DE102009012230A1 - Vorrichtung und Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dünnen Schicht von einem Halbleiter-Substrat - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dünnen Schicht von einem Halbleiter-Substrat Download PDF

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Abstract

Vorrichtung zum einseitigen Entfernen einer dünnen Schicht (2) von einem Halbleiter-Substrat (1) mit einem Kontakt-Element (3) aus einem ätzresistenten Material, welches zur Ausbildung eines flächigen Kontakts mit der zu entfernenden Schicht (2) ausgebildet ist, und welches zumindest bereichsweise mit einem Ätz-Mittel (7) versehen ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dünnen Schicht von einem Halbleiter-Substrat.
  • Bei der Herstellung eines Halbleiter-Bauelements wird ein Halbleiter-Substrat üblicherweise beidseitig mit einer Oberflächen-Passivierungs-, Schutz- oder Maskierungs-Schicht versehen. Es kann im Folgenden jedoch notwendig sein, diese Schicht einseitig von dem Halbleiter-Substrat zu entfernen. Da hierbei die jeweils andere Seite vor einem ungewollten Entfernen der Passivierungs-Schicht geschützt werden muss, sind hierzu aufwendige und teure Verfahren notwendig.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das einseitige Entfernen einer dünnen Schicht von einem Halbleiter-Substrat zu vereinfachen.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 9 gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, die Passivierungs-Schicht auf der Oberfläche eines Halbleiter-Substrats zum Entfernen in flächigen Kontakt mit einem Ätz-Mittel zu bringen. Hierzu ist ein flächiges Kontakt-Element vorgesehen, welches zumindest Bereichsweise mit dem Ätz-Mittel versehen ist.
  • Vorzugsweise ist das Kontakt-Element als Transportband ausgebildet, welches eine Auflage-Fläche für das Halbleiter-Substrat bildet. Erfindungsgemäß erfolgt das Entfernen der dünnen Schicht in einem einzigen Arbeitsschritt. Die Handhabung der Substrate erfolgt mittels Bandtransport und ist somit sehr einfach. Die dünnen Substrate werden hierbei nicht belastet.
  • Mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird auf besonders einfache Weise sichergestellt, dass die Passivierungs-Schicht nur auf der mit dem Transportband in Verbindung stehenden Seite des Halbleiter-Substrats entfernt wird, während die Passivierungs-Schicht auf der gegenüberliegenden Seite unversehrt bleibt.
  • Zur kontinuierlichen Versorgung des Transportbandes mit Ätz-Mittel ist das Transportband vorteilhafterweise durch einen Behälter mit dem Ätz-Mittel verlaufend angeordnet. Hierbei kann das Transportband beim Durchlaufen des Behälters Ätz-Mittel aufnehmen.
  • Um die Ätz-Rate zu regulieren, weist der Behälter zur Aufnahme des Ätz-Mittels vorzugsweise eine Temperatur-Regelung auf.
  • Entsprechend kann die Kontakt-Dauer zwischen dem Halbleiter-Substrat und dem Transportband durch Einstellung der Geschwindigkeit des Transportbandes reguliert werden. Der Ätz-Prozess ist somit auf sehr einfache Weise kontrollierbar.
  • Mittels einer Gasstrom-Einrichtung kann ein Umgreifen des Ätz-Mittels auf die Substratoberseite sowie das unkontrollierte Einwirken ätzender Dampfe auf die dem Transportband gegenüberliegende Seite des Halbleiter-Substrats wirksam verhindert werden.
  • Vorzugsweise weist die Vorrichtung eine Reinigungs-Einrichtung zum Entfernen von Resten des Ätz-Mittels vom Halbleiter-Substrat nach dem Entfernen der zu entfernenden Schicht auf.
  • Weitere Vorteile sowie Einzelheiten und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnung.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
  • Eine Vorrichtung zum einseitigen Entfernen einer dünnen Schicht 2 von einem Halbleiter-Substrat 1 umfasst ein Transportband 3, welches eine Auflagefläche für das Halbleiter-Substrat 1 bildet. Bei der dünnen Schicht 2 handelt es sich beispielsweise um eine Passivierungs-Schicht aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid mit einer Dicke im Bereich von einigen Nanometern bis zu wenigen Mikrometern. Die Dicke der Passivierungsschicht liegt vorzugsweise im Bereich von 30 nm bis 500 nm, insbesondere im Bereich von 70 nm bis 300 nm.
