DE102009037186A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil - Google Patents
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009037186A1 DE102009037186A1 DE102009037186A DE102009037186A DE102009037186A1 DE 102009037186 A1 DE102009037186 A1 DE 102009037186A1 DE 102009037186 A DE102009037186 A DE 102009037186A DE 102009037186 A DE102009037186 A DE 102009037186A DE 102009037186 A1 DE102009037186 A1 DE 102009037186A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- radiation
- emission
- led chip
- emitting semiconductor
- semiconductor component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
- H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009037186A DE102009037186A1 (de) | 2009-08-12 | 2009-08-12 | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil |
| KR1020127006427A KR20120040741A (ko) | 2009-08-12 | 2010-08-05 | 방사선 방출 반도체 소자 |
| CN2010800356637A CN102473717A (zh) | 2009-08-12 | 2010-08-05 | 发射辐射的半导体器件 |
| PCT/EP2010/061446 WO2011018411A1 (de) | 2009-08-12 | 2010-08-05 | Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil |
| JP2012524205A JP2013502062A (ja) | 2009-08-12 | 2010-08-05 | 発光半導体モジュール |
| US13/389,661 US9012926B2 (en) | 2009-08-12 | 2010-08-05 | Radiation-emitting semiconductor component |
| EP10740230A EP2465139A1 (de) | 2009-08-12 | 2010-08-05 | Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009037186A DE102009037186A1 (de) | 2009-08-12 | 2009-08-12 | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102009037186A1 true DE102009037186A1 (de) | 2011-02-17 |
Family
ID=43037643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102009037186A Withdrawn DE102009037186A1 (de) | 2009-08-12 | 2009-08-12 | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9012926B2 (https=) |
| EP (1) | EP2465139A1 (https=) |
| JP (1) | JP2013502062A (https=) |
| KR (1) | KR20120040741A (https=) |
| CN (1) | CN102473717A (https=) |
| DE (1) | DE102009037186A1 (https=) |
| WO (1) | WO2011018411A1 (https=) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012130900A1 (de) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip |
| WO2012146459A1 (en) | 2011-04-29 | 2012-11-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip |
| DE102012101393A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| DE102012202927A1 (de) * | 2012-02-27 | 2013-08-29 | Osram Gmbh | Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht |
| DE102012202928A1 (de) * | 2012-02-27 | 2013-08-29 | Osram Gmbh | Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht |
| DE102012101892A1 (de) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements |
| DE102012102301A1 (de) * | 2012-03-19 | 2013-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip |
| DE102012112149A1 (de) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| WO2014095556A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip |
| DE102015103055A1 (de) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
| EP3101700A4 (en) * | 2014-01-29 | 2017-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| DE102016224090A1 (de) * | 2016-12-05 | 2018-06-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102017106776A1 (de) | 2017-01-30 | 2018-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip |
| DE102018111021A1 (de) * | 2017-12-14 | 2019-06-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauteils |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009047788A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungseinrichtung für eine Kamera sowie Verfahren zum Betrieb derselben |
| US12002915B2 (en) * | 2011-06-24 | 2024-06-04 | Creeled, Inc. | Multi-segment monolithic LED chip |
| US9299742B2 (en) * | 2011-08-15 | 2016-03-29 | Micron Technology, Inc. | High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods |
| JP6230631B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2017-11-15 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| CN106465510B (zh) * | 2014-03-20 | 2019-10-01 | 东芝高新材料公司 | 发光装置以及led灯泡 |
| TWI568026B (zh) * | 2014-11-04 | 2017-01-21 | 錼創科技股份有限公司 | 發光裝置 |
| US10342091B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| KR20170135585A (ko) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 뱅크 절연막을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| DE102016122237A1 (de) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Multipixel-LED-Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines Multipixel-LED-Bauteils |
| KR102563894B1 (ko) * | 2017-02-08 | 2023-08-10 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
| CN110707189B (zh) * | 2017-02-08 | 2023-09-01 | 首尔半导体株式会社 | 发光模块 |
| CN110800117A (zh) * | 2017-07-03 | 2020-02-14 | 夏普株式会社 | 光源装置及发光装置 |
| US11054112B2 (en) * | 2017-12-22 | 2021-07-06 | Lumileds Llc | Ceramic phosphor with lateral light barriers |
| EP3614437B1 (en) * | 2018-08-22 | 2021-05-05 | Lumileds LLC | Semiconductor die |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE29724458U1 (de) * | 1996-07-29 | 2001-04-26 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Lichtemittierende Vorrichtung und Anzeigegerät |
| US20070241349A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | Toshiki Kishioka | Semiconductor device with a driver circuit for light emitting diodes |
| US20070252512A1 (en) | 2004-06-04 | 2007-11-01 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Electroluminescent Structure and Led with an El Structure |
| DE102007022947A1 (de) | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10261818A (ja) | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Fujitsu Ltd | 発光半導体装置 |
| JP2001111109A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| EP1929532A1 (en) * | 2005-09-19 | 2008-06-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Variable color light emitting device and method for controlling the same |
| JP2007294878A (ja) | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp | 半導体層とその成膜方法、半導体発光素子、及び半導体発光装置 |
| US7714348B2 (en) * | 2006-10-06 | 2010-05-11 | Ac-Led Lighting, L.L.C. | AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism |
| EP2434554B1 (en) | 2007-08-03 | 2018-05-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength-converted light-emitting device with uniform emission |
| US7968902B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-06-28 | Bridgelux, Inc. | Light emitting devices with constant forward voltage |
-
2009
- 2009-08-12 DE DE102009037186A patent/DE102009037186A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-05 US US13/389,661 patent/US9012926B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-05 EP EP10740230A patent/EP2465139A1/de not_active Withdrawn
