DE102008054072A1

DE102008054072A1 - Selbstkorrigierendes Substrathaltesystem für die Fokussteuerung in Belichtungssystemen

Info

Publication number: DE102008054072A1
Application number: DE102008054072A
Authority: DE
Inventors: Andre Poock; Rene Wirtz
Original assignee: AMD Fab 36 LLC and Co KG; Advanced Micro Devices Inc; AMD Fab 36 LLC
Current assignee: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG; GlobalFoundries Inc
Priority date: 2008-10-31
Filing date: 2008-10-31
Publication date: 2010-05-12
Anticipated expiration: 2028-11-01
Also published as: US20100112468A1; DE102008054072B4

Abstract

Ein Substrathaltesystem für eine Prozessanlage, etwa eine Lithografieanlage, umfasst einen Aufbau, in welchem eine lokale Höheneinstellung durchführbar ist. Somit kann beim Erkennen eines nicht zulässigen Höhenniveaus der entsprechende Bereich der Substrataufnahmefläche neu eingestellt werden. Somit können die Fokussierbedingungen in aufwändigen Belichtungsprozessen deutlich verbessert werden, wodurch bessere Prozessergebnisse geschaffen werden und auch die Anlagenauslastung erhöht wird.

Description

GEBIET DER VORLIEGENDEN OFFENBARUNG
Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Offenbarung das Gebiet der Herstellung von Mikrostrukturen, etwa von integrierten Schaltungen, und betrifft insbesondere die Einstellung des Fokus während der Ausführung von Belichtungsprozessen.
BESCHREIBUNG DES STANDS DER TECHNIK
Die Herstellung von Mikrostrukturen, etwa von integrierten Schaltungen, erfordert das Erzeugen kleinster Gebiet mit genau gesteuerter Größe in einer Materialschicht eines geeigneten Substrats, etwa eines Siliziumsubstrats, eines SOI(Silizium-auf-Isolator)-Substrats oder anderer geeigneter Trägermaterialien. Diese kleinsten Gebiete mit präzise gesteuerter Größe werden hergestellt, indem die Materialschicht strukturiert wird durch das Ausführen von Lithografie-, Ätz-, Implantations-, Abscheide-, Oxidationsprozessen und dergleichen, wobei typischerweise zumindest in einer gewissen Phase des Strukturierungsprozesses eine Maskenschicht über der zu behandelnden Materialschicht gebildet wird, um die kleinsten Gebiete zu erzeugen. Im Allgemeinen besteht eine Maskenschicht aus einer Schicht aus strahlungsempfindlichem Material oder ist daraus hergestellt, etwa Fotolack, der mittels eines lithographischen Prozesses, typischerweise einem Fotolithografieprozess, strukturiert wird. Während des fotolithographischen Prozesses wird das strahlungsempfindliche Material oder der Lack auf die Substratoberfläche aufgebracht und anschließend selektiv mit Ultraviolettstrahlung durch eine entsprechende lithographische Maske belichtet, etwa ein Retikel, wodurch das Retikelmuster in die Lackschicht übertragen wird, um darin ein latentes Bild zu erzeugen. Nach dem ”Entwickeln” des Fotolacks oder eines anderen strahlungsempfindlichen Materials werden, abhängig von der Art des Lacks oder des strahlungsempfindlichen Material, d. h. Positivlack oder Negativlack, die belichteten Bereiche oder die nicht belichteten Bereiche entfernt, um das erforderliche Muster in der Schicht aus Fotolack oder strahlungsempfindlichen Material zu bilden. Auf der Grundlage dieses Lackmusters werden dann die eigentlichen Bauteilmuster durch weitere Fertigungsprozesse, etwa Ätzen, Implantieren, Aushärten und dergleichen hergestellt. Da die Abmessungen der Muster in modernsten integrierten Mikrostrukturen ständig kleiner werden, müssen die Anlagen, die zur Strukturierung der Strukturelemente verwendet werden, sehr strenge Forderungen im Hinblick auf die Auflösung und die Überlagerungsgenauigkeit der beteiligten Fertigungsprozesse erfüllen. In dieser Hinsicht ist die Auflösung als ein Maß zu betrachten, das die konsistente Fähigkeit beschreibt, minimale Strukturgrößen unter Bedingungen vordefinierter Fertigungsschwankungen zu erzeugen. Ein wichtiger Faktor bei der Verbesserung der Auflösung ist der lithographische Prozess, in welchem die in der Fotomaske oder dem Retikel enthaltenen Muster mittels eines optischen Abbildungssystems optisch auf das Substrat übertragen werden. Daher werden große Anstrengungen unternommen, um die optischen Eigenschaften des lithografischen Systems, etwa die numerische Apertur, die Fokustiefe und die Wellenlänge der verwendeten Lichtquelle zu verbessern.