  • Beim Halbleiter-Substrat 1 handelt es sich beispielsweise um ein Silizium-Substrat, insbesondere einen Silizium-Wafer. Andere Halbleiter-Substrate sind jedoch ebenso möglich. Das Halbleiter-Substrat 1 weist eine erste Seite 4 und eine dieser gegenüberliegende zweite Seite 5 auf. Die zu entfernende Schicht 2 ist auf mindestens einer der Seiten 4, 5 des Halbleiter-Substrats 1 angeordnet. Das Halbleiter-Substrat 1 ist im Ausgangszustand insbesondere auf beiden Seiten 4, 5 mit der Schicht 2 überzogen, jedoch ist erfindungsgemäß vorgesehen, die Schicht 2 lediglich auf einer der Seiten 4, 5 zu entfernen, während sie auf der jeweils anderen der Seiten 4, 5 unversehrt bleibt.
  • Das Transportband 3 ist aus einem ätzresistenten Material. Als Material für das Transport-Band 3 kommt vorzugsweise ein Kunststoffgewebe, ein Ku nststoffvlies oder ein massives Kunststoffband mit aufgerauter oder beschichteter Oberfläche in Frage. Selbstverständlich können für das Gewebe oder das Vlies auch andere Stoffe, beispielsweise Naturfasern, vorgesehen sein. Ebenso ist es denkbar, das Transportband 3 als Metallband mit einer porösen Schicht, insbesondere aus Schaumstoff, auszubilden. Das Transportband 3 kann auch eine glatte Oberfläche aufweisen, sofern die Aufnahme eines Ätz-Mittels 7 ermöglicht ist. Es bildet ein Kontakt-Element zur Ausbildung eines flächigen Kontakts mit der zu entfernenden Schicht 2 auf dem Halbleiter-Substrat 1. Das Transportband 3 ist vorzugsweise als endloses Transportband 3 ausgebildet. Das Transportband 3 weist auf der die Auflagefläche für das Halbleiter-Substrat 1 bildenden Seite eine raue, poröse oder strukturierte Oberfläche auf, um eine Aufnahme eines Ätz-Mittels 7 zu ermöglichen.
  • Das Transportband 3 weist eine Breite senkrecht zur Transportrichtung 13 auf. Über die Breite des Transportbandes 3 lässt sich die Anzahl an Spuren von Halbleiter-Substraten 1 einstellen, die parallel prozessiert werden sollen. Durch eine größere Anzahl an Spuren auf dem Transportband 3 und/oder über eine größere Anzahl an parallel laufenden Transportbändern 3 lässt sich der Durchsatz der Anlage steigern.
  • Weiterhin umfasst die erfindungsgemäße Vorrichtung einen Behälter 6 zur Aufnahme des Ätz-Mittels 7. Als Ätz-Mittel 7 ist vorzugsweise Flusssäure oder Phosphorsäure vorgesehen. Das Transportband 3 ist zur Aufnahme des Ätz-Mittels 7 zumindest bereichsweise in dem Ätz-Mittel 7 verlaufend angeordnet. Das Transportband 3 ist hierzu vorzugsweise über mehrere Transport-Rollen 8 verlaufend angeordnet. Die Transport-Rollen sind zumindest auf ihrer Oberfläche ebenfalls aus einem ätzresistenten Material. Sie sind drehbar, insbesondere drehantreibbar gelagert. Das Transportband 3 ist mittels der Transport-Rollen 8 in einer Transport-Richtung 13 antreibbar. Vorzugsweise weist das Transportband 3 eine einstellbare Geschwindigkeit auf. Hierdurch kann die Kontakt-Dauer des Transportbandes 3 mit dem Halbleiter-Substrat 1 reguliert werden. Über die gewünschte Kontakt-Dauer des Transportbandes 3 mit dem Halbleiter-Substrat 1 und die Transportgeschwindigkeit des Transportbandes 3 ist die Ausdehnung des Transportbandes 3 in Transportrichtung 13 bestimmbar.
  • In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform weist der Behälter 6 zur Aufnahme des Ätz-Mittels 7 eine Temperatur-Regelungs-Einrichtung zur Temperierung des Ätz-Mittels 7 auf. Durch Regulierung der Temperatur des Ätz-Mittels 7 kann die Ätz-Rate, die Verdampfung und die Viskosität des Ätz-Mittels 7 beeinflusst werden. Eine Regulierung der Temperatur ist auch durch eine Temperaturregelung der Zuluft der gesamten Anlage möglich.
