DE102008049231A1 - Schaltung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Es wird eine Schaltung angegeben, umfassend ein Substrat eines Halbleitermoduls, mit mindestens einerdnet ist, wobei das Halbleitermodul eine Leistungsstufe und eine Logikschaltung umfasst. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung dieser Schaltung vorgeschlagen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schaltung und ein Verfahren zur Herstellung der Schaltung.
  • Für die Elektrifizierung von Fahrzeugantrieben werden billige, kompakte sowie leichte elektrische Antriebe benötigt. Von derzeit am Markt erhältlichen Aggregaten werden diese Anforderungen noch nicht zufriedenstellend erfüllt. Insbesondere ein für einen Zwischenkreis eines Wechselrichters notwendiger Leistungskondensator verursacht hohen Aufwand bzw. Einsatz betreffend Material, Bauraumvorhalt und Fertigungskomplexität. In derzeit üblichen Schaltungen werden für diesen Leistungskondensator Elektrolytkondensatoren bzw. Kunststofffolienkondensatoren eingesetzt. Um mit der starken Wärmeausdehnung derartiger Leistungskondensatoren umzugehen, werden sie über flexible Elemente (via separater Drähte oder Leitungen) mit der übrigen Schaltung verbunden.
  • Trotz einer üblichen stoffschlüssigen Verbindung der Leistungskondensatoren zu Gehäuseteilen bedingt die Wärmebilanz innerhalb der Kondensatoren die Dimensionierung der Baugröße. Beispielsweise beträgt ein Kondensatorvolumen für ein im Fahrzeug verbautes 50 kW-Aggregat zwischen zwei und 0,5 Litern.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die vorstehend genannten Nachteile zu vermeiden und insbesondere eine effiziente Möglichkeit zum Einsatz von Leistungskondensatoren zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich auch aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Zur Lösung der Aufgabe wird eine Schaltung angegeben,
    • – umfassend ein Substrat eines Halbleitermoduls,
    • – mit mindestens einen Leistungskondensator, der auf dem Substrat angeordnet ist,
    • – wobei das Halbleitermodul eine Leistungsstufe und eine Logikschaltung umfasst.
  • Hierbei ist zweckmäßig der mindestens eine Leistungskondensator zusammen mit der Logikschaltung auf einem Halbleitermodul angeordnet. Vorzugsweise ist der Leistungskondensator in eine Vielzahl kleinere Kondensatoren aufgeteilt, wobei jeder der kleineren Kondensatoren derart auf dem Halbleitermodul angeordnet ist, dass eine effiziente Kühlung der von dem Leistungskondensator bereitgestellten Gesamtkapazität erfolgt.
  • Eine Weiterbildung ist es, dass der mindestens eine Leistungskondensator mindestens einen keramischen Kondensator umfasst.
  • Eine andere Weiterbildung ist es, dass das Substrat mindestens eine der folgenden Komponenten umfasst:
    • – einen gedruckten Schaltungsträger;
    • – einen keramischen Träger insbesondere mit Leiterbahnen;
    • – einen Träger aus Papier und/oder Pappe;
    • – einen Träger aus Kunststoff.
  • Insbesondere ist es eine Weiterbildung, dass das Substrat einen doppelseitigen Schaltungsträger umfasst.
  • Auch ist es eine Weiterbildung, dass der mindestens eine Leistungskondensator mit einer für das Halbleitermodul vorgesehenen Kühlung verbunden ist.
  • Ferner ist es eine Weiterbildung, dass der mindestens eine Leistungskondensator eine Fail-Open Eigenschaft aufweist.
  • Im Rahmen einer zusätzlichen Weiterbildung ist der mindestens eine Leistungskondensator ein Zwischenkreis-, Glättungs- und/oder Kommutierungskondensator.
  • Eine nächste Weiterbildung besteht darin, dass der mindestens eine Leistungskondensator mindestens einer der folgenden Verbindungen mit dem Substrat aufweist:
    • – eine Klebeverbindung;
    • – eine Lötverbindung;
    • – eine Sinterverbindung;
    • – eine Druckverbindung;
    • – eine Schweißverbindung.
  • Eine Ausgestaltung ist es, dass mindestens eine der Verbindungen zu Kontaktierung des mindestens einen Leistungskondensators dient.
