DE102009022575A1 - Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik - Google Patents

Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik Download PDF

Info

Publication number
DE102009022575A1
DE102009022575A1 DE102009022575A DE102009022575A DE102009022575A1 DE 102009022575 A1 DE102009022575 A1 DE 102009022575A1 DE 102009022575 A DE102009022575 A DE 102009022575A DE 102009022575 A DE102009022575 A DE 102009022575A DE 102009022575 A1 DE102009022575 A1 DE 102009022575A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
aluminosilicate glass
glass
aluminosilicate
glasses
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102009022575A
Other languages
English (en)
Inventor
Heiko Prof. Hessenkemper
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technische Universitaet Bergakademie Freiberg
Original Assignee
Technische Universitaet Bergakademie Freiberg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technische Universitaet Bergakademie Freiberg filed Critical Technische Universitaet Bergakademie Freiberg
Priority to DE102009022575A priority Critical patent/DE102009022575A1/de
Priority to PCT/EP2010/056667 priority patent/WO2010133522A1/de
Priority to EP10720751A priority patent/EP2432743A1/de
Publication of DE102009022575A1 publication Critical patent/DE102009022575A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/002Use of waste materials, e.g. slags
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/062Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/07Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
    • C03C3/072Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/076Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/102Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead
    • C03C3/105Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead containing aluminium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

Verwendung eines Alumosilikatglases als Substratglas für die Photovoltaik mit einer Glaszusammensetzung, die Bor-frei oder Bor-arm ist und bei der - bezogen auf die Oxidbasis der Glaszusammensetzung in Mol-% - der Al0-Gehalt größer ist als der Alkaligehalt R0.

Description

  • Die Erfindung betrifft die Verwendung von Alumosilikatgläsern, insbesondere auf Basis von mineralischen Reststoffen als Substratgläser für die Photovoltaik, insbesondere für die Dünnschichttechnologie bzw. Dünnschichtzellen.
  • Eine entscheidende Bedeutung für die Photovoltaikindustrie besitzt die Frage der Ökonomie, da mit einem verbesserten Preis-Leistungsverhältnis die Durchsetzungs- und Durchdringungsgeschwindigkeit dieser neuen Technologie definiert wird. Hierbei spielen sowohl die Herstellungskosten als auch die Ausbeuten eine wesentliche Rolle. An beiden Problemen kann von Seiten des Werkstoffs Glas eine wesentliche Unterstützung geleistet werden. In bisherigen Projekten (Glasing; Herstellung und Heiß-Kantenveredelung für die energieeffiziente Herstellung von Flachglas für die Solarindustrie) wird daran gearbeitet, die durchschnittlichen Herstellungskosten für einen Quadratmeter Glas auf insgesamt ein Drittel zu reduzieren. Hierzu werden verschiedene Ansätze kombiniert:
    Herstellung von deutlich dünnerem, thermisch gehärteten Glas, Ersatz der Floatglastechnologie durch modifizierte Walzglastechnologie sowie Kombination der Formgebung, der Glaskonfektionierung und Kantenbearbeitung im Zustand oberhalb der Transformationstemperatur und die sich daran direkt anschließende Oberflächenveredelung und kombinierte thermische Härtung mit erheblichen Herstellungs- und Logistikkosteneinsparungen. Werden heute im Dünnschichtbereich der PV-Industrie noch bis zu über 15% der Kosten durch das veredelte Glas definiert, so wird dies bei einer Modulpreissenkung auf ein Drittel, um Netzparität in wenigen Jahren zu erreichen, auf über 50% Glaskostenanteil ansteigen bei unveränderter heutiger Technologie.
  • Die WO 2008/028599 A1 (Schott) offenbart ein Aluminoborosilikatglas (Alumosboratgläser) zur Verwendung als Substratglas mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, das sich auch für die Abscheidung von Silizium über CVD-Prozesse und damit für Anwendungen in der Display- und Photovoltaiktechnologie eignet. Dieses Glas weist eine Zusammensetzung in Gew.-% auf Oxidbasis mit 75–90% SiO2, 2–7% Al2O3 und 8–18% B2O3 sowie weitere fakultative Bestandteile auf und ist bis auf Verunreinigungen alkalifrei. Dieses Glas ist durch hohe Kosten gekennzeichnet, zum einen Rohstoffkosten, insbesondere Bor, und hohe Schmelzkosten sowie Anlagenkosten, da mit kurzen Wannenlaufzeiten zu rechnen ist.
  • Die DE 699 02 839 T2 (ASAHI) beschreibt ein Flach- und Substratglas für die Elektronik mit hoher thermischer Beständigkeit und einem gewöhnlichen Natronkalkglas vergleichbaren Ausdehnungskoeffizienten. Dieses Glas enthält 0,5–5 Mol-% B2O3, 50–75 Mol-% SiO2, 4–20 Mol-% Al2O3, 0–0,8 Mol-% BaO und 0–13 Mol-% Alkalien R2O.
  • Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, Substratgläser für die Photovoltaik anzugeben, die maßgeblich aus mineralischen Reststoffen herstellbar sind und auch die Wiederverwertung verbrauchter Dünnschichtsolarzellenmodule erlauben.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die Verwendung eines Alumosilikatglases als Substratglas für die Photovoltaik gelöst, das Bor-frei oder Bor-arm ist und bei dem, bezogen auf die Oxidbasis der Glaszusammensetzung in Mol-%, der Al2O3-Gehalt größer ist als der Alkaligehalt R2O.
  • Die erfindungsgemäßen Alumosilikatgläser haben eine Transformationstemperatur von 580°C–850°C, vorzugsweise zwischen 600°C–720°C.
  • Der Gesamtalkaliengehalt der erfindungsgemäßen Alumosilikatgläser beträgt 0,1–20 Mol-%, vorzugsweise 3–9 Mol-%. Der Al2O3-Gehalt der erfindungsgemäßen Alkalialumosilikatgläser ist größer 10 Mol-% und beträgt maximal 30 Mol-%.
  • Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung werden Substratgläser mit folgender Zusammensetzung (in Gew.-% auf Oxidbasis) verwendet:
    SiO2 30–80
    Al2O3 10–30
    B2O3 0–0,5
    Fe2O3 0–10
    BaO 0–0,5
    CaO 10–20
    MgO 0–5
    MnO 0–1
    P2O5 0–1
    TiO2 0–2
    R2O 3–9.
  • Die erfindungsgemäßen Gläser können ganz oder teilweise aus mineralischen Reststoffen gewonnen werden, z. B. aus den Rückständen von Müllverbrennungsanlagen, Filterstäuben, Schlacken der Metallherstellung, wobei hier ein zusätzlicher Effekt darin gesehen werden kann, dass auch der Energieinhalt verwendet werden kann, da dem Schmelzprozess flüssige Schlacken von gut 1.300°C zugefügt werden können.
  • Weiter sind Reste aus dem Glasrecycling, Natronlauge aus chemischen Prozessen und zerkleinerte, wieder aufzubereitende ganze Photovoltaikmodule einsetzbar. Auch ist es möglich, komplette Module oder Modulteile als Quelle mineralischer Reststoffe der Glasschmelze zuzuführen. Möglich ist es auch, nichttransparente Alumosilikatgläser zu verwenden. Damit können auch Restgläser oder Restglasabfälle verwendet werden, die färbende Oxidanteile enthalten.
  • Erfindungsgemäß werden Alumosilikatgläser verwendet, die, bezogen auf die Oxidbasis der Glaszusammensetzung in Mol-%, einen Aluminiumgehalt besitzen, der über dem Alkaliengehalt liegt. Durch die damit definierten 4er- und 6er-Koordination des Sauerstoffs zum Aluminium werden zusammen mit der festen Einbindung der Alkalien Eigenschaften definiert, die die Halbleitertechnologie im Dünnschichtbereich der Photovoltaik substantiell beeinflussen können. Hierzu gehören die deutlich reduzierte Alkalienmobilität und die möglichen erheblich erhöhten Transformationstemperaturen (z. B. 696°C gegenüber 560°C von üblichem Floatglas im Vergleich zu Kalk-Natron-Silikatglas).
  • Besonders bevorzugt verwendet werden Alumoalkali-Silikatgläser mit einer hohen Transformationstemperatur im Bereich von 680°C bis 710°C und einem niedrigen Alkaligehalt R2O von 3–5 Mol-% bezogen auf die Oxidbasis.
  • Für die PV-Dünnschichtindustrie ergeben die Eigenschaften der erfindungsgemäßen Alumosilikatgläser erhebliche Optimierungsmöglichkeiten für ihre Prozesse. So lassen sich bei den nun möglichen höheren Prozesstemperaturen erhöhte Sputterraten mit einer höheren elektrischen Ausbeute der Module realisieren. Erreicht wird eine erhöhte Produktivität in Kombination mit höheren Wirkungsgraden. Auch lassen sich darüber hinaus noch weitere Kosteneinsparungen im Bereich der Glasherstellung realisieren. Zwar werden die Schmelzkosten ansteigen, da aber die Rohstoffe aus industriellen Reststoffen gewonnen werden können, fallen nicht nur die Rohstoffkosten komplett weg, es können sogar noch Entsorgungskosten als aktiver Beitrag eingespielt werden.
  • Da diese Gläser immer einen höheren Eisengehalt haben werden, werden sie als Schwarzgläser bezeichnet. Zur Kostenoptimierung kann darüber hinaus gerade für die Dünnschichttechnologie ein sehr kostengünstiger Recyclingpfad aufgebaut werden, da die Module komplett als Glasmaterial wiederverwertet und eingeschmolzen werden können, zumal sich auch problematische Halbleitermaterialien risikolos in die Glasmatrix bei der Herstellung der Substratgläser einbauen lassen. Auch die Möglichkeit, teilweise flüssige Schlacken mit Temperaturen bis 1.300°C der Glasschmelze im Prozess zuzuführen, senkt die sehr hohen Energiekosten, die im Flachglasbereich bis zu 30% der Gesamtkosten betragen können.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher beschrieben.
  • Ausführungsbeispiel 1:
  • Aus Restglasabfällen, z. B. aus den Rückständen von Müllverbrennungsanlagen, Filterstäuben, Schlacken der Metallherstellung, Reste aus dem Glasrecycling, Natronlauge aus chemischen Prozessen und zerkleinerte wieder aufzubereitende ganze Photovoltaikmodule wurden in einem Kanthaloofen bei 1.500°C Gläser mit den in Tab. 1 aufgeführten Zusammensetzung geschmolzen. Tab. 2 zeigt ausgewählte Eigenschaften (Ausdehnungskoeffizient α, Transformationstemperatur Tg, Dichte ρ und Liquidustemperatur TLiq) weiterer Proben. Tabelle 1: Chemische Zusammensetzung der Proben in Masse%
    Oxide/Probe 1 2 3 4 5
    SiO2 52,36 44,41 41,22 38,16 34,85
    Al2O3 13,95 15,15 15,67 16,46 16,07
    Fe2O3 2,34 5,00 6,81 8,20 8,00
    FeO 5,54 4,81 2,41 0,52 0,11
    TiO2 1,14 1,29 1,38 1,21 1,10
    CaO 14,61 17,88 16,63 15,44 14,09
    MgO 2,11 2,63 2,37 2,34 2,15
    K2O 0,91 1,11 0,99 0,92 0,87
    Na2O 4,90 5,06 9,90 14,74 20,21
    MnO 0,78 0,98 0,90 0,84 0,78
    P2O5 0,14 0,19 0,25 0,13 0,13
    SO3 n. n. b n. n. b. 0,022 0,065 0,093
    CdO 0,33 0,30 0,22 0,09 0,03
    PbO 0,45 0,43 0,41 0,37 0,33
    Cr2O3 0,47 0,64 0,46 0,64 0,82
    Summe 100,03 99,89 99,64 100,12 99,63
    Tg 636 674
    Tabelle 2: Ausgewählte Eigenschaften weiterer Proben [Ausdehnungskoeffizient α, Transformationstemperatur Tg, Dichte ρ und Liquidustemperatur TLiq]
    Figure 00050001
  • Ausführungsbeispiel 2:
  • Die Anwendung der CIS-Dünnschichttechnologie ist auf Grund der Transformationstemperatur des verwendeten Floatglases gegenwärtig auf etwa 550°C mit dem Sputtern der Halbleitermaterialien begrenzt, wobei sich damit auch bestimmte Kristallgrößen und damit elektrische Wirkungsgrade ergeben.
  • Diese Prozesstemperaturen lassen sich mit der erfindungsgemäßen Verwendung der Alumosilikatgläser auf 700°C und, je nach Glaszusammensetzung, sogar darüber erhöhen, womit sich völlig neue Prozessmöglichkeiten und Prozessfenster ergeben
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - WO 2008/028599 A1 [0003]
    • - DE 69902839 T2 [0004]

Claims (8)

  1. Verwendung eines Alumosilikatglases als Substratglas für die Photovoltaik, gekennzeichnet durch eine Glaszusammensetzung, die Bor-frei oder Bor-arm ist und bei der – bezogen auf die Oxidbasis der Glaszusammensetzung in Mol-% – der Al2O3-Gehalt größer ist als der Alkaligehalt R2O.
  2. Verwendung eines Alumosilikatglases nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Alumosilikatglas eine Transformationstemperatur von 580°C–850°C aufweist.
  3. Verwendung eines Alumosilikatglases nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Alumosilikatglas eine Transformationstemperatur von 600°C–720°C aufweist.
  4. Verwendung eines Alumosilikatglases nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Alkaliengehalt R2O 0,1–20 Mol-% beträgt.
  5. Verwendung eines Alumosilikatglases nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Alkaliengehalt 3–9 Mol-% beträgt.
  6. Verwendung eines Alumosilikatglases nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Alumosilikatglas folgende Zusammensetzung (in Gew.-%) aufweist: SiO2 30–80 Al2O3 10–30 B2O3 0–0,5 Fe2O3 0–10 BaO 0–0,5 CaO 10–20 MgO 0–5 MnO 0–1 P2O5 0–1 TiO2 0–2 R2O 3–9.
  7. Verwendung eines Alumosilikatglases nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Alumosilikatglas vollständig oder partiell aus mineralischen Reststoffen, insbesondere aus Rückständen von Müllverbrennungsanlagen, Filterstäuben oder Schlacken der Metallherstellung, gewonnen wird.
  8. Verwendung eines Alumosilikatglases nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Alumosilikatglas vollständig oder partiell aus recyceltem Glas, Natronlauge aus chemischen Prozessen oder zerkleinerten Photovoltaikmodulen gewonnen wird.
DE102009022575A 2009-05-18 2009-05-18 Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik Ceased DE102009022575A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009022575A DE102009022575A1 (de) 2009-05-18 2009-05-18 Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik
PCT/EP2010/056667 WO2010133522A1 (de) 2009-05-18 2010-05-14 Verwendung von alumosilikatgläsern als substratgläser für die photovoltaik
EP10720751A EP2432743A1 (de) 2009-05-18 2010-05-14 Verwendung von alumosilikatgläsern als substratgläser für die photovoltaik

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009022575A DE102009022575A1 (de) 2009-05-18 2009-05-18 Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102009022575A1 true DE102009022575A1 (de) 2010-11-25

Family

ID=42289757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009022575A Ceased DE102009022575A1 (de) 2009-05-18 2009-05-18 Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2432743A1 (de)
DE (1) DE102009022575A1 (de)
WO (1) WO2010133522A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012093062A2 (de) 2011-01-08 2012-07-12 Tu Bergakademie Freiberg Thermischer solarer flachkollektor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024034546A1 (ja) * 2022-08-08 2024-02-15 日本板硝子株式会社 ガラス組成物、ガラス繊維、ガラスフィラー、ガラス繊維の製造方法、及びガラスフィラーの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0939060A1 (de) * 1998-02-27 1999-09-01 Asahi Glass Company Ltd. Substrat-Glas für Anzeigevorrichtungen
DE10005088C1 (de) * 2000-02-04 2001-03-15 Schott Glas Alkalihaltiges Aluminoborosilicatglas und seine Verwendung
DE19942259C1 (de) * 1999-09-04 2001-05-17 Schott Glas Erdalkalialuminoborosilicatglas und dessen Verwendungen
DE69902839T2 (de) 1998-04-28 2003-05-28 Asahi Glass Co Ltd Flachglas und Substratglas für die Elektronik
WO2008028599A1 (de) 2006-09-04 2008-03-13 Schott Ag Aluminoborosilikatglas zur verwendung als substratglas

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1459178A (en) * 1972-11-21 1976-12-22 Dostal K V Glass and glass-ceramics and compositions therefor
US4414013A (en) 1982-04-26 1983-11-08 Connell David A Method of making black glass by utilizing incinerated waste glass
US5854153A (en) * 1997-01-09 1998-12-29 Corning Incorporated Glasses for display panels

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0939060A1 (de) * 1998-02-27 1999-09-01 Asahi Glass Company Ltd. Substrat-Glas für Anzeigevorrichtungen
DE69902839T2 (de) 1998-04-28 2003-05-28 Asahi Glass Co Ltd Flachglas und Substratglas für die Elektronik
DE19942259C1 (de) * 1999-09-04 2001-05-17 Schott Glas Erdalkalialuminoborosilicatglas und dessen Verwendungen
DE10005088C1 (de) * 2000-02-04 2001-03-15 Schott Glas Alkalihaltiges Aluminoborosilicatglas und seine Verwendung
WO2008028599A1 (de) 2006-09-04 2008-03-13 Schott Ag Aluminoborosilikatglas zur verwendung als substratglas

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012093062A2 (de) 2011-01-08 2012-07-12 Tu Bergakademie Freiberg Thermischer solarer flachkollektor
DE102011008138A1 (de) 2011-01-08 2012-07-12 Technische Universität Bergakademie Freiberg Thermischer solarer Flachkollektor
DE102011008138B4 (de) 2011-01-08 2019-06-27 Technische Universität Bergakademie Freiberg Thermischer solarer Flachkollektor

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010133522A1 (de) 2010-11-25
EP2432743A1 (de) 2012-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010009585B4 (de) Lithium-Aluminosilicatglas mit hohen E-Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
EP2338847B1 (de) Borfreies Glas
DE19680967B3 (de) Alkalifreies Glassubstrat
EP3392219B1 (de) Chemisch beständiges glas und dessen verwendung
DE112006002184B4 (de) Glaszusammensetzung
EP0699636B1 (de) Borsäurearmes Borosilikatglas und seine Verwendung
DE112006002185B9 (de) Glaszusammensetzung und Verfahren zum Herstellen einer Glaszusammensetzung
DE102013103033A1 (de) Zirkonium/Bor-Aluminiumsilikat-Glas mit Verformungsbeständigkeit, hoher Dehnungsgrenze und geringem Gewicht
EP1837312A1 (de) Lithium-Aluminium-Silikatglas mit kurzen Keramisierungszeiten
WO2001056941A1 (de) Alkalihaltiges aluminoborosilicatglas und seine verwendung
WO2011035889A1 (de) Alumosilikatgläser mit hoher thermischer beständigkeit und niedriger verarbeitungstemperatur
DE19601922C2 (de) Zinn- und zirkonoxidhaltige, alkalifreie Erdalkali-Alumo-Borosilicatgläser und deren Verwendung
DE102010054967A1 (de) Borfreies Universalglas
JPWO2011152414A1 (ja) ガラス基板およびその製造方法
DE112011100358T5 (de) Photovoltaik-Zelle mit einem Substratglas aus Aluminosilikatglas
CN113754275A (zh) 防辐射玻璃
DE102009022575A1 (de) Verwendung von Alumosilikatgläsern als Substratgläser für die Photovoltaik
WO1996033954A2 (de) Borosilicatglas
DE102005058759A1 (de) Glaskeramik
DE102014002577A1 (de) Weißes opakes Glas, zur Verwendung im Gehäuse von elektronischen Geräten inbesondere Smart-Phones, Tablet-PC's und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Glases
DE102009031972A1 (de) Photovoltaikmodul
DE202022104982U1 (de) Nicht flaches Formglas

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final