- 2010-08-05 WO PCT/EP2010/061446 patent/WO2011018411A1/de not_active Ceased
- 2010-08-05 JP JP2012524205A patent/JP2013502062A/ja not_active Withdrawn
- 2010-08-05 KR KR1020127006427A patent/KR20120040741A/ko not_active Withdrawn
- 2010-08-05 CN CN2010800356637A patent/CN102473717A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE29724458U1 (de) * | 1996-07-29 | 2001-04-26 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Lichtemittierende Vorrichtung und Anzeigegerät |
| US20070252512A1 (en) | 2004-06-04 | 2007-11-01 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Electroluminescent Structure and Led with an El Structure |
| US20070241349A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | Toshiki Kishioka | Semiconductor device with a driver circuit for light emitting diodes |
| DE102007022947A1 (de) | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9343642B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-05-17 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
| WO2012130900A1 (de) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip |
| WO2012146459A1 (en) | 2011-04-29 | 2012-11-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip |
| US8492182B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip |
| DE102012101393A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| DE102012202927A1 (de) * | 2012-02-27 | 2013-08-29 | Osram Gmbh | Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht |
| DE102012202928A1 (de) * | 2012-02-27 | 2013-08-29 | Osram Gmbh | Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht |
| DE102012202927B4 (de) * | 2012-02-27 | 2021-06-10 | Osram Gmbh | Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht |
| US10533729B2 (en) | 2012-02-27 | 2020-01-14 | Osram Gmbh | Light source with LED chip and luminophore layer |
| DE102012101892A1 (de) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements |
| DE102012101892B4 (de) * | 2012-03-06 | 2021-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements |
| US9343636B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor device and display apparatus therewith, and method for producing a wavelength conversion element |
| DE102012102301A1 (de) * | 2012-03-19 | 2013-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip |
| US9799805B2 (en) | 2012-03-19 | 2017-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and headlamp having such a semiconductor chip |
| DE102012102301B4 (de) * | 2012-03-19 | 2021-06-17 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip |
| DE102012112149A8 (de) | 2012-12-12 | 2014-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| DE112013007832B4 (de) * | 2012-12-12 | 2025-09-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| DE112013005934B4 (de) | 2012-12-12 | 2022-02-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| US10236426B2 (en) | 2012-12-12 | 2019-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component |
| US9614131B2 (en) | 2012-12-12 | 2017-04-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component |
| DE102012112149A1 (de) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| WO2014095556A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip |
| EP3101700A4 (en) * | 2014-01-29 | 2017-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| US10586827B2 (en) | 2014-12-04 | 2020-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and method for fabricating an optoelectronic semiconductor component |
| DE102015103055A1 (de) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
| US11177416B2 (en) | 2016-12-05 | 2021-11-16 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic component, a module having at least two optoelectronic components, and a method for producing an optoelectronic component |
| DE102016224090B4 (de) * | 2016-12-05 | 2024-03-28 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102016224090A1 (de) * | 2016-12-05 | 2018-06-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102017106776A1 (de) | 2017-01-30 | 2018-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit Halbleiterchip |
| DE102018111021A1 (de) * | 2017-12-14 | 2019-06-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauteils |
| US11600751B2 (en) | 2017-12-14 | 2023-03-07 | Osram Oled Gmbh | Light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013502062A (ja) | 2013-01-17 |
| US9012926B2 (en) | 2015-04-21 |
| WO2011018411A1 (de) | 2011-02-17 |
| EP2465139A1 (de) | 2012-06-20 |
| US20120193657A1 (en) | 2012-08-02 |
| KR20120040741A (ko) | 2012-04-27 |
| CN102473717A (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102009037186A1 (de) | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil | |
| DE102009036621B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
| EP2245667B1 (de) | Monolithischer, optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen | |
| DE102008051050A1 (de) | Modul mit optoelektronischen Halbleiterelementen | |
| DE102007041896A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE102007021009A1 (de) | Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen | |
| EP2248175A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen | |
| DE10122666A1 (de) | Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp und isolierendes Substrat dafür | |
| DE112015005127B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils | |
| DE102008051048A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterkörper | |
| DE102004021175B4 (de) | Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE102008049398A1 (de) | Scheinwerfer mit einer Mehrzahl von Lumineszenzdiodenemittern | |
| DE102016119539A1 (de) | Licht emittierender Halbleiterchip und Licht emittierende Vorrichtung | |
| WO2017216157A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines laserdiodenbarrens und laserdiodenbarren | |
| WO2014124853A1 (de) | Monolithisches halbleiterchip-array | |
| DE102008047579B4 (de) | Leuchtmittel | |
| DE102017102619A1 (de) | Led-einheit | |
| DE102008022542A1 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE112019005003B4 (de) | Optoelektronisches bauteil, verfahren zur ansteuerung eines optoelektronischen bauteils und beleuchtungsvorrichtung | |
| WO2016083400A1 (de) | Lichtemittierendes bauelement | |
| EP2195865B1 (de) | Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauelements | |
| WO2020151963A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils und strahlungsemittierendes halbleiterbauteil | |
| DE102017101538B4 (de) | Verfahren zur Klassifizierung von Halbleiterchips | |
| DE102015107591B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils | |
| WO2020126664A1 (de) | Leuchtvorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |