrostatischen Wirkung von zwei Elektrodenanordnungen erreicht werden. Somit können auch Teststrukturen mit zwei unsymmetrischen Elektrodenanordnungen verwendet werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird die zweite Ansteuerspannung in Abhängigkeit von der ersten Ansteuerspannung derart gewählt, dass die seismische Masse bei Anlegen beider Spannung wieder in der gleichen Lage verbleibt wie ohne Anlegen der Ansteuerspannungen. Die Ermittlung der gesuchten Schichtdicke erfolgt dann anhand des Verhältnisses der beiden Ansteuerspannungen. Da die seismische Masse bei dieser alternativen Messmethode mittels geeigneter Ansteuerspannungen in ihrer Ruhe- bzw. Nulllage gehalten wird, spielen Einflussgrößen, die mit der Auslenkung der Masse einhergehen, wie z. B. Federstärke, oder nichtlineares Verhalten der Kapazitäten bei stärkerer Auslenkung, bei der Bestimmung der Schichtdicke keine Rolle. Hierdurch kann einerseits das Verfahren vereinfacht werden. Ferner kann mit dem Wegfall möglicher Fehlerquellen auch eine höhere Genauigkeit des Verfahrens erreicht werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass zum Auslenken der seismischen Masse die erste und die zweite Substratelektrode auf ein gemeinsames elektrisches Potential gelegt werden. Hierdurch wird sowohl die Ansteuerung der Teststruktur als auch die Auswertung der resultierenden Auslenkung vereinfacht.
  • Erfindungsgemäß ist ferner ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements vorgesehen, bei dem zunächst ein Substrat mit einer darauf angeordneten Isolationsschicht bereitgestellt wird. In einem ersten und einem zweiten Elektrodenbereich der vorzugsweise als Oxidschicht gebildeten Isolationsschicht wird dann jeweils ein Schichtstapel umfassend eine elektrisch leitfähige Schicht und eine darauf angeordnete Abstandsschicht erzeugt. Anschließend wird die Abstandsschicht im ersten Elektrodenbereich abgetragen. Dann wird eine Funktionsschicht abgeschieden und vorzugsweise planarisiert, wobei beim Abscheiden eine durch das Abtragen der Abstandschicht im ersten Elektrodenbereich erzeugte Grabenstruktur aufgefüllt wird. Anschließend erfolgt eine Strukturierung der Funktionsschicht und der dabei im ersten Elektrodenbereich freigelegten elektrisch leitenden Schicht, um eine plattenförmige Struktur zu erzeugen, wobei in den beiden Elektrodenbereichen jeweils eine durch einen Teil der plattenförmigen Struktur gebildete Massenelektrode und eine dieser gegenüberliegende Substratelektrode erzeugt wird. Schließlich wird die Abstandsschicht sowie der Oxidschicht im Bereich der plattenförmigen Struktur entfernt, um eine gegenüber dem Substrat auslenkbare seismische Masse zu erzeugen. Somit wird auf eine einfache Weise eine im Wesentlichen um die Schichtdicke der Abstandsschicht unterschiedliche Elektrodenhöhe in den beiden Elektrodenbereichen erreicht.
  • In einer Abwandlung des Herstellungsverfahrens werden beim Strukturieren der Funktionsschicht und der dabei im ersten Elektrodenbereich freigelegten elektrisch leitenden Schicht, die beiden Schichten in einem gemeinsamen Verfahrensschritt abgetragen. Dies erlaubt eine Vereinfachung des Herstellungsverfahrens.
  • In einer weiteren Abwandlung des Verfahrens werden die Oxidschicht und die Abstandsschicht mithilfe eines isotropen Ätzverfahrens abgetragen. Dies erlaubt eine Unterätzung der plattenförmigen Struktur.
  • Eine weitere Abwandlung des Verfahrens sieht vor, dass als Abstandsschicht eine Oxidschicht verwendet wird. Hierdurch ist es möglich die Abstandsschicht und die untere Oxidschicht in einem gemeinsamen Ätzverfahren abzutragen.
  • Eine weitere Abwandlung des Verfahrens sieht vor, dass die Abstandsschicht mithilfe eines Ätzverfahrens abgetragen wird, wobei eine Ätzstoppschicht unterhalb der Abstandsschicht verwendet wird, die eine Ätzung der elektrisch leitfähigen Schicht verhindert. Da die elektrisch leitfähige Schicht beim Abtragen der Abstandsschicht nicht mit geätzt wird, ändert sich ihre Schichtdicke nicht. Da die Dicke dieser Schicht im Wesentlichen bekannt ist, kann daher ein höhere Genauigkeit bei Messen der Schichtdicke einer Abstandsschicht erreicht werden.
  • Schließlich sieht eine weitere Abwandlung des Verfahrens vor, dass als Ätzstoppschicht die elektrisch leitfähige Schicht verwendet wird. Hierdurch wird das Herstellungsverfahren vereinfacht, da keine zusätzliche Ätzstoppschicht erzeugt werden muss.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 eine Draufsicht auf eine Sensorstruktur, die als wippenförmiger z-Beschleunigungssensor nach Stand der Technik ausgebildet ist;
  • 2 eine schematische Seitenansicht des wippenförmigen z-Beschleunigungssensors aus 1;
  • 3 einen herkömmlichen lateralen Beschleunigungssensor;
  • 4 einen erfindungsgemäß modifizierten lateralen Beschleunigungssensor mit einer ersten und einer zweiten zusätzlichen Elektrodenanordnung;
  • 5 eine schematische Darstellung der Reihenfolge und Zusammensetzung der zur Herstellung der erfindungsgemäßen Teststruktur verwendeten Schichten;
  • 6 ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat umfassend eine Sensorstruktur und eine Teststruktur gemäß der Erfindung;
  • 7 bis 12 ein Verfahren zum Herstellen der erfinderischen Teststruktur aus den 4, 5 und 6;
  • 13 ein Ablaufdiagramm des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens.