  • Die vorstehend genannte Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltung umfassend die Schritte:
    • – mindestens ein Leistungskondensator wird auf einem Substrat eines Halbleitermoduls angeordnet,
    • – wobei das Halbleitermodul eine Leistungsstufe und eine Logikschaltung umfasst.
  • Eine Weiterbildung besteht darin, dass der mindestens eine Leistungskondensator, umfassend insbesondere eine Vielzahl von Kondensatoren, mit dem Substrat verbunden wird durch mindestens eine der folgenden Verbindungen:
    • – eine Klebeverbindung;
    • – eine Lötverbindung;
    • – eine Sinterverbindung;
    • – eine Druckverbindung;
    • – eine Schweißverbindung.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen dargestellt und erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine beispielhafte Anordnung eines Leistungskondensators in einem Phasenmodul bzw. Wechselrichtermodul;
  • 2 ein Halbleitermodul mit einem integrierten Leistungskondensator, der mehrere (kleinere) Kondensatoren aufweist;
  • 3 basierend auf der Anordnung gemäß 2 ein einzelnes konzentriertes Element für einen Leistungskondensator;
  • 4 eine weitere Anordnung eines Umrichtermoduls mit einem passiven Gleichrichter, zwei Brückenschaltungen und einem dazwischen angeordneten Leistungskondensator;
  • 5 ein Layoutbeispiel für eine dreiphasige Wechselrichterschaltung mit einem in eine Vielzahl von Einzelkondensatoren aufgeteilten Leistungskondensator.
  • Der vorliegende Ansatz sieht insbesondere vor, einen Leistungskondensator in ein Halbleitermodul der Leistungselektronik zu integrieren, so dass die für Halbleiter des Halbleitermoduls vorgesehene Kühlung auch für die Kühlung des Leistungskondensators genutzt werden kann.
  • Insbesondere kann die Kapazität des Leistungskondensators auf mehrere kleinere Kondensatoren aufgeteilt werden, so dass im Rahmen der baulichen Gegebenheiten die einzelnen kleinen Kondensatoren im Hinblick auf eine effiziente Kühlung positioniert werden können.
  • Auch kann der Leistungskondensator direkt mit dem Schaltungsträger (Substrat) der Leistungshalbleiter verbunden bzw. kontaktiert werden/sein.
  • Vorteilhafterweise kann der Leistungskondensator mindestens einen Keramikkondensator umfassen. Keramikkondensatoren unterscheiden sich kaum bezüglich ihrer thermischen Ausdehnung von den üblicherweise für Halbleitermodule verwendeten Keramiksubstraten.
  • Bei dem Substrat kann es sich weiterhin um unterschiedliche Träger handeln, z. B. um Papier, Kunststoff, Keramik.
  • Vorzugsweise können Leiterbahnen oder Strombahnen des Trägers bzw. des Keramiksubstrats zur Kontaktierung des Leistungskondensators genutzt werden, um eine raumsparende, großflächige, verlustarme, gut wärmeableitende und niederinduktive Verbindung zwischen dem Leistungskondensator und der Leistungselektronik herzustellen.
  • Vorteilhaft können bekannten Verbindungselemente zwischen dem Leistungskondensator und dem Halbleitermodul wie Stromschienen, Bügel, Kabel, Leiterplatten, Pins, Federn und Schrauben entfallen bzw. lediglich zum Anschluss einer externen Stromquelle (Energiekondensator, Batterie, Netz) entsprechend klein dimensioniert werden, da der Wechselstrom für den Leistungskondensators nicht mehr über diese Verbindungselemente geführt wird.
  • Besonders vorteilhaft ist die Verwendung von mehreren kleineren Einzelkondensatoren, die entsprechend den Schaltungserfordernissen auf dem Substrat verteilt werden, wodurch besonders günstige Schaltungseigenschaften bzgl. Resonanzvermeidung, elektromagnetischer Verträglichkeit und gleichmäßiger Kondensatorbelastung erreichbar sind. Weiterhin lässt sich durch die Verwendung von Kondensatoren mit einem sog. Fail-Open-Verhalten die Auswirkung eines Kondensatorversagens lokal, d. h. auf den defekten Kondensator, begrenzen.
  • Der hierin vorgestellte Ansatz kann für alle bekannten Aufbauverfahren für Halbleitermodule angewendet werden. Beispielsweise kann der aus mindestens einem Einzelkondensator bestehende Leistungskondensator mit dem Substrat über Klebe-, Löt-, Schweiß-, Sinter- bzw. Druckverbindungen kontaktiert bzw. verbunden werden.
  • Der mindestens eine Leitungskondensator bzw. die hier vorgestellte Lösung können auf alle bekannten Wechsel-, Gleich- und Umrichterschaltungen mit Zwischenkreis-, Glättungs- bzw. Kommutierungskondensatoren angewendet werden (z. B. Spannungs-Wechselrichter, Matrix-Umrichter, F3E-Umrichter, Umrichter mit ungesteuertem Eingangsgleichrichter, DC-DC-Wandler).
  • 1 zeigt eine beispielhafte Anordnung eines Leistungskondensators 104 in einem Phasenmodul oder Wechselrichtermodul 100.
  • Das Phasenmodul 100 ist auf einem Substrat angeordnet und weist Gleichstromanschlüsse 101 und 102 sowie einen Phasenanschluss 103 auf. Der Leistungskondensator 104 ist unmittelbar in der Nähe und parallel zu einer Serienschaltung aus zwei elektrischen Schaltern angeordnet. Die Serienschaltung umfasst hierbei eine Reihenschaltung von zwei Kollektor-Emitter-Strecken zweier IGBTs 105 und 106, wobei jeder IGBT eine entgegen die Kollektor-Emitter-Strecke angeordnete Freilaufdiode 107, 108 aufweist.
  • Die drei Punkte in 2 deuten an, dass mindestens eine weitere Einheit entsprechend den Elementen 209 bis 214 zwischen dem Phasenanschluss 203 und der Einheit umfassend die Elemente 209 bis 214 angeordnet sein kann, wobei jede der mindestens einen weiteren Einheit einen zusätzlichen Phasenanschluss bereit stellt.
  • 2 zeigt ein Halbleitermodul 200 mit einem integrierten Leistungskondensator, der mehrere (kleinere) Kondensatoren 204, 210 aufweist. Das Halbleitermodul 200 weist Gleichstromanschlüsse 201, 202 sowie Phasenanschlüsse 203, 209 auf.
  • In 2 sind eine Vielzahl von Brückenschaltungen aus je zwei IGBTs 205, 206 und 211, 212 mit jeweils vorhandenen Freilaufdioden 207, 208 und 213, 214 vorgesehen. Ein Mittenabgriff der ersten Brückenschaltung ist mit dem Phasenanschluss 203 und ein Mittenabgriff der letzten Brückenschaltung ist mit dem Phasenanschluss 209 verbunden.
  • 3 zeigt basierend auf der Anordnung gemäß 2 ein einzelnes konzentriertes Element für einen Leistungskondensator 204.
  • Die drei Punkte in 3 deuten an, dass mindestens eine weitere Einheit entsprechend den Elementen 209 und 211 bis 214 zwischen dem Phasenanschluss 203 und der Einheit umfassend die Elemente 209 und 211 bis 214 angeordnet sein kann, wobei jede der mindestens einen weiteren Einheit einen zusätzlichen Phasenanschluss bereit stellt.
  • 4 zeigt eine weitere Anordnung eines Umrichtermoduls 400 mit einem passiven Gleichrichter umfassend Dioden 401, 402, 404 und 405, eine Brückenschaltung mit zwei IGBTs 408, 409 mit jeweiligen Freilaufdioden 410, 411 und eine Brückenschaltung mit zwei IGBTs 413, 414 mit jeweiligen Freilaufdioden 415, 416. Die Mittenabgriffe zwischen den Reihenschaltungen aus den Dioden 401, 402 und 404, 405 sowie die Mittenabgriffe der Brückenschaltungen sind als Phasenanschlüsse 403, 406, 412, 417 nach außen geführt.
  • Ein Leistungskondensator 407 ist zwischen dem Gleichrichter und den beiden Brückenschaltungen angeordnet.
  • Im Beispiel von 4 können Leistungsanschlüsse für einen Gleichstromteil vollständig entfallen.
  • Die ersten drei Punkte in 4 deuten an, dass mindestens eine weitere Einheit entsprechend den Elementen 404 bis 406 zwischen dem Phasenanschluss 403 und der Einheit umfassend die Elemente 404 bis 406 angeordnet sein kann, wobei jede der mindestens einen weiteren Einheit einen zusätzlichen Phasenanschluss bereit stellt.
  • Entsprechend deuten die zweiten drei Punkte in 4 an, dass mindestens eine weitere Einheit entsprechend den Elementen 413 bis 417 zwischen dem Phasenanschluss 412 und der Einheit umfassend die Elemente 413 bis 417 angeordnet sein kann, wobei jede der mindestens einen weiteren Einheit einen zusätzlichen Phasenanschluss bereit stellt.
  • 5 zeigt ein Layoutbeispiel für eine dreiphasige Wechselrichterschaltung mit einem in eine Vielzahl von Einzelkondensatoren aufgeteilten Leistungskondensator.
  • Weitere Vorteile:
  • Die Leistungskondensatoren können auf den tatsächlichen Blindleistungsbedarf der Halbleiterschaltung und damit wesentlich kleiner als in üblichen Anordnungen dimensioniert werden.
  • Normen und Standards für elektrische Isolation und elektromagnetische Verträglichkeit sind wegen der kürzeren elektrischen Verbindungen für Leistungskondensatoren und wegen des Entfalls von Luft- und Kriechstrecken mit geringerem Aufwand einzuhalten.
  • Der Aufbau von Wechselrichterschaltungen wird wesentlich vereinfacht, eine Vielzahl von Verbindungselementen und Montageschritten kann entfallen.
  • Bauraumbedarf, Gewicht und Teilezahl der hierin vorgeschlagenen Anordnung sind wesentlich geringer als bei den bekannten Anordnungen. Beispielsweise kann bei einem 50 kW-Aggregat das für den Leistungskondensator benötigte Volumen sowie das für Verbindungen und Befestigungen benötigte Volumen auf jeweils weniger als 0,1 Liter vermindert werden (dies entspricht einer Effizienzsteigerung um den Faktor fünf gegenüber bekannter Technik).
  • Auch wird die Montage des Leistungskondensators bzw. der Leistungskondensatoren dadurch vereinfacht, dass diese im Rahmen der Aggregatfertigung automatisiert bestückt werden können bei der Fertigung des Halbleitermoduls.

Claims (11)

  1. Schaltung – umfassend ein Substrat eines Halbleitermoduls, – mit mindestens einen Leistungskondensator, der auf dem Substrat angeordnet ist, – wobei das Halbleitermodul eine Leistungsstufe und eine Logikschaltung umfasst.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, bei der der mindestens eine Leistungskondensator mindestens einen keramischen Kondensator umfasst.
  3. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Substrat mindestens eine der folgenden Komponenten umfasst: – einen gedruckten Schaltungsträger; – einen keramischen Träger insbesondere mit Leiterbahnen; – einen Träger aus Papier und/oder Pappe; – einen Träger aus Kunststoff.
  4. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Substrat einen doppelseitigen Schaltungsträger umfasst.
  5. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der mindestens eine Leistungskondensator mit einer für das Halbleitermodul vorgesehenen Kühlung verbunden ist.
  6. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der mindestens eine Leistungskondensator eine Fail-Open Eigenschaft aufweist.
  7. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der mindestens eine Leistungskondensator ein Zwischenkreis-, Glättungs- und/oder Kommutierungskondensator ist.
  8. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der mindestens eine Leistungskondensator mindestens einer der folgenden Verbindungen mit dem Substrat aufweist: – eine Klebeverbindung; – eine Lötverbindung; – eine Sinterverbindung; – eine Druckverbindung; – eine Schweißverbindung.
  9. Schaltung nach Anspruch 8, bei der mindestens eine der Verbindungen zu Kontaktierung des mindestens einen Leistungskondensators dient.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Schaltung umfassend die Schritte: – mindestens ein Leistungskondensator wird auf einem Substrat eines Halbleitermoduls angeordnet, – wobei das Halbleitermodul eine Leistungsstufe und eine Logikschaltung umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der mindestens eine Leistungskondensator, umfassend insbesondere eine Vielzahl von Kondensatoren, mit dem Substrat verbunden wird durch mindestens eine der folgenden Verbindungen: – eine Klebeverbindung; – eine Lötverbindung; – eine Sinterverbindung; – eine Druckverbindung; – eine Schweißverbindung.
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