DE102008035773A1

DE102008035773A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Ionisierung sowie damit versehene Gasdetektionsvorrichtung

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Publication number: DE102008035773A1
Application number: DE102008035773A
Authority: DE
Inventors: Gerhard Dr. Müller; Carola Dipl.-Phys. Oberhüttinger; Angelika Dipl.-Ing.(FH) Krenkow; Jan Dipl.-Phys. Spannhake
Original assignee: EADS Deutschland GmbH
Current assignee: Airbus Defence and Space GmbH
Priority date: 2008-07-31
Filing date: 2008-07-31
Publication date: 2010-02-04
Also published as: EP2584350B1; EP2313765A2; EP2313765B1; EP2482066A1; WO2010012642A3; EP2584350A1; EP2482066B1; WO2010012642A2

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Ionisationsverfahren zur Ionisierung von zu untersuchenden gasförmigen oder dampfförmigen Stoffen (22). Um eine kosteneffektive radioaktivfreie Ionisation durchzuführen, werden erfindungsgemäß die Schritte: Leiten des zu untersuchenden Stoffes (22) zu einer Festkörperoberfläche (34) und Beleuchten der Festkörperoberfläche (34) zum Ionisieren von Molekülen des zu untersuchenden Stoffes durch photoinduzierten Elektronentransfer vorgeschlagen. Außerdem werden eine Ionisationsvorrichtung (16) zur Durchführung des Verfahrens sowie eine mit dieser versehenen Detektionsvorrichtung zur Gasdetektion mittels Ionenmobilitätsspektrometrie vorgeschlagen.

Description

Die Erfindung betrifft ein Ionisationsverfahren zur Ionisierung von zu untersuchenden gasförmigen oder dampfförmigen Stoffen sowie eine Ionisationsvorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens. Weiter betrifft die Erfindung eine Detektionsvorrichtung zur Dektektion und/oder Identifikation von gasförmigen oder dampfförmigen Stoffen mittels Ionenmobilitätsspektrometrie sowie eine Detektionsvorrichtung zur Durchführung eines solchen Detektionsverfahrens.
Ionenmobilitätsspektrometrie ist die derzeit etablierte Referenztechnologie zur Detektion von Explosivstoffen, chemischen Kampfstoffen und unerlaubten Drogen.
Für nähere Einzelheiten zur Ionenmobilitätsspektrometrie sowie zu dem derzeitigen Stand der Technik hierzu wird auf folgenden Literaturstellen verwiesen:

[1] G. A. Eiceman, Z. Karpas: „Ion Mobility Spectrometry"; CRC Press. Boca Rayton, 1994;
[2] C. S. Rese, S. J. Taraszewsky, T. F. Limero: "Near real-time analysis of toxicologically important compounds using the volatile organic analyser for the international space station", in Proceedings of the 8th Int. Conference an IMS, Buxton, U. K., 1999;
[3] J. Stach, "Ionenmobilitätsspektrometrie-Grundlagen und Applikationen", Analytiker Taschenbuch Band 16, Springer, Berlin 1997;
[4] A. Schumann, „Einführung in die Ionenmobilitätsspektrometrie (IMS)", Dissertation, Kapitel 3, Gerhard-Mercator-Universität-Duisburg, 2001;
[5] S. Sielemann, „Detektion flüchtiger organischer Verbindungen mittels Ionenmobilitätsspektrometrie und deren Kopplung mit Multi-Kapillar-Gas-Chromatographie", Dissertation, Universität Dortmund, 1999.;
[6] D. M. Lubmann, M. N. Kronick: „Resonance-Enhanced Two-Photon Ionization Spectroscopy in Plasma Chromatography", Anal. Chem. 55, 1983, 1486–1492; und
[7] V. Matsaev, M. Gumerov, L. Krasnobaev, V. Perhenkov, V. Belyakov, A. Chistyakov, V. Boudovitch: „IMS Spectrometers with Radioactive, X-Ray, UV and Laser Ionization", International Journal for Ion Mobility Spectrometry, 5 (2002) 3.

Bei der Ionenmobilitätsspektrometrie werden Analyt-Gasmoleküle durch eine Ionenquelle in Analytgasionen transformiert. Die erzeugten Ionen driften dann gegen einen Strom eines neutralen Gases (normalerweise Stickstoff N₂ oder entfeuchtete Luft) aufgrund eines homogenen elektrischen Feldes zu einer Sammelelektrode hin. Mit Hilfe eines Steuergitters werden Ionenpakete periodisch in die Driftzelle eingelassen. Nach Auftreffen auf der Sammelelektrode wird die Ankunftszeit des Ionenpakets detektiert und die Driftzeit ermittelt. Unterschiedliche Analytgasionen werden durch ihr charkteristisches Driftzeitspektrum unterschieden, ähnlich wie dies bei dem Ionenmobilitätsspektrum 10 in 1 dargestellt ist.
Etablierte Verfahren zur Ionenerzeugung:
Bekannte Spektrometer aus dem Stand der Technik verwenden radioaktive Ionisationsquellen, meist ⁶³Ni-Strahler, die hochenergetische Elektronen (β-Strahlung) mit einer durchschnittlichen Energie von etwa 17 keV emittieren. Aufgrund ihrer hohen Elektronenenergie ionisieren ⁶³Ni-Quellen auch Spezien mit hohem Ionisationspotential wie z. B. N₂, O₂ und H₂O. Ionen werden deshalb auch in denjenigen Fällen erzeugt, wo keine Analytgasspuren vorhanden sind. Da alle Arten von ionisierten Spezien mit dem verbleibenden Hintergrund neutraler Teilchen Wechselwirken können, ist der Ionenformprozess von Natur aus komplex. Eine stark vereinfachte Reaktionssequenz ist in Tabelle 1 wiedergegeben. Tabelle 1 zeigt die Bildung von positiven und negativen Reaktant-Ionenclustern aus einem anfänglichen Ionisationsvorgang mit hochenergetischer β-Strahlung und einem N₂-Molekül. Mögliche Proton- und Elektronaustauschreaktionen mit Analytgasmolekülen sind in der unteren Zeile angegeben. Für nähere Einzelheiten hierzu wird auf die obige Literaturstelle [3] verwiesen. Tabelle 1³

¹Chemical Warfare Agent, d. h. chemischer Kampfstoff
²Toxic Industrial Chemical, d. h. industrieller Giftstoff
³aus J. Stach „Ionenmobilitätsspektrometrie-Grundlagen und Applikationen", Analytiker Taschenbuch Band 16, Springer-Verlag, Berlin, 1997

Da bei einer solchen Wechselwirkung die kinetische Energie des anfänglichen Elektrons nur um einen sehr kleinen Betrag verringert wird, dauert dieser primäre Ionisationsprozess an, bis die verbleibende Energie des Elektrons unter die Ionisationsenergie von N₂ (E_Ion = 15,6 eV) fällt. Falls, dass der anfängliche Ione nerzeugungsprozess unter reiner Stickstoffatmosphäre stattgefunden hat, thermalisieren die emittierten Elektronen (e^–) und bleiben als freie Elektronen mobil, bis sie mit N₂ ⁺-Ionen rekombinieren oder bis sie an einer Metallelektrode gesammelt werden. Negative N₂-Ionen können nicht gebildet werden, da neutrale N₂-Moleküle aufgrund ihrer negativen Elektronenaffinität E_ea elektronenabstoßend sind.
In dem Fall, dass der anfängliche Ionisationsvorgang in trockener Luft (~80% N₂ und ~20% O₂) stattgefunden hat, sind weitere Reaktionen möglich, wie in der zweiten Zeile der Tabelle 1 angegeben. Zunächst werden die freien Elektronen an O₂-Molekülen unter Bildung von O₂ ^–-Ionen gefangen. Dies ist möglich, da O₂-Moleküle eine posititve Elektronenaffinität E_ea von 0,448 eV haben, was sie elektronen-anziehend macht.
Wie in der dritten Zeile der Tabelle 1 angegeben, sind weitere Reaktionen möglich, wenn der anfängliche Ionisationsvorgang in feuchter Luft stattgefunden hat. Aufgrund des starken elektrischen Dipolmoments von H₂O werden H₂O-Moleküle durch O₂ ^–-Ionen angezogen, wodurch (H₂O)_n O₂-Ionencluster gebildet werden. Die Anzahl n von an O₂-Ionen gefangenen H₂O-Molekülen hängt von der Temperatur der Umgebungsatmosphäre ab und unterliegt auch bei einer festen Temperatur einer beträchtlichen Streuung. Bei einer Feuchtigkeit enthaltenden Atmosphäre können die N₂ ⁺-Ionen auch sekundären Reaktionen unterworfen sein, wodurch positive H⁺(H₂O)_n-Ionencluster gebildet werden. Hier wird die anfängliche Clusterreaktion als das Ergebnis eines Drei-Körper-Kollisionsprozesses angesehen: N₂ ⁺ + 3H₂O → N₂ + OH + H⁺(H₂O)₂.
Abhängig von der Temperatur der umgebenden Atmosphäre können sich weitere H₂O-Moleküle an diesem anfänglich positiven Ionencluster anlagern. Unter feuch ter Atmosphäre treten deswegen sowohl positive als auch negative ReaktantIonencluster auf. Falls zusätzliche Spuren von Verunreinigungsgasen vorhanden sind, Wechselwirken diese ebenfalls mit den Reaktant-Ionenclustern und bilden Analyt-Gasionen, die die gewünschte analytische Information enthalten. Ob positive oder negative Analyt-Ionen geformt werden, hängt von der Protonenaffinität E_pa und/oder der Elektronenaffinität E_ea der Analyt-Gasmoleküle ab. In Tabelle 1 ist ein Beispiel für eine positive Ionenbildung (mittlere Spalte) und ein zweites Beispiel für eine negative Ionenbildung (rechte Spalte) angegeben. Während der erste Prozess die dominierende Detektionsreaktion für toxische industrielle Verbindungen (TIC), Drogen und chemische Kampfstoffe (CWA) bildet, ist der zweite Prozess wichtig für die Detektion von Explosivstoffen.
Wie in der Literaturstelle [3] angegeben, sind mögliche Alternativen zu radioaktiven Ionisationsquellen Korona-Entladungsquellen. Dabei wird ein Luftstrom, der die interessierenden Analyt-Gase enthält, direkt durch eine Plasmaentladung geleitet, wo die Analyte mit den geladenen Bestandteilen des Plasmas Wechselwirken können, um Analyt-Gasionen zu bilden. Die Bildung Reaktant-Ionen und Analyt-Ionen folgt grob den selben Wegen wie in Tabelle 1 angegeben. Korona-Entladungsquellen vermeiden die Verwendung von Radioaktivität, aber verbrauchen beträchtliche elektrische Energie zum Erhalten des Plasmas. Unter Verwendung von MEMS-Mikrofabrikationstechnologien können Korona-Quellen klein und robust ausgeführt und mit niedrigen Kosten gefertigt werden.
Sowohl ⁶³Ni-Quellen als auch Korona-Quellen haben das gemeinsame Problem, dass sie potentiell alle Bestandteile des Proben-Luftstromes einschließlich der gesamten Luftbestandteile ionisieren, die nur von geringem oder gar keinem analytischen Interesse sind. Schwache Analyt-Ionen-Peaks können daher unter viel größeren Reaktant-Ionen-Peaks untergehen. Dieses Problem wird noch durch die Tatsache verschärft, dass die Form der Reaktant-Ionen-Peaks sich ändern kann, wenn es Veränderungen in der Feuchtigkeit des Probengases gibt und wenn die Verunreinigungs-Spurengase selbst zu der Bildung von Reaktant-Ionen beitragen.
Wie in der Literaturstelle [3] ausgeführt, kann Photoionisation im Prinzip die Bildung von analytisch irrelevanten Reaktantionen vermeiden. Sowohl Ein-Photon-Ionisationsprozesse als auch Zwei-Photonen-Ionisationsprozesse sind untersucht worden. Ein-Photon-Ionisation ist unter Verwendung von Gasentladungslampen mit Photonenenergien E_ph von 9,8 eV, 10,6 eV und 11,7 eV möglich, abhängig von der Art der Gasfüllung. Mit diesen relativ geringen Energien bleiben die Hauptbestandteile der Umgebungsluft, d. h. N₂, O₂, H₂O und CO₂ unbeeinflusst, da die Ionisationsenergie I dieser Gase die Photonenenergie E_ph überschreitet: I > E_ph.
Wie in

[6] D. M. Lubmann, M. N. Kronick: „Resonance-Enhanced Two-Photon Ionization Spectroscopy in Plasma Chromatography", Anal. Chem. 55, 1983, 1486–1492.

[7] V. Matsaev, M. Gumerov, L. Krasnobaev, V. Perhenkov, V. Belyakov, A. Chistyakov, V. Boudovitch: „IMS Spectrometers with Radioactive, X-Ray, UV and Laser Ionization", International Jounal for Ion Mobility Spectrometry, 5 (2002) 3

_ph

Aufgabe der Erfindung ist es, ein besonders kosteneffektives radioaktivfreies Ionisationsverfahren sowie eine besonders kosteneffektive Ionisationsvorrichtung zur Durchführung eines solchen Ionisationsverfahrens zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch ein Ionisationsverfahren mit den Schritten des Anspruches 1 sowie einer Ionisationsvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruches 14 gelöst.
Gemäß einem besonderem Aspekt der vorliegenden Erfindung soll eine möglichst kostengünstige Detektion und Identifikation von Gasen und Dämpfen mit Hilfe von Ionenmobilitätsspektrometrie geschaffen werden, bei der radioaktive Ionisationsquellen vermieden werden.
Dies wird durch ein Detektionsverfahren gemäß Anspruch 12 sowie eine Detektionsvorrichtung gemäß Anspruch 22 erreicht.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Erfindungsgemäß erfolgt die Ionisation der Stoffe über photo-induzierten Elektronentransfer an Festkörperoberflächen.
Dadurch werden radioaktive Ionisationsquellen vermieden. Das Ionisationsverfahren sowie die Ionisationsvorrichtung sind vorzugsweise MEMS-tauglich. Die Ionisationsvorrichtung kann unter Verwendung von Mikrosystemtechnik gefertigt werden. Dadurch lassen sich Handgeräte und kleine mobile Einheiten erzielen.
Mit der Erfindung ist eine besonders leistungsarme Ionisation erreichbar, so dass besonders energiesparend gearbeitet werden kann.
Weiter sind bei der Detektion von Gasen und Dämpfen unter Verwendung der erfindungsgemäßen Ionisationsvorrichtung bzw. des erfindungsgemäßen Ionisationsverfahrens Identifikationen der zu untersuchenden Stoffe wahlweise oder kombiniert über die Photonenenergie und die Driftzeit möglich.
Die vorliegende Erfindung beschreibt eine kosteneffektive Ionisationstechnik, die auf einem Photo-Ionisations-Prozess basiert, der an Festkörperoberflächen auftritt. Die Ionisationsquellen, die auf diesem Detektionsprinzip basieren, können sowohl positive als auch negative Ionen erzeugen und können in der Form von miniaturisierten kostengünstigen MEMS-Vorrichtungen implementiert werden.
Die Erzeugung von positiven oder negativen Ionen kann durch die Verwendung des Festkörpermaterials, an der der Photoionisationsprozess stattfindet, und/oder durch Anlegung von entsprechenden positiven oder negativen Spannungen zwischen der Festkörperoberfläche, die als Elektrode eingesetzt wird, und einer Gegenelektrode gesteuert werden.
Vorzugsweise wird die Energie der erzeugten Photonen selektiv an die jeweils verwendeten Festkörpermaterialien und/oder an die zu untersuchenden Gase angepasst.
Bevorzugt weist die Erfindung eine Festkörperionisationsquelle auf, die vorzugsweise aus einem Metall oder einem Halbleitermaterial besteht, und weist weiter eine Lichtquelle zur Oberflächenbelichtung auf. Adsorbierte Moleküle werden durch photoneninduzierte Elektronentransferprozesse entweder positiv oder negativ geladen.
Ionisationsquellenmaterialen von besonderem Interesse für die Emission sowohl von positiven als auch negativen Ionen sind Edelmetalle. Besonders geeignet ist Platin, aber auch Palladium, Iridium, Gold oder andere Edelmetalle sind denkbar und möglich.
Für eine Elektronenemission oder die Bildung von negativen Ionen sind besonders interessante Quellenmaterialien n-dotierte Halbleitermaterialen mit breiten Bandlücken. Hauptsächlich interessant sind hier III-Nitride und Metalloxidmaterialien.
Für eine Erzeugung von positiven Ionen sind besonders interessante Quellenmaterialien p-dotierte Halbleiter mit breiten Bandlücken. Besonders interessant sind III-Nitride und Metalloxidmaterialen sowie p-Typ-Diamant.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung lässt sich die Ionisationsquelle, also die beleuchtbare Festkörperoberfläche – beispielsweise mittels einer Heizeinrichtung – erhitzen. Dadurch können elekrostatische Bindungen zwischen den adsorbierten Spezien und der kompensierenden Elektronenladungsverteilung in dem Quellenmaterial aufgebrochen werden. Dies kann besonders einfach und kostengünstig unter Verwendung MEMS-Mikroheizungen realisiert werden.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung kann das Ionisationsquellenmaterial eine Nano-Morphologie aufweisen oder mit Nanostrukturen ausgebildet werden. Beispielsweise ist die Festkörperoberfläche mit Nano-Drähten, Nano-Spitzen oder anderen Nano-Strukturen bedeckt. Die Nano-Morphologie und Nano-Strukturen haben den Effekt, dass sich an ihnen, wenn an der Oberfläche eine elektrische Spannung angelegt wird, ein starkes elektrisches Feld ausbildet. Durch die verstärkten lokalen elektrischen Felder an der Emitter-Oberfläche können die elektrostatischen Bindungen zwischen den geladenen adsorbierten Spezien und der kompensierenden Elektronenladungsverteilung in dem Quellenmaterial aufgebrochen werden.
Besonders bevorzugt wird die Ionisationsvorrichtung in Verbindung mit einer Ionenmobilitätsspektrometer-Driftröhre verwendet. Dadurch entsteht eine besonders kostenkünstige, kompakte und robuste Gasdetektionsvorrichtung auf der Basis der Ionenmobilitätsspektrometrie.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im Folgenden anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Darin zeigt:
1 eine schematische Darstellung einer Detektionsvorrichtung zur Detektion von Gasen oder Dämpfen mittels Ionenmobilitätsspektrometrie;
2 eine schematische Darstellung des Prinzips der photoinduzierten Elektronenemission an einer Festkörperoberfläche am Beispiel einer photoinduzierten Erzeugung von freien Elektroden an einer Platin-Elektrode bei Betrieb in Vakuum;
3 eine schematische Darstellung des Prinzips einer Negativ-Ionen-Drift und der Erzeugung von negativen Ionen im Anschluss an eine photoinduzierte Elektronenemission an einer Festkörperoberfläche am Beispiel einer Platinelektrode bei Betrieb in trockener Luft;
4 eine schematische Darstellung eines ersten Prinzips der Oberflächenionisation zur photoinduzierten Emission von positiven Ionen aus einer Festkörperoberfläche am Beispiel der Emission von positiven Ionen aus einer belichteten Platin-Elektrode;
5 eine schematische Darstellung eines zweiten Prinzips der Oberflächenionisation zur photoinduzierten Emission von positiven Ionen aus einer Festkörperoberfläche am Beispiel der Emission von positiven Ionen aus einer belichteten Platinelektrode;
6 eine schematische Darstellung des Prinzips der Emission positiver Ionen von schwach an einen Festkörper gebundenen (physikalisch adsorbierten) Adsorbaten, wobei die Festkörperionisationsenergie gegenüber der Vakuumionisationsenergie durch einen Betrag Φ_pt reduziert ist,
7 eine schematische Darstellung eines Prinzips zur Elektronenemission aus einem n-Typ-Halbleiter;
8 eine schematische Darstellung einer Oberflächenionisation an einer p-Typ-Halbleiteroberfläche;
9 einen schematischen Graph zum Vergleich unterschiedlicher Materialien für die Festkörperoberfläche;
10 eine Darstellung vergleichbar der von 9 für weitere Festkörpermaterialien;
11 eine Darstellung vergleichbar derjenigen von 9 oder 10 für weitere Festkörpermaterialien;
12 eine schematische Darstellung eines Prinzips der Oberflächenionisation an einem n-Typ-Halbleiter unter Verwendung von optisch induzierten freien Löchern in dem Valenzband;
13a eine schematische Darstellung einer negativen Ladungsverteilung in einem leitenden Substrat, die induziert wird, wenn ein positives Ion mit der Ladung q aus einer Oberfläche extrahiert wird;
13b eine schematische Darstellung der elektrostatischen Anziehung eines Analytgasiones durch eine äquivalente Bildladung, was zu der Anziehungskraft F führt;
14 Darstellungen eines MEMS-basierten Infrarot-Emitters, was die Möglichkeit des Mikroheizens demonstriert;
15 eine Darstellung einer Platin-Nanoemitter-Spitze auf der Oberfläche einer gedruckten Platinschicht; und
16 einen Graph zur Verdeutlichung der Verbesserung der Ionenemissionsströme durch eine kleine Anzahl von Nanoemitter-Spitzen.
In 1 ist eine insgesamt mit 12 bezeichnete Detektionsvorrichtung zur Detektion von Gasen oder Dämpfen dargestellt. Die Detektionsvorrichtung 12 weist als Hauptbestandteil ein Ionen-Mobilitätsspektrometer 14 mit einer Ionisationsvorrichtung 16 und einer IMS-Driftröhre 18 auf.
Die Ionisationsvorrichtung 16 dient zum Ionisieren von Molekülen 20 eines Probengases 22. Sie weist eine Ionisationskammer als Reaktionsraum 24 mit einem Einlass 26 für das Probengas 22 und einer Ionisationsquelle 28 sowie eine Beleuchtungseinrichtung 30 zum Beleuchten der Ionisationsquelle 28 auf.
In 1 sind zwei Beispiele für Ionisationsquellen 28 dargestellt. Die Ionisationsquelle 28 ist hauptsächlich gebildet durch eine erste Elektrode 31, 32 aus einem bestimmten Festkörpermaterial. Die ersten Elektroden 31, 32 sind in MEMS-Technik gefertigt und weisen eine durch die Beleuchtungseinrichtung 30 beleuchtbare Festkörperoberfläche 34 auf.
In 1 sind weiter zwei konkrete Ausführungsbeispiele für die Beleuchtungseinrichtung 30 angedeutet. Demnach kann die Beleuchtungseinrichtung 30 eine Weißlichtquelle oder eine LED 36 und/oder einen Laser 38 aufweisen. Der Laser 38 kann ein Single-Frequenz-Laser oder ein abstimmbarer Laser sein.
Im Übergang zwischen der IMS-Driftröhre 18 und dem Reaktionsraum 24 der Ionisationsvorrichtung 16 ist als Gegenelektrode 68 oder zweite Elektrode 40 ein Steuergitter 42 vorgesehen, das mit Öffnungen 44 zum Durchtritt der in der Ionsationsvorrichtung 16 erzeugten Ionen 45, 46, 47 versehen ist.
Die IMS-Driftröhre 18 ist an ihrem dem Steuergitter 42 entgegengesetzten Ende mit einem Durchlassgitter 48 versehen. Durch Anlegen einer Spannung zwischen dem Steuergitter 42 und dem Durchlassgitter 48 wird in der IMS-Driftröhre 18 ein vorzugsweise homogenes elektrisches Feld 50 erzeugt. Die Länge L der IMS-Driftröhre 18 bestimmt den Driftraum 52.
Die IMS-Driftröhre 18 ist weiter mit Driftringen 54 zum Steuern der Ionenbewegung und mit einer Sammelelektrode 56 am Ende des Driftraumes 52 versehen. Durch eine Öffnung 58 lässt sich Driftgas 60 zum Erzeugen eines Gegenstromes für die Ionen 45, 46, 47 in der IMS-Driftröhre 18 einleiten.
Die Sammelelektrode 56 ist über einen Verstärker 62 an eine Auswerteeinheit 64 angeschlossen, wo ein Mobilitätsspektrum 10 erzeugt werden kann. Hierzu wird der Ionenstrom, gemessen in Pikoampere, über die Zeit in Millisekunden aufgetragen. Über die unterschiedlichen Driftzeiten innerhalb des Driftgases 60 lässt sich die jeweilige Ion-Spezies 45, 46, 47 und damit der zu untersuchende Stoff des Probengases 22 identifizieren.
Zum Ionisieren in der Ionisationsvorrichtung 16 wird das Probengas 22 zu der Festkörperoberfläche 34 der Ionisationsquelle 28 geleitet. Beleuchtet man nun die Festkörperoberfläche 34 mittels der Beleuchtungseinrichtung 30, so werden die Moleküle 20 an der Festkörperoberfläche 34 durch photoinduzierten Elektronentransfer ionisiert.
Die dabei auftretenden physikalischen Vorgänge werden im Folgen näher erläutert.
In einem ersten Ausführungsbeispiel ist die erste Elektrode 31, 32 durch eine Platinelektrode 66 gebildet. Bei 2 wird der Einfachheit halber angenommen, dass diese Platinelektrode 66 einer ebenen Gegenelektrode 68 gegenüber liegt (in einer praktischen Ausgestaltung, wie sie in 1 dargestellt ist, könnte die Gegenelektrode 68 durch das Steuergitter 42 gebildet sein). Die Platinelektrode 66 wird nun mit sichtbaren Licht oder UV-Licht belichtet (in der praktischen Ausgestaltung, gemäß 1 geschieht dies durch die Beleuchtungseinrichtung 30). Die Festkörperoberfläche 34 an der Platinelektrode 66 bildet eine Emitteroberfläche 70. Je nach den elektrischen Spannungszuständen zwischen der Emitteroberfläche 70 und der Gegenelektrode 68 und der Verfügbarkeit von Analytgasen in dem Reaktionsraum 24 zwischen den beiden Elektroden 66, 68 kann die Bildung positiver oder negativer Ionen beobachtet werden.
Der einfachste Fall ist in 2 dargestellt. 2 zeigt eine Prinzipdarstellung einer photoinduzierten Elektronenemission aus der Platinelektrode 66 bei einem Betrieb in Vakuum. Hierbei wird ein Leitungselektron-Elektron 74 – innerhalb des Platin-Emitters-Platinelektrode 66 – auf eine Energie E größer als E_vac durch Licht 71 photoangeregt, wobei E_vac die Vakuumenergie, d. h. diejenige Energie, oberhalb der ein Elektron die Platin-Oberfläche-Festkörperoberfläche 34 – verlassen kann, darstellt. In dem Fall, dass der Reaktionsraum 24 zwischen der Platinelektrode 66 und der mit positiver Spannung belegten Gegenelektrode 68 evakuiert worden ist, findet eine Elektronenemission 72 aus der Platinelektrode 66 statt. Mit h⁺ ist das durch den Entzug des Elektrons 74 gebildete Loch bezeichnet.
3 stellt einen Fall dar, der näher an dem praktischen Ionenmobilitätsspektrometer-Betrieb liegt. 3 zeigt eine Prinzipdarstellung einer negativen Ionenbildung, die auf eine photoinduzierte Elektronenemission 72 aus einer Platinelektrode 66 bei einem Betrieb in trockener Luft folgt. In diesem Fall ist also der Reaktionsraum 24 zwischen der Emitteroberfläche 70 und der Gegenelektrode 68 mit trockener Luft befüllt. Beleuchtet man nun die Emitterelektrode – hier die Platinelektrode 66 – mit Licht 71 mit der gleichen Wellenlänge wie zuvor bei 2, werden Elektronen 74 von der Festkörperoberfläche 34 der Platinelektrode 66 emittiert. Bei dem in 3 gezeigten Betrieb werden jedoch die emittierten Elektronen 74 schnell durch O₂-Moleküle unter Bildung von O₂ ^–-Ionen gefangen. Anstelle eines Elektronenstroms wird man daher einen Strom von Reaktant-Ionen 76 beobachten.
Wenn nun Analyt-Moleküle A mit einer Elektronenaffinität E_ea, die größer als diejenige von O₂ (E_ea ~0,448 eV) ist, vorhanden sind, werden diese negative A^–-Ionen durch Ladungstransfer von O₂ ^–-Ionen bilden. Es ist somit ein Strom von Analyt-Ionen 78 zu beobachten. Analyt-Gasmoleküle, die diese Bedingung erfüllen, sind explosive Materialien und andere Moleküle, die Atome und funktionelle Gruppen mit einer hohen Elektronenaffinität enthalten.
In dem Fall, dass die Gegenelektrode 68 als ein Maschengitter aufgebaut ist, wie dies bei dem Steuergitter 42 der Fall ist, können die negativen Reaktant-Ionen 76 und Analyt-Ionen 78 in die IMS-Driftröhre 18 injiziert werden und bezüglich ihrer Driftgeschwindigkeit und ihrer reduzierten Mobilität K₀ ähnlich wie im Fall eines radioaktiven Spektrometers analysiert werden. Ein wesentlicher Unterschied hierzu ist jedoch, dass bei dem Ionisationsprozess Radioaktivität streng vermieden wird.
Mit der selben Anordnung wie in den 2 und 3 und in 1 dargestellt, jedoch mit einer negativ geladenen Gegenelektrode 68 kann auch positive Ionenemission beobachtet werden. Hier bestehen im Prinzip zwei Möglichkeiten, die im Folgenden anhand der 4 und 5 näher erläutert werden.
Sowohl 4 als auch 5 zeigen das Prinzip einer positiven Ionenemission aus einer belichteten Platin-Elektrode. Allgemeiner zeigen beide das Prinzip der photoinduzierten Oberflächenionisation.
In 4 wird ein Elektron 74 eines Moleküls M des Probengases 22 aus dem höchsten besetzten molekularen Orbital (HOMO) auf eine Energie oberhalb der Fermi-Energie der Platinelektrode 66 mittels Licht 71 photoangeregt. Durch Ladungstransfer des photoangeregten Elektrons 74 auf das Ferminiveau des Metalls wird ein positives Ion M⁺ gebildet, das von der Metalloberfläche – Festkörperoberfläche 34 – durch das elektrische Feld abgezogen werden kann, welches durch die negativ geladene Gegenelektrode 68 erzeugt wird.
Mögliche Lichtquellen für den in 4 dargestellten Vorgang sind unterschiedliche Typen von Weißlichtquellen, LEDs 36 oder Single-Frequenz Laser 38.
Die Bildung positiver Ionen kann auch unter den in 5 illustrierten Bedingungen beobachtet werden. In dem in 5 dargestellten Fall wird ein an der Festkörperoberfläche 34 adsorbiertes Molekül M aus dem Grundzustand in einen angeregten Zustand (bei M*) mittels Licht 71 photoangeregt, der energetisch höher als die Fermi-Energie der Platinelektrode 66 liegt. Das angeregte Elektron 74 kann dann auf die Fermi-Energie des Metalls unter Bildung eines positiven Ions M⁺ übergehen. Dieses positive Ion M⁺ kann von der Platinelektrode 66 durch die negativ geladene Gegenelektrode 68 extrahiert werden.
Während in dem in 4 dargestellten ersten Prozess zur Erzeugung positiver Ionen die Anregungs-Photonen-Energie einfach nur groß genug sein muss, um ein Valenzelektron aus dem HOMO-Niveau auf die Fermi-Energie in dem Metall zu heben, muss die Anregungs-Photonen-Energie in dem in 5 dargestellten zweiten Fall zur Erzeugung positiver Ionen zur Energiedifferenz zwischen dem molekül-spezifischen HOMO-Niveau und dem molekül-spezifischen LUMO-Niveau passen, wobei mit LUMO das niedrigste unbesetzte molekulare Orbital (Englisch: lowest unoccupied molecular orbital) gemeint ist. Das Anregungslicht 71 für den in 5 dargestellten zweiten Fall sollte daher aus einer monochromatischen Lichtquelle vorzugsweise einer abstimmbaren Laserquelle, stammen. Beispielsweise kann der Laser 38 wie in 1 dargestellt angeordnet sein.
Wiederum können in einem Fall, in dem die Gegenelektrode 68 mit Öffnungen 44 für die Ionen versehen ist, die positiven Ionen M⁺ in die IMS-Driftröhre 18 injiziert werden. Beispielsweise ist die Gegenelektrode 68 durch das Steuergitter 42 der 1 gebildet oder in sonstiger Form gitter- oder maschenähnlich ausgebildet. In der IMS-Driftröhre 18 können die positiven Ionen M⁺ bezüglich ihrer Driftgeschwindigkeit bzw. ihrer reduzierten Mobilität K₀ analysiert werden.
Im Folgenden werden mögliche Materialien für die erste Elektrode 31, 32 sowie die daran ausgebildete Festkörperoberfläche 34 näher diskutiert. In den Beispielen gemäß den 2 bis 5 ist hierzu Platin eingesetzt.
Betrachtet man die Elektronenemission 72 gemäß dem Prozess in 2, so wären Metalle mit einer niedrigeren Austrittsarbeit Φ interessant, da dies die minimale Photonenergie reduzieren würden, die zur Anhebung eines Leitungselektrons ins Vakuumniveau notwendig ist. Es gibt eine kleine Anzahl von Edelmetallen, die niedrigere Austrittsarbeiten als Platin haben. Der Bereich von auf diese Weise zugänglichen Austrittsarbeiten ist jedoch recht begrenzt. Weniger edle Metalle tendieren dazu, bei einem Betrieb an Luft zu oxidieren und besitzen daher typischerweise n-Typ Halbleiter-Oberflächen mit tiefliegenden Leitungsbändern.
Betrachtet man die positive Ionenemission gemäß dem in 5 dargestellten Prozess, kann eine erste Abschätzung der benötigten Photonenergien durch Berücksichtigung der Vakuum-Ionisationsenergien von möglichen Analyt-Molekülen und der Position der Fermi-Energie E_F,Pt der ersten Elektrode 31, 32 mit der Festkörperoberfläche 34 erhalten werden.
In 6 ist die positive Ionenemission von schwach gebundenen Adsorbaten für unterschiedliche zu untersuchende Stoffe am Beispiel von Platin als Material für die erste Elektrode 31, 32 dargestellt. Die Adsorbate sind z. B. nur physikalisch adsorbiert (Physisorption). Allgemein wird bei den adsorbierten Molekülen die Festkörper-Ionisationsenergie relativ zu der Vakuum-Ionisationsenergie durch einen Betrag vermindert, welcher der Austrittsarbeit Φ des Festkörpermaterials der ersten Elektrode 31, 32 entspricht.
Die Daten von 6 zeigen, dass sichtbares Licht (E_ph < 3,1 eV) ausreichend sein kann, um Elektronen von dem HOMO-Niveau der Analyte auf die Fermi-Energie von Platin anzuheben. Für geringer reaktive Moleküle mit entsprechend höheren Ionisationsenergien wären Metalle mit höherer Austrittsarbeit vorteilhaft. Dies ist jedoch zur Zeit nicht möglich, da Platin die höchste Austrittsarbeit aller derzeit be kannten Metalle hat. Jedoch können p-Typ-Halbleiter mit niedrig liegenden Valenzbändern bessere Materialien für die Oberflächenionisation bilden.
Elektronen- und Ionenemission von Halbleiteroberflächen:
Berücksichtigt man die Tatsache, dass die meisten Metalle an Luft oxidieren und auf diese Weise Halbleiteroberflächen bilden, sollten die Prozesse der Elektronenemission aus einer n-Typ Halbleiteroberfläche (illustriert in 7) und der Oberflächenionisation an einer p-Typ-Halbleiteroberfläche (illustriert in 8) beoachtet werden.
In 7 ist der n-Typ-Halbleiter 80 mit Bandlücke 82, Leitungsband 84, der Fermi-Energie E_F, der Vakuumenergie E_vac und dem Valenzband 86 dargestellt. Mit χ_s ist die Energiedifferenz zwischen der Bandlücke 82 und der Vakuumenergie E_vac angedeutet. In 8 ist der p-Typ-Halbleiter 88 ebenfalls mit Bandlücke 82, Valenzband 86 und den Energieniveaus E_vac und E_F dargestellt. χ_s bezeichnet den Energieabstand von der Bandkante des Leitungsbandes 84 zur Vakuumenergie E_vac. Weiter ist die Austrittsarbeit Φ_Mol für das zu ionisierende Molekül vergleichbar wie in 4 angedeutet.
Von der Darstellung in 7 ist ersichtlich, dass eine Elektronenemission 72 bei n-Typ-Halbleitern 80 mit hochliegenden Leitungsbändern 84 erleichtert ist. Aus 8 ist ersichtlich, dass eine Oberflächenionisation und damit Erzeugung von positiven Ionen unter Verwendung von p-Typ-Halbleitern 88 mit besonders niedrig liegenden Valenzbändern 86 erleichtert ist.
Anhand dieser in 7 und 8 angedeuteten Erkenntnisse werden im Folgenden besonders geeignete Materialien für die Elektronenemission und die Oberflächenionisation näher erläutert.
In der Welt der Halbleiter ist kristallines Silizium (Si) das Referenzmaterial. Silizium ist ein elementarer Halbleiter mit einer Bandlücke E_g ~1,1 eV. In den 9, 10 und 11 sind die Bandlücken unterschiedlicher Halbleitermaterialien im Vergleich zur Austrittsarbeit Φ_pt von Platin nebeneinander gestellt. Bei dem Energieniveau 0 ist jeweils die Vakuumenergie E_vac angesiedelt.
9 zeigt, wie die Silizium-Bandlücke relativ zu der Vakuumenergie E_vac und der Platin-Austrittsarbeit Φ_pt positioniert ist. Für eine Elektronenemission ist das Leitungsband von Silizium relativ tief, und für eine Oberflächenionisation ist das Valenzbandmaximum oberhalb der Austrittsarbeit Φ_pt. Bulk-Si erscheint daher nicht besonders attraktiv als Festkörperoberfläche 34 und zwar weder als Elektronenemitter noch als Oberflächenionisationsquelle.
In 9 sind die Positionen der Bandkanten bei Gruppe–IV–Elementarhalbleitern in Bezug auf E_vac und der Platin-Austrittsarbeit Φ_pt dargestellt. Zum Vergleich sind die Bandkanten von SiO₂ und von Si₃N₄, d. h. von zwei der am häufigsten in der Siliziumtechnologie verwendeten Isolatormaterialien gezeigt.
Wie aus dem Vergleich ersichtlich treffen die selben Argumente wie für Silizium auch auf Germanium (Ge) zu. Andererseits scheint kubisches SiC (3C-SiC) etwas attraktiver zur Verwendung als Oberflächenionenemitter zu sein. Andererseits sind sowohl Silizium als auch 3C-SiC unter Berücksichtigung des Umstandes problematisch, dass beide ein isolierendes Oxid (SiO₂) an ihren Oberflächen bilden.
p-Typ-Diamant ist dagegen als Oberflächenionisationsquelle gut verwendbar. Ein mögliches Problem kann sein, dass Diamant in CO₂ zerfällt, wenn er bei heißer Temperatur an Luft betrieben wird.
Ein n-Typ-Diamant könnte als Elektronenemitter sehr nützlich sein. Bisher ist das n-dotieren von Diamant jedoch noch nicht erfolgreich durchgeführt worden.
10 zeigt die Positionen der Bandkanten in III-V-Halbleitermaterialien in bezug auf E_vac und der Austrittsarbeit von Platin Φ_pt. Aufgrund seiner riesigen Bandlücke und seines hochliegenden Leitungsbandes erscheint AIN der am besten geeignete Kandidat unter den III-V-Materialien sowohl für die Elektronenemission als auch für die Oberflächenionisation zu sein. Derzeit ist eine Verwendung von AIN zur Oberflächenionisation schwierig, da bisher dieses Material noch nicht p-dotiert werden konnte. Jedoch ist eine n-Dotierung von AIN, beispielsweise mittels Silizium, möglich, was dieses Material sehr attraktiv als Elektronenemitter macht. Es erscheint möglich, dass mit diesem Material Elektronenemission bei Photonenenergien erzeugt werden kann, die nur 1,3 eV betragen. Daher können einfache Beleuchtungseinrichtungen eingesetzt werden. GaAs-basierte LEDs und Laser sollten bereits ausreichend sein. Ein potentieller Störfaktor könnte sein, dass AIN leicht eine Isolierschicht (Al₂O₃) an seiner Oberfläche bildet, wenn es der Umgebungsluft ausgesetzt wird.
11 zeigt die Position der Bandkanten in einer Reihe von Metalloxidmaterialien in Relation zu E_vac und der Austrittsarbeit von Platin Φ_pt. Alle gezeigten Metalloxid-Halbleiter weisen ähnlich zu III-Nitrid-Materialien, SiC und Diamant große Bandlücken auf.
Ein großer Vorteil bei der Verwendung von Metalloxiden bei der Elektronenemission und bei der Oberflächenionisation unter Umgebungsluftbedingungen ist, dass die Metalloxide – als Oxide – keiner weiteren Oxidation mehr unterworfen werden können. Als isolierendes Oxid erscheint Al₂O₃ ungeeignet, obwohl es von den Positionen seiner Valenzbandkante und seiner Leitungsbandkante her hoch attraktiv sowohl für die Elektronenemission als auch für die Oberflächenionisation wäre.
Die meisten anderen Metalloxid-Materialien sind von ihrer Natur her n-artig (Sn₃, BaTiO₃) und daher insbesondere als Elektronenemitter geeignet. Minimale Anregungs-Photonenenergien würden bei etwa 3–5 eV liegen.
Einige wenige Oxide sind von ihrer Natur her p-artig. Zu diesen gehören insbesondere NiO, Cr₂O₃, Chrom-Titan-Oxid (CTO) Mn₂O₃, Bi₂Sn₂O₇. Diese Materialien sind insbesondere als Oberflächenionenemitter geeignet.
In 12 ist schematisch dargestellt wie auch mit n-Typ-Halbleitermaterialien ähnlich wie mit Pt in 4 eine Oberflächenionisation und eine Erzeugung positiver Ionen durchgeführt werden könnte. Dabei sind die gleichen Bezugszeichen wie in 7 verwendet. Durch eine induzierte Photonenergie hν lassen sich freie Löcher in dem Valenzband 86 erzeugen, welche dann zur Ionisation der adsorbierten Moleküle verwendbar sind.
Im Folgenden werden nun Techniken erläutert, wie die schwach gebundenen Ionen von der Festkörperoberfläche 34 leicht gelöst werden können.
Zunächst wird anhand der 13a und 13b ein allgemeines Merkmal sowohl bei der Elektronenemission als auch bei der Ionenemission näher erläutert. 13a zeigt eine negative Ladungsverteilung 90 innerhalb eines leitenden Substrats 92, die während der Extraktion eines positiven Ions mit der Ladung +q aus der Festkörperoberfläche 34 induziert wird. 13b stellt die elektrostatische Anziehungskraft F in Abhängigkeit von der Ladung q und dem Abstand d der Ladung +q von der Festkörperoberfläche 34 anhand einer entsprechenden Spiegelbildladung –q dar. Wie dargestellt tendieren sowohl bei der Elektronenemission als auch bei der Ionenemission die Ladungen +q, –q, die den Festkörper verlassen, dazu, eine gleich große und entgegengesetzte Spiegelbildladung unterhalb der Festkörper oberfläche 34 zu induzieren. Dies gilt sowohl für Metalle als auch für Halbleitermaterialien.
Das Aufbrechen dieser elektrostatischen Bindung mit der Anziehungskraft F ~q²/(2d)² benötigt Energie, die durch irgendwelche Einrichtungen bereit gestellt werden muss. Um diese Energie zum Brechen der elektrostatischen Bindung aufzubringen, gibt es wenigstens drei Prozesse, die alternativ oder kumuliert angewendet werden können:

– thermische Energie,
– das Erzeugen hoher elektrischer Felder und/oder
– Photonenanregung.

Thermische Energie kann durch eine Heizeinrichtung 96 erzielt werden. Hierzu wird das elektronenemittierende Material und/oder das innenemittierende Material auf eine keramische Heizeinrichtung oder eine MEMS-Silizium-Heizeinrichtung aufgebracht. Solche Silizium-Heizeinrichtungen sind beispielsweise aus

[8] J. Spannhake, A. Helwig, G. Müller, G. Faglia, G. Sberveglieri, T. Doll, T. Wassner and M. Eickhoff, „SnO2:Sb – A new material for high-temperature MEMS heater applications: Performance and limitations", Sensors and Actuators B124, (2007), 421–428

Ein Beispiel ist in 14 gezeigt, wo ein MEMS-Infrarotemitter 94 mit einer elektrischen Energieleistung in der Größenordnung von 1 Watt auf Temperaturen in der Nähe von 1000°C erhitzt worden ist.
14 zeigt den mit Mikrosystemtechnik hergestellten MEMS-Infrarotemitter 94 zur Darstellung der Möglichkeit des Mikroheizens. Durch Oberflächenbeschichtung mit einem der oben erläuterten für Elektronenemission oder Ionenemission geeigneten Materialien lässt sich die erste Elektrode 30, 31 zusammen mit einer Heizeinrichtung 96 aufbauen.
Ein zweiter und höchst effizienter Weg zum Aufbrechen der elektrostatischen Bindung lässt sich durch Ausbilden von elektrischen Leitungsspitzen und Kanten insbesondere mit Nanometer-Dimensionen erreichen. Beispielsweise werden Platin-Nanoemitter-Spitzen 98 wie in 15 gezeigt an der Platinelektrode 66 ausgebildet. Für nähere Einzelheiten wird auf das von dem Bundesministerium für Bildung und Forschung unterstützte Projekt „NACHOS” von A. Krenkow verwiesen. An den scharfen Ecken und Kanten und insbesondere an Spitzen im Nanometerbereich bilden sich sehr hohe elektrische Felder aus, die zum Aufbrechen der elektrostatischen Bindungen benutzbar sind.
16 zeigt demgemäß Ionenströme, die von Platin-Festkörperoberflächen mit Nano-Emitter-Spitzen 98 (Kurve 100) und ohne Nano-Emitter-Spitzen (Kurve 102) gemessen worden sind. Es ist eine deutliche Verbesserung der Ionenströme durch bereits eine kleine Anzahl von Nano-Emitter-Spitzen 98 erzielbar. Der erste Peak 104 zeigt eine Messung mit Ethin und der zweite Peak mit H₂ an.
Bei der dritten Möglichkeit zum Aufbrechen der elektrostatischen Bindungen werden die adsorbierten Ionen mittels Photonenenergie herausgelöst, beispielsweise unter Verwendung von Laserlicht oder LED-Licht. Bei dieser Möglichkeit ist die Beleuchtungseinrichtung 30 von 1 entsprechend ausgestaltet.

10: Mobilitätsspektrum
12: Detektionsvorrichtung
14: Ionen-Mobilitäts-Spektrometer
16: Ionisationsvorrichtung
18: IMS-Driftröhre
20: Moleküle
22: Probengas
24: Reaktionsraum
26: Einlass
28: Ionisationsquelle
30: Beleuchtungseinrichtung
31: erste Elektrode
32: erste Elektrode
34: Festkörperoberfläche
36: LED
38: Laser
40: zweite Elektrode
42: Steuergitter
44: Öffnungen
45: Ionen
46: Ionen
47: Ionen
48: Durchlassgitter
50: elektrisches Feld
52: Driftraum
54: Driftringe
56: Sammelektrode
58: Öffnung für Driftgas
60: Driftgas
62: Verstärker
64: Auswerteeinheit
66: Platinelektrode
68: Gegenelektrode
70: Emitteroberfläche
71: Licht
72: Elektronenemission
74: Elektron
76: Strom von Reaktant-Ionen
78: Strom von Analyt-Ionen
80: n-Typ-Halbleiter
82: Bandlücke
84: Leitungsband
86: Valenzband
88: p-Typ-Halbleiter
90: Ladungsverteilung
92: leitendes Substrat
94: MEMS-Infrarot-Emitter
96: Heizeinrichtung
98: Nanoemitter-Spitzen
100: Ionen-Emissionsstrom aus Pt-Oberfläche mit Nanoemitter-Spitzen
102: Ionen-Emissionsstrom aus Pt-Oberfläche ohne Nanoemitter-Spitzen
104: erster Peak
106: zweiter Peak
L: Driftlänge

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

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- J. Spannhake, A. Helwig, G. Müller, G. Faglia, G. Sberveglieri, T. Doll, T. Wassner and M. Eickhoff, „SnO2:Sb – A new material for high-temperature MEMS heater applications: Performance and limitations”, Sensors and Actuators B124, (2007), 421–428 [0096]

Claims

Ionisationsverfahren zur Ionisierung von zu untersuchenden gasförmigen oder dampfförmigen Stoffen (22), gekennzeichnet durch Leiten des zu untersuchenden Stoffes (22) zu einer Festkörperoberfläche (34) und Beleuchten der Festkörperoberfläche (34) zum Ionisieren von Molekülen des zu untersuchenden Stoffes durch photoinduzierten Elektronentransfer.
Ionisationsverfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Anlegen einer gegenüber dem elektrischen Potential an der Festkörperoberfläche (34) positiven elektrischen Spannung an einer Gegenelektrode (68), um negative Ionen zu erzeugen.
Ionisationsverfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtung und die Spannung derart ausgewählt werden, dass Elektronen (74) aus der Festköperoberfläche (34) emittiert werden, um mit den emittierten Elektronen (74) Ionen (76, 78) zu erzeugen.
Ionisationsverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass mit den emittierten Elektronen (74) Sauerstoffionen aus Sauerstoffmolekülen aus der Atmosphäre erzeugt werden und mit den Sauerstoffionen Moleküle eines zu untersuchenden Stoffes ionisiert werden, die eine größere Elektronenaffinität als Sauerstoffmoleküle haben.
Ionisationsverfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Anlegen einer gegenüber dem elektrischen Potential an der Festkörperoberfläche (34) negativen elektrischen Spannung an einer Gegenelektrode (68), um positive Ionen (45, 46, 47) zu erzeugen.
Ionisationsverfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Festkörperoberfläche (34) derart beleuchtet wird, dass Elektronen (74) von an der Festkörperoberfläche (34) adsorbierten Molekülen des zu untersuchenden Stoffes von ihrem Grundzustand auf eine Energie angeregt werden, die größer als die Fermi-Energie des Festkörpermaterials an der Festkörperoberfläche (34) ist.
Ionisationsverfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Festkörperoberfläche (34) eine Metalloberfläche oder eine Edelmetalloberfläche, insbesondere ausgewählt aus einer Gruppe von Edelmetallen, die Platin, Palladium, Iridium und Gold enthält, verwendet wird.
Ionisationsverfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Festkörperoberfläche (34) eine Oberfläche aus n-dotierten Halbleitermaterial mit einer Bandlücke größer als etwa 1,5 eV, insbesondere ausgewählt aus einer Gruppe, die III-Nitride und Metalloxidmaterialen enthält, verwendet wird.
Ionisationsverfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Festkörperoberfläche (34) eine Oberfläche aus p-dotierten Halbleitermaterial mit einer Bandlücke größer als etwa 1,5 eV, insbesondere ausgewählt aus einer Gruppe, die III-Nitride, Metalloxidmaterialien und p-dotiertes Diamantmaterial enthält, verwendet wird.
Ionisationsverfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Festkörperoberfläche (34) beheizt wird.
Ionisationsverfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Festkörperoberfläche (34) eine Oberfläche mit Nanomorphologie und/oder mit Nanostrukturen, insbesondere mit Nanodrähten, Nanogittern, Nanorippen und/oder Nanospitzen (98), verwendet wird.
Detektionsverfahren zur Detektion und/oder Identifikation von Gasen und/oder Dämpfen mittels Ionen-Mobilitätsspektrometrie, gekennzeichnet durch Ionisation der zu untersuchenden Stoffe (22) mittels eines Ionisationsverfahrens nach einem der voranstehenden Ansprüche.
Detektionsverfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch Identifikation der zu untersuchenden Stoffe (22) anhand der Photonenergie und/oder anhand einer Driftzeit der ionisierten Stoffe durch einen Driftraum (52) mit einem die Ionen (45, 46, 47) beeinflussenden Feld (50).
Ionisationsvorrichtung zur Ionisation von zu untersuchenden gasförmigen Stoffen mit einem Reaktionsraum (24), in den der zu untersuchende Stoff (22) geleitet werden kann, wobei der Reaktionsraum (24) eine erste Elektrode (31, 32) mit einer Festkörperoberfläche (34) enthält, die dem zu untersuchenden Stoff (22) unmittelbar ausgesetzt ist und wobei eine Beleuchtungseinrichtung (30) vorgesehen ist zur Beleuchtung der Festkörperoberfläche (34) und zur Ionisierung von Molekülen des zu untersuchenden Stoffes durch photoinduzierten Elektronentransfer an der Festkörperoberfläche (34).
Ionisationsvorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Elektrode (40) vorgesehen ist, an die relativ zur ersten Elektrode (31, 32) mit der Festkörperoberfläche (34) eine positive oder negative Spannung anlegbar ist.
Ionisationsvorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode (40) mit Öffnungen (44) zum Durchtritt der Ionen (45, 46, 47) versehen ist.
Ionsationsvorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Festkörperoberfläche (34) gebildet ist aus einem Material, das ausgewählt ist aus einer Gruppe, die • Metalle, • Edelmetalle, insbesondere Pt, Pd, Ir und Au, • n-dotierte Halbleitermaterialien mit einer Bandlücke größer als etwa 1,5 eV, insbesondere III-Nitride und Metalloxidmaterialien, und • p-dotierte Halbleitermaterialien mit einer Bandlücke größer als etwa 1,5 eV, insbesondere III-Nitride, Metalloxidmaterialien und p-Typ-Diamant, enthält.
Ionisationsvorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode (31, 32) und/oder deren belichtbare Festkörperoberfläche (34) und/oder die Ionisationsvorrichtung (16) in MEMS-Technik ausgebildet ist.
Ionisationsvorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Festkörperoberfläche (34) eine Nanostrukturierung und/oder Nanomorphologie aufweist.
Ionisationsvorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 19, gekennzeichnet durch eine Heizeinrichtung (96) zum Heizen der ersten Elektrode (31, 32) und/oder deren belichtbare Festkörperoberfläche (34).
Ionisationsvorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (30) eine Lichtquelle aufweist, die ausgewählt ist aus einer Gruppe, die Weißlichtquellen, LED's (36), GaAs-LEDs, Laser (38), Single-Frequenz-Laser und abstimmbare Laser umfasst.
Detektionsvorrichtung (12) zur Detektion von Gasen oder Dämpfen, mit einem Ionen-Mobilitäts-Spektrometer (14), dadurch gekennzeichnet, dass das Ionen-Mobilitäts-Spektrometer (14) eine Ionisationsvorrichtung (16) nach einem der Ansprüche 14 bis 21 aufweist.