  • Die 1 und 2 zeigen einen typischen z-Beschleunigungssensor (zBS), der im so genannten ”Wippendesign” ausgebildet ist. Der in 1 in einer Draufsicht dargestellte mikromechanische Sensor 300 besteht im Wesentlichen aus einem plattenförmigen Körper 310, der mittels einer Federstruktur 340 wippenförmig auslenkbar gegenüber einem darunter angeordneten Substrat 110 aufgehängt ist. Die als seismische Masse dienende Platte 310 kann dabei beispielsweise über zwei Torsionsfedern 340 mit einer zentralen Trägerstruktur 350 verbunden sein, wobei die Aufhängung der seismischen Masse 310 dabei so gewählt ist, dass sich auf einer Seite eine Zusatzmasse 311 ergibt, welche bei einer Beschleunigung der Sensorstruktur senkrecht zur Substratebene ein Drehmoment und damit eine Auslenkung α der Wippe aus ihrer Ruhe-/Nulllage bewirkt. Die Bewegung der Wippe 310 wird mittels zwei beidseitig der Trägerstruktur 350 angeordneten Detektionselektroden 321, 331, die jeweils mit der seismischen Masse 310 bzw. mit einer durch die Unterseite der seismischen Masse (310) gebildeten Elektrode als gemeinsame Gegenelektrode 312 eine separate Detektionselektrodenanordnung 320, 330 bilden, kapazitiv ausgewertet. Wie in der 2 mittels der gestrichelten Linie angedeutet ist, bewirkt eine Auslenkung der seismischen Masse 310 um einen Winkel α nach links eine Vergrößerung des Abstandes 301 zwischen der linken Detektionselektrode 321 und Massenelektrode 312, während der Abstand 301 zwischen der rechten Detektionselektrode 331 und Massenelektrode 312 gleichzeitig verringert wird. Hierdurch wird eine Kapazitätsdifferenz zwischen der linken und rechten Detektionselektrodenanordnung 320, 330 erreicht. Die Kapazität C1, C2 der Detektionselektrodenanordnungen 310, 320 lässt sich für kleine Auslenkungen α bestimmen durch:
    Figure 00080001
    mit
  • dox:
    Grundabstand zwischen Detektionselektrode und seismische Masse;
    ε0:
    Dielektrizitätskonstante im Vakuum;
    l1:
    Abstand der drehachsnahen Elektrodenkante von der Drehachse;
    l2:
    Abstand der drehachsfernen Elektrodenkante von der Drehachse; und
    lb:
    effektive Elektrodenfläche als Produkt aus Länge l und Breite b der Elektrode.
  • Der Grundabstand 301 zwischen den Detektionselektroden 321, 331 und der als gemeinsame Elektrode 312 dienenden seismischen Masse 310 entspricht der Schichtdicke dox einer Abstandsschicht 140, die im Herstellungsprozess als Opferschicht unterhalb der seismischen Masse verwendet und im weiteren Prozessverlauf entfernt wird. Folglich hängt die Detektionsempfindlichkeit der Sensorstruktur 300 unmittelbar von der Schichtdicke dox dieser Abstandsschicht ab.
  • Prinzipiell ist es möglich, durch ein elektrisches Testsignal auf den beiden Detektionselektroden 321, 331 eine Auslenkung der Wippe 310 zu erreichen, die ebenfalls vom Elektrodenabstand 302 bzw. der Schichtdicke dox abhängig ist. Es zeigt sich allerdings, dass die Genauigkeit dieses Verfahrens nicht ausreicht, um für die Sensorkalibrierung verwendet zu werden. Insbesondere verhalten sich Testsignal und Empfindlichkeit bei Änderung des Grundabstands dox deutlich unterschiedlich, was eine Ermittlung der Empfindlichkeit aus der Testsignalantwort erschwert.
  • Um die Empfindlichkeit des Sensors mit ausreichender Genauigkeit bestimmen zu können, wird daher eine erfindungsgemäße Teststruktur verwendet. Als Teststruktur kann beispielsweise ein modifizierter lateraler Beschleunigungssensor dienen, der üblicherweise gemeinsam mit dem zu testenden z-Beschleunigungssensor auf einem Substrat erzeugt wird.
  • In der Regel wird ein solcher lateraler Beschleunigungssensor in Form eines gegenüber dem Substrat elastisch auslenkbaren Körpers ausgebildet, wobei die Detektionsrichtung typischerweise durch die Auslenkrichtung bestimmt wird. Zur Verdeutlichung des Funktionsprinzips zeigt die 3 einen solchen einfach aufgebauten x-Beschleunigungssensor. Dieser besteht im Wesentlichen aus einer plattenförmigen seismischen Masse 510, an deren Längsseiten jeweils eine Elektrodenanordnung 520, 530 zum kapazitiven Erfassen der aktuellen Auslenkung der seismischen Masse 510 vorgesehen ist. Die Elektrodenanordnungen 520, 530 umfassen jeweils eine aus mehreren Kammzinken gebildete masseseitige Kammelektrode 521, 531, die mit einer entsprechend kammartig ausgebildeten substratseitigen Gegenelektrode 532, 532 zusammenwirkt. Jede Auslenkung der seismischen Masse entlang der Messachse 201 verändert den Abstand zwischen den masseseitigen und den substratseitigen Elektroden 521, 522, 531, 532 einer Elektrodenanordnung 520, 530, und damit auch ihre Kapazitäten. Zur differentiellen Messung der Kapazitätsänderung sind die Elektroden 521, 522, 531, 532 der beiden Elektrodenanordnungen 520, 530 jeweils so gegeneinander versetzt angeordnet, dass eine Auslenkung der seismischen Masse 510 aus ihrer Mittellage bei einer der beiden Elektrodenanordnungen 520, 530 zur Vergrößerung der Kapazität führt, während die Kapazität der gegenüberliegenden Elektrodenanordnung reduziert wird.
  • Die 4 zeigt einen lateralen Beschleunigungssensor 200 mit einer gegenüber der Sensorstruktur 500 aus 3 erweiterten Elektrodenanordnung. Neben den beiden entlang der Messachse 201 verlaufenden Elektrodenanordnungen 240, 250 weist der Beschleunigungssensor 200 zusätzliche zwei stirnseitig angeordnete Elektrodenanordnungen 220, 230 auf. Die beiden zusätzlichen Elektrodenanordnungen 220, 230 sind ebenfalls kammförmig aufgebaut mit jeweils einer mehrere Kammzinken umfassenden Masseelektrode 221, 231 und einer eine entsprechende Anzahl von Kammzinken umfassenden Substratelektrode 222, 232. Die im Wesentlichen äquidistant über die jeweilige Stirnseite der seismischen Masse 210 und die jeweils äußersten Kammzinken der beiden seitlichen Elektroden 240, 250 verteilten Kammzinken der beiden Massenelektroden 221, 231 sind jeweils in eine der Auslenkrichtungen 202, 203 ausgerichtet und greifen in die ebenfalls in eine der Auslenkrichtungen 202, 203 ausgerichteten Kammzinken der jeweiligen Substratelektroden 222, 232 ein. Im Unterschied zu den längsseitig angeordneten Elektrodenanordnungen 240, 250, bei denen eine Auslenkung der seismischen Masse 210 entlang der Messachse 201 unmittelbar eine Änderung des Elektrodenabstands bewirkt, führt die Auslenkung der seismischen Masse 210 bei den beiden stirnseitig angeordneten Elektrodenanordnungen 220, 230 zu einer Änderung der Eingrifftiefe der jeweils miteinander kämmenden Elektroden 221, 222, 231, 232, was sich ebenfalls in Form einer messbaren Kapazitätsänderung niederschlägt. Zur elastischen Aufhängung der seismischen Masse 210 gegenüber dem Substrat 110 werden üblicherweise Federstrukturen verwendet, die beispielsweise als Biege- oder Torsionsfedern ausgebildet sein können. Aus Gründen einer vereinfachten Darstellung sind solche Federstrukturen in den Figuren nicht gezeigt.
  • Um den lateralen Beschleunigungssensor 200 als Teststruktur zur Messung der Dicke dox der Abstandsschicht 140 nutzen zu können, werden die beiden stirnseitigen Elektrodenanordnungen 220, 230 unterschiedlich dick ausgebildet. Dabei wird die Strukturdicke dEP1 der ersten Elektrodenanordnung 220 im Wesentlichen um die zu bestimmende Abstandsschichtdicke dox dicker ausgebildet als die Strukturdicke dEP2 der zweiten Elektrodenanordnung 230. Da die effektive Elektrodenfläche einer Elektrodenanordnung unmittelbar durch die Dicke bzw. Höhe der zugehörigen Elektroden bestimmt wird, hängt auch die Kapazitätsdifferenz der beiden Elektrodenanordnungen 220, 230 von der Schichtdicke dox der Abstandschicht 140 ab. Aufgrund der unterschiedlichen Kapazitäten ergibt sich auch eine unterschiedliche elektrostatische Wirkung der beiden Elektrodenanordnungen 220, 230 auf die seismische Masse 210. So wird die seismische Masse 210 von den beiden Elektrodenanordnungen 220, 230 beim Anlegen derselben Ansteuerspannung unterschiedlich stark ausgelenkt. Die resultierende Auslenkung hängt ebenfalls von der Schichtdicke dox der Abstandschicht 140 ab. Genauer genommen entspricht der Dickenunterschied der beiden Elektrodenanordnungen 220, 230 in den hier dargestellten Ausführungsformen der Erfindung der Summe aus der Schichtdicke dox der Abstandschicht 140 und der Schichtdicke dVP der Verdrahtungsschicht 130, wobei die Verdrahtungsschicht 130 im Vergleich zur Abstandschicht 140 vorzugsweise sehr dünn ausgebildet wird, so dass der Einfluss prozessbedingter Dickenschwankungen der Verdrahtungsschichtdicke dVP auf die Elektrodendicken 223, 233 und damit auf die gemessene Auslenkung der seismischen Masse 210 im Idealfall vernachlässigbar ist.
  • Bei einem lateralen Beschleunigungssensor kann die Auslenkung über den ohnehin vorhandenen xBS Auswertekanal direkt gemessen werden. Sie ist direkt proportional zur Summe aus der Schichtdicke dox der Abstandsschicht 140 und der Schichtdicke dVP der Verdrahtungsschicht 130. Die an den beiden Elektrodenanordnungen 220, 230 entstehenden Kräfte lassen sich wie folgt beschreiben:
    Figure 00110001
    mit
  • U:
    Potentialdifferenz zwischen den Substratelektroden und der seismische Masse;
    N:
    Anzahl der Kammelektroden;
    h1,2:
    Elektrodendicke im Elektrodenbereich;
    dgap:
    Abstand der Kammelektroden (identisch mit Abstand der Plattenelektroden im Lateralkanal);
    ε0:
    Dielektrizitätskonstante im Vakuum; und
    x:
    Auslenkung der seismischen Masse.
  • Somit ergibt sich für die auf die seismische Masse wirksame Nettokraft:
    Figure 00110002
  • Ist die Federsteifigkeit k der Aufhängung der seismischen Masse 210 bekannt, kann aus dem Zusammenhang x = ΔF/k die Nettokraft ΔF und somit auch die Summe aus den Schichtdicken dox + dVP der Abstandsschicht 140 und der Verdrahtungsschicht 130 berechnet werden. Die Genauigkeit, mit der die Schichtdicke dox der Abstandschicht 140 letztendlich bestimmt werden kann, hängt davon ab, wie präzise sich die Schichtdicke dVP der Verdrahtungsschicht 130 im Herstellungsprozess einstellen lässt. Da sich prozessbedingte Dickenschwankungen der Verdrahtungsschicht 130 unmittelbar auf die Bestimmung der Abstandsschichtdicke auswirken, tauchen sie auch als Fehler bei der anhand der ermittelten Abstandsschichtdicke durchgeführten Empfindlichkeitsbestimmung der Sensorstruktur auf. Für den Elektrodenabstand dgap ist die als Kantenverlust bezeichnete Abweichung zwischen der im Layout vorgesehenen Breite der Struktur und der nach der Prozessierung tatsächlich erreichten Strukturbreite maßgeblich. Daher kann es zur Steigerung der Genauigkeit des Verfahrens sinnvoll sein, den Kantenverlust anderweitig zu ermitteln und den damit korrigierten Elektrodenabstand dgap zur Bestimmung der Abstandsschichtdicke dox zu verwenden.
  • Alternativ können die Ansteuerspannungen U1 und U2 derart aufeinander abgestimmt werden, dass die resultierende Gleichgewichtsauslenkung der Ruhe- bzw. Nulllage der seismischen Masse 210 entspricht. Dies erfolgt beispielsweise durch Anlegen einer vorgegebenen ersten Ansteuerspannung U1 an die erste Elektrodenanordnung 220 und Variieren der zweiten Ansteuerspannung U2 bis die durch die erste Ansteuerspannung U1 hervorgerufene Auslenkung durch die Wirkung der zweiten Elektrodenanordnung 230 im Wesentlichen wieder kompensiert wird.
  • Zur Verdeutlichung der unterschiedlichen Strukturdicken dEP1, dEP2 der beiden Elektrodenanordnungen 220, 230 der erfindungsgemäßen Teststruktur 200 zeigt die 5 Schnittbilder durch die beiden Elektrodenbereiche während der Herstellung der Teststruktur 200. Dabei wird der Unterschied in der Reihenfolge und Zusammensetzung der Schichten des ersten Elektrodenbereichs 121 und des zweiten Elektrodenbereichs 122 des erfindungsgemäß modifizierten lateralen Beschleunigungssensors im Vergleich zu einem Elektrodenbereich bei einem herkömmlich hergestellten lateralen Beschleunigungssensor verdeutlicht. Hierzu sind im oberen Abschnitt der 5 die Schnittbilder durch die Schichtstapel der jeweiligen Elektrodenbereiche in jeweils der gleichen Phase des Herstellungsprozesses dargestellt. Das Schnittbild I. zeigt die Schichtenfolge eines herkömmlichen Beschleunigungssensors, wobei auf einem Substrat 110 aufeinander folgend eine untere vorzugsweise aus einem Oxid gebildete Isolationsschicht 120, eine elektrisch leitfähige Schicht 130 mit der Dicke dVP, eine Abstandsschicht 140 in der Dicke dox und eine Funktionsschicht 150 in der Dicke dEP erzeugt wurden. Das zweite Schnittbild II. zeigt das Schichtenverhältnis im ersten Elektrodenbereich 121 der erfindungsgemäß prozessierten Teststruktur 200, wobei hier ebenfalls auf einem Substrat 110 zunächst eine Isolationsschicht 120 erzeugt wurde, auf der eine elektrisch leitfähige Schicht 130 in einer vorgegebenen Dicke dVP abgeschieden wurde. Abweichend von dem herkömmlichen Prozess wurde die Abstandsschicht 140 hier komplett abgetragen, so dass die Schichtdicke dEP1 der anschließend abgeschiedenen Funktionsschicht 150 genau um die Dicke dox der Abstandsschicht 140 größer ist als die Schichtdicke dEP der Funktionsschicht 150 im herkömmlichen Herstellungsprozess. Schließlich zeigt das dritte Schnittbild III. die Schichtzusammensetzung im zweiten Elektrodenbereich 122 der erfindungsgemäß hergestellten Teststruktur 200, die im Wesentlichen der Schichtzusammensetzung des im Schnittbild I. gezeigten herkömmlich hergestellten Elektrodenbereichs entspricht. Durch einen Vergleich der Schnittbilder II. und III. wird deutlich, dass sich die Elektrodenhöhe der ersten Elektrodenanordnung 220, welche durch die Schichtdicken dEP1 und dVP im ersten Elektrodenbereich 121 definiert wird, exakt um die Dicken dox der Abstandsschicht 140 und der elektrisch leitenden Schicht 130 von der durch die Schichtdicke dEP2 im zweiten Elektrodenbereich 131 definierten Elektrodenhöhe der zweiten Elektrodenanordnung 230 unterscheidet.
  • Die 6 zeigt ein gemäß der Erfindung ausgebildetes mikromechanisches Bauelement 100 mit einem Substrat 110 und mehreren auf dem Substrat 110 ausgebildeten mikromechanischen Strukturen 200, 300, 400. Insbesondere ist eine Sensorstruktur 300 auf dem Substrat angeordnet, die mithilfe einer Abstandsschicht (hier nicht gezeigt) hergestellt wurde. Im vorliegenden Fall handelt es sich um den in der 1 gezeigten wippenförmigen Beschleunigungssensor 300. Zur Bestimmung der Eigenschaften des Sensors 300 ist ferner eine erfindungsgemäße Teststruktur 200 auf dem Substrat 110 angeordnet. Die Teststruktur 200 ist vorzugsweise als ein lateraler Beschleunigungssensor ausgebildet. Neben der Funktion als Teststruktur kann der Beschleunigungssensor 200 auch Beschleunigungen des mikromechanischen Bauelementes 100 in der vorgegebenen der Detektionsrichtung erfassen. Ferner können auf dem Substrat 110 auch weitere Strukturen ausgebildet sein. Im vorliegenden Beispiel ist ein weiterer lateraler Bewegungssensor 400 mit einer zu Detektionsrichtung der Teststruktur 200 senkrechten Detektionsrichtung vorgesehen.
  • In den folgenden 7 bis 12 ist beispielhaft ein Verfahren zum Herstellen der Teststruktur 200 aus den 4 und 5 gezeigt. Dabei zeigt die 7 als Ausgangsituation ein Substrat 110, auf dem ihnen vorhergehenden Schritten bereits eine vorzugsweise als Oxidschicht ausgebildete Isolationsschicht 120 erzeugt wurde. Zunächst werden in zwei Elektrodenbereichen 121, 122 der Isolationsschicht 120 jeweils ein Schichtstapel 123, 124 umfassend eine als Verdrahtungsschicht dienende elektrisch leitfähige Schicht 130 und eine darauf angeordnete Abstandsschicht 140 erzeugt. Dies kann beispielsweise durch Abscheiden eines entsprechenden Materials in den beiden Elektrodenbereichen 121, 122 erfolgen. Dabei können die beiden Schichtstapel 123, 124, wie hier gezeigt ist, in Vertiefungen erzeugt werden, die zuvor mittels bekannter Verfahren in der Isolationsschicht 120 gebildet wurden. Andererseits ist es auch möglich den Schichtstapel 123, 124 ohne entsprechende Vertiefungen auf die Isolationsschicht 120 abzuscheiden.
  • Wie in der 8 gezeigt ist, wird die elektrisch leitfähige Schicht 130 vorzugsweise mit einer Schichtdicke dVP erzeugt, die deutlich kleiner als die Schichtdicke dox der darüber angeordneten Abstandschicht 140 ist. Da der Schichtdickenunterschied der beiden Elektrodenanordnungen der Teststruktur sich aus der Schichtdicke dox der Abstandschicht 140 und der Schichtdicke dVP der elektrisch leitfähige Schicht 130 zusammensetzt, kann durch Verwendung einer relativ dünnen elektrisch leitfähigen Schicht 130 erreicht werden, dass der Einfluss der prozessbedingten Dickenschwankungen dieser Schicht 130 bei der Bestimmung der Abstandschichtdicke dox möglichst gering ausfällt und die Abstandschichtdicke dox daher mit einer möglichst hohen Genauigkeit bestimmt werden kann.
  • In einem darauf folgendem Verfahrensschritt wird die Abstandschicht 140 im ersten Elektrodenbereich 121 abgetragen. Dies erfolgt vorzugsweise mithilfe eines anisotropen Ätzverfahrens, das eine Abtragung der Abstandsschicht 140 selektiv zur elektrisch leitfähigen Schicht 130 erlaubt. Dabei kann die elektrisch leitfähige Schicht 130 direkt als Ätzstoppschicht verwendet werden. Es kann jedoch vorteilhaft sein, eine separate Ätzstoppschicht zu verwenden. Hierzu kann beispielsweise eine dünne Polysiliziumschicht zwischen der elektrisch leitfähigen Schicht 130 und der Abstandsschicht 140 abgeschieden werden, die lediglich als Ätzstoppschicht dient. Ferner können Stoppschichten verwendet werden, die bei der Ätzung der Abstandschicht 140 nur geringfügig geätzt und erst in einem später erfolgenden Ätzschritt zum Entfernen des unteren Oxids 120 vollständig entfernt werden. Hierzu eignen sich beispielsweise Nitritschichten, da sie im flüssigen HF nahezu nicht geätzt werden.
  • Die 9 zeigt den prozessierten Bereich des mikromechanischen Bauelements 100 nach der Ätzung der Abstandschicht 140. Dabei wurde durch das vollständige Abtragen der Abstandsschicht 140 in einen definierten Bereich innerhalb des ersten Elektrodenbereichs 121 eine Grabenstruktur 125 erzeugt.
  • Wie die 10 zeigt, wird auf die so gebildete Oberfläche anschließend eine Funktionsschlicht 150 mit einer definierten Dicke erzeugt. Dies erfolgt vorzugsweise durch Abscheiden eines elektrisch leitfähigen Materials bis zu einer vorgegebenen Höhe oberhalb der Abstandschicht 140, wobei auch die Grabenstruktur 125 vollständig mit dem abgeschiedenen Material aufgefüllt wird. Vorzugsweise wird nach dem Abscheiden der Funktionsschicht 150 ein Planarisierungsschritt durchgeführt, bei dem die Funktionsschicht 150 mit einem geeigneten Verfahren gleichmäßig bis zu einer definierten Tiefe abgetragen wird.
  • In folgendem Verfahrensschritt wird die Funktionsschicht 150 strukturiert, um eine plattenförmigen Struktur der späteren seismischen Masse 210 zu erzeugen. Dies kann beispielsweise mithilfe eines lithografischen Verfahrens erfolgen. In diesem Schritt wird die Funktionsschicht 150 in den zu strukturierenden Bereichen vollständig abgetragen, wobei im ersten Elektrobereich 121 vorzugsweise auch die unterhalb der Funktionsschicht 150 liegende elektrisch leitfähige Schicht 130 mit abgetragen wird. Hingegen erfolgt die Ätzung im zweiten Elektrobereich 122 lediglich bis zur Abstandsschicht 140. Alternativ kann die Abtragung des durch die Strukturierung der Funktionsschicht 51 freigelegten Bereichs der elektrisch leitfähigen Schicht 130 im ersten Elektrobereich 121 auch in einem separaten Ätzprozess erfolgen. Durch die Strukturierung der Funktionsschicht 150 werden in den beiden Elektrodenbereichen 121, 122 jeweils sich gegenüberliegende Elektroden erzeugt, nämlich jeweils eine einen Teil der seismischen Masse 210 bildende Masseelektrode 221, 231 sowie eine mit dem Substrat 110 verbundene Substratelektrode 222, 232. Die jeweils eine Elektrodenanordnung 220, 230 bildenden Elektroden 221, 222, 231, 232 sind vorzugsweise als ineinandergreifende Kammelektroden ausgebildet. Bei dem Strukturierungsschritt werden typischerweise auch Öffnungen 153 plattenförmigen Körper der seismischen Masse 210 erzeugt, die eine vollständige Unterätzung der seismischen Masse 210 zum Entfernen des darunter liegenden Opferschichten erleichtern. Ferner wird in diesem Verfahrensstadium wenigstens eine Federstruktur (hier nicht gezeigt) erzeugt, die als elastische Aufhängung der seismischen Masse 210 gegenüber dem Substrat 110 dient. Als Federstrukturen kommen grundsätzlich alle geeigneten Federstrukturen in Frage, wie z. B. Biege- oder Torsionsfedern. Die 11 zeigt die Teststruktur 200 nach der Strukturierung der Funktionsschicht 150 und der Verdrahtungsschicht 130.
  • Schließlich wird in einem weiteren Verfahrensschritt in einen Bereich unterhalb der seismischen Masse 210 die verbleibende Abstandsschicht 140 sowie die darunter liegende Oxidschicht 120 abgetragen, um die seismische Masse 210 gegenüber dem Substrat 110 auslenkbar zu machen. Dies erfolgt vorzugsweise mittels eines isotropen Ätzprozesses, wobei die untere Oxidschicht 120 sowie die vorzugsweise ebenfalls als Oxidschicht gebildete Abstandsschicht 140 selektiv zum Substrat 110, zur elektrisch leitfähigen Schicht 130 sowie zur Funktionsschicht 150 abgetragen werden. Das entsprechende Verfahrensstadium nach Ätzung der Opferschichten 120, 140 ist in der 12 dargestellt. Hierbei wird ersichtlich, dass die Schichtdicke 223 der beiden Elektroden 221, 222 der ersten Elektrodenanordnung 220 genau um die Schichtdicke dox der Abstandsschicht 140 und die Schichtdicke dVP der elektrisch leitfähigen Schicht 130 dicker ausgebildet ist als die Schichtdicke 233 der beiden Elektroden 231, 232 der zweiten Elektrodenanordnung 230.
  • Schließlich zeigt die 13 eine Zusammenfassung des in den 7 bis 12 gezeigten Herstellungsverfahrens, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
    • – Bereitstellen eines Substrats (110) mit einer darauf angeordneten Oxidschicht (120),
    • – Erzeugen eines Schichtstapels (123, 124) umfassend eine elektrisch leitfähige Schicht (130) und eine darauf angeordnete Abstandsschicht (140) in einem ersten und einem zweiten Elektrodenbereich (121, 122) der Oxidschicht (120),
    • – Abtragen der Abstandsschicht (140) im ersten Elektrodenbereich (121),
    • – Abscheiden und Planarisieren einer Funktionsschicht (150), wobei eine durch Abtragen der Abstandschicht (140) im ersten Elektrodenbereich (121) erzeugte Grabenstruktur (125) aufgefüllt wird,
    • – Strukturieren der Funktionsschicht (150) und der dabei im ersten Elektrodenbereich (121) freigelegten elektrisch leitenden Schicht (130), um eine plattenförmige Struktur (211) zu erzeuge, wobei in den beiden Elektrodenbereichen (121, 131) jeweils eine durch einen Teil der plattenförmigen Struktur (211) gebildete Massenelektrode (221, 231) und eine dieser gegenüberliegende Substratelektrode (222, 232) erzeugt wird, und
    • – Entfernen der Abstandsschicht (140) sowie der Oxidschicht (120) im Bereich der plattenförmigen Struktur (211), um eine gegenüber dem Substrat (110) auslenkbare seismische Masse (210) zu erzeugen.
  • Obwohl in der vorhergehenden Beschreibung sowie den Ansprüchen stets von einer einem wippen- bzw. trampolinförmigen Sensor als Opferschicht dienenden Abstandsschicht die Rede ist, ist es für den Fachmann verständlich, dass das erfinderische Konzept grundsätzlich zum Bestimmen der Dicke beliebiger Schichten anwendbar ist. Auch soll die Erfindung nicht lediglich auf einen wippen- bzw. trampolinförmigen Sensor als Testobjekt eingeschränkt werden. Vielmehr lässt sich das neue Konzept zur Bestimmung der geometrischen Eigenschaften einer beliebigen, mittels Schichtabscheidung erzeugten Struktur verwenden.
  • Obwohl das hier offenbarte erfinderische Konzept lediglich im Zusammenhang mit einem modifizierten lateralen Beschleunigungssensor beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf einen solchen eindimensionalen Beschleunigungssensor eingeschränkt. Vielmehr kann auch ein in mehr als eine Achse messender Beschleunigungssensor zum Bestimmen der Schichtdicke der Abstandsschicht verwendet werden. Auch Drehratensensoren kommen für die Teststruktur grundsätzlich infrage. Aber es ist auch möglich, eine eigens zu Testzwecken vorgesehene Teststruktur separat auf dem Substrat des mikromechanischen Bauelements zu erzeugen, ohne dass diese Teststruktur als Beschleunigungs- oder Drehratensensor zum Einsatz kommt.
  • Bei den in der bevorstehenden Beschreibung im Zusammenhang mit den Figuren offenbarten Ausführungsformen handelt es sich lediglich um Ausführungsbeispiele der Erfindung. Dabei können je nach Anwendung für die Realisierung der Erfindung sämtliche in diesem Zusammenhang offenbarten Merkmale sowohl einzeln als auch in Kombination miteinander relevant sein.

Claims (14)

  1. Mikromechanisches Bauelement (100) umfassend ein Substrat (110) mit einer Abstandsschicht (140) und einer Teststruktur (200) zum Ermitteln der Dicke (dox) der Abstandsschicht (140), die Teststruktur (200) umfassend: – eine entlang einer Messachse (201) parallel zum Substrat (110) elastisch auslenkbare seismische Masse (210), – eine erste und eine zweite Elektrodenanordnung (220) zum Auslenken der seismischen Masse (210) entlang der Messachse (201) mit jeweils einer durch einen Teil der seismischen Masse (210) gebildeten Massenelektrode (221, 231) und einer am Substrat (110) angeordneten Substratelektrode (222, 232), wobei die erste Elektrodenanordnung (220) im Wesentlichen um die Schichtdicke (dox) der Abstandsschicht (140) dicker ausgebildet ist als die zweite Elektrodenanordnung (230).
  2. Mikromechanisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei die beiden Masseelektroden (221, 231) und ihre zugehörigen Substratelektroden (222, 232) jeweils als zwei ineinander greifende Kammstrukturen ausgebildet sind.
  3. Mikromechanisches Bauelement (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Teststruktur (200) als ein lateraler Beschleunigungssensor mit wenigstens einer Detektionselektrodenanordnung (240, 250) zum Erfassen der lateralen Auslenkung der seismischen Masse (210) ausgebildet ist.
  4. Mikromechanisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, wobei auf dem Substrat (110) eine Sensorstruktur (300) mit einer im Wesentlichen senkrecht zum Substrat (110) beweglichen Masse (310) angeordnet ist, wobei die Masse (310) wenigstens eine Elektrode (312) umfasst, die mit einer davon in einem im Wesentlichen durch die Dicke (dox) der Abstandsschicht (140) bestimmten Abstand (302) entfernt angeordneten Gegenelektrode (321, 331) zusammenwirkt.
  5. Mikromechanisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, wobei die Sensorstruktur (300) als ein wippen- oder trampolinförmiger z-Beschleunigungs- oder Drehratensensor ausgebildet ist.
  6. Verfahren zum Bestimmen der Dicke (dox) einer Abstandsschicht (140) auf einem Substrat (110) mithilfe einer Teststruktur (200) umfassend: – eine entlang einer Messachse (201) parallel zum Substrat (110) elastisch auslenkbare seismische Masse (210), – eine erste und eine zweite Elektrodenanordnung (220, 230) zum Auslenken der seismischen Masse (210) entlang der Messachse (201) mit jeweils einer durch einen Teil der seismischen Masse (210) gebildeten Massenelektrode (221, 231) und einer am Substrat (110) angeordneten Substratelektrode (222, 232), wobei die erste Elektrodenanordnung (220) im Wesentlichen um die Schichtdicke (dox) der Abstandsschicht (140) dicker ausgebildet ist als die zweite Elektrodenanordnung (230), umfassend die Schritte: – Anlegen einer ersten Ansteuerspannung (U1) an die erste Elektrodenanordnung (220) zum Auslenken der seismischen Masse (210) in eine erste Richtung (202) und einer zweiten Ansteuerspannung (U2) an die zweite Elektrodenanordnung (230) zum Auslenken der seismischen Masse (210) in eine der ersten Richtung (202) entgegen gesetzte zweite Richtung (203), – Messen der resultierenden Gleichgewichtsauslenkung (212) der seismischen Masse (210), – Berechnen der Schichtdicke (dox) der Abstandsschicht (140) anhand der resultierenden Auslenkung der seismischen Masse (210) und/oder der Ansteuerspannungen (U1) und (U2).
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei zum Auslenken der seismischen Masse (210) die erste und die zweite Substratelektrode (222, 232) auf ein gemeinsames elektrisches Potential gelegt werden.
  8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, wobei das Verhältnis der Ansteuerspannungen (U1) und (U2) so gewählt wird dass die resultierende Gleichgewichtsauslenkung der seismischen Masse (210) im Wesentlichen der Ausgangslage entspricht.
  9. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, umfassend die Schritte: – Bereitstellen eines Substrats (110) mit einer darauf angeordneten Isolationsschicht (120), – Erzeugen eines Schichtstapels (123, 124) umfassend eine elektrisch leitfähige Schicht (130) und eine darauf angeordnete Abstandsschicht (140) in einem ersten und einem zweiten Elektrodenbereich (121, 122) der Isolationsschicht (120), – Abtragen der Abstandsschicht (140) im ersten Elektrodenbereich (121), – Abscheiden und Planarisieren einer Funktionsschicht (150), wobei eine durch Abtragen der Abstandschicht (140) im ersten Elektrodenbereich (121) erzeugte Grabenstruktur (125) aufgefüllt wird, – Strukturieren der Funktionsschicht (150) und der dabei im ersten Elektrodenbereich (121) freigelegten elektrisch leitenden Schicht (130), um eine plattenförmige Struktur (211) zu erzeugen, wobei in den beiden Elektrodenbereichen (121, 122) jeweils eine durch einen Teil der plattenförmigen Struktur (211) gebildete Massenelektrode (221, 231) und eine dieser gegenüberliegende Substratelektrode (222, 232) erzeugt wird, und – Entfernen der Abstandsschicht (140) sowie der Isolationsschicht (120) im Bereich der plattenförmigen Struktur (211), um eine gegenüber dem Substrat (110) auslenkbare seismische Masse (210) zu erzeugen.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei beim Strukturieren der Funktionsschicht (150) und der dabei im ersten Elektrodenbereich (121) freigelegten elektrisch leitenden Schicht (130), die beiden Schichten (150, 130) in einem gemeinsamen Verfahrensschritt abgetragen werden.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Isolationsschicht (120) und die Abstandsschicht (140) mithilfe eines isotropen Ätzverfahrens abgetragen werden.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei als Abstandsschicht (140) eine Oxidschicht verwendet wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei die Abstandsschicht (140) mithilfe eines Ätzverfahrens abgetragen wird, und wobei eine Ätzstoppschicht unterhalb der Abstandsschicht (140) verwendet wird, die eine Ätzung der elektrisch leitfähigen Schicht (120) zu verhindern.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei als Ätzstoppschicht die elektrisch leitfähige Schicht (120) verwendet wird.
DE102010029645.7A 2010-06-02 2010-06-02 Mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zur Bestimmung der Schichtdicke einer Abstandsschicht und Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur Expired - Fee Related DE102010029645B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010029645.7A DE102010029645B4 (de) 2010-06-02 2010-06-02 Mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zur Bestimmung der Schichtdicke einer Abstandsschicht und Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur
IT000786A ITMI20110786A1 (it) 2010-06-02 2011-05-09 Componente micromeccanico con una struttura di test per determinare lo spessore di uno strato distanziale e procedimento per fabbricare una tale struttura di test
US13/116,759 US8695427B2 (en) 2010-06-02 2011-05-26 Micromechanical component having a test structure for determining the layer thickness of a spacer layer and method for manufacturing such a test structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010029645.7A DE102010029645B4 (de) 2010-06-02 2010-06-02 Mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zur Bestimmung der Schichtdicke einer Abstandsschicht und Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102010029645A1 true DE102010029645A1 (de) 2011-12-08
DE102010029645B4 DE102010029645B4 (de) 2018-03-29

Family

ID=44898708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102010029645.7A Expired - Fee Related DE102010029645B4 (de) 2010-06-02 2010-06-02 Mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zur Bestimmung der Schichtdicke einer Abstandsschicht und Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8695427B2 (de)
DE (1) DE102010029645B4 (de)
IT (1) ITMI20110786A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014184033A1 (de) * 2013-05-13 2014-11-20 Robert Bosch Gmbh Sensiereinrichtung für eine mikromechanische sensorvorrichtung
WO2017071950A1 (de) * 2015-10-26 2017-05-04 Truedyne Sensors AG System und verfahren zum überwachen eines kanals, insbesondere eines mems-kanals
US10112152B2 (en) 2013-05-23 2018-10-30 Protia As Proton conducting ceramic membrane

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8539836B2 (en) * 2011-01-24 2013-09-24 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS sensor with dual proof masses
US8716916B2 (en) * 2011-06-10 2014-05-06 Panasonic Corporation Vibration generator, vibration generation device, and electronic equipment and communication device provided with vibration generation device
US9069005B2 (en) * 2011-06-17 2015-06-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Capacitance detector for accelerometer and gyroscope and accelerometer and gyroscope with capacitance detector
EP2763642B1 (de) * 2011-10-03 2016-11-16 Huntleigh Technology Limited Mehrschichtiges schutzlaken mit elektrisch leitendem abstandsmaterial
US9470709B2 (en) * 2013-01-28 2016-10-18 Analog Devices, Inc. Teeter totter accelerometer with unbalanced mass
US9297825B2 (en) 2013-03-05 2016-03-29 Analog Devices, Inc. Tilt mode accelerometer with improved offset and noise performance
DE102013222747A1 (de) * 2013-11-08 2015-05-13 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer Z-Sensor
GB201322918D0 (en) 2013-12-23 2014-02-12 Atlantic Inertial Systems Ltd Accelerometers
JP6655281B2 (ja) * 2014-08-19 2020-02-26 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
DE102014225858A1 (de) * 2014-12-15 2016-06-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Kalibrieren eines mikromechanischen Sensorelements und ein System zum Kalibrieren einesmikromechanischen Sensorelements
US10073113B2 (en) 2014-12-22 2018-09-11 Analog Devices, Inc. Silicon-based MEMS devices including wells embedded with high density metal
US10078098B2 (en) 2015-06-23 2018-09-18 Analog Devices, Inc. Z axis accelerometer design with offset compensation
JP6631108B2 (ja) * 2015-09-15 2020-01-15 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器および移動体
DE102016220510A1 (de) * 2016-10-19 2018-04-19 Robert Bosch Gmbh Mikromechanischer z-Beschleunigungssensor
JP7176353B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-22 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
JP7225817B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-21 セイコーエプソン株式会社 角速度センサー、慣性計測装置、電子機器および移動体
JP7123881B2 (ja) * 2019-08-28 2022-08-23 株式会社東芝 センサ

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19750350C1 (de) 1997-11-13 1999-08-05 Univ Dresden Tech Dreidimensionaler Chip-Beschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung mittels UV-unterstützter Mikrogalvanik
US6595055B1 (en) 1998-10-28 2003-07-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Micromechanical component comprising an oscillating body
DE19960094A1 (de) * 1999-12-14 2001-07-05 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur mikromechanischen Herstellung eines Halbleiterelements, insbesondere Beschleunigungssensors
JP2003166999A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Denso Corp 半導体力学量センサ
US6785117B2 (en) 2002-03-15 2004-08-31 Denso Corporation Capacitive device
US7013730B2 (en) * 2003-12-15 2006-03-21 Honeywell International, Inc. Internally shock caged serpentine flexure for micro-machined accelerometer
EP1624284B1 (de) * 2004-07-29 2017-07-19 STMicroelectronics Srl Mikroelektromechanischer hochempfindlicher Inertialsensor und dessen Herstellungsverfahren
US7140250B2 (en) * 2005-02-18 2006-11-28 Honeywell International Inc. MEMS teeter-totter accelerometer having reduced non-linearty
US20060207327A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Zarabadi Seyed R Linear accelerometer
JP4453587B2 (ja) * 2005-03-24 2010-04-21 株式会社デンソー 加速度センサ
FR2898683B1 (fr) 2006-03-14 2008-05-23 Commissariat Energie Atomique Accelerometre triaxial a membrane
DE102009046807B4 (de) * 2009-11-18 2023-01-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Empfindlichkeitsbestimmung eines Beschleunigungs- oder Magnetfeldsensors
DE102009047018B4 (de) * 2009-11-23 2023-02-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Abgleich eines Beschleunigungssensors und Beschleunigungssensor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014184033A1 (de) * 2013-05-13 2014-11-20 Robert Bosch Gmbh Sensiereinrichtung für eine mikromechanische sensorvorrichtung
US10112152B2 (en) 2013-05-23 2018-10-30 Protia As Proton conducting ceramic membrane
WO2017071950A1 (de) * 2015-10-26 2017-05-04 Truedyne Sensors AG System und verfahren zum überwachen eines kanals, insbesondere eines mems-kanals

Also Published As

Publication number Publication date
ITMI20110786A1 (it) 2011-12-03
DE102010029645B4 (de) 2018-03-29
US20110296917A1 (en) 2011-12-08
US8695427B2 (en) 2014-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010029645B4 (de) Mikromechanisches Bauelement mit einer Teststruktur zur Bestimmung der Schichtdicke einer Abstandsschicht und Verfahren zum Herstellen einer solchen Teststruktur
DE102008043524B4 (de) Beschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1550349B1 (de) Membran und verfahren zu deren herstellung
DE102004024050B4 (de) Kapazitive Trägheitserfassungsvorrichtung
DE102008043788A1 (de) Mikromechanisches Bauelement
DE102012200929B4 (de) Mikromechanische Struktur und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur
DE102005059905A1 (de) Mikromechanisches Bauelement und Herstellungsverfahren
DE102013007593B4 (de) Beschleunigungssensor sowie verfahren zur herstellung eines beschleunigungssensors
DE10135437A1 (de) Sensor für dynamische Grössen, der bewegliche und feste Elektroden mit hoher Steifigkeit aufweist
DE102005005554A1 (de) Verfahren zur Überprüfung eines Halbleitersensors für eine dynamische Grösse
DE102017220412A1 (de) Mikromechanischer Inertialsensor
DE102016208925A1 (de) Mikromechanischer Sensor und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensors
DE102016212717A1 (de) Detektionseinrichtung für piezoelektrisches Mikrofon
DE102013208688A1 (de) Sensiereinrichtung für eine mikromechanische Sensorvorrichtung
DE102008054749A1 (de) Drehratensensor und Verfahren zum Betrieb eines Drehratensensors
DE4228795C2 (de) Drehratensensor und Verfahren zur Herstellung
WO2018127352A1 (de) Linearisierter mikromechanischer sensor
EP1332374B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum elektrischen nullpunktabgleich für ein mikromechanisches bauelement
DE102010027346A1 (de) Sensoranordnung
DE102008040567B4 (de) Verfahren zum Betrieb eines Sensormoduls und Sensormodul
DE102005010393A1 (de) Halbleitersensor zur Erfassung einer dynamischen Grösse
DE102010062056A1 (de) Mikromechanisches Bauteil
DE102016107059A1 (de) Integriertes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
EP3243082B1 (de) Beschleunigungssensor mit reduziertem bias und herstellungsverfahren eines beschleunigungssensors
DE102006059929A1 (de) Inertialsensor mit einer seismischen Masse

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee