DE102010011646A1 - Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeichers auf Grundlage eines kristallinen Oxids mit Perowskitstruktur - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeichers auf Grundlage eines kristallinen Oxids mit Perowskitstruktur Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010011646A1 DE102010011646A1 DE102010011646A DE102010011646A DE102010011646A1 DE 102010011646 A1 DE102010011646 A1 DE 102010011646A1 DE 102010011646 A DE102010011646 A DE 102010011646A DE 102010011646 A DE102010011646 A DE 102010011646A DE 102010011646 A1 DE102010011646 A1 DE 102010011646A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal oxide
- electrodes
- data storage
- storage element
- conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000033444 hydroxylation Effects 0.000 claims description 2
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical group 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/041—Modification of switching materials after formation, e.g. doping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung sieht eine Lösung des Problems der nichtflüchtigen elektronischen Datenspeicherung durch Verwendung eines kristallinen Oxids vorzugsweise mit Perowskitstruktur vor. Durch einen mehrstufigen Prozess, der eine Modifikation von Leitfähigkeit und Oberflächenstruktur, eine Abscheidung von Elektroden sowie eine elektrische Formierung beinhaltet, wird ein Schalten zwischen verschiedenen Grenzflächenzuständen möglich. Die Daten werden dann in Form von Widerstandszuständen einzelner Speicherzellen gespeichert.
Description
- Als nichtflüchtige elektronische Datenspeicher werden zurzeit bevorzugt magnetische und Flash-Speicher verwendet, die allerdings bezüglich Größe und Zugriffszeit begrenzt sind. Als vorteilhafte Alternative wird aktuell an nichtflüchtigen Speicherelementen wie RRAM, CBRAM und PCM geforscht. Materialien für RRAM (Resistive Random-Access Memory) sind nichtleitende dielektrische Substanzen wie Oxide in Perowskitstruktur, Übergangsmetalloxide und Verbindungen mit Chalkogenidstruktur. Wird an diese eine hohe elektrische Spannung angelegt, kann es zu einem dielektrischen Durchbruch kommen, welcher leitende Defekte hervorbringt, die dann ebenso wie der Widerstand reversibel schaltbar sind. Der CBRAM (Conductive-Bridging RAM) basiert auf der Umverteilung von Ionen im Inneren eines festen Elektrolyten. Dabei befindet sich der Elektrolyt zwischen zwei metallischen Elektroden und modifiziert je nach Zustand den Übergangswiderstand. Eine weitere Form der Speicherelemente ist der PCM (Phase Change Memory). Man nutzt hier das Verhalten von Chalkogenidgläsern, die zwischen zwei unterschiedlichen Zuständen, kristallin und amorph, schalten können.
- Auf Grundlage von keramischem Strontiumtitanat, einem Oxid in Perowskitstruktur, wurden bereits Widerstandspeicherelemente realisiert, wobei die Dotierung der Halbleiterkeramik mit anderen Metallen eine wesentliche Grundlage bildet [
US 2009/0109730 A1 - Die
DE 60 2004 011 585 T2 beschreibt ein Verfahren, bei dem ein Manganit mit Perowskitstruktur in einer Sauerstoffatmosphäre mit Sauerstoffionen angereichert wird. Bei dieser Vorgehensweise bilden sich sauerstoffarme und sauerstoffreiche Regionen aus. Zur Formierung der Widerstandseigenschaften wird ein gepulstes elektrisches Feld angelegt. Da zum Schalten der Speicherzelle Ionenverteilungen in der gesamten Perowskitstruktur verändert werden müssen, ist nicht damit zu rechnen, dass eine adäquate Schaltgeschwindigkeit erreicht werden kann. - Die Herstellung einer RRAM-Zelle wird in der
US 6759249 B2 beschrieben. Dabei wird auf einem Silizium-Substrat mit einer Siliziumoxid-Schicht ein Perowskit-Metalloxid zwischen zwei Elektroden aus Platin oder Iridium angeordnet. Nach einem Ausheizen bei 400 bis 700°C wird der Widerstand über Spannungspulse variiert. - Weiterhin wird in der
US 2006/0281277 A1 - Die vorliegende Erfindung stellt eine kostengünstige Alternative zu den bereits bestehenden Speichern bzw. Speicherkonzepten dar. Die Einsparung der Kosten lässt sich dadurch realisieren, dass man lediglich auf den Einbau von intrinsischen Defekten zurückgreift, wo bisher in vielen Fällen zumindest eine Dotierung mit Fremdatomen nötig war. Kennzeichnend für die vorliegende Lösung ist, dass der eigentliche Schaltvorgang im Grenzflächenbereich der Perowskitstruktur zu den Elektroden stattfindet. Dabei wird zwischen Widerstandszuständen, die durch Punkte auf zwei Kennlinien repräsentiert werden, gewechselt. Durch den Betrieb im Grenzflächenbereich wird es vermieden, größere Mengen von Ladungsträgern mit geringer Beweglichkeit (Ionen, insbesondere Sauerstoffionen) transportieren zu müssen. So können hohe Schaltgeschwindigkeiten erreicht werden.
- Die Erfindung sieht die Umsetzung von mehreren Prozessschritten vor:
- • Bereitstellen eines Metalloxid in Peroswkitstruktur,
- • Modifikation von Leitfähigkeit und/oder Oberflächenstruktur des Metalloxids,
- • Abscheiden zweier flächiger metallischer Elektroden auf dem Metalloxid, so dass das Metalloxid zwischen den beiden Elektroden angeordnet ist, und die Flächen der beiden Elektroden zueinander weitestgehend parallel sind, wobei eine definierte Grenzfläche zwischen Elektrodenmaterial und Metalloxid erhalten bleibt,
- • Anlegen eines ungepulsten elektrischen Feldes zwischen den beiden Elektroden über eine Zeit von mehreren Minuten bis zu mehreren Stunden zur Einstellung der Strom-Spannungskennlinien.
- Den Ausgangspunkt stellt somit ein kristallines Oxid mit Perowskitstruktur dar, welches für den Einsatzzweck in seiner Leitfähigkeit und/oder Oberflächenkristallstruktur modifiziert wird. Dieser Prozessschritt besteht in einer Wärmebehandlung in reduzierender, d. h. sauerstoffarmer Atmosphäre, einem Ätzprozess oder einer Hydroxilierung der Oberfläche. Durch die so eingestellten Bedingungen an der Oberfläche werden Sauerstoffvakanzen als Defekte im Anionengitter induziert. Zur Aufrechterhaltung der Elektroneutralität folgen gegebenenfalls Kationen aus der Perowskitstruktur dem Sauerstoffgradienten. Dies führt insgesamt zur Modifizierung der genannten Eigenschaften.
- Im Anschluss folgt als weiterer Prozessschritt die gezielte Abscheidung der metallischen Kontakte. Dabei spielt die Auswahl des Elektrodenmaterials, insbesondere im Hinblick auf die Austrittsarbeit, eine wichtige Rolle. Bei niedriger Austrittsarbeit bildet sich beim Vorliegen eines n-Typ Halbleiters ein Ohmscher Kontakt aus. Für Metalle hoher Austrittsarbeit stellt der Metall-Oxid-Übergang hingegen bevorzugt einen Schottky-Kontakt dar. Zudem ist die Wahl des Abscheideverfahrens entscheidend, denn bei niedriger Energie der auftreffenden Metallteilchen bleibt eine definierte Grenzschicht erhalten, die gegebenenfalls unter Feldwirkung weiter modifiziert werden kann. Treffen bei der Abscheidung hochenergetische Teilchen auf das Oxid, dringen sie in selbiges ein und verhindern die Einstellung einer glatten Grenzfläche, wohingegen diese jedoch vorteilhafte Defektzustände hinterlassen und ebenfalls eine Modifizierung der Grenzfläche bewirken können. In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Perowskitstruktur auf einer Elektrode aufwachsen gelassen und die Modifizierung der Leitfähigkeit und Oberflächenstruktur erfolgt, bevor und/oder nachdem die zweite Elektrode auf die Perowskitstruktur aufgebracht wurde. Die zweite Elektrode wird dabei ebenfalls vorteilhaft in einem Verfahren aufgebracht, bei dem die Grenzschicht zwischen Perowskitstruktur und Elektrode erhalten bleibt. Derartige Verfahren sind aus dem Stand der Technik bekannt, bevorzugt werden hier Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung wie thermisches Verdampfen oder Sputtern verwendet.
- Als Elektrodenmaterialien werden zur Erzeugung ohmscher Kontakte bevorzugt Ti, Cr, Al verwendet, sowie zur Erzeugung von Schottky-Kontakten Au, Pt, Ir, Ag, oder Pd eingesetzt.