Lithografieprozesse sind eine der wesentlichsten Prozessschritte während der Herstellung von Mikrostrukturbauelementen, etwa von integrierten Schaltungen. Ferner bietet der Lithografieprozess typischerweise bessere Steuerungsmöglichkeiten, da der Prozess typischerweise schrittweise in jedem individuellen Substrat ausgeführt wird, d. h. es wird eine Vielzahl einzelner Abbildungsschritte für gewöhnlich für jedes Substrat ausgeführt, wodurch die individuelle Steuerung jedes einzelnen Abbildungsschritts ermöglicht wird. Folglich kann die scheibenumspannende Gleichmäßigkeit gesteuert werden, indem in geeigneter Weise Prozessparameter der einzelnen Abbildungsschritte angepasst werden. Des Weiteren besitzt der Lithografieprozess eine gewissermaßen einzigartige Position in dem gesamten Fertigungsablauf, da das Prozessergebnis des Lithografieprozesses bewertet und der Lithografieprozess wiederholt werden kann, wenn spezielle Prozessziele nicht erreicht werden. Andererseits ist die Lithografie ein sehr kostenintensiver Prozess und eine übermäßige Wiederbearbeitung von Substraten außerhalb der Spezifikation kann deutlich zu den gesamten Produktionskosten beitragen. Ein kritischer Aspekt im Lithografieprozess ist zusätzlich zu der geeigneten Justierung des Retikelmusters in Bezug auf das Substrat die Einstellung einer geeigneten Fokustiefe, da der Bereich der verfügbaren Fokustiefe mit der Belichtungswellenlänge und der numerischen Apertur in Beziehung steht, wobei für eine gegebene numerische Apertur eine reduzierte Belichtungswellenlänge zu einer geringen Fokustiefe führt. Somit wird mit ständig abnehmenden Strukturgrößen in modernen Mikrostrukturen, etwa in integrierten Schaltungen, die wiederum kleinere Belichtungswellenlängen erforderlich machen, die Wahrscheinlichkeit für äußerst defokussierte Belichtungsfelder immer größer, die auch als ”heiße Punkte” bezeichnet werden, wodurch sich ausgeprägte Linienbreitenschwankungen für das entsprechende Bauteilstrukturelement auf dem Substrat ergeben. Viele Inspektions- und Überlagerungsmesstechniken können derartige heiße Punkte nicht effizient erfassen, wodurch in hohem Maße zu Ausbeuteverlusten beigetragen wird, da ein entsprechender Teil des Substrats die zugehörigen Bauteilspezifikationen nicht erfüllt, so dass entsprechend große Anstrengungen unternommen werden, um in zuverlässiger Weise entsprechend Bereiche eines Substrat, die nicht im Fokus sind, zu erfassen, was aufgrund jüngster Entwicklungen vor dem eigentlichen Belichten der Substrate möglich ist. Beispielsweise werden in modernden Belichtungssystemen Substrathaltesysteme verwendet, in denen zwei Substrathalter entsprechende Substrate aufnehmen, wovon eines bearbeitet wird, während das andere automatischen Justierprozeduren unterzogen wird, die ebenfalls entsprechende Messprozeduren zum Bestimmen und Positionen außerhalb des Fokusbereichs auf dem Substrat beinhalten. Auf der Grundlage einer Kenntnis von Positionen außerhalb des Fokusbereichs können entsprechende Substrate für die Wiederbearbeitung markiert und/oder die entsprechenden automatischen Justierprozeduren können ausgeführt werden, um damit die Anzahl der Positionen außerhalb des Fokusbereich auf einem Substrat zu verringern, indem etablierte Justiereigenschaften angewendet werden. Beispielsweise werden in konventionellen Systemen die Höhe des Substrats als ganzes sowie zwei unabhängige Neigungswinkel variiert, um in geeigneter Weise die entsprechenden Belichtungsfelder des Substrats für den nachfolgenden Einzelbildbelichtungs- und Abtastprozess zu positionieren.
Obwohl deutliche Vorteile durch Gewinnen von Messdaten im Hinblick auf Belichtungsfelder, die außerhalb des Fokusbereichs liegen, erreicht werden, können dennoch entsprechende Nachbearbeitungen der Substrate zu erhöhten Gesamtherstellungskosten führen.
Angesichts der zuvor beschriebenen Situation betrifft die vorliegende Offenbarung Systeme und Techniken zur Verbesserung des Belichtungsverhaltens von Substraten, wobei eines oder mehrere der oben erkannten Probleme vermieden oder zumindest in der Auswirkung reduziert wird.
ÜBERBLICK ÜBER DIE OFFENBARUNG
Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Offenbarung Systeme und Verfahren, in denen das Positionieren eines Substrats für einen nachfolgenden Belichtungsprozess verbessert wird, indem eine individuelle Einstellung der Höhenposition mehrerer Substratbereiche möglich ist, so dass eine bessere Anpassung der lokalen Höhenposition beispielsweise in Bezug auf das Halten des betrachteten Oberflächenbereichs innerhalb eines gewünschten Fokusbereiches, verbessert wird. Hiermit kann durch Vorsehen eines weiteren Freiheitsgrades bei der Auswahl einer geeigneten Position für die nachfolgende Belichtung die Anzahl der Positionen außerhalb des Fokusbereichs innerhalb eines Substrats deutlich verringert wer den, wodurch zu geringeren Gesamtherstellungskosten beigetragen wird. Des Weiteren kann in einigen anschaulichen hierin offenbarten Aspekten die aktuelle Höhenposition bestimmt und geeigneterweise vor dem eigentlichen Belichten des Substratbereichs eingestellt werden, wodurch entsprechende inaktive Zeiten von teuren Lithografieanlagen verringert werden, da entsprechende Wartungsaktivitäten, beispielsweise in Bezug auf das Reinigen von Substrathalteoberflächen, Rückseiten und dergleichen, deutlich verringert werden können, da das entsprechende Profil der Substrathalteoberfläche an das erfasste aktuelle Profil angepasst werden kann, wodurch die Möglichkeit geschaffen wird, die diversen Substratbereiche innerhalb des spezifizierten Fokusbereichs zu halten. Des Weiteren kann eine verbesserte Fokussteuerung im Hinblick auf systematische Fokusfehler höherer Ordnung erreicht werden, die etwa durch Topografieunterschiede im lokalen Maßstab in dem Belichtungsmedium, etwa den Substraten integrierter Schaltungen und dergleichen, hervorgerufen werden, was durch aktuell verfügbares Systeme nicht möglich ist, in denen das Höhenniveau des Substrathalters als Ganzes und zwei orthogonale Neigungswinkel gesteuert werden. Folglich kann durch geeignetes Einstellen der Fokusbedingungen in äußerst lokalerweise ein höheres Maß an Entwurfsflexibilität für aufwändige Mikrostrukturbauelemente erreicht werden, da entsprechende Einflüsse lokaler Fokusungleichmäßigkeiten nicht mehr durch entsprechende Entwurfsmaßnahmen kompensiert werden müssen, beispielsweise durch Vermeiden kritischer Bauteilstrukturelemente in der Nähe der entsprechenden Topografieunterschiede und dergleichen.
Ein anschauliches Substrathaltesystem einer Belichtungsanlage, wie sie hierin offenbart ist, umfasst mehrere Halterungsoberflächenbereiche, die ausgebildet sind, ein zu belichtendes Substrat aufzunehmen, wobei eine der mehreren Halterungsoberflächenbereiche individuell in der Höhenposition einstellbar ist. Das Substrathaltesystem umfasst ferner ein Betätigungssystem, das mit den mehreren Halterungsoberflächenbereichen verbunden ist, um eine Einstellung der Höhenposition jedes der mehreren Halterungsoberflächenbereiche auf der Grundlage eines Steuersignals in Gang zu setzen.
Ein anschauliches, hierin offenbartes Belichtungssystem umfasst eine Abbildungseinheit mit einer Strahlungsquelle und einem optischen System. Des Weiteren umfasst das Belichtungssystem ein Substrathaltesystem, das ausgebildet ist, ein zu belichtendes Substrat aufzunehmen und in Position zu halten, wobei das Substrathaltesystem mehrere Halterungsoberflächenbereiche aufweist, die ausgebildet sind, das zu belichtende Substrat aufzunehmen. Des Weiteren ist jeder der mehreren Halterungsoberflächenbereiche individuell in der Höhe einstellbar. Das Substrathaltesystem umfasst ferner ein Betätigungssystem, das mit den mehreren Halterungsoberflächenbereichen so verbunden ist, dass die Einstellung der Höhenposition jedes der mehreren Halterungsoberflächenbereiche auf der Grundlage eines Steuersignals initiiert wird.
Ein anschauliches Verfahren zum Belichten eines Substrats umfasst das Aufnehmen des Substrats auf einer Substrathalterungsoberfläche eines Substrathaltesystems. Des Weiteren wird ein Höhenniveau zumindest eines Bereichs der Substrathaltefläche individuell in Bezug auf mindestens einen weiteren Bereich der Substrathaltefläche eingestellt. Schließlich umfasst das Verfahren das Belichten des Substrats auf der Grundlage des individuell eingestellten Höhenniveaus des mindestens einen Bereichs der Substrathalteoberfläche.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind in den angefügten Patentansprüchen definiert und gehen deutlich aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervor, wenn diese im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen studiert wird, in denen:
1a und 1b schematisch ein Substrathaltesystem in zwei verschiedenen Betriebsphasen zeigen, in denen das Höhenniveau mehrerer Bereiche oder Elemente entsprechender Substrathalteflächen individuell gemäß anschaulicher Ausführungsformen gesteuert wird;
1c schematisch eine Draufsicht einer Substrathaltefläche, in der eine individuelle Einstellung der Höhenpositionen mittels eines piezoelektrischen Materials in Verbindung mit einem selektiven Anlegen einer Spannung gemäß anschaulicher Ausführungsformen erreicht wird;
1d und 1e schematisch ein Substrathaltesystem zeigen, in denen eine lokale Temperatursteuerung verwendet wird in Verbindung mit einem entsprechenden geeigneten thermischen Ausdehnungsverhalten, um eine individuelle Höheneinstellung gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen zu verwirklichen;
1f schematisch das Substrathaltesystem zeigt, wobei Energie in einem Material in selektiver Weise deponiert wird, beispielsweise auf der Grundlage einer Hochfrequenzenergie, um damit eine lokale Anpassung einer Materialeigenschaft, etwa des thermischen Ausdehnungsverhaltens, gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen zu erreichen;
1g schematisch das Substrathaltesystem gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen zeigt, in denen die Messdaten für das aktuelle Höhenniveau eines Substrats ermittelt werden, die dann auf der Grundlage entsprechender Höhenkorrekturdaten eingestellt wird; und
1h schematisch ein Belichtungssystem mit verbesserten Fokuseinstellungen auf der Grundlage eines Substrathaltesystems mit individueller Höheneinstellung gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen zeigt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Obwohl die vorliegende Offenbarung mit Bezug zu den Ausführungsformen beschrieben ist, wie sie in der folgenden detaillierten Beschreibung sowie in den Zeichnungen dargestellt sind, sollte beachtet werden, dass die folgende detaillierte Beschreibung sowie die Zeichnungen nicht beabsichtigen, die vorliegende Offenbarung auf die speziellen anschaulichen offenbarten Ausführungsformen einzuschränken, sondern die beschriebenen anschaulichen Ausführungsformen stellen lediglich beispielhaft die diversen Aspekte der vorliegenden Offenbarung dar, deren Schutzbereich durch die angefügten Patentansprüche definiert ist.
Im Allgemeinen betrifft der hierin offenbarte Gegenstand Techniken und Systeme zur Verbesserung der Positionierung eines Substrats, das in einer Prozessanlage zum Bearbeiten von Substraten gemäß Techniken für die Mikrostrukturbearbeitung prozessiert wird. Zu diesem Zweck ist ein Substrathalter oder ein Substrathaltesystem so konfiguriert, dass ein Höhenniveau zumindest einiger Substratbereiche individuell eingestellt werden kann, beispielsweise in Hinblick auf kontaminierende Teilchen, die auf der Substrathalteoberfläche und/oder der Rückseite des betrachteten Substrats vorhanden sein können, so dass eine gewünschte bessere Oberflächentopografie auf der Vorderseite des zu behandelnden Substrats erreicht wird. Beispielsweise sind Lithografieprozesse gut etablierte Fertigungstechniken bei der Bearbeitung von Mikrostrukturbauelementen, in denen die ständige voranschreitende Größenreduzierung kritischer Bauteilstrukturelemente zu immer einschränkenderen Anforderungen im Hinblick auf einen zulässigen Bereich der Fokustiefe des Abbildungssystems wird, was zu weiteren Herstellungskosten, etwa in Hinblick auf aktive Zeiten äußerst teurer Lithografieanlagen aufgrund von Wartungsaktivitäten führen kann, während in anderen Fällen ein hoher Anteil an nicht produktiven Zeiten zum Wiederbearbeiten von nicht geeignet belichteten Substraten veraufgewendet wird. In diesem Fall bietet die individuelle Einstellung der Höhenposition zumindest einer Vielzahl von Oberflächenbereichen einer entsprechenden Substrathaltefläche einen wesentlich größeren Grad an Freiheit, beispielsweise zum Kompensieren von Höhenunterschieden, die durch Teilchen und dergleichen hervorgerufen werden, wodurch entsprechende Wartungsaktivitäten nicht mehr erforderlich sind oder zumindest die Anzahl entsprechender Aktivitäten deutlich verringert werden kann. Des Weiteren können Topografieunterschiede in gewissen Substratbereichen zumindest zu einem gewissen Grad kompensiert werden, wodurch das Gesamtverhalten des Belichtungsprozesses verbessert wird. Wenn beispielsweise in typischer Weise in aufwändigen integrierten Schaltungen unterschiedliche Höhenniveaus in den chipinternen Gebieten im Vergleich zum Rahmengebiet auftreten, in denen für gewöhnlich eine Vielzahl von Teststrukturen