  • Der Behälter 6 dient außerdem als Auffang-Einrichtung zum Auffangen von vom Transportband 3 herunterfallendem, insbesondere heruntertropfendem Ätz-Mittel 7. Es kann vorgesehen sein, am Behälter 6 eine Abstreif- und/oder Ausquetsch-Einrichtung vorzusehen. Es ist insbesondere möglich, eine Quetsch-Vorrichtung zum Zusammenquetschen des Transportbandes 3 vor Eintauchen in das Ätz-Mittel 7 im Behälter 6 vorzusehen, um eine Aufnahme des Ätz-Mittels 7 zu unterstützen. Vorzugsweise ist die Abstreif-Vorrichtung derart am Behälter 6 angeordnet, dass das mittels dieser vom Transportband 3 abgestreifte Ätz-Mittel 7 in den Behälter 6 zurückgeführt wird. Mittels der Abstreif- und/oder Ausquetsch-Einrichtung ist die vom Transportband 3 aufgenommene Menge des Ätz-Mittels 7 beeinflussbar.
  • Mindestens eine der Transport-Rollen 8 ist derart im Verhältnis zum Behälter 6 zur Aufnahme des Ätz-Mittels 7 angeordnet, dass sie in das Ätz-Mittel 7 eintaucht. Hierdurch wird gewährleistet, dass das über diese Transport-Rolle 8 verlaufende Transportband 3 zumindest bereichsweise mit dem Ätz-Mittel 7 versehen ist. Das Transportband 3 ist insbesondere mit dem Ätz-Mittel 7 benetzt, vorzugsweise getränkt.
  • Zur Regulierung der Menge des vom Transportband 3 aufnehmbaren Ätz-Mittels 7 kann eine in der Figur nicht dargestellte Abstreif-Einrichtung vorgesehen sein.
  • Außerdem umfasst die Vorrichtung eine Gasstrom-Einrichtung 9 zur Wegleitung ätzender Dämpfe von dem Halbleiter-Substrat 1. Die Gasstrom-Einrichtung 9 ist vorzugsweise oberhalb des Transportbandes 3, das heißt auf der der zu entfernenden Schicht 2 gegenüberliegenden Seite des Halbleiter-Substrats 1, angeordnet. Mittels der Gasstrom-Einrichtung 9 ist ein Gasstrom 10 erzeugbar. Als Gasstrom-Einrichtung 9 ist beispielsweise ein Gebläse, insbesondere ein Druckluft-Gebläse vorgesehen. Alternativ hierzu kann die Gasstrom-Einrichtung 9 auch als Absaug-Einrichtung ausgebildet sein. Sie kann selbstverständlich auch seitlich oder unterhalb des Transportbandes 3 angeordnet sein. Mittels der Gasstrom-Einrichtung 9 kann ein Umgreifen des Ätz-Mittels 7 auf die der zu entfernenden Schicht gegenüberliegende Seite 4 des Halbleiter-Substrats 1 vollständig verhindert werden.
  • Zur Zuführung und zum Wegtransport des Halbleiter-Substrats 1 zur Vorrichtung sind geeignete Transport-Mittel, insbesondere weitere Transport-Rollen 11 und/oder weitere Transportbänder vorgesehen. Außerdem ist eine in der Figur nur schematisch dargestellte Reinigungs-Einrichtung 12 vorgesehen. Die Reinigungs-Einrichtung 12 ist in Transportrichtung 13 dem Transportband 3 nachgeordnet angeordnet. Die Reinigungs-Einrichtung 12 dient der Reinigung des Halbleiter-Substrats 1 von Resten des Ätz-Mittels 7.
  • Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren zum einseitigen Entfernen der dünnen Schicht 2 vom Halbleiter-Substrat 1 beschrieben. Zum Entfernen der Schicht 2 von einer der Seiten 4, 5 des Halbleiter-Substrats 1 wird das Halbleiter-Substrat 1 mit der zu entfernenden Schicht 2 auf das Transportband 3 aufgelegt. Hierdurch wird ein flächiger Kontakt zwischen der zu entfernenden Schicht 2 und dem Ätz-Mittel 7 hergestellt. Das Halbleit-Substrat 1 wird vom Transportband 3 in Transport-Richtung 13 durch die Vorrichtung transportiert. Hierbei wird die Einwirk-Dauer des Ätz-Mittels 7 auf die zu entfernende Schicht 2 mittels der Transport-Geschwindigkeit des Transportbands 3 reguliert. Die dem Transportband 3 gegenüberliegende Seite 4 des Halbleiter-Substrats 1 wird mittels der Gasstrom-Einrichtung 9 vor ätzenden Dämpfen geschützt.
  • Das Transportband 3 wird mittels der Transport-Rollen 8 angetrieben. Es wird auf seinem Transportweg mit dem Ätz-Mittel 7 versehen, insbesondere mit Ätz-Flüssigkeit benetzt und/oder getränkt. Hierzu ist das Transportband 3 durch den Behälter 6 mit dem Ätz-Mittel 7 geführt.
  • Nachdem das Halbleiter-Substrat 1 das Transportband 3 in Transport-Richtung 13 verlassen hat, wird es mittels der Reinigungs-Einrichtung 12 von Resten des Ätz-Mittels 7 gereinigt. Die Reinigung kann sich direkt an den Ätz-Prozess auf dem Transportband 3 anschließen. Je nach Bedarf ist es auch möglich, das Ätz-Mittel 7 zunächst noch für eine weitere Einwirkzeit einwirken zu lassen.
  • Das Ätz-Mittel 7 ist in Abhängigkeit des Materials der zu entfernenden Schicht 2 und des Halbleiter-Substrats 1 auswählbar.
  • Durch die Regulierung der Menge des Ätz-Mittels 7, mit welcher Transportband 3 versehen ist, kann sichergestellt werden, dass das Ätz-Mittel 7 einen ganzflächigen Kontakt mit der zu entfernenden Schicht 2 bildet, andererseits jedoch nicht auf die der zu entfernenden Schicht 2 gegenüberliegende Seite 4 des Halbleiter-Substrats 1 gelangt. Das Halbleiter-Substrat 1 wird insbesondere beim Auflegen auf das Transportband 3 auf der dem Transportband 3 zugewandten Seite 5 vollständig mit dem Ätz-Mittel 7 benetzt, während die andere Seite 4 trocken bleibt, das heißt nicht in das Ätz-Mittel 7 eintaucht. Hierdurch wird auf besonders einfache Weise der Ätz-Prozess auf die dem Transportband 3 zugewandte Seite 5 des Halbleiter-Substrats 1 beschränkt. Eine einseitige Entfernung der Schicht 2 vom Halbleiter-Substrat 1 ist somit in einem einzigen Arbeitsschritt möglich.
  • Durch eine Regulierung der Kontakt-Dauer mittels der Transport-Geschwindigkeit des Transportbandes 3 und/oder der Ätz-Rate mittels Auswahl des Ätz-Mittels 7 und/oder Regulierung dessen Temperatur und/oder Einstellen der Einwirkzeit zwischen Verlassen des Transportbandes 3 und anschließender Reinigung kann die Dicke der entfernten Schicht mit einer Genauigkeit von besser als 100 nm, insbesondere besser als 50 nm, insbesondere besser als 10 nm vorbestimmt werden. Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens kann sichergestellt werden, dass die zu entfernende Schicht 2 komplett und zuverlässig von einer Seite des Halbleiter-Substrats 1 entfernt wird. Vorzugsweise werden die Einwirkzeit und/oder die Prozesstemperatur und/oder die Ätzrate der Ätzlösung so eingestellt, dass auch eine geringfügig dickere Schicht als die zu entfernende Schicht 2 noch zuverlässig entfernt werden könnte. Ein Überätzen wird hierbei durch die Auswahl einer geeigneten Ätzlösung verhindert. Somit kann sichergestellt werden, dass die zu entfernende Schicht 2 vollständig entfernt wird, während das Halbleiter-Substrat 1 im Wesentlichen unversehrt bleibt.
  • Anstelle des Durchführens des Transportbandes 3 durch den Behälter 6 mit Ätz-Mittel 7 kann das Transportband 3 selbstverständlich auch auf andere Weise mit dem Ätz-Mittel 7 versehen werden. Beispielsweise ist es denkbar, eine vorbestimmte Menge des Ätz-Mittels 7 mittels einer Sprüh-Einrichtung auf das Transportband 3 aufzubringen.

Claims (15)

  1. Vorrichtung zum einseitigen Entfernen einer dünnen Schicht (2) von einem Halbleiter-Substrat (1) mit a. einem Kontakt-Element (3) aus einem ätzresistenten Material, i. welches zur Ausbildung eines flächigen Kontakts mit der zu entfernenden Schicht (2) ausgebildet ist, und ii. welches zumindest bereichsweise mit einem Ätz-Mittel (7) versehen ist.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontakt-Element als flexible Auflage-Fläche für das Halbleiter-Substrat (1), insbesondere als Transportband (3), insbesondere als endloses Transportband (3) ausgebildet ist.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Behälter (6) zur Aufnahme des Ätz-Mittels (7) vorgesehen ist, und das Transportband (3) zur Aufnahme des Ätz-Mittels (7) bereichsweise in dem Ätz-Mittel (7) verlaufend angeordnet ist.
  4. Vorrichtung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Behälter (6) zur Aufnahme des Ätz-Mittels (7) eine Temperatur-Regelungs-Einrichtung zur Temperierung des Ätz-Mittels (7) aufweist.
  5. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Transportband (3) eine einstellbare Geschwindigkeit zur Regulierung der Kontakt-Dauer mit dem Halbleiter-Substrat (1) aufweist.
  6. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätz-Mittel (7) Fluss- oder Phosphorsäure vorgesehen ist.
  7. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gasstrom-Einrichtung (9) zur Wegleitung ätzender Dämpfe von dem Halbleiter-Substrats (1) vorgesehen ist.
  8. Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Reinigungs-Einrichtung (12) zum Reinigen des Halbleiter-Substrats (1) von dem Ätz-Mittel (7) vorgesehen ist.
  9. Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dünnen Schicht (2) von einem Halbleiter-Substrat (1) umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines flächigen Halbleiter-Substrats (1) mit – einer ersten Seite (4), – einer dieser gegenüberliegenden zweiten Seite (5) und – einer zu entfernenden Schicht (2) auf mindestens einer der Seiten (4, 5), – Herstellen eines flächigen Kontakts zwischen der zu entfernenden Schicht (2) und einem Ätz-Mittel (7) mittels eines Kontakt-Elements (3).
  10. Verfahren gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontakt-Element als antreibbares Transportband (3) ausgebildet ist, welches als Auflagefläche für das Halbleiter-Substrat (1) dient.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Transportband (3) durch einen Behälter (6) geführt ist, in welchem es mit dem Ätz-Mittel (7), insbesondere mit Fluss- oder Phosphorsäure, getränkt wird.
  12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Einwirk-Dauer des Ätz-Mittels (7) auf die zu entfernende Schicht (2) mittels der Geschwindigkeit des Transportbands (3) regulierbar ist.
  13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzrate durch Temperierung des Ätz-Mittels (7) regulierbar ist.
  14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das das Halbleiter-Substrat (1) nach Verlassen des Transportbandes (3) vom Ätz-Mittel (7) gereinigt wird.
  15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die dem Transportband (3) gegenüberliegende Seite (4) des Halbleiter-Substrats (1) mittels einer Gasstrom-Einrichtung (9) vor ätzenden Dämpfen geschützt wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011079247A1 (de) * 2011-04-28 2012-10-31 Rofin-Baasel Lasertech Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Transportieren eines Werkstückes
DE102015116646A1 (de) * 2015-10-01 2017-04-06 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Be- und Entladen einer Maschine sowie Maschine zur trennenden Bearbeitung eines plattenförmigen metallischen Materials, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0125133B1 (de) * 1983-05-09 1991-10-16 Fujitsu Limited Verfahren zum Ätzen verwendet bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen
JPH0479266A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
DE102005062528A1 (de) * 2005-12-16 2007-06-21 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0125133B1 (de) * 1983-05-09 1991-10-16 Fujitsu Limited Verfahren zum Ätzen verwendet bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen
JPH0479266A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
DE102005062528A1 (de) * 2005-12-16 2007-06-21 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011079247A1 (de) * 2011-04-28 2012-10-31 Rofin-Baasel Lasertech Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Transportieren eines Werkstückes
DE102011079247B4 (de) * 2011-04-28 2015-07-02 Rofin-Baasel Lasertech Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Transportieren eines dünnen, flächenhaft ausgedehnten Werkstückes
DE102015116646A1 (de) * 2015-10-01 2017-04-06 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Be- und Entladen einer Maschine sowie Maschine zur trennenden Bearbeitung eines plattenförmigen metallischen Materials, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens
DE102015116646B4 (de) 2015-10-01 2023-12-07 TRUMPF Werkzeugmaschinen SE + Co. KG Verfahren zum Be- und Entladen einer Maschine sowie Maschine zur trennenden Bearbeitung eines plattenförmigen metallischen Materials, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens

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