DE102009037186A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil - Google Patents

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CN2010800356637A CN102473717A (zh) 2009-08-12 2010-08-05 发射辐射的半导体器件
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012130900A1 (de) * 2011-04-01 2012-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip
WO2012146459A1 (en) 2011-04-29 2012-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
DE102012101393A1 (de) * 2012-02-21 2013-08-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012202927A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012101892A1 (de) * 2012-03-06 2013-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements
DE102012102301A1 (de) * 2012-03-19 2013-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip
DE102012112149A1 (de) * 2012-12-12 2014-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2014095556A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip
DE102015103055A1 (de) * 2014-12-04 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
EP3101700A4 (en) * 2014-01-29 2017-01-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
DE102016224090A1 (de) * 2016-12-05 2018-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102017106776A1 (de) 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip
DE102018111021A1 (de) * 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauteils

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009047788A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung für eine Kamera sowie Verfahren zum Betrieb derselben
US12002915B2 (en) * 2011-06-24 2024-06-04 Creeled, Inc. Multi-segment monolithic LED chip
US9299742B2 (en) * 2011-08-15 2016-03-29 Micron Technology, Inc. High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods
JP6230631B2 (ja) * 2014-01-29 2017-11-15 シャープ株式会社 発光装置
CN106465510B (zh) * 2014-03-20 2019-10-01 东芝高新材料公司 发光装置以及led灯泡
TWI568026B (zh) * 2014-11-04 2017-01-21 錼創科技股份有限公司 發光裝置
US10342091B2 (en) 2015-03-13 2019-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
KR20170135585A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 엘지디스플레이 주식회사 뱅크 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치
DE102016122237A1 (de) * 2016-11-18 2018-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Multipixel-LED-Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines Multipixel-LED-Bauteils
KR102563894B1 (ko) * 2017-02-08 2023-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 모듈
CN110707189B (zh) * 2017-02-08 2023-09-01 首尔半导体株式会社 发光模块
CN110800117A (zh) * 2017-07-03 2020-02-14 夏普株式会社 光源装置及发光装置
US11054112B2 (en) * 2017-12-22 2021-07-06 Lumileds Llc Ceramic phosphor with lateral light barriers
EP3614437B1 (en) * 2018-08-22 2021-05-05 Lumileds LLC Semiconductor die

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29724458U1 (de) * 1996-07-29 2001-04-26 Nichia Kagaku Kogyo Kk Lichtemittierende Vorrichtung und Anzeigegerät
US20070241349A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Toshiki Kishioka Semiconductor device with a driver circuit for light emitting diodes
US20070252512A1 (en) 2004-06-04 2007-11-01 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Electroluminescent Structure and Led with an El Structure
DE102007022947A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10261818A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Fujitsu Ltd 発光半導体装置
JP2001111109A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
EP1929532A1 (en) * 2005-09-19 2008-06-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Variable color light emitting device and method for controlling the same
JP2007294878A (ja) 2006-03-31 2007-11-08 Fujifilm Corp 半導体層とその成膜方法、半導体発光素子、及び半導体発光装置
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
EP2434554B1 (en) 2007-08-03 2018-05-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength-converted light-emitting device with uniform emission
US7968902B2 (en) * 2008-03-31 2011-06-28 Bridgelux, Inc. Light emitting devices with constant forward voltage

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29724458U1 (de) * 1996-07-29 2001-04-26 Nichia Kagaku Kogyo Kk Lichtemittierende Vorrichtung und Anzeigegerät
US20070252512A1 (en) 2004-06-04 2007-11-01 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Electroluminescent Structure and Led with an El Structure
US20070241349A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Toshiki Kishioka Semiconductor device with a driver circuit for light emitting diodes
DE102007022947A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9343642B2 (en) 2011-04-01 2016-05-17 Osram Opto Semiconductor Gmbh Optoelectronic semiconductor chip
WO2012130900A1 (de) * 2011-04-01 2012-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip
WO2012146459A1 (en) 2011-04-29 2012-11-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
US8492182B2 (en) 2011-04-29 2013-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
DE102012101393A1 (de) * 2012-02-21 2013-08-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012202927A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012202927B4 (de) * 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
US10533729B2 (en) 2012-02-27 2020-01-14 Osram Gmbh Light source with LED chip and luminophore layer
DE102012101892A1 (de) * 2012-03-06 2013-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements
DE102012101892B4 (de) * 2012-03-06 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements
US9343636B2 (en) 2012-03-06 2016-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor device and display apparatus therewith, and method for producing a wavelength conversion element
DE102012102301A1 (de) * 2012-03-19 2013-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip
US9799805B2 (en) 2012-03-19 2017-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip and headlamp having such a semiconductor chip
DE102012102301B4 (de) * 2012-03-19 2021-06-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip
DE102012112149A8 (de) 2012-12-12 2014-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112013007832B4 (de) * 2012-12-12 2025-09-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112013005934B4 (de) 2012-12-12 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US10236426B2 (en) 2012-12-12 2019-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
US9614131B2 (en) 2012-12-12 2017-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
DE102012112149A1 (de) * 2012-12-12 2014-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2014095556A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip
EP3101700A4 (en) * 2014-01-29 2017-01-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US10586827B2 (en) 2014-12-04 2020-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for fabricating an optoelectronic semiconductor component
DE102015103055A1 (de) * 2014-12-04 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
US11177416B2 (en) 2016-12-05 2021-11-16 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component, a module having at least two optoelectronic components, and a method for producing an optoelectronic component
DE102016224090B4 (de) * 2016-12-05 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102016224090A1 (de) * 2016-12-05 2018-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102017106776A1 (de) 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip
DE102018111021A1 (de) * 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauteils
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