und dergleichen ausgebildet ist, wodurch zunehmend dazu beigetragen wird, das an diesen gewonnene Messdaten weniger zuverlässig sind, da kritische Bauteilstrukturen innerhalb des Chipbereichs eine andere Struktur im Vergleich zu kritischen Strukturelementen der Teststrukturen aufgrund der unterschiedlichen Fokusbedingungen in diesen Substratbereichen besitzen. Somit kann die individuelle Höheneinstellung über das Substrat hinweg die Korrektur oder zumindest die Verringerung entsprechender Fehler höherer Ordnung ermöglichen, wodurch zu einem besseren Verhalten des gesamten Lithografieprozesses und damit entsprechender Mikrostrukturbauelemente beigetragen wird. Daher ist die vorliegende Offenbarung äußerst vorteilhaft im Zusammenhang mit Belichtungsanlagen und entsprechenden Prozesstechniken, da hier eine deutliche Verbesserung der Fokussierbedingungen in einer lokalen Weise erreicht wird, wodurch das gesamte Leistungsverhalten der entsprechenden Bauteilstrukturelemente verbessert wird und auch die Flexibilität beim Gestalten derartiger Bauelemente und Fertigungsprozesse erhöht wird, wie dies zuvor erläutert ist. Es sollte jedoch beachtet werden, dass auch in anderen kritischen Anwendungsprozessen oder bei der Bearbeitung von Mikrostrukturbauelementen das Einstellen der Oberflächentopografie in lokaler Weise vorteilhaft ist, um damit den gesamten Prozessdurchsatz und das Prozessergebnis zu verbessern. Beispielsweise können auch in aufwändigen Einprägetechniken, in denen ein Material in steuerbarer Weise deformiert wird, um damit ein gewisses Muster in die Materialschicht zu übertragen, ebenfalls von einer besseren Oberflächentopografie profitieren. Sofern also nicht explizit in den angefügten Patentansprüchen und in Ausführungsformen der Beschreibung dies dargelegt ist, sollten die hierin offenbarten Prinzipien nicht auf die Anwendung auf Belichtungsanlagen eingeschränkt erachtet werden.
Mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen werden nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen detaillierter beschrieben.
1a zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Substrathaltesystems 100, das im Allgemeinen so ausgebildet ist, dass ein Substrat 130, das in einer Prozessanlage zu beareiten ist, etwa einer Lithografiebelichtungsanlage, einer Einprägeanlage, oder einer anderen Prozessanlage zum Bearbeiten von Mikrostrukturbauelementen, in denen eine geeignete Steuerung der lokalen Oberflächentopografie wünschenswert ist, aufgenommen und in Position erhalten wird. Das System 100 umfasst eine Substrataufnahmefläche 120, auf der ein Substrat 130 positioniert und in Position gehalten wird, beispielsweise durch beliebige geeignete Befestigungssysteme, etwa Vakuumeinheiten und dergleichen, wie dies im Stand der Technik zum Bearbeiten von Substraten, etwa von Halbleitersubstraten und dergleichen, bekannt ist. Die Substrataufnahmefläche 120 umfasst mehrere Oberflächenbereiche 121a, ... 121n, die gemeinsam auch als Oberflächenbereiche 121 bezeichnet werden, wenn dies geeignet ist. Es sollte beachtet werden, dass jeder der Oberflächenbereiche 121a, ... 121n als eine Oberfläche eines physikalischen Objekts zu verstehen ist, die geeignet ist, um darauf ein weiteres physikalisches Objekt, etwa einen Bereich des Substrats 130 anzuordnen. Des Weiteren sind die Oberflächenbereiche 121 mechanisch mit einem Betätigungssystem 110 verbunden, das ausgebildet ist, eine Höhenposition jedes der Oberflächenbereiche 121a, ... 121n individuell zu variieren. Das heißt, das Betätigungssystem 110 ist ausgebildet, entsprechende Aktivitäten auszuführen, die zum Ändern des Höhenniveaus der Oberflächenbereiche 121a, ... 121n erforderlich sind, was bewerkstelligt werden kann, indem der mechanische Zustand eines physikalischen Objektes modifiziert wird, das die entsprechenden Oberflächenbereiche 121a, ... 121n bereitstellt. Beispielsweise ist das Betätigungssystem 110 ausgebildet, ein elektrisches Feld in einem piezoelektrischen Material zu modifizieren, die lokale Temperatur und damit die thermische Ausdehnung des entsprechenden Materials zu steuern, individuell einzelne Aktuatorelemente zu steuern, etwa kleinste Elektromotoren oder andere elektrisch angetriebene Elemente oder andere Elemente, die durch Antriebsquellen angesteuert werden, etwa hydraulische Systeme, pneumatische Systeme und dergleichen. Beispielsweise kann in 1a jeder der Oberflächenbereiche 121a, ... 121n als eine Oberfläche eines Elementes betrachtet werden, das seine Länge, seine Höhenposition und dergleichen bei geeigneter Ansteuerung durch das Betätigungssystem 110 ändert.
Wie in 1a gezeigt ist, wird das Substrat 130 auf der Aufnahmefläche 120 angeordnet, was jedoch zu einer nicht gewünschten lokalen Oberflächentopografie beispielsweise aufgrund der Anwesenheit von Teilchen 131 führen kann, die an dem Substrat 130 und/oder Substrataufnahmefläche 120 haften. Beispielsweise kann das System 100 in einer modernen Lithografiebelichtungsanlage verwendet werden, so dass das Vorhandensein selbst kleinster Teilchen, etwa des Teilchens 131, zu einer deutlichen lokalen Abweichung des Höhenniveaus des Substrats 130 führt, so dass ein Bereich des Substrats 120, der dem Teilchen 131 entspricht, nicht mehr innerhalb eines zulässigen Bereichs des Fokus der Belichtungsanlage liegt, woraus sich eine nicht akzeptable Belichtung eines Bereichs in der Nähe des Teilchens 131 ergibt. Selbst wenn das Vorhandensein eines nicht zulässigen Höhenniveaus vor einem entsprechenden Belichtungsprozess erkannt wird, ist eine Kompensation der Oberflächentopografie häufig auf der Grundlage konventioneller Justiersysteme nicht möglich, die typischerweise die Höhenposition des Substrats 120 als Ganzes in Verbindung mit zwei unabhängigen Neigungswinkeln variieren. Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann jedoch eine deutliche Änderung der lokalen Oberflächentopografie der Oberfläche 120 beispielsweise im Bereich von ungefähr 5 μm und weniger erreicht werden, wodurch die Möglichkeit geschaffen wird, in lokaler Weise die Oberflächentopografie der Oberfläche 120 einzustellen, wodurch ebenfalls die gewünschten Oberflächenbedingungen auf dem Substrat 120 geschaffen werden.
1b zeigt schematisch das System 110, wenn die Oberflächentopografie der Aufnahmefläche 120 durch geeignetes Einstellen des Höhenniveaus entsprechender Oberflächenbereiche 121 eingestellt wird. Zum Beispiel wurden, wie dies dargestellt ist, die Oberflächenbereiche 121c, 121d, als entsprechende Bereiche erkannt, die eine Anpassung der Höhenposition 122h erfordern, um damit die Anwesenheit des Teilchens 131 zu kompensieren. Folglich wird ein geeignetes Steuersignal 111 dem Betätigungssystem 110 zugeführt, um damit eine Änderung des Höhenniveaus in Gang zu setzen, die dem gewünschten Sollniveau 122h entspricht, das für das Erreichen einer gewünschten Oberflächentopografie als geeignet erachtet wird. Beispielsweise werden entsprechende Messdaten nach dem Positionieren des Substrats 130 auf der Fläche 120 ermittelt, und das entsprechende Sollhöhenniveau 122h für jeden der Oberflächenbereiche 121a, ... 121n kann auf der Grundlage der Messdaten und der gewünschten Gesamtoberflächentopografie ermittelt werden.
1c zeigt schematisch eine Draufsicht auf das Betätigungssystem 110 gemäß anschaulicher Ausführungsformen. Wie gezeigt, umfasst das Betätigungssystem 110 ein piezoelektrisches Material 112, das in einer anschaulichen Ausführungsform als ein im Wesentlichen zusammenhängendes Material vorgesehen wird, das mit der Oberfläche 120 in Kontakt ist, während in anderen Fallen individuelle piezoelektrische Elemente entsprechend den individuellen Oberflächenbereichen 121a, ... 121n vorgesehen sind. In der gezeigten Ausführungsform wird das Material 112 in einer im Wesentlichen zusammenhängenden Weise bereitgestellt und einen moderat hohen elektrischen Widerstand besitzen, so dass ein elektrisches Feld lokal innerhalb des Materials 112 erzeugt werden kann. Zu diesem Zweck werden in einigen anschaulichen Ausführungsformen mehrere Elektroden 114a und 113a zum Definieren eines entsprechenden ”Gitters” innerhalb des Materials 112 vorgesehen, um damit ein entsprechendes lokales elektrisches Feld zu erzeugen, das wiederum zu einer entsprechenden Kontraktion oder Expansion abhängig von der Größe und der Richtung des elektrischen Feldes führt. Zum Beispiel werden die mehreren Elektroden 114a, 113a als Leitungen bereitgestellt, die nicht miteinander in Kontakt sind. Somit sind an entsprechenden ”Kreuzungen” 115 eine der Elektroden 114a und eine der Elektroden 113a in unmittelbarer Nähe zueinander angeordnet, ohne jedoch einen direkten Kontakt zu bilden, so dass beim Anlegen einer geeigneten Spannung an entsprechenden Paaren aus Elektroden 114a, 113a ein moderat hohes elektrisches Feld und damit eine Modifizierung der mechanischen Konfiguration erreicht wird. Zu diesem Zweck werden die Elektroden 113a mit einer Steuereinheit 113 verbunden, währen die Elektroden 114a mit einer Steuereinheit 114 verbunden werden, die bei Anliegen eines geeigneten Steuersignals geeignete Elektroden auswählen, die mit einer Spannungsquelle zu verbinden sind, wobei in einigen anschaulichen Ausführungsformen zusätzlich zur Polarität der entsprechenden Spannung auch die Größe gesteuert wird, um damit ein hohes Maß an Flexibilität beim individuellen Einstellen des elektrischen Feldes und damit der mechanischen Antwort des piezoelektrischen Materials 112 an einer entsprechenden Kreuzung 115 zu erreichen. Es sollte beachtet werden, dass ein aufwändigeres ”Verdrahtungssystem” bei Bedarf angewendet werden kann, wenn ein noch größerer Grad an Entkopplung der Steuerung einzelner Kreuzungen 115 wünschenswert ist. In anderen Fällen können, wenn individuelle piezoelektrische Elemente vorgesehen sind, diese individuell mit einem entsprechenden Elektrodenpaar verbunden werden, wodurch ein hohes Maß an individueller Steuerbarkeit ohne Beeinflussung benachbarter Bereiche des Betätigungssystems 110 ermöglicht wird. Es sollte beachtet werden, dass eine Vielzahl von piezoelektrischen Materialien verfügbar ist und als das Material 112 ver wendet werden kann, wobei die Art des Materials, die Größe der angelegten Spannung sowie die grundlegende mechanische Konfiguration den verfügbaren Bereich an Höheneinstellbarkeit definieren, der ungefähr 5 μm und weniger für sehr aufwändige Anwendungen betragen kann. Es sollte jedoch beachtet werden, dass ein größerer Bereich für die Höheneinstellung in anderen Fällen vorgesehen wird, wenn eine gröbere Definition des Höhenniveaus der einzelnen Oberflächenbereiche 121a, ... 121n als geeignet erachtet wird.
1d zeigt schematisch einen Teil des Betätigungssystems 110 gemäß noch weiterer anschaulicher Ausführungsformen. Wie gezeigt, umfasst das System 110 mehrere Temperatureinstellelemente in Verbindung mit einem entsprechenden Verdrahtungssystem 117, um damit eine individuelle Steuerung jedes der Elemente 116a, 116b zu ermöglichen. Beispielsweise sind die Elemente 116a, 116b, ... in einem Material eingebettet, das einen ausgeprägten thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, so dass eine entsprechende lokale Änderung der Temperatur zu einer entsprechenden Änderung des Volumens und damit der Höhe des betrachteten Materials führt. Zu diesem Zweck werden in einigen anschaulichen Ausführungsformen die Elemente 116a, ... in Form von Widerstandsstrukturen vorgesehen, deren Abwärme vorteilhaft zum Erwärmen der Umgebung in lokaler Weise verwendet werden kann. In anderen anschaulichen Ausführungsformen repräsentieren die Elemente 116a, ... thermoelektrische Elemente, in denen eine Heizwirkung und Kühlwirkung eingerichtet werden kann, indem in geeigneter Weise die Richtung des Stromflusses durch die Elemente 116a, ... ausgewählt wird.
1e zeigt schematisch eine Querschnittsansicht des Betätigungssystems 110 der 1d. Wie gezeigt, ist ein Material 118 mit den gewünschten thermischen Eigenschaften in Hinblick auf den Ausdehnungskoeffizienten vorgesehen, wie dies zuvor erläutert ist, so dass eine gewünschte Anpassung des Volumens und damit der Höhe des Materials 118 in lokaler Weise erreicht wird. Beispielsweise sind, wie in 1e gezeigt ist, individuelle Zellen 118a, ... in dem Material 118 vorgesehen, wobei jede Zelle ein entsprechendes Temperatureinstellelement 116a (siehe 1d) aufweisen kann, so dass eine Temperatursteuerung individuell für jede Zelle 118a, ... erreicht wird. Die Zellen 118a, ... können von einer benachbarten Zelle durch Material 119a mit einer schlechteren thermischen Leitfähigkeit getrennt sein, so dass ein Ausgleich der thermischen Bedingungen zwischen benachbarten Zellen deutlich verlangsamt ist, so dass das Beibehalten eines entsprechenden Temperaturprofils innerhalb des Materials 118 für eine Zeitdauer möglich ist, die geeignet ist, um das Substrat 130 zu bearbeiten. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird auch ein Material 119 mit geringerer thermischer Leitfähigkeit über dem Material 118 vorgesehen, um damit einen ausgeprägten Wärmetransport von jeder der Zellen 118a in das Substrat 130 zu vermeiden. Beim lokalen Zuführen elektrischer Energie durch das Verdrahtungssystem 117 zu den Zellen 118a, ... wird somit ein geeignetes Temperaturprofil über die Zellen 118a, ... hinweg erzeugt, wodurch ebenfalls ein entsprechendes Oberflächenprofil geschaffen wird, wie dies zum Erreichen einer Solloberflächentopografie zum Bearbeiten des Substrats 120 erforderlich ist.
1f zeigt schematisch das System 100 gemäß weiterer anschaulicher Ausführungsformen, in denen das Betätigungssystem 110 das Material 118 in Form eines geeigneten dielektrischen Materials aufweist, möglicherweise in Verbindung mit einem Ferritmaterial, um damit auch auf Hochfrequenzenergie oder variierende magnetische Felder abhängig von der Konfiguration des Systems 110 zu reagieren. Beispielsweise repräsentiert das Material 118 ein Kondensatordielektrikumsmaterial, was erreicht werden kann, indem eine Dicke des Materials 118 in geeigneter Weise angepasst wird und ein Material mit hoher dielektrischer Konstante verwendet wird. Andererseits kann das Oberflächenmaterial 118, das als die Aufnahmefläche 120 dient, darin ausgebildet ein geeignetes leitendes Elektrodensystem aufweisen, um damit das Anlegen einer Wechselspannung an dem dielektrischen Material 118 zu ermöglichen. Beispielsweise wird eine zweite Elektrode 117b als eine beliebige geeignete Metallschicht vorgesehen, die mit einem Wechselstromgenerator 117a verbunden wird. Andererseits kann der Generator 117a mit der Fläche 120 verbunden werden. Beim Anordnen des Substrats 130 wird somit die Kapazität der resultierenden Kondensatorstruktur, die durch das Elektrodengitter in der Oberfläche 120, das dielektrische Material 118 und die Elektrode 117b geschaffen wird, durch die Anwesenheit des Substrats 130 beeinflusst und kann somit das elektrische Feld in dem dielektrischen Material 118 variieren. Aufgrund der Anwesenheit des Teilchens 131 wird somit eine lokale Änderung des elektrischen Felds erreicht, wodurch ebenfalls das Antwortverhalten des Materials 118 in Bezug auf Energie, die von dem Generator 117a zugeführt wird, lokal variiert. Somit kann der Energieeintrag in das Material 118 lokal entsprechend der Oberflächentopografie des Substrats 130 variieren, wodurch ebenfall eine lokal variierende Antwort des Materials 118 erreicht wird, beispielsweise in Bezug auf den Energieeintrag, der wiederum zu einem lokal unterschiedlichen Maß an Aufwärmung führt. Beispielsweise kann der lokale Energieeintrag in der Nähe des Teilchens 131 klein sein im Vergleich zu anderen Bereichen in dem Material 118, wodurch entsprechend die Höhe der Bereiche, die das Teilchen 131 umgeben, erhöht wird. Folglich kann ein gewisses Maß an ”Selbstkompensation” einer anfänglich un erwünschten Oberflächentopografie erreicht werden. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird die Rückseite des Substrats 130 geeignet präpariert, um eine deutliche Änderung der Kapazität zu erreichen, beispielsweise indem ein dielektrisches Material mit großem E auf der Rückseite vorgesehen wird, und dergleichen.
1g zeigt schematisch das Substrathaltesystem 100 gemäß weiterer anschaulicher Ausführungsformen. Wie gezeigt, ist ein Messsystem 130 vorgesehen, das ausgebildet ist, Messdaten 131 zu erzeugen, die eine aktuelle Oberflächentopografie des Substrats angeben, das auf der Fläche 120 angeordnet ist. Beispielsweise werden entsprechende Fokusdaten auf der Grundlage automatischer Justierprozeduren ermittelt, wie sie häufig in aufwändigen Lithografieanlagen mit bekanntem Aufbau angewendet werden. Entsprechende Fokusdaten enthalten Information über die lokalen Höhenniveaus des Substrats 120, wobei diese Niveaus variieren und einen zulässigen Bereich aufgrund der Anwesenheit von Teilchen 131 und dergleichen überschreiten können. Entsprechende Messdaten 131 werden einer Steuereinheit 140 zugeführt, die ausgebildet ist, einen geeigneten Sollwert für die Höhenniveaus zumindest an mehreren Positionen über die Oberfläche 120 hinweg zu bestimmen, etwa die Sollhöhenpositionen für die mehreren Oberflächenbereiche 121a, ..., 121n (siehe 1a und 1b). Beispielsweise ist die Steuereinheit 140 ausgebildet, geeignete Sollhöhenniveaus auf der Grundlage eines Vergleichs von Messdaten entsprechend mehreren unterschiedlichen Messpositionen zu ermitteln, um damit entsprechende Positionen zu erfassen, die eine Kompensation der jeweiligen Höhenniveaus erfordern. Auf der Grundlage der entsprechenden Sollhöhenniveaus für die diversen Positionen in der Oberfläche 120 wird das Steuersignal 111 erzeugt, beispielsweise indem digitale oder analoge Signale dem Betätigungssystem 110 zugeführt werden, das wiederum ein geeignetes Ansteuersignal für das individuelle Einstellen der Höhenniveaus der Oberfläche 120 auf der Grundlage des Steuersignals 111 erzeugt. Wie zuvor erläutert ist, können beispielsweise elektrische Felder lokal gemäß dem Steuersignal 111 variiert werden, um in geeigneter Weise die mechanische Reaktion von piezoelektrischen Elementen und dergleichen einzustellen, während in anderen Fällen die gewünschte lokale Temperatursteuerung erreicht wird. Es sollte beachtet werden, dass die Steuereinheit 140 darin implementiert ebenfalls geeignete Kalibrierdaten bei Bedarf aufweisen kann, so dass die Messdaten 131 mit der Information über die aktuellen Höhenniveaus geeigneterweise in das Steuersignal 111 umgewandelt werden können. Hiermit kann beim Zuführen des Steuersignals 111 eine geeignete Höheneinstellung in lokal aufgelöster Weise erreicht werden, wie dies auch durch die gestrichelten Linien angegeben ist, wodurch zusätzliche Wartungsaktivitäten vermieden werden, die in konventionellen Systemen beim Erkennen einer nicht zulässigen Oberflächentopografie des Substrats 130 erforderlich sind.
1h zeigt schematisch ein Belichtungssystem 150, in welchem das Substrathaltesystem 100 eingerichtet ist, um damit eine bessere Steuerung der Fokusbedingungen während eines Belichtungsprozesses zu ermöglichen. Wie gezeigt, umfasst das Belichtungssystem 150 eine Strahlungsquelle 151, die die gewünschte Strahlung, etwa Ultraviolettstrahlung und dergleichen, bereitstellt, wie dies zum Belichten des auf der Fläche 120 des Systems 100 positionierten Substrats 130 erforderlich ist. Des Weiteren ist ein optisches System 152 in Verbindung mit der Lichtquelle 151 vorgesehen, das ein Abbildungssystem der Belichtungsanlage 150 bildet. Zu diesem Zweck wird eine entsprechende Lithografiemaske 153 bereitgestellt, die entsprechende Maskenstrukturelemente aufweist, die in ein strahlungsempfindliches Material, das auf dem Substrat 130 vorgesehen ist, abgebildet werden.
Während des Betriebs des Belichtungssystems 150 wird das Substrat 130 auf der Fläche 120 geordnet und es wird eine entsprechende aktuelle Oberflächentopografie auf der Grundlage entsprechender Messstrategien ermittelt, die automatische Justier- und Fokus sierprozeduren beinhalten können, wie sie in modernsten Belichtungsanlagen gut etabliert sind. Es sollte beachtet werden, dass häufig ein zweites Substrathaltesystem 100 in der Anlage 150 vorgesehen sein kann, wodurch die Justierung und die Einstellung der Fokusbedingungen möglich ist, während ein zweites Substrat belichtet wird. Beim Erhalten der Messdaten, wie dies beispielsweise mit Bezug zu 1g beschrieben ist, können somit geeignete Sollhöhenniveaus für diverse laterale Positionen in der Fläche 120 bestimmt werden, um damit eine gewünschte Oberflächentopografie zu schaffen. Beispielsweise wird in modernen Belichtungsanlagen ein Schritt- und Abtastsystem angewendet, in welchem ein Belichtungsschlitz über einen Teil des Substrats 130 geführt wird, wodurch ein entsprechendes Belichtungsfeld definiert wird. Häufig treten Fokussierfehler höherer Ordnung über dem Belichtungsschlitz hinweg auf, die durch konventionelle Techniken auf der Grundlage einer globalen Einstellung des Höhenniveaus des Substrats 120 und die Einstellung zweier unabhängiger Neigungswinkel nur schwer zu kompensieren sind. Auf der Grundlage der lokalen Höheneinstelleigenschaft des Systems 100 kann somit ein entsprechender Fokussierfehler höherer Ordnung kompensiert oder zumindest reduziert werden. Anschließend wird der Belichtungsprozess auf der Grundlage einer besseren Oberflächentopografie ausgeführt, selbst wenn anfänglich eine deutliche Schwankung aufgrund von Kontamination des Substrats 130 und/oder der Oberfläche 120 oder aufgrund anderer Fokussierfehler erkannt wurde.
Es gilt also: die vorliegende Offenbarung stellt Techniken und Systeme bereit, in denen eine individuelle Anpassung von Höhenniveaus einer Substrataufnahmefläche erreicht wird, wodurch das Gesamtleistungsverhalten entsprechender Anlagen, die zum Bearbeiten von Mikrostrukturbauelementen verwendet werden, verbessert wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird das Substrathaltesystem, das die lokale Höheneinstelleigenschaft besitzt, in Belichtungsanlagen verwendet, wodurch deren Gesamtleistungsverhalten verbessert und auch die Anlagenauslastung erhöht wird, indem Wartungsaktivitäten vermieden oder zumindest deutlich reduziert werden, die konventionellerweise beim Erkennen einer unzulässigen lokalen Variation der Oberflächentopografie erforderlich sind. Somit kann die vorliegende Offenbarung effizient auf komplexe Fertigungsanlagen zum Bearbeiten von Mikrostrukturbauelementen, etwa von integrierten Schaltungen, mikromechanischen Bauelementen, mikrooptischen Bauelementen und dergleichen, verwendet werden, in denen eine gewünschte Oberflächentopografie erforderlich ist.
Weitere Modifizierungen und Variationen der vorliegenden Offenbarung werden für den Fachmann angesichts dieser Beschreibung offenkundig. Daher ist diese Beschreibung als lediglich anschaulich und für die Zwecke gedacht, dem Fachmann die allgemeine Art und Weise des Ausführens der hierin offenbarten Prinzipien zu vermitteln. Selbstverständlich sind die hierin gezeigten und beschriebenen Formen als die gegenwärtig bevorzugten Ausführungsformen zu betrachten.

Claims

Substrathaltesystem einer Prozessanlage mit: mehreren Halterungsberflächenbereichen, die ausgebildet, ein zu bearbeitendes Substrat aufzunehmen, wobei jeder der mehreren Halterungsoberflächenbereiche individuell in der Höhenposition einstellbar ist; und einem Betätigungssystem, das mit den mehreren Halterungsoberflächenbereichen verbunden ist, um eine Einstellung der Höhenposition jedes der mehreren Halterungsoberflächenbereiche auf der Grundlage eines Steuersignals zu initiieren.
Substrathaltesystem nach Anspruch 1, wobei das Betätigungssystem ein piezoelektrisches Material und ein elektrisches Verbindungssystem aufweist, um einen Spannungspegel des piezoelektrischen Materials in lokaler Weise einzustellen.
Substrathaltesystem nach Anspruch 1, wobei das Betätigungssystem ein Material mit einem höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten und ein Temperatursteuerungssystem aufweist, um in lokaler Weise eine Temperatur des Materials mit dem größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu steuern.
Substrathaltesystem nach Anspruch 2, wobei das Betätigungssystem ferner ein thermisch isolierendes Material aufweist, das zwischen dem Material mit höherem thermischen Ausdehnungskoeffizienten und den Halterungsoberflächenbereichen gebildet ist.
Substrathaltesystem nach Anspruch 1, wobei das Betätigungssystem ein individuell ansprechbares Aktuatorelement für jeden der mehreren Halterungsoberflächenbereiche aufweist.
Substrathaltesystem nach Anspruch 1, das ferner eine Steuereinheit aufweist, die funktionsmäßig mit dem Betätigungssystem verbunden und ausgebildet ist, das Steuersignal auf der Grundlage einer Sollhöhe für jeden der mehreren Halterungsoberflächenbereiche bereitzustellen.
Substrathaltesystem nach Anspruch 6, wobei die Steuereinheit ferner ausgebildet ist, die Sollhöhe jedes der mehreren Halterungsoberflächenbereiche auf der Grundlage von Messdaten zu bestimmen, die eine aktuelle Höhenposition der mehreren Halterungsoberflächenbereiche angeben.
Substrathaltesystem nach Anspruch 7, das ferner ein Messsystem aufweist, das ausgebildet ist, die Messdaten zu ermitteln.
Substrathaltesystem nach Anspruch 1, wobei das Betätigungssystem ausgebildet ist, die Höhe der mehreren Halterungsoberflächenbereiche gemäß einem Höhenjustierbereich von ungefähr 5 μm oder weniger einzustellen.
Belichtungssystem mit: einer Abbildungseinheit mit einer Strahlungsquelle und einem optischen System; und einem Substrathaltesystem, das ausgebildet ist, ein zu belichtendes Substrat aufzunehmen und in Position zu halten, wobei das Substrathaltesystem mehrere Halterungsoberflächenbereiche aufweist, die ausgebildet sind, das zu belichtende Substrat aufzunehmen, wobei jeder der mehreren Halterungsoberflächenbereiche individuell in der Höhenposition einstellbar ist, und wobei ein Betätigungssystem vorgesehen ist, das mit den mehreren Halterungsoberflächenbereichen verbunden ist, um eine Einstellung der Höhenposition jedes der mehreren Halterungsoberflächenbereiche auf der Grundlage eines Steuersignals zu initiieren.
Belichtungssystem nach Anspruch 10, das ferner eine Steuereinheit aufweist, die funktionsmäßig mit dem Betätigungssystem verbunden und ausgebildet ist, das Steuersignal auf der Grundlage einer Sollhöhe für jeden der mehreren Halterungsoberflächenbereiche bereitzustellen.
Belichtungssystem nach Anspruch 11, wobei die Steuereinheit ferner ausgebildet ist, die Sollhöhe jedes der mehreren Halterungsoberflächenbereiche auf der Grundlage von Messdaten zu bestimmen, die eine aktuelle Höhenposition der mehreren Halterungsoberflächenbereiche angeben.
Belichtungssystem nach Anspruch 12, das ferner ein Messsystem aufweist, das ausgebildet ist, die Messdaten zu ermitteln.
Belichtungssystem nach Anspruch 10, wobei das Betätigungssystem ausgebildet ist, die Höhe jedes der mehreren Halterungsoberflächenbereiche gemäß einem Höheneinstellbereich von ungefähr 5 μm oder weniger einzustellen.
Verfahren zum Belichten eines Substrats, wobei das Verfahren umfasst: Aufnehmen des Substrats auf einer Substrataufnahmefläche eines Substrathaltesystems; individuelles Einstellen eines Höhenniveaus zu mindest eines Bereichs der Substrataufnahmefläche relativ zumindestens einem weiteren Bereich der Substrataufnahmefläche; und Belichten des Substrats auf der Grundlage des individuell eingestellten Höhenniveaus des mindestens einen Bereichs der Substrataufnahmefläche.
Verfahren nach Anspruch 15, das ferner umfasst: Bestimmen einer Sollhöhe des mindestens einen Bereichs und Einstellen des Höhenniveaus auf der Grundlage der Sollhöhe.
Verfahren nach Anspruch 16, wobei Bestimmen der Sollhöhe umfasst: Ermitteln von Messdaten, die ein Höhenniveau des mindestens einen Bereichs und des mindestens einen weiteren Bereichs angeben.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das individuelle Einstellen eines Höhenniveaus zumindest eines Bereichs der Substrataufnahmefläche umfasst: lokales Steuern einer Temperatur eines Materials, das in mechanischem Kontakt mit der Substrathaltefläche ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei individuelles Einstellen eines Höhenniveaus zumindest eines Bereichs der Substrataufnahmefläche umfasst: lokales Steuern eines elektrischen Feldes in einem piezoelektrischen Material, das mit der Substrataufnahmefläche in mechanischem Kontakt ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei individuelles Einstellen eines Höhenniveaus zumindest eines Bereichs der Substrataufnahmefläche umfasst: Vorsehen eines individuellen Aktuatorelements für jeden der mehreren Bereiche der Substrataufnahmefläche und individuelles Aktivieren eines oder mehrerer der mehreren Aktuatorelemente.