- Die Einstellung der für das Schalten des Widerstandes notwendigen Grenzflächeneigenschaften erfolgt in einem weiteren Prozessschritt. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes zwischen den beiden Elektroden über eine bestimmte Zeit wird durch elektrochemische Vorgänge an der Grenzfläche eine lokale Strukturänderung initiiert, welche sich in einer bestimmten elektronischen Struktur des Kontaktes beziehungsweise der Kennlinie äußert. Dieser Schritt wird hier als Formierung bezeichnet. Das elektrische Feld in der Größenordnung von 1000 V/mm wird dabei über eine Zeit im Minuten- oder Stundenbereich angelegt und bewirkt eine Umverteilung von Sauerstoffleerstellen nahe der Grenzfläche. Die verschiedenen Grenzflächenzustände führen zu Reihen von möglichen Widerstandszuständen in Abhängigkeit von angelegten Spannungen. Diese Reihen von Widerstandszustände bilden Kennlinien. Allgemeine Folge dieses Schrittes ist eine Hysterese in der Strom-Spannungs-Kennlinie des Kontaktes.
- Die Erfindung betrifft weiterhin den Betrieb eines nach dem vorgestellten Verfahren hergestellten Datenspeicherelements.
- Grundlage für die Datenspeicherung ist schließlich das Schalten zwischen verschiedenen Grenzflächenzuständen durch elektrische Kleinsignale unter Ausnutzung der Hysterese in der Strom-Spannungs-Kennlinie. Schreib- und Löschpulse haben dabei unterschiedliche Polaritäten und Spannungsbeträge von ca. 10–100 V/mm (bezogen auf die Probendicke), die den Spannungsbetrag eines Lesepulses übersteigen.
- Die Grenzflächenzustände werden durch Schreib- und Löschpulse geschaltet und durch Lesepulse vermessen, wobei sich die unterschiedlichen Zustände in verschieden großen Widerständen äußern. Die Änderung des Widerstandes kann dabei je nach verwendetem Material auf verschiedensten Mechanismen beruhen. Die Leitfähigkeit ändert sich dabei beispielsweise durch Befüllen und Entleeren von elektronischen Grenzflächenzuständen oder durch Schalten der Bindungsverhältnisse an der Grenzfläche. Die Anzahl der Speicherzustände kann dabei auch größer als zwei sein, wenn entsprechend verschiedene Schreibpulse benutzt werden, die sich in Dauer oder Spannungsbetrag unterscheiden.
- Das nach dem oben dargestellten Verfahren hergestellte Datenspeicherelement wird vorteilhaft in einer nichtflüchtigen Speicherzelle oder einem Sensor verwendet.
- Ausführungsbeispiel
- In einem Ausführungsbeispiel wird im ersten Prozessschritt einkristallines Strontiumtitanat (10 × 10 × 0,1 mm3) bei einer Temperatur von 900°C und einem Druck von 2 × 10–6 mbar für 20 h getempert. Die reduzierenden Bedingungen führen zur Ausbildung von Sauerstoffvakanzen, die Defekte im Anionengitter darstellen und ein Leitverhalten vom Typ n-Halbleiter bedingen. Zur Aufrechterhaltung der Elektroneutralität bewegen sich gegebenenfalls Strontiumionen entlang des Sauerstoffgradienten. Dies führt zur Modifizierung von elektrischer Leitfähigkeit und Oberflächenstruktur des Materials. Die gezielte Abscheidung der Elektrodenmaterialien im zweiten Prozessschritt erfolgt im Beispiel durch thermische Verdampfung, da diese niederenergetische Teilchen zur Abscheidung bereitstellt, was die Einstellung einer definierten Grenzflächenstruktur und die Möglichkeit der späteren Formierung im elektrischen Feld ermöglicht. Als Elektrodenmaterialien werden Titan (niedrige Austrittsarbeit für Ohmschen Rückseitenkontakt) und Gold (hohe Austrittsarbeit für Schottky-Kontakt auf Vorderseite) gewählt (siehe
1 ). Für den dritten Prozessschritt wird ein elektrisches Feld von 500 V/mm für eine Zeit von 10 min an die so vorbereiteten Proben angelegt. Die Kennlinien vor und nach dieser Formierung unterscheiden sich merklich. Die Kennlinie nach der Formierung zeigt bei positiven Spannungen eine deutliche Hysterese (siehe2 ). - Ein entsprechender Speicherzyklus mit Schreiben, Lesen und Löschen ist in
3 dargestellt. Den Unterschied des elektrischen Stromes bei einer beispielhaft gewählten Auslesespannung von +2 V nach einem Schreibprozess bei +5 V und einem Löschvorgang bei –5 V zeigt - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- US 2009/0109730 A1 [0002]
- DE 602004011585 T2 [0003]
- US 6759249 B2 [0004]
- US 2006/0281277 A1 [0005]
Claims (11)
- Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeicherelementes auf Grundlage eines kristallinen Metalloxids in Perowskitstruktur, wobei a) ein Metalloxid in Peroswkitstruktur bereitgestellt wird, b) das Metalloxid einer Modifikation von Leitfähigkeit und/oder Oberflächenstruktur unterzogen wird, c) zwei flächige metallische Elektroden auf dem Metalloxid abgeschieden werden, so dass das Metalloxid zwischen den beiden Elektroden angeordnet ist, und die Flächen der beiden Elektroden zueinander weitestgehend parallel sind, wobei eine definierte Grenzfläche zwischen Elektrodenmaterial und Metalloxid erhalten bleibt, d) ein ungepulstes elektrisches Feld zwischen den beiden Elektroden über eine Zeit von mehreren Minuten bis zu mehreren Stunden angelegt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Metalloxid in Perowskitstruktur ausgewählt wird aus SrTiO3, CaTiO3, BaTiO3, KNbO3 oder PbTiO3.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Modifikation von Leitfähigkeit und Oberflächenstruktur durch Temperaturbehandlung in sauerstoffarmer Atmosphäre und/oder durch Anätzen mit einer geeigneten Säure und/oder Hydroxylierung erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung der Elektroden mittels physikalischer Gasphasenabscheidung, bevorzugt thermischen Verdampfens und/oder Sputterns erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass Modifikation von Leitfähigkeit und Oberflächenstruktur durch Temperaturbehandlung erfolgt, die nach dem Aufbringen der Elektroden durchgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass während der Temperaturbehandlung ein ungepulstes elektrisches Feld zwischen den beiden Elektroden angelegt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Modifikation von Leitfähigkeit und Oberflächenstruktur des Metalloxids bei einer Temperatur von ca. 900°C erfolgt.
- Verfahren zum Betrieb eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeicherelements nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Programmierung des Datenspeicherelements mit Schreib- und Löschpulsen erfolgt, wobei die Schreib- und Löschpulse entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und die Spannungsbeträge der Schreib- und Löschpulse die Spannungsbeträge der Lesepulse übersteigen.
- Verfahren zum Betrieb eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeicherelements nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Datenspeicher mindestens zwei Widerstandszustände aufweist, die in Abhängigkeit von Betrag und Dauer der benutzten Schreibpulse ausgewählt werden.
- Datenspeicherelement hergestellt nach den Verfahren aus den Ansprüchen 1 bis 7.
- Verwendung eines Datenspeicherelements nach Anspruch 10 in einer nichtflüchtigen Speicherzelle oder einem Sensor.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010011646A DE102010011646A1 (de) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeichers auf Grundlage eines kristallinen Oxids mit Perowskitstruktur |
PCT/EP2011/053592 WO2011110618A1 (de) | 2010-03-10 | 2011-03-10 | Verfahren zur herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen datenspeichers auf grundlage eines kristallinen oxids mit perowskitstruktur |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010011646A DE102010011646A1 (de) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeichers auf Grundlage eines kristallinen Oxids mit Perowskitstruktur |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010011646A1 true DE102010011646A1 (de) | 2011-09-15 |
Family
ID=44122033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010011646A Withdrawn DE102010011646A1 (de) | 2010-03-10 | 2010-03-10 | Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeichers auf Grundlage eines kristallinen Oxids mit Perowskitstruktur |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102010011646A1 (de) |
WO (1) | WO2011110618A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013013784A1 (de) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Speicherung von Energie sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung elektrischer Energie |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10134909A1 (de) * | 2000-07-18 | 2002-09-12 | Toshiba Kk | Kältespeichermaterial, Verfahren zu dessen Herstellung und das Material verwendender Kühlapparat |
US20030148545A1 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-07 | Wei-Wei Zhuang | Device and method for reversible resistance change induced by electric pulses in non-crystalline perovskite unipolar programmable memory |
US20060281277A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for variable resistive element |
DE602004011585D1 (de) * | 2003-05-21 | 2008-03-20 | Sharp Kk | System mit kontrolliertem Sauerstoffgehalt und Verfahren zum Regeln der Widerstandseigenschaften eines Speicherbauelements |
US20080107801A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-08 | Symetrix Corporation | Method of making a variable resistance memory |
US20090109730A1 (en) | 2006-07-14 | 2009-04-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistance memory element |
US20090121208A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
-
2010
- 2010-03-10 DE DE102010011646A patent/DE102010011646A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-03-10 WO PCT/EP2011/053592 patent/WO2011110618A1/de active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10134909A1 (de) * | 2000-07-18 | 2002-09-12 | Toshiba Kk | Kältespeichermaterial, Verfahren zu dessen Herstellung und das Material verwendender Kühlapparat |
US20030148545A1 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-07 | Wei-Wei Zhuang | Device and method for reversible resistance change induced by electric pulses in non-crystalline perovskite unipolar programmable memory |
US6759249B2 (en) | 2002-02-07 | 2004-07-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Device and method for reversible resistance change induced by electric pulses in non-crystalline perovskite unipolar programmable memory |
DE602004011585D1 (de) * | 2003-05-21 | 2008-03-20 | Sharp Kk | System mit kontrolliertem Sauerstoffgehalt und Verfahren zum Regeln der Widerstandseigenschaften eines Speicherbauelements |
DE602004011585T2 (de) | 2003-05-21 | 2009-02-19 | Sharp K.K. | System mit kontrolliertem Sauerstoffgehalt und Verfahren zum Regeln der Widerstandseigenschaften eines Speicherbauelements |
US20060281277A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for variable resistive element |
US20090109730A1 (en) | 2006-07-14 | 2009-04-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistance memory element |
US20080107801A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-08 | Symetrix Corporation | Method of making a variable resistance memory |
US20090121208A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013013784A1 (de) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Speicherung von Energie sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung elektrischer Energie |
DE102013013784B4 (de) | 2013-08-07 | 2022-02-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Speicherung von Energie sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung elektrischer Energie |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011110618A1 (de) | 2011-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005005938B4 (de) | Resistives Speicherelement mit verkürzter Löschzeit, Verfahren zur Herstellung und Speicherzellen-Anordnung | |
DE112010003853B4 (de) | Widerstandsschalten in stickstoffdotiertem MgO mittels einer Einheit, einem Verfahren zum Betreiben der Einheit und Verfahren zur Verwendung mit einem Widerstandsschaltelement | |
Das et al. | Realization of synaptic learning and memory functions in Y2O3 based memristive device fabricated by dual ion beam sputtering | |
DE69510337T2 (de) | Halbleiterspeicheranordnungen und herstellungsverfahren | |
EP2729934B1 (de) | Oxyde speicherwiderstand mit halbleiternanopartikeln | |
DE112006000612T5 (de) | Nichtflüchtiges Speicherelement | |
DE102004020297B4 (de) | Verfahren zur Herstellung resistiv schaltender Speicherbauelemente | |
US10186660B2 (en) | Memristor device | |
DE102005012047A1 (de) | Festkörperelektrolyt-Speicherelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen Speicherlements | |
DE1959438B2 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrisch leitender Verbindungen zwischen mehreren Schaltungselementen einer auf oder in einem Trägerkörper ausgebildeten integrierten Schaltung | |
EP2436011A2 (de) | Speicherelement, stapelung, speichermatrix und verfahren zum betreiben | |
DE112018003217B4 (de) | Memristives Bauelement auf Grundlage eines reversiblen Transfers interkalierter Ionen zwischen zwei metastabilen Phasen und Verfahren zum Betreiben desselben | |
EP1369501A2 (de) | Herstellung dünner LCPMO Filme mit reversibelen Wiederstandsveränderungseigenschaften | |
KR101681294B1 (ko) | 저항변화메모리 및 저항변화메모리의 제조방법 | |
Mahata et al. | Quantized synaptic characteristics in HfO2-nanocrystal based resistive switching memory | |
KR20100116793A (ko) | 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 | |
Lv et al. | Multilevel resistance switching behavior in PbTiO3/Nb: SrTiO3 (100) heterostructure films grown by hydrothermal epitaxy | |
DE102010011646A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines nichtflüchtigen elektronischen Datenspeichers auf Grundlage eines kristallinen Oxids mit Perowskitstruktur | |
DE102012102326B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines integrierten nichtflüchtigen Analogspeichers | |
CN111063800B (zh) | 一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法 | |
Hu et al. | Unipolar resistive switching behavior of amorphous SrMoO4 thin films deposited at room temperature | |
CN107833968B (zh) | 一种基于纳米级单层阻变膜的忆阻器制备方法 | |
DE102004052645A1 (de) | Speicherzelle und Verfahren zu deren Herstellung | |
KR101721162B1 (ko) | 수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리 및 그 제조방법 | |
DE102013014270B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Energiewandlung von thermischer Energie in elektrische Energie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |