Die
Erfindung betrifft einer Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung
und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein
in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld. Ferner betrifft die Erfindung eine
Beleuchtungsoptik mit einer so eingestellten Beleuchtungswinkel-
und Intensitätsverteilung,
eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik,
ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauelements mit
einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein so hergestelltes
strukturiertes Bauelement.The
The invention relates to a method for adjusting an illumination angle distribution
and at the same time an intensity distribution over a
Object field to be imaged in an image field. Furthermore, the invention relates to a
Illumination optics with an illumination angle set in this way
and intensity distribution,
a projection exposure apparatus with such an illumination optics,
a method for producing a structured component with
Such a projection exposure system and a so produced
structured component.
Insbesondere
für Abbildungsanforderungen
bei der Herstellung von mikro- bzw.
nanostrukturierten Bauelementen ist es erforderlich, ein abzubildendes
Objektfeld hinsichtlich seiner Beleuchtungswinkel- und Intensitätsverteilung
exakt definiert auszuleuchten. Bei bekannten Beleuchtungssystemen
gibt es oftmals das Problem, dass am Rand des auszuleuchtenden Objektfeldes
andere Beleuchtungsbedingungen hinsichtlich der Beleuchtungswinkel
und/oder hinsichtlich der Beleuchtungsintensitäten vorliegen als in der Feldmitte.Especially
for imaging requirements
in the production of micro- or
nanostructured devices it is necessary to be imaged
Object field with respect to its illumination angle and intensity distribution
to illuminate exactly defined. In known lighting systems
There is often the problem that at the edge of the object field to be illuminated
other lighting conditions with respect to the illumination angle
and / or in terms of illumination intensities than in the field center.
Aus
der WO 2006/125617
A2 ist ein Verfahren zur Verbesserung von Abbildungseigenschaften
von Projektionsobjektiven bekannt.From the WO 2006/125617 A2 For example, a method of improving imaging properties of projection lenses is known.
DE 10 2004 035 595
A1 beschreibt ein Verfahren zur Justage von Projektionsobjektiven. DE 10 2004 035 595 A1 describes a method for adjusting projection lenses.
Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren der eingangs
genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Kompensationsmöglichkeit
für derartige
Feldrandeffekte geschaffen ist.It
It is an object of the present invention to provide a method of the beginning
so-called type such that a compensation option
for such
Field edge effects is created.
Diese
Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch
ein Verfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.These
The object is achieved by
a method having the features specified in claim 1.
Es
hat sich überraschend
herausgestellt, dass die Vorgabe einer Soll-Phasenabweichung mit dreizähliger Symmetrie
und nachfolgender Optimierung der Beleuchtungsoptik zur Erfüllung dieser
Vorgabe eine Feldabhängigkeit
von die Beleuchtungswinkel und/oder die Beleuchtungsintensitäten beschreibenden
Beleuchtungsparametern zur Folge hat. Mit vorgegebener Soll-Phasenabweichung ändern sich
diese Beleuchtungsparameter, ausgehend von der Feldmitte, zum Rand
hin definiert. Die Art der Änderung
der Beleuchtungsparameter, beispielsweise der Elliptizität oder der
Uniformität, über das
ausgeleuchtete Feld kann über
die absolute Größe und den
Feldverlauf der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung fein beeinflusst
werden. Auf diese Weise ist es möglich,
Beleuchtungs-Feldrandeffekte, die beispielsweise durch Beschichtungen
der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik erzeugt werden,
zu kompensieren. Eine derartige Kompensation ist besonders dann
von Vorteil, wenn es auf höchste
Abbildungspräzision
ankommt und/oder wenn derartige feldrandseitige Schichteffekte unvermeidlich
sind. Anwendungsbeispiele für
das erfindungsgemäße Einstellungsverfahren
sind Optiken für
die Mikrolithographie mit einer Nutzlichtwellenlänge im DUV oder im EUV. Für bestimmte
Anwendungen reicht es aus, die Form einer einzigen optischen Fläche der
Beleuchtungsoptik zu variieren, um innerhalb vorgegebener Grenzen
die Soll-Phasenabweichung zu erreichen. Je nach dem Design der Beleuchtungsoptik
und je nach der geforderten Genauigkeit, mit der die Soll-Phasenabweichung
erreicht werden soll, können
auch mehrere optische Flächen
oder sogar alle optischen Flächen
hinsichtlich ihrer Form und hinsichtlich ihres Abstandes zueinander
variiert werden. Dabei kann eine Auswahl der optischen Flächen hinsichtlich
der Wirkung einer Formänderung
von diesen auf die Phase der Wellenfront erfolgen. Die erfindungsgemäße dreizählige Soll-Phasenabweichung
kann insbesondere zur Kompensation der Beleuchtungsparameter Elliptizität und Uniformität bei be stimmten
Beleuchtungssettings verwendet werden. Beispiele derartiger Beleuchtungssettings
sind ein annulares Beleuchtungssetting, ein X-Dipol-Beleuchtungssetting,
ein Y-Dipol-Beleuchtungssetting sowie ein C-Quad-Setting. Ein C-Quad-Setting ist eine
Beleuchtung aus Richtung von vier Teilring-Bereichen, die in Umfangsrichtung
um ein Zentrum einer Pupille jeweils mit einer Umfangserstreckung
von 30° gleich
verteilt im gleichen Abstand um dieses Zentrum angeordnet sind.
Ein C-Quad-Setting ist mit einer Überlagerung eines X-Dipol-Beleuchtungssettings
und eines Y-Dipol-Beleuchtungssettings
vergleichbar. Das X-Dipol-Beleuchtungssetting,
das Y-Dipol-Beleuchtungssetting sowie das C-Quad-Setting stellen Beispiele einer mehrpoligen
Beleuchtung des Objektfeldes dar. Die erfindungsgemäß dreizählige Soll-Phasenabweichung
kann so vorgegeben werden, dass die Beleuchtungsparameter Telezentrie
oder auch, bei mehrpoliger Beleuchtung, das Intensitätsverhältnis zwischen
den einzelnen Polen, unbeeinflusst bleiben. Da auch eine einem Objektfeld
nachfolgende Optik, beispielsweise ein Projektionsoptik, Beleuchtungsparameter wie
beispielsweise die Elliptizität
oder die Telezentrie beeinflussen kann, kann die Beleuchtungswinkelverteilung
auch so eingestellt werden, dass über die vorgegebene Phasenabweichung
ein Vorhalt für
das Gesamtsystem aus der Beleuchtungsoptik vor dem Objektfeld und
einer nachgeschalteten Optik, beispielsweise einer Projektionsoptik,
geschaffen ist.It
has been surprising
found that the specification of a nominal phase deviation with threefold symmetry
and subsequent optimization of the illumination optics to fulfill this
Specification a field dependency
of the illumination angles and / or the illumination intensities descriptive
Lighting parameters result. With a given target phase deviation change
these lighting parameters, starting from the center of the field, to the edge
down defined. The nature of the change
the illumination parameter, for example the ellipticity or the
Uniformity, about that
lit field can over
the absolute size and the
Field course of the predetermined target phase deviation finely influenced
become. In this way it is possible
Illumination field edge effects caused by coatings, for example
the optical components of the illumination optics are generated,
to compensate. Such compensation is especially then
beneficial if it is at highest
Figure precision
arrives and / or if such field edge side layer effects inevitable
are. Application examples for
the adjustment method according to the invention
are optics for
Microlithography with a useful light wavelength in DUV or in EUV. For certain
Applications, it is sufficient to take the form of a single optical surface of the
Illumination optics vary within given limits
to achieve the desired phase deviation. Depending on the design of the illumination optics
and depending on the required accuracy with which the desired phase deviation
can be achieved
also several optical surfaces
or even all optical surfaces
in terms of their shape and their distance from each other
be varied. In this case, a selection of the optical surfaces in terms
the effect of a change in shape
from these to the phase of the wavefront. The threefold desired phase deviation according to the invention
can in particular to compensate for the lighting parameters ellipticity and uniformity in certain Be
Lighting settings are used. Examples of such lighting settings
are an annular lighting setting, an x-dipole lighting setting,
a Y-dipole illumination setting and a C-quad setting. A C-quad setting is one
Illumination from the direction of four partial ring areas, which are in the circumferential direction
around a center of a pupil, each with a circumferential extent
equal to 30 °
distributed equidistantly around this center.
A C-quad setting is with an overlay of an X-dipole illumination setting
and a Y-dipole illumination setting
comparable. The X-dipole illumination setting,
the Y-dipole illumination setting as well as the C-quad setting provide examples of a multipolar
Illumination of the object field. The invention threefold target phase deviation
can be specified so that the lighting parameters telecentric
or also, with multi-pole lighting, the intensity ratio between
the individual Poles, unaffected. As well as an object field
Subsequent optics, such as a projection optics, lighting parameters such as
for example, the ellipticity
or the telecentricity can affect the illumination angle distribution
also be set so that over the predetermined phase deviation
a lead for
the whole system from the illumination optics in front of the object field and
a downstream optics, such as a projection optics,
is created.
Eine
Vorgabe nach Anspruch 2 erlaubt eine exakte Kontrolle der Soll-Phasenabweichung über das
gesamte Feld. Die Feldhöhe
ist dabei diejenige Feldkoordinate, längs der keine Verlagerung eines
abzubildenden Objektes im Zuge der Abbildung von diesem stattfindet.A
Default according to claim 2 allows an exact control of the desired phase deviation over the
entire field. The field height
is the field coordinate along which no displacement of a
to be imaged object in the course of the picture of this takes place.
Eine
Vorgabe nach Anspruch 3 reduziert den mit dem Einstellverfahren
verbundenen Rechenaufwand. Es reicht oftmals aus, die Wellenfront
an drei Punkten vorzugeben. Der Rest der Wellenfront ergibt sich
zwischen diesen vorgegebenen Punkten je nach der Beschreibung der
Wellenfrontfunktion. Die mindestens drei Einzelstrahlen müssen natürlich so
vorgegeben werden, dass eine eindeutige Beschreibung der gesamten Wellenfront
durch die Vorgabe der Phasenwerte der drei Einzelstrahlen gegeben
ist.A
Default according to claim 3 reduces the with the adjustment
associated computational effort. It is often enough, the wave front
pretend at three points. The rest of the wavefront emerges
between these given points depending on the description of the
Wavefront function. The at least three individual beams must of course like that
be given that a unique description of the entire wavefront
given by the specification of the phase values of the three individual beams
is.
Eine
Z11-Vorgabe nach Anspruch 4 erlaubt eine Einbindung des Einstellverfahrens
in kommerziell verfügbare
optische Designverfahren, in denen eine Zernike-Entwicklung der
Nutzlicht-Wellenfront stattfindet.A
Z11 specification according to claim 4 allows an integration of the setting method
in commercially available
optical design processes in which a Zernike development of
Nutzlicht wavefront takes place.
Die
Größenordnung
der Z11-Vorgabe nach Anspruch 5 hat sich zur Erreichung eines zur
Kompensation beispielsweise von Schichteffekten ausreichenden Beleuchtungsparameter-Vorhaltes
als besonders geeignet herausgestellt. Die Vorgabe des Z11-Sollwertes
kann in der Größenordnung
mehrerer 10 Nutzlicht-Wellenlängen
erfolgen. Es kann am Feldrand beispielsweise ein Z11-Sollwert vorgegeben
werden, der von der ideal sphärischen
Wellenfront um 1 bis 200 Nutzlicht-Wellenlängen, insbesondere um 40 bis
120 Nutzlicht-Wellenlängen
abweicht.The
Magnitude
The Z11 requirement according to claim 5 has to achieve a
Compensation, for example, of layer effects of sufficient lighting parameters-Vorhaltes
proved to be particularly suitable. The specification of the Z11 setpoint
can be of the order of magnitude
several 10 useful light wavelengths
respectively. For example, a Z11 setpoint can be specified at the edge of the field
be that of the ideal spherical
Wavefront by 1 to 200 useful light wavelengths, in particular by 40 to
120 useful light wavelengths
differs.
Vorgaben
nach den Ansprüchen
6 und 7 haben sich zur Kompensation insbesondere von Schichteffekten
auf den optischen Flächen
der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik als besonders herausgestellt.Requirements
according to the claims
6 and 7 have to compensate especially for shift effects
on the optical surfaces
the optical components of the illumination optics as highlighted.
Die
Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8, einer Projektionsbelichtungsanlage
nach Anspruch 9, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 10 sowie
eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 11
entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Einstellverfahren
bereits erläutert
wurden.The
Advantages of a lighting optical system according to claim 8, a projection exposure apparatus
according to claim 9, a manufacturing method according to claim 10 and
of a microstructured or nanostructured component according to Claim 11
correspond to those described above with reference to the adjustment method according to the invention
already explained
were.
Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser
zeigen:embodiments
The invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this
demonstrate:
1 stark
schematisch im Meridionalschnitt optische Hauptgruppen einer Projektionsbelichtungsanlage
für die
Mikrolithographie; 1 strongly schematic in the meridional section optical main groups of a projection exposure apparatus for microlithography;
2 stärker im
Detail zwei der optischen Hauptgruppen der Projektionsbelichtungsanlage
nach 1; 2 more detail in detail two of the main optical groups of the projection exposure system 1 ;
3 schematisch
einen annular beleuchteten Maß-Feldpunkt
einer Objektebene der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 in
einem Meridionalschnitt; 3 schematically an annular illuminated measure field point of an object plane of the projection exposure system according to 1 in a meridional section;
4 einen
Schnitt gemäß Linie
IV-IV in 3; 4 a section along line IV-IV in 3 ;
5 in
einer zu 4 ähnlichen Darstellung eine alternative
Beleuchtung des Maß-Feldpunkts; 5 in one too 4 similar representation an alternative illumination of the Maßfeldpunkts;
6 ein
Diagramm, welches eine Soll-Phasenabweichung einer Nutzlicht-Wellenfront
eines auf ein Bildfeld auftreffenden Beleuchtungsbündels in
Einheiten eines Zernike-Koeffizienten
Z11 einer Wellenfrontentwicklung abhängig von einer Bildfeldhöhe eines
Bildfeldes der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 darstellt; 6 a diagram which shows a nominal phase deviation of a useful light wavefront of an illumination beam impinging on an image field in units of a Zernike coefficient Z11 of a wavefront development as a function of an image field height of an image field of the projection exposure apparatus 1 represents;
7 in
einem Diagramm die Abhängigkeit
eines Elliptizitätswertes
E090 von der Feldhöhe
für zwei verschiedene
annulare Beleuchtungssettings der Projektionsbelichtungsanlage; 7 in a diagram the dependence of an ellipticity value E090 on the field height for two different annular illumination settings of the projection exposure apparatus;
8 eine
Oktantenunterteilung einer Pupillenebene zur Definition von Elliptizitäts-Beleuchtungsparametern; 8th an octant subdivision of a pupil plane for defining ellipticity illumination parameters;
9 in
einem Diagramm die Abhängigkeit
einer Uniformität
(uniformity) von der Bildfeldhöhe
für die beiden
Beleuchtungssettings nach 7; 9 in a diagram the dependence of a uniformity on the field height for the two lighting settings 7 ;
10 in
einer zu 7 ähnlichen Darstellung die Abhängigkeit
der Uniformität
von der Bildfeldhöhe für zwei verschiedene
X-Dipol-Beleuchtungssettings; 10 in one too 7 similar depiction the dependence of uniformity on the image field height for two different X-dipole lighting settings;
11 schematische
Darstellung einer Intensitätsverteilung
in einer Pupillenebene der Projektionsbelichtungsanlage für die beiden
X-Dipol-Beleuchtungssettings nach 10; und 11 schematic representation of an intensity distribution in a pupil plane of the projection exposure apparatus for the two X-dipole illumination settings according to 10 ; and
12 in
einer zu 7 ähnlichen Darstellung die Abhängigkeit
der Uniformität
von der Bildfeldhöhe für zwei verschiedene
Y-Dipol-Beleuchtungssettings. 12 in one too 7 similar representation of the dependence of the uniformity of the field height for two different Y-dipole illumination settings.
Eine
Projektionsbelichtungsanlage 1 ist, was ihre optischen
Hauptgruppen angeht, schematisch in der 1 im Meridionalschnitt
dargestellt. Diese schematische Darstellung zeigt die optischen
Hauptgruppen als refraktive optische Elemente. Genauso gut können die
optischen Hauptgruppen auch als diffraktive oder reflektive Komponenten
oder als Kombinationen oder Unterkombinationen von refraktiven/diffraktiven/reflektiven Zusammenstellungen
optischer Elemente ausgebildet sein.A projection exposure machine 1 is, in terms of their main optical groups, schematically in the 1 shown in meridional section. This schematic diagram shows the main optical groups as refractive optical elements. The optical main groups can just as well be designed as diffractive or reflective components or as combinations or subcombinations of refractive / diffractive / reflective combinations of optical elements.
Zur
Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend
ein x-y-z-Koordinatensystem verwendet. In der 1 verläuft die
x-Achse senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse
verläuft
in der 1 nach oben. Die z-Achse verläuft in der 1 nach
rechts und parallel zu einer optischen Achse 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1.
Diese optische Achse 2 kann auch gegebenenfalls mehrfach
gefaltet sein.To facilitate the representation of positional relationships, an xyz coordinate system is used below. In the 1 the x-axis runs perpendicular to the plane of the drawing. The y-axis runs in the 1 up. The z-axis runs in the 1 to the right and parallel to an optical axis 2 the projection exposure system 1 , This optical axis 2 can also be folded several times if necessary.
Die
Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Strahlungsquelle 3,
die Nutzlicht in Form eines Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 erzeugt.
Das Nutzlicht 4 hat eine Wellenlänge im DUV, beispielsweise
im Bereich zwischen 100 und 200 nm. Alternativ kann das Nutzlicht 4 auch
eine Wellenlänge
im EUV, insbesondere im Bereich zwischen 5 und 30 nm, haben.The projection exposure machine 1 has a radiation source 3 , The useful light in the form of a illumination or imaging beam 4 generated. The useful light 4 has a wavelength in the DUV, for example in the range between 100 and 200 nm. Alternatively, the useful light 4 also have a wavelength in the EUV, in particular in the range between 5 and 30 nm.
Eine
Beleuchtungsoptik 5 der Projektionsbelichtungsanlage 1 führt das
Nutzlicht 4 von der Strahlungsquelle 3 hin zu
einer Objektebene 6 der Projektionsbelichtungsanlage 1.
In der Objektebene 6 ist ein durch die Projektionsbelichtungsanlage 1 abzubildendes
Objekt in Form eines Retikels 6a angeordnet. Das Retikel 6a ist
in der 1 gestrichelt angedeutet.An illumination optics 5 the projection exposure system 1 leads the useful light 4 from the radiation source 3 towards an object plane 6 the projection exposure system 1 , In the object plane 6 is a through the projection exposure system 1 imaged object in the form of a reticle 6a arranged. The reticle 6a is in the 1 indicated by dashed lines.
Als
erste optische Hauptgruppe umfasst die Beleuchtungsoptik 5 zunächst eine
Pupillenformungsoptik 7. Diese dient dazu, in einer nachgelagerten
Pupillenebene 8 eine definierte Intensitätsverteilung
des Nutzlichts 4 zu erzeugen. Die Pupillenformungsoptik 7 bildet
die Strahlungsquelle 3 in eine Mehrzahl sekundärer Lichtquellen
ab. Die Pupillenformungsoptik 7 kann zusätzlich auch
eine feldformende Funktion haben. In der Pupillenformungsoptik 7 können Facettenelemente,
Wabenelemente und/oder diffraktive optische Elemente zum Einsatz
kommen. Die Pupillenebene 8 ist optisch konjugiert zu einer
weiteren Pupillenebene 9 eines Projektions objektivs 10 der
Projektionsbelichtungsanlage 1, das der Beleuchtungsoptik 5 zwischen
der Objektebene 6 und einer Bildebene 11 nachgelagert
ist. In der Bildebene 11 ist ein Wafer 11a angeordnet
und in der 1 gestrichelt angedeutet. Das
Objektfeld in der Objektebene 6 wird von dem Projektionsobjektiv 10 in
ein Bildfeld auf dem Wafer 11a in der Bildebene 11 abgebildet.The first optical main group comprises the illumination optics 5 first a pupil shaping optics 7 , This serves to, in a downstream pupil level 8th a defined intensity distribution of the useful light 4 to create. The pupil shaping optics 7 forms the radiation source 3 into a plurality of secondary light sources. The pupil shaping optics 7 can also have a field-shaping function. In the pupil shaping optics 7 For example, facet elements, honeycomb elements and / or diffractive optical elements can be used. The pupil level 8th is optically conjugated to another pupil plane 9 of a projection lens 10 the projection exposure system 1 , that of the illumination optics 5 between the object plane 6 and an image plane 11 is downstream. In the picture plane 11 is a wafer 11a arranged and in the 1 indicated by dashed lines. The object field in the object plane 6 is from the projection lens 10 in an image field on the wafer 11a in the picture plane 11 displayed.
Der
hinter der Pupillenformungsoptik 7 angeordneten Pupillenebene 8 nachgeordnet
ist eine Feldlinsengruppe 12 als weitere optische Hauptgruppe
der Beleuchtungsoptik 5.The behind the pupil shaping optics 7 arranged pupil plane 8th subordinate is a field lens group 12 as another main optical group of the illumination optics 5 ,
Hinter
der Feldlinsengruppe 12 ist eine Zwischenbildebene 13 angeordnet,
die zur Objektebene 6 konjugiert ist. In der Zwischenbildebene 13 liegt
eine Blende 14 zur Vorgabe einer randseitigen Begrenzung
eines auszuleuchtenden Objektfeldes in der Objektebene 6.
Die Blende 14 wird auch als REMA-(Reticle Masking-, System
zum Abblenden des Retikels 6a) Blende bezeichnet.Behind the field lens group 12 is an intermediate image plane 13 arranged to the object level 6 is conjugated. In the intermediate image plane 13 there is an aperture 14 for specifying an edge boundary of an object field to be illuminated in the object plane 6 , The aperture 14 is also called REMA (reticle masking, system for dimming the reticle 6a ) Aperture.
Die
Zwischenbildebene 13 wird durch eine Objektivgruppe 15,
die auch als REMA-Linsengruppe bezeichnet wird, in die Objektebene 6 abgebildet.
Die Objektivgruppe 15 stellt eine weitere optische Hauptgruppe der
Beleuchtungsoptik 5 dar.The intermediate image plane 13 is through a lens group 15 , also referred to as REMA lens group, into the object plane 6 displayed. The lens group 15 represents another main optical group of the illumination optics 5 represents.
2 zeigt
die Feldlinsengruppe 12 und die REMA-Linsengruppe 15 stärker im
Detail. Die Feldlinsengruppe 12 hat insgesamt 6 hintereinander
angeordnete Linsen 16 bis 21. Die REMA-Linsengruppe 15 hat
nach der Zwischenbildebene 13 zwei Teil-Linsengruppen 22, 23.
Die erste Teil-Linsengruppe 22 umfasst
insgesamt fünf
Linsen 24 bis 28. Zwischen den beiden Teil-Linsengruppen 22, 23 der
REMA-Linsengruppe 15 liegt eine weitere Pupillenebene 29.
Die zweite Teil-Linsengruppe 23 der REMA-Linsengruppe 15 umfasst
nochmals fünf Linsen 30 bis 34.
Der in Strahlrichtung letzten Linse der zweiten Teil-Linsengruppe 23 ist
die Objektebene 6 mit dem Retikel 6a nachgeordnet. 2 shows the field lens group 12 and the REMA lens group 15 stronger in detail. The field lens group 12 has a total of 6 consecutively arranged lenses 16 to 21 , The REMA lens group 15 has after the intermediate image plane 13 two partial lens groups 22 . 23 , The first part-lens group 22 comprises a total of five lenses 24 to 28 , Between the two sub-lens groups 22 . 23 the REMA lens group 15 is another pupil level 29 , The second part lens group 23 the REMA lens group 15 includes another five lenses 30 to 34 , The last in the beam direction lens of the second sub-lens group 23 is the object plane 6 with the reticle 6a downstream.
In
der 2 sind die abbildenden Strahlengänge zu zwei
Feldpunkten, nämlich
einem mittigen Objektfeldpunkt 35 und einem Maß-Feldpunkt 36 am
Rand des Objektfeldes dargestellt. Der mittige Objektfeldpunkt 35 ist
am Ort des Durchstoßpunktes
der optischen Achse 2 durch die Objektebene 6 angeordnet.
Der Maß-Feldpunkt 36 ist
am in negativer y-Richtung gelegenen Feldrand des Objektfeldes angeordnet.
Die y-Richtung ist gleichzeitig eine Verfahrrichtung des Retikels 6a und
des Wafers 11a im Zuge des Projektionsbetriebs der Projektionsbelichtungsanlage 1.
Neben der optischen Achse 2 charakterisieren den Beleuchtungsstrahlengang
des mittigen Objektfeldpunktes 35 zwei Randstrahlen 37, 38,
die gleichzeitig die maximalen Beleuchtungswinkel des mittigen Objektfeldpunktes 35 darstellen.
Der Beleuchtungsstrahlengang des Maß-Feldpunktes 36 ist
charakterisiert durch einen Hauptstrahl 39, der die Pupillenebenen 8, 29 zentrisch durchtritt,
sowie durch zwei Randstrahlen 40, 41, die ebenfalls
die maximalen Beleuchtungswinkel des Maß-Feldpunktes 36 wiedergeben.In the 2 are the imaging beam paths to two field points, namely a central object field point 35 and a measure field point 36 shown at the edge of the object field. The central object field point 35 is at the point of penetration of the optical axis 2 through the object plane 6 arranged. The measure field point 36 is arranged on the field edge of the object field in the negative y-direction. The y direction is at the same time a travel direction of the reticle 6a and the wafer 11a in the course of the projection operation of the projection exposure apparatus 1 , Next to the optical axis 2 characterize the illumination beam path of the central object field point 35 two marginal rays 37 . 38 , which simultaneously the maximum illumination angle of the central object field point 35 represent. The illumination beam path of the measurement field point 36 is characterized by a main ray 39 that the pupil levels 8th . 29 passes centrally, as well as by two marginal rays 40 . 41 , which are also the maximum illumination angles of the measure field point 36 play.
Je
nach einem eingestellten Beleuchtungssetting der Beleuchtungsoptik 5,
also je nach über
die Pupillenformungsoptik 7 eingestellter Intensitätsverteilung
in der Pupillenebene 8, resultiert eine entsprechende Verteilung
der Beleuchtungswinkel für
die Feldpunkte des Objektfeldes.Depending on a set illumination setting of the illumination optics 5 , so depending on the pupil shaping optics 7 adjusted intensity distribution in the pupil plane 8th , results in a corresponding distribution of the illumination angle for the field points of the object field.
3 zeigt
eine annulare, also ringförmige
Beleuchtungswinkelverteilung für
den Maß-Feldpunkt 36. Eine
derartige Beleuchtungswinkelverteilung wird auch als annulares Beleuchtungssetting
bezeichnet. Der Maß- Feldpunkt 36 wird
dabei aus Richtung eines in der Pupillenebene 29 ausgeleuchteten
Rings beleuchtet, der bei der Beleuchtung des Maß-Feldpunkts 36 durch
die Randstrahlen 40, 41 und zusätzlich durch
innere Randstrahlen 42, 43 begrenzt ist. Die beiden äußeren Randstrahlen 40, 41 repräsentieren
einen maximalen Beleuchtungswinkel und die beiden inneren Randstrahlen 42, 43 einen
minimalen Beleuchtungswinkel für
den Maß-Feldpunkt 36 für dieses
annulare Beleuchtungssetting. 3 shows an annular, ie annular illumination angle distribution for the measure field point 36 , Such an illumination angle distribution is also referred to as an annular illumination setting. The measure field point 36 becomes from the direction of one in the pupil plane 29 Illuminated ring lit at the illumination of the measurement field point 36 through the margins 40 . 41 and additionally by inner marginal rays 42 . 43 is limited. The two outer marginal rays 40 . 41 represent a maximum illumination angle and the two inner marginal rays 42 . 43 a minimum illumination angle for the measure field point 36 for this annular lighting setting.
4 zeigt
einen Schnitt durch das Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündel 4 zwischen
der letzten Linse 34 der zweiten Teil-Linsengruppe 23 der
REMA-Linsengruppe 15 und der Objektebene 6. In
der 4 ist schematisch der Verlauf einer Wellenfront
des ringförmig
auf den Maß-Feldpunkt 36 einfallenden
Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 dargestellt.
Auf dem ringförmigen
Bündel 4 sind
die Phasenabweichungen von einer ideal sphärischen Wellenfront dargestellt.
In der 4 in 12-Uhr-,
in 4-Uhr- und in 8-Uhr-Position eilt die Wellenfront der ideal sphärischen
Wellenfront maximal voraus, was durch den Hinweis „MAX” verdeutlicht
wird. In diesen Bereichen eilt die auf den Maß-Feldpunkt 36 zulaufende
Nutzlicht-Wellenfront der ideal sphärischen Wellenfront um 40 Wellenlängen voraus.
In 1-Uhr-, 3-Uhr-, 5-Uhr-, 7-Uhr-, 9-Uhr- und 11-Uhr-Position ist die Phasenabweichung
der Wellenfront des Bündels 4 von
einer ideal sphärischen
Wellenfront 0. In 2-Uhr, 6-Uhr- und 10-Uhr-Position ist die Wellenfront des Bündels 4 gegenüber der
ideal sphärischen
Wellenfront um 40 Wellenlängen
am stärksten
verzögert,
was durch den Hinweis „MIN” verdeutlicht wird.
Auf den Maß-Feldpunkt 36 treffen
Bereiche konstanter Phase der Nutzlicht-Wellenfront des Bündels 4 also
zunächst,
gesehen in der Orientierung nach 4, aus den
Richtungen 12-Uhr,
4-Uhr und 8-Uhr ein. Um diese drei Richtungen teilt sich die Wellenfront
dann jeweils auf, wobei die Wellenfront abschließend aus den Rich tungen 2-Uhr,
6-Uhr und 10-Uhr auf den Maß-Feldpunkt 36 trifft.
An den Positionen MAX liegt also ein Phasenmaximum der Wellenfront
des Strahlenbündels 4 vor.
An den Positionen MIN liegt ein Phasenminimum des Strahlenbündels 4 vor. 4 shows a section through the illumination or imaging beam 4 between the last lens 34 the second part lens group 23 the REMA lens group 15 and the object plane 6 , In the 4 is schematically the course of a wavefront of the ring on the Maß-field point 36 incident illumination or imaging beam 4 shown. On the annular bundle 4 the phase deviations of an ideal spherical wavefront are shown. In the 4 at 12 o'clock, 4 o'clock and 8 o'clock, the wavefront of the ideal spherical wavefront is ahead, as indicated by the word "MAX". In these areas, the rushes to the measure field point 36 tapered useful light wavefront of the ideal spherical wavefront by 40 wavelengths ahead. In 1 o'clock, 3 o'clock, 5 o'clock, 7 o'clock, 9 o'clock and 11 o'clock position is the phase deviation of the wavefront of the bundle 4 from an ideal spherical wavefront 0. In 2 o'clock, 6 o'clock and 10 o'clock position is the wavefront of the bundle 4 This is most delayed by 40 wavelengths compared to the ideal spherical wavefront, which is illustrated by the reference "MIN". On the measure field point 36 Meet constant wave areas of the payload light wavefront 4 So first, seen in the orientation after 4 , from the directions 12 o'clock, 4 o'clock and 8 o'clock. The wavefront then divides around these three directions, with the wavefront finally ending in the 2-o'clock, 6-o'clock and 10-o'clock directions to the measure field point 36 meets. At the positions MAX is thus a phase maximum of the wavefront of the beam 4 in front. At the positions MIN is a phase minimum of the beam 4 in front.
Bei
einer Zernike-Entwicklung der Wellenfront wird ein Wellenfrontverlauf
wie in der 4 dargestellt, durch den Zernike-Koeffizienten
Z11 wiedergegeben.In a Zernike evolution of the wavefront, a wavefront progression becomes as in the 4 represented by the Zernike coefficient Z11.
Die
Wellenfrontgestalt nach 4 wird auch als Dreiwelligkeit
bezeichnet, da sie eine dreizählige
Rotationssymmetrie um die z-Achse aufweist. Durch Drehung der dem
Maß-Feldpunkt 36 zugeordneten
Wellenfront um die z-Achse um 120° wird
diese in sich übergeführt.The wavefront shape after 4 is also referred to as a three-wave because it has a threefold rotational symmetry about the z-axis. By turning the measure field point 36 associated wavefront about the z-axis by 120 °, this is converted into itself.
5 zeigt
eine weitere Variante einer dreiwelligen Wellenfront, die dem Maß-Feldpunkt 36 zugeordnet
ist. Maximal voraus (Position MAX) eilt die Wellenfront des Beleuchtungs-
bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 bei
der Ausführung
nach 5 in 3-Uhr-, 7-Uhr- und 11-Uhr-Position. Maximal
nacheilend (Position MIN) sind die Wellenfrontbereiche in 1-Uhr-,
5-Uhr- und 9-Uhr-Position.
Dazwischen, also in 12-Uhr-, 2-Uhr-, 4-Uhr-, 6-Uhr-, 8-Uhr und 10-Uhr-Position
entspricht die Wellenfront des Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 nach 5 einer
ideal sphärischen
Wellenfront. Die maximalen Phasenabweichungen betragen auch hier
wiederum 40 Nutzlicht-Wellenlängen. 5 shows a further variant of a three-wave wavefront, the measure field point 36 assigned. Maximum ahead (MAX position) is the wavefront of the illumination or imaging beam 4 in the execution after 5 at 3 o'clock, 7 o'clock and 11 o'clock. Maximum trailing (MIN position) are the wavefront ranges in 1 o'clock, 5 o'clock and 9 o'clock positions. In between, ie at 12 o'clock, 2 o'clock, 4 o'clock, 6 o'clock, 8 o'clock and 10 o'clock position corresponds the wavefront of the illumination or imaging beam 4 to 5 an ideal spherical wavefront. Again, the maximum phase deviations are again 40 useful light wavelengths.
Auch
andere maximale Phasenabweichungen in einem Bereich beispielsweise
zwischen 1 und 200 Nutzlicht-Wellenlängen sind möglich.Also
other maximum phase deviations in a range, for example
between 1 and 200 useful light wavelengths are possible.
Die
optischen Flächen
der Linsen 16 bis 21 der Feldlinsen-Gruppe 12 sowie
der Linsen 24 bis 28 und 30 bis 34 der
REMA-Linsengruppe 15 sowie die Luftabstände zwischen diesen Linsen
sind so variiert, dass der Verlauf der Wellenfront nach 4 resultiert.The optical surfaces of the lenses 16 to 21 the field lens group 12 as well as the lenses 24 to 28 and 30 to 34 the REMA lens group 15 as well as the air gaps between these lenses are varied so that the course of the wavefront after 4 results.
Die
nachfolgenden Tabellen zeigen die Pfeilhöhenkoeffizienten sowie die
Luftabstände
der optischen Flächen
der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34.The following tables show the arrow height coefficients as well as the air spacings of the optical surfaces of the lenses 16 to 21 . 24 to 28 such as 30 to 34 ,
Die
nachfolgenden Tabellen geben die optischen Designdaten der Feldlinsen-Gruppe 12 und
der REMA-Linsengruppe 15 wieder. Die erste Tabelle zeigt
in der ersten Spalte die von links nach rechts durchnummerierten
optischen Flächen
zuerst der Feldlinsengruppe 12 und nachfolgend der REMA-Linsengruppe 15. Dies
wird nachfolgend anhand ausgewählter
Flächennummern
näher verdeutlicht.
Die „Fläche 1” ist die
Pupillenebene 8. Die „Flächen 2 und
3” sind
die Ein- und die Austrittsfläche
der Linse 16. Die „Flächen 14
und 15” stellen
die Ebene der Blende 14 dar. Die „Flächen 26, 27 und 28” stellen
die Pupillenebene 29 dar. Die „Fläche 39” ist die Austrittsfläche der
Linse 34. Die „Flächen 40
bis 42” stellen
die Objektebene 6 dar. Die Spalte „Radien” gibt den Krümmungsradius
der jeweiligen optischen Fläche
wieder. Der Zusatz „AS” bei den
Radiuswerten weist darauf hin, dass es sich bei der zugehörigen optischen
Fläche
um eine Asphärenfläche handelt.
Die Spalte „Dicken” gibt den
Abstand der jeweiligen optischen Fläche zur nachfolgenden optischen
Fläche
wieder.The following tables give the optical design data of the field lens group 12 and the REMA lens group 15 again. The first table in the first column shows the optical surfaces numbered from left to right first of the field lens group 12 and subsequently the REMA lens group 15 , This will be clarified below on the basis of selected area numbers. The "area 1" is the pupil level 8th , The "areas 2 and 3" are the entrance and the exit surface of the lens 16 , The "areas 14 and 15" represent the plane of the aperture 14 The "surfaces 26, 27 and 28" represent the pupil plane 29 The "area 39" is the exit area of the lens 34 , The "areas 40 to 42" represent the object plane 6 The column "radii" represents the radius of curvature of the respective optical surface. The addition "AS" in the radius values indicates that the associated optical surface is an aspheric surface. The column "thicknesses" represents the distance between the respective optical surface and the subsequent optical surface.
Die
Spalte „Gläser” gibt Informationen
zum verwendeten Linsenmaterial. Die Spalte „Brechzahl” gibt den Brechungsindex des
Linsenmaterials bei einer Lichtwellenlänge von 193,38 nm wieder. Die
Spalte „Halbmesser” gibt den
halben freien Durchmesser der jeweiligen optischen Komponente wieder. FLÄCHE RADIEN DICKEN GLÄSER BRECHZAHL 193.38
nm HALBMESSER
1 0.000000000 92.233557345 1.00000000 62.540
2 –89.700000000 29.679922960 QUARZ 1.56034000 78.956
3 –272.462438385AS 0.955298052 1.00000000 112.725
4 –725.448369464 71.437326360 QUARZ 1.56034000 130.148
5 –167.694355505 1.008669622 1.00000000 136.991
6 –447.155660016 36.898792950 QUARZ 1.56034000 147.384
7 –242.866196020 1.001539643 1.00000000 150.045
8 163.849736489AS 67.433564155 QUARZ 1.56034000 150.332
9 1364.109862141 0.925331993 1.00000000 147.124
10 162.104756393 67.581031005 QUARZ 1.56034000 127.171
11 1887.620154608 3.604364887 1.00000000 120.981
12 610.048430997 11.846684677 QUARZ 1.56034000 108.968
13 96.163033983 96.671112000 1.00000000 78.634
14 0.000000000 0.000000000 1.00000000 54.968
15 0.000000000 75.872817197 1.00000000 54.968
16 –83.789542737 45.215799660 QUARZ 1.56034000 70.551
17 –310.036905041 0.824595207 1.00000000 115.298
18 –535.352671659 68.748254532 QUARZ 1.56034000 123.672
19 –151.907325684 0.835394959 1.00000000 130.004
20 –1231.483593390 55.558272275 QUARZ 1.56034000 147.744
21 –209.503913013AS 0.824610263 1.00000000 150.399
22 154.092521546AS 80.629744547 QUARZ 1.56034000 149.947
23 1065.917108338 2.516121503 1.00000000 145.285
24 265.109387135AS 22.236298536 QUARZ 1.56034000 126.141
25 114.547832859 165.533970841 1.00000000 101.140
26 0.000000000 0.000000000 1.00000000 71.313
27 0.000000000 0.000000000 QUARZ 1.56034000 71.313
28 0.000000000 128.127081945 1.00000000 71.313
29 –110.044717777 29.523581666 QUARZ 1.56034000 94.344
30 –174.150784378AS 0.894954340 1.00000000 118.334
31 –40322.435844235 73.195259688 QUARZ 1.56034000 144.594
32 –213.277507038 0.986210604 1.00000000 148.817
33 157.604075517AS 91.460239170 QUARZ 1.56034000 150.585
34 15274.245301417 3.242255885 1.00000000 146.299
35 274.455520510 44.999907025 QUARZ 1.56034000 125.871
36 1596.100674430 0.852705753 1.00000000 115.094
37 301.744850001AS 12.397146898 QUARZ 1.56034000 106.062
38 112.625107823 99.275036425 1.00000000 82.899
39 0.000000000 6.250000000 QUARZ 1.56034000 56.389
40 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423
41 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423
42 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423
The "Glasses" column provides information about the lens material used. The "refractive index" column represents the refractive index of the lens material at a wavelength of 193.38 nm. The column "radius" represents half the free diameter of the respective optical component. AREA RADII THICK GLASSES BRECHZAHL 193.38 nm RADIUS
1 0.000000000 92.233557345 1.00000000 62540
2 -89.700000000 29.679922960 QUARTZ 1.56034000 78956
3 -272.462438385AS 0.955298052 1.00000000 112725
4 -725.448369464 71.437326360 QUARTZ 1.56034000 130148
5 -167.694355505 1.008669622 1.00000000 136991
6 -447.155660016 36.898792950 QUARTZ 1.56034000 147384
7 -242.866196020 1.001539643 1.00000000 150045
8th 163.849736489AS 67.433564155 QUARTZ 1.56034000 150332
9 1364.109862141 0.925331993 1.00000000 147124
10 162.104756393 67.581031005 QUARTZ 1.56034000 127171
11 1887.620154608 3.604364887 1.00000000 120981
12 610.048430997 11.846684677 QUARTZ 1.56034000 108968
13 96.163033983 96.671112000 1.00000000 78634
14 0.000000000 0.000000000 1.00000000 54968
15 0.000000000 75.872817197 1.00000000 54968
16 -83.789542737 45.215799660 QUARTZ 1.56034000 70551
17 -310.036905041 0.824595207 1.00000000 115298
18 -535.352671659 68.748254532 QUARTZ 1.56034000 123672
19 -151.907325684 0.835394959 1.00000000 130004
20 -1231.483593390 55.558272275 QUARTZ 1.56034000 147744
21 -209.503913013AS 0.824610263 1.00000000 150399
22 154.092521546AS 80.629744547 QUARTZ 1.56034000 149947
23 1065.917108338 2.516121503 1.00000000 145285
24 265.109387135AS 22.236298536 QUARTZ 1.56034000 126141
25 114.547832859 165.533970841 1.00000000 101140
26 0.000000000 0.000000000 1.00000000 71313
27 0.000000000 0.000000000 QUARTZ 1.56034000 71313
28 0.000000000 128.127081945 1.00000000 71313
29 -110.044717777 29.523581666 QUARTZ 1.56034000 94344
30 -174.150784378AS 0.894954340 1.00000000 118334
31 -40322.435844235 73.195259688 QUARTZ 1.56034000 144594
32 -213.277507038 0.986210604 1.00000000 148817
33 157.604075517AS 91.460239170 QUARTZ 1.56034000 150585
34 15274.245301417 3.242255885 1.00000000 146299
35 274.455520510 44.999907025 QUARTZ 1.56034000 125871
36 1596.100674430 0.852705753 1.00000000 115094
37 301.744850001AS 12.397146898 QUARTZ 1.56034000 106062
38 112.625107823 99.275036425 1.00000000 82899
39 0.000000000 6.250000000 QUARTZ 1.56034000 56389
40 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55423
41 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55423
42 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55423
Die
Austrittsfläche
der Linse 16 („Fläche 3”), die
Austrittsfläche
der Linse 19 („Fläche Nr.
8”), die
Austrittsfläche
der Linse 26 („Fläche 21”), die
Eintrittsfläche
der Linse 27 („Fläche 22”), die
Eintrittsfläche
der Linse 28 („Fläche 24”), die
Austrittsfläche
der Linse 30 („Fläche Nr.
30”),
die Eintrittsfläche
der Linse 32 („Fläche 33”) sowie
die Eintrittsfläche
der Linse 34 („Fläche 37”) sind
als asphärische
Flächen
nach der Asphärenformel p(h) = [((1/r)h2)/( +
SQRT(1 – (1
+ K)(1/r)2h2))]
+ C1·h4 + C2·h6 + ... ausgeführt. Hierbei ist 1/r die Krümmung der
Oberfläche
im Scheitelpunkt der Asphäre.
h ist der Abstand eines Punktes auf der optischen Fläche der
Asphäre
von der in z-Richtung verlaufenden Rotationssymmetrieachse der optischen
Fläche,
die auch als optische Achse bezeichnet wird. p(h), die Pfeilhöhe, ist
der z-Abstand zwischen einem betrachteten Punkt mit Abstand h (h2 = x2 + y2) von der Rotationssymmetrieachse zum Scheitelpunkt
der optischen Asphärenfläche, also
des Punkts auf der optischen Fläche
mit h = 0. Die Koeffizienten C3 ff gehören zu weiteren geradzahligen
Potenzen von h ab, einschließlich
h8.The exit surface of the lens 16 ("Area 3"), the exit surface of the lens 19 ("Surface No. 8"), the exit surface of the lens 26 ("Area 21"), the entrance surface of the lens 27 ("Area 22"), the entrance surface of the lens 28 ("Area 24"), the exit surface of the lens 30 ("Area No. 30"), the entrance surface of the lens 32 ("Area 33") and the entrance surface of the lens 34 ("Area 37") are aspherical surfaces according to the asphere formula p (h) = [((1 / r) h 2 ) / (+ SQRT (1 - (1 + K) (1 / r) 2 H 2 ))] + C1 · h 4 + C2 · h 6 + ... executed. Here, 1 / r is the curvature of the surface at the apex of the asphere. h is the distance of a point on the optical surface of the asphere from the z-axis rotational symmetry axis of the optical surface, which is also referred to as the optical axis. p (h), the height of the arrow, is the z-distance between a considered point with distance h (h 2 = x 2 + y 2 ) from the rotational symmetry axis to the vertex of the optical aspherical surface, ie the point on the optical surface with h = 0 The coefficients C3 ff belong to further even powers of h, including h 8 .
Die
nachfolgenden Tabellen zeigen die Koeffizienten K sowie C1 bis C9,
die in diese Asphärengleichung
jeweils einzusetzen sind, um die jeweilige asphärische optische Fläche zu erhalten. ASPHAERISCHE KONSTANTEN FLAECHE
NR. 3
K –2.5748
C1 –1.19330892e–007
C2 7.04733253e–012
C3 –2.44589399e–016
C4 6.10706929e–021
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE
NR. 8
K –1.5711
C1 –4.29326717e–009
C2 5.00511590e–013
C3 –9.78018564e–018
C4 3.49199291e–023
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE
NR. 21
K –0.4568
C1 6.11367241e–009
C2 3.40726569e–013
C3 –7.68087411e–018
C4 1.96451358e–022
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE
NR. 22
K –0.6323
C1 –2.86159265e–009
C2 –2.32170489e–013
C3 5.81359768e–018
C4 –1.57396672e–022
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE
NR. 24
K 2.2865
C1 2.30807796e–008
C2 6.67847615e–013
C3 –4.62329172e–017
C4 1.53138935e–021
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE
NR. 30
K 0.1943
C1 1.44760510e–009
C2 –2.48108477e–013
C3 4.48520578e–018
C4 2.22291441e–021
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE
NR. 33
K –0.7663
C1 1.06212025e–008
C2 –4.12517030e–013
C3 2.68732020e–017
C4 –6.15676979e–022
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE
NR. 37
K –13.8396
C1 –1.92231791e–008
C2 –1.31880966e–012
C3 1.19473760e–016
C4 –1.32105397e–021
C5 0.00000000e+000
C6 0.00000000e+000
C7 0.00000000e+000
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
The following tables show the coefficients K and C1 to C9 to be used in this aspheric equation, respectively, to obtain the respective aspheric optical surface. ASPHAERIC CONSTANTS FLAECHE NO. 3
K -2.5748
C1 -1.19330892e-007
C2 7.04733253e-012
C3 -2.44589399e-016
C4 6.10706929e-021
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
FLAECHE NO. 8th
K -1.5711
C1 -4.29326717e-009
C2 5.00511590e-013
C3 -9.78018564e-018
C4 3.49199291e-023
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
FLAECHE NO. 21
K -0.4568
C1 6.11367241e-009
C2 3.40726569e-013
C3 -7.68087411e-018
C4 1.96451358e-022
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
FLAECHE NO. 22
K -0.6323
C1 -2.86159265e-009
C2 -2.32170489e-013
C3 5.81359768e-018
C4 -1.57396672e-022
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
FLAECHE NO. 24
K 2.2865
C1 2.30807796e-008
C2 6.67847615e-013
C3 -4.62329172e-017
C4 1.53138935e-021
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
FLAECHE NO. 30
K 0.1943
C1 1.44760510e-009
C2 -2.48108477e-013
C3 4.48520578e-018
C4 2.22291441e-021
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
FLAECHE NO. 33
K -0.7663
C1 1.06212025e-008
C2 -4.12517030e-013
C3 2.68732020e-017
C4 -6.15676979e-022
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
FLAECHE NO. 37
K -13.8396
C1 -1.92231791e-008
C2 -1.31880966e-012
C3 1.19473760e-016
C4 -1.32105397e-021
C5 0.00000000E + 000
C6 0.00000000E + 000
C7 0.00000000E + 000
C8 0.00000000E + 000
C9 0.00000000E + 000
6 zeigt
eine Soll-Phasenabweichung jeweils am Ort MIN abhängig von
der Feldhöhe,
also abhängig
vom Abstand des jeweils betrachteten Feldpunktes vom mittigen Objektfeldpunkt 35.
Am Feldrand, also beim Maß-Feldpunkt 36 bzw.
beim in positiver y-Richtung gegenüberliegenden randseitigen Feldpunkt,
liegt eine Soll-Phasenabweichung vor, die –100 Wellenlängen noch
unterschreitet. Von dem randseitigen Maß-Feldpunkt 36 aus
zum mittigen Objektfeldpunkt 35 hin verringert sich diese
negative Phasenabweichung schnell, bis sie etwa auf halbem Wege
zwischen dem Objektfeldrand und der Objektfeldmitte sogar positive Werte
annimmt und sich dann zum mittigen Objektfeldpunkt 35 hin
wieder einer Phasenabweichung von null annähert. 6 shows a desired phase deviation respectively at the location MIN depending on the field height, that is dependent on the distance of the respectively considered field point from the central object field point 35 , At the edge of the field, that is at the measure field point 36 or at the opposite edge field point in the positive y-direction, there is a desired phase deviation, which still falls short of -100 wavelengths. From the edge dimension field point 36 out to the central object field point 35 This negative phase deviation decreases rapidly until it even assumes positive values approximately midway between the object field edge and the center of the object field, and then becomes the central object field point 35 back to a phase deviation of zero approaches.
7 zeigt
die Feldhöhenabhängigkeit
eines Elliptizitätswertes
E090 für
die Beleuchtungsoptik 5 mit der Soll-Phasenabweichung nach 6. 7 shows the field height dependence of an ellipticity value E090 for the illumination optics 5 with the desired phase deviation after 6 ,
Zur
Definition des Elliptizitätswerts
E090 wird auf die Zerlegung einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 5 nach 8 verwiesen.
Hierbei kann es sich beispielsweise um die Pupillenebene 29 handeln. Diese
Pupillenebene 29 wird, wie dies mathematisch üblich ist,
beginnend mit dem xy-Quadranten,
in acht Oktanten O1 bis O8 zerlegt.
Der Elliptizitätswert
E090 entspricht dem Intensitätsverhältnis des
Strahlenbündels 4 in
der Pupillenebene über
die Oktanten O1 bis O8 gemäß folgender
Formel: E090 = (IO2 +
IO3 + IO6 + IO7)/(IO1 + IO4 + IO5 + IO8) The definition of the ellipticity value E090 is based on the decomposition of a pupil plane of the illumination optics 5 to 8th directed. This may be, for example, the pupil plane 29 act. This pupil level 29 is, as is mathematically usual, starting with the xy quadrant, divided into eight octants O 1 to O 8 . The ellipticity E090 corresponds to the intensity ratio of the beam 4 in the pupil plane over the octants O 1 to O 8 according to the following formula: E090 = (I O2 + I O3 + I O6 + I O7 ) / (I O1 + I O4 + I O5 + I O8 )
Der
Elliptizitätswert
E090 entspricht also anschaulich dem Verhältnis der Intensität aus Bereichen
von mit überwiegendem
y-Richtungsanteil einfallenden Beleuchtungsrichtungen im Verhältnis zu
der Intensität
aus Berei chen von mit überwiegendem
x-Richtungsanteil einfallenden Beleuchtungsrichtungen.Of the
ellipticity
E090 thus clearly corresponds to the ratio of the intensity of areas
of predominant
y-directional portion incident lighting directions in relation to
the intensity
from areas of predominant
x-directional portion incident lighting directions.
Dargestellt
ist in der 7 der Elliptizitätswert E090
als prozentuale Abweichung vom Elliptizitätswert 1. Der Elliptizitätswert E090
ist dargestellt für
zwei verschiedene annulare Beleuchtungssettings. Strichpunktiert
dargestellt ist eine annulare Beleuchtung, bei der Beleuchtungswinkel
zwischen dem 0,75- und dem 0,95-fachen der maximalen bildseitigen
numerischen Apertur der Beleuchtungsoptik genutzt werden. Dieses Beleuchtungssetting
wird nachfolgend auch als großes
annulares Setting bezeichnet. Gestrichelt dargestellt ist zudem
eine annulare Beleuchtung, bei der Beleuchtungswinkel zwischen dem
0,65- und dem 0,85-fachen der maximalen bildseitigen numerischen
Apertur der Beleuchtungsoptik genutzt werden. Dieses Beleuchtungssetting
wird nachfolgend auch als kleines annulares Setting bezeichnet.Shown in the 7 the ellipticity value E090 as a percentage deviation from the ellipticity value 1 , The ellipticity value E090 is shown for two different annular illumination settings. stroke Punk An annular illumination is used, in which illumination angles between 0.75 and 0.95 times the maximum image-side numerical aperture of the illumination optics are used. This illumination setting is also referred to below as a large annular setting. In addition, an annular illumination, in which illumination angles between 0.65 and 0.85 times the maximum image-side numerical aperture of the illumination optics are used, is shown by dashed lines. This illumination setting is also referred to below as a small annular setting.
Beim
großen
annularen Setting nimmt der Elliptizitätsparameter E090 hin zu den
beiden Feldrändern in
etwa parabolisch ab, wobei an den Feldrändern die Abweichung des E090-Wertes
von 1 mehr als 3% beträgt.
Beim kleinen annularen Setting resultiert ein ähnlicher Verlauf des Elliptizitätsparameters
E090, wobei am Feldrand eine geringere Reduzierung des E090-Wertes
um etwa 2% resultiert. In der Feldmitte bleibt der Elliptizitätswert E090
konstant bei null.At the
huge
annular setting, the ellipticity parameter E090 increases towards the
two field borders in
approximately parabolic from, where at the field edges, the deviation of the E090 value
of 1 is more than 3%.
The small annular setting results in a similar course of the ellipticity parameter
E090, with a smaller reduction of the E090 value at the edge of the field
results by about 2%. In the middle of the field, the ellipticity value E090 remains
constant at zero.
Die
Abnahme des Elliptizitätswerts
E090 zum Feldrand hin kann zum Ausgleich eines gegenläufigen Elliptizitätseffekts
herangezogen werden, der durch optische Beschichtungen der optischen
Flächen
der einzelnen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5 resultiert.The decrease of the ellipticity value E090 towards the edge of the field can be used to compensate for an opposite ellipticity effect caused by optical coatings of the optical surfaces of the individual components of the illumination optics 5 results.
9 zeigt
die Uniformität
(uniformity) der Beleuchtung des Objektfeldes über die Feldhöhe. Beleuchtet
wird hier ebenfalls mit den Settings, die vorstehend im Zusammenhang
mit der 7 erläutert wurden. 9 shows the uniformity of the illumination of the object field over the field height. Illuminated here also with the settings that were previously in connection with the 7 were explained.
Die
Uniformität
U ist definiert als die in y-Richtung integrierte Gesamtenergie
SE an einem x-Wert, also bei einer Feldhöhe, in der Objektebene 6.
Dieser Wert wird üblicherweise
noch normiert, so dass gilt: Uniformität in % =
100(SE(x)max – SE(x)min)/(SE(x)max + SE(x)min) The uniformity U is defined as the total energy SE integrated in the y direction at an x value, ie at a field height, in the object plane 6 , This value is usually normalized, so that the following applies: Uniformity in% = 100 (SE (x) Max - SE (x) min )/(Sex) Max + SE (x) min )
SE(x)max stellt dabei die maximale und SE(x)min die minimale scanintegrierte Gesamtenergie
dar.SE (x) max represents the maximum and SE (x) min represents the minimum total integrated scan energy.
Die
Uniformität
nimmt, ausgehend von der Feldmitte (x = 0) sowohl beim kleinen als
auch beim großen annularen
Setting zunächst
in etwa parabolisch zu. In der Nähe
des Feldrandes steigt die Uniformität beim großen annularen Setting auf einen
Wert von etwa 1,3% an. Beim kleinen annularen Setting steigt auch
am Feldrand die Uniformität
nicht über
einen Wert, der größer ist
als 1%.The
uniformity
takes, starting from the middle of the field (x = 0) in both the small and
even when big annular
Setting first
roughly parabolic too. Near
On the edge of the field, the uniformity of the large, annular setting increases to one
Value of about 1.3%. The small annular setting also increases
uniformity at the edge of the field
no over
a value that is larger
than 1%.
10 zeigt
die Uniformität über die
Feldhöhe
x für zwei
X-Dipol-Beleuchtungssettings. 10 shows the uniformity over the field height x for two X-dipole illumination settings.
Gestrichelt
ist der Uniformitätswert
für ein
großes
X-Dipol-Setting dargestellt, das nachfolgend anhand von 11 erläutert wird. 11 zeigt ähnlich der 8 eine
Ausleuchtung einer der Pupillenebenen der Beleuchtungsoptik 5 am
Beispiel der Pupillenebene 29. Das große X-Dipol-Setting 44 ist
als Gruppe zweier 90°-Abschnitte
durchgezogen dargestellt. Die beiden Ringabschnitte des X-Dipol-Settings 44,
also dessen beide Pole, über streichen
die Oktanten O1, O8 einerseits
und O4, O5 andererseits.
Die beiden Ringabschnitte werden begrenzt durch zwei Teilkreise,
die auf Radien laufen, die dem 0,75-fachen und dem 0,95-fachen eines maximalen
Aperturradius R in der Pupillenebene 29 entsprechen.The dashed line shows the uniformity value for a large X-dipole setting, which is described below using 11 is explained. 11 shows similar to the 8th an illumination of one of the pupil planes of the illumination optics 5 on the example of the pupil level 29 , The big X-dipole setting 44 is shown as a group of two 90 ° sections drawn through. The two ring sections of the X-dipole settings 44 , ie the two poles, over the octants O 1 , O 8 on the one hand and O 4 , O 5 on the other hand. The two ring sections are bounded by two pitch circles running on radii of 0.75 times and 0.95 times a maximum aperture radius R in the pupil plane 29 correspond.
In
der 11 strichpunktiert dargestellt ist auch ein kleines
X-Dipol-Setting 45,
dessen Pole von Teilkreisen begrenzt sind, deren Radien dem 0,65-fachen
und dem 0,85-fachen des maximalen Aperturradius R in der Pupillenebene 29 entsprechen.In the 11 dash-dotted is also a small X-dipole-setting 45 whose poles are delimited by partial circles whose radii are 0.65 and 0.85 times the maximum aperture radius R in the pupil plane 29 correspond.
Die
Uniformität
nimmt, wie in der 10 dargestellt, beim großen X-Dipol-Setting ausgehend
von einem Wert 0 in der Feldmitte zum Rand hin bis auf einen Wert
von 3% zu. Beim kleinen X-Dipol-Setting nimmt die Uniformität in ähnlicher
Form, jedoch nicht in gleicher Stärke, bis zu einem Wert von
2% am Feldrand zu.The uniformity decreases, as in the 10 shown in the large X-dipole setting from a value of 0 in the middle of the field to the edge to a value of 3%. In the small X-dipole setting, the uniformity increases in a similar manner, but not in the same magnitude, up to a value of 2% at the edge of the field.
12 zeigt
den Feldverlauf der Uniformität
für ein
großes
und ein kleines Y-Dipol-Setting. Die Y-Dipol-Settings gehen aus
den X-Dipol-Settings nach 11 durch
Drehung um 90° um
die z-Achse hervor. Die Uniformität nimmt für das große Y-Dipol-Setting ausgehend
von einem Wert 0 in der Feldmitte bis zu einem Wert von etwa –1,4% am
Feldrand ab. Beim kleinen Y-Dipol-Setting nimmt die Uniformität, ebenfalls
ausgehend von einem Wert von 0 in der Feldmitte auf einen Wert von
etwa –0,9%
ab. 12 shows the uniformity of the field for a large and a small Y-dipole setting. The Y-dipole settings are derived from the X-dipole settings 11 by rotating 90 ° about the z-axis. The uniformity decreases for the large Y-dipole setting from a value of 0 in the middle of the field to a value of about -1.4% at the edge of the field. In the small Y-dipole setting, the uniformity also decreases from a value of 0 in the middle of the field to a value of about -0.9%.
Die
Vorgabe einer Soll-Phasenabweichung insbesondere mit einer feldrandseitig
großen
Soll-Phasenabweichung, wie in der 6 dargestellt,
ermöglicht
die Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung für die Objektfeldpunkte,
bei der zusätzlich
eine vorgegebene Intensitätsverteilung
beispielsweise über
das gesamte Objektfeld in der Objektebene 6 erreicht werden
kann. Zu dieser Einstellung wird zunächst die Soll-Phasenabweichung
von einer ideal sphärischen
Wellenfront vorgegeben, beispielsweise ein Phasenabweichungsverlauf wie
in der 6 dargestellt. Diese Soll-Phasenabweichung wird
für diejenige
Wellenfront angegeben, die nach dem Durchtreten der gesamten Beleuchtungsoptik 5,
also nach Durchtreten der letzten Linse 34 der REMA-Linsengruppe 15,
am randseitigen Maß-Feldpunkt 36 des
Objektfeldes ankommt. Die vorgegebene Soll-Phasenabweichung hat eine dreizählige Symmetrie,
wie vorstehend für
den Maß-Feldpunkt 36 anhand der 4 erläutert. Die
Soll-Phasenabweichung hat also in einer Umfangsrichtung um den Hauptstrahl 39 verteilt
drei Phasenmaxima MAX und drei zwischen jeweils zweien der Phasenmaxima
MAX liegende Phasenminima MIN. Nach dieser Vorgabe der Soll-Phasenabweichung
wird die Pfeilhöhenfunktion
der optischen Flächen
der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5, also
insbesondere der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34 an
die vorgegebene Soll-Phasenabweichung
angepasst. Dies erfolgt durch Variation der Koeffizienten der Pfeilhöhenfunktion
sowie der Luftabstände
zwischen den optischen Komponenten. Die Variation wird so durchgeführt, dass
eine Differenz einer Ist-Phasenabweichung, die von der Beleuchtungsoptik 5 am Maß-Feldpunkt 36 erzeugt
wird, von der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung minimiert ist.
Entsprechend den so angepassten Pfeilhöhenfunktionen werden dann die
optischen Flächen
der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34 geformt.The specification of a desired phase deviation, in particular with a field edge side large desired phase deviation, as in 6 shown, allows the setting of an illumination angle distribution for the object field points, in addition, a predetermined intensity distribution, for example, over the entire object field in the object plane 6 can be achieved. To this setting, the desired Phasenab given by an ideal spherical wavefront, for example, a phase deviation curve as in the 6 shown. This desired phase deviation is specified for that wavefront which after passing through the entire illumination optics 5 So after passing through the last lens 34 of the REMA lens group 15 , at the edge measurement field point 36 of the object field arrives. The predetermined target phase deviation has a threefold symmetry, as above for the measure field point 36 based on 4 explained. The desired phase deviation thus has in a circumferential direction around the main beam 39 distributes three phase maxima MAX and three phase minima MIN lying between each two of the phase maxima MAX. After this specification of the desired phase deviation, the arrow height function of the optical surfaces of the optical components of the illumination optics 5 , so in particular the lenses 16 to 21 . 24 to 28 such as 30 to 34 adapted to the predetermined target phase deviation. This is done by varying the coefficients of the arrow height function and the air gaps between the optical components. The variation is performed such that a difference of an actual phase deviation from that of the illumination optics 5 at the measurement field point 36 is minimized, is minimized by the predetermined target phase deviation. According to the thus adapted arrow height functions then the optical surfaces of the lenses 16 to 21 . 24 to 28 such as 30 to 34 shaped.
Es
ist nicht zwingend erforderlich, die Form der optischen Flächen aller
optischen Komponenten zur Einstellung der Soll-Phasenabweichung
zu variieren. Es reicht aus, ausgewählte optische Flächen zu
variieren. Prinzipiell kann es genügen, die vorgegebene Soll-Phasenabweichung über die Variation
der Form einer einzigen optischen Fläche innerhalb vorgegebener
Grenzen zu erreichen.It
is not mandatory, the shape of the optical surfaces of all
optical components for setting the target phase deviation
to vary. It suffices to select selected optical surfaces
vary. In principle, it may be sufficient to set the predetermined desired phase deviation over the variation
the shape of a single optical surface within predetermined
To reach limits.
Bei
der Auswahl der optischen Flächen
zur Vorgabe einer bestimmten Phasenabweichung mit entsprechend dem
Vorstehenden erläuterten
dreizähligen
Symmetrie, kann berücksichtigt
werden, dass die Wirkung einer Änderung
der Pfeilhöhe
einer optischen Fläche
auf die Phasenabweichung eines Feldpunktes gleichzeitig von der
dritten Potenz einer Pupillenkoordinate und von der dritten Potenz
einer Feldkoordinate abhängt.at
the selection of optical surfaces
to specify a certain phase deviation with according to the
Explained above
threefold
Symmetry, can be considered
be that effect of a change
the arrow height
an optical surface
on the phase deviation of a field point simultaneously from the
third power of a pupil coordinate and of the third power
depends on a field coordinate.
Die
Soll-Phasenabweichung mit den drei Phasenmaxima und den zwischenliegenden
drei Phasenminima kann, wie vorstehen im Zusammenhang mit der 6 erläutert, durch
Vorgabe eines Zernike-Koeffizienten Z11 bei der Beschreibung der
Wellenfunktion am Maß-Feldpunkt 36 geschehen.
Alternativ ist es möglich, für den Maß-Feldpunkt 36 den
Phasenwert für
drei im Maß-Feldpunkt
ankommende Einzelstrahlen vorzugeben, die in Umfangsrichtung um
den Hauptstrahl 39 zueinander versetzt angeordnet sind.
Es muss sich dabei um Einzelstrahlen handeln, die im Rahmen der
jeweils gewählten
Wellenfrontbeschreibung eine eindeutige Phasencharakterisierung
der Form der am Maß-Feldpunkt 36 ankommenden
Wellenfront ermöglichen.
Drei Durchstoßpunkte 46, 47, 48 derartiger
Einzelstrahlen sind beispielhaft in der 4 angedeutet.
Der Durchstoßpunkt 46 liegt
im Bereich der 2-Uhr-Position, der Durchstoßpunkt 47 im Bereich
der 4-Uhr-Position
und der Durchstoßpunkt 48 im
Bereich der 9-Uhr-Position der annularen Beleuchtung des Maß-Feldpunkts 36.The desired phase deviation with the three phase maxima and the intermediate three phase minima can, as in the context of the 6 by specifying a Zernike coefficient Z11 in describing the wave function at the measure field point 36 happen. Alternatively, it is possible for the measure field point 36 specify the phase value for three individual beams arriving at the measurement field point, which are circumferentially around the main beam 39 arranged offset from each other. These must be individual beams which, in the context of the respectively selected wavefront description, have a clear phase characterization of the form at the measure field point 36 enable incoming wave front. Three puncture points 46 . 47 . 48 Such individual beams are exemplary in the 4 indicated. The puncture point 46 is in the range of the 2 o'clock position, the puncture point 47 in the range of the 4 o'clock position and the puncture point 48 in the area of the 9 o'clock position of the annular illumination of the measurement field point 36 ,
Die
durch die vorgegebene Soll-Phasenabweichung erzwungene Dreizähligkeit
der auf die randseitigen Objektfeldpunkte auftreffenden Wellenfront
erzwingt eine beispielsweise näherungsweise
parabolische Abhängigkeit der
Beleuchtungsparameter Elliptizität
(E090) und Uniformität
wie vorstehend insbesondere im Zusammenhang mit den 7, 10 und 12 erläutert. Diese
parabolische Abhängigkeit
wird als Vorhalt zur Kompensation gegenläufiger parabolischer Feldabhängigkeiten
dieser Beleuchtungsparameter eingesetzt, die beispielsweise durch
Schichteffekte auf den optischen Flächen der optischen Komponenten
der Beleuchtungsoptik 5 erzeugt werden.The three-foldness of the wavefront impinging on the edge-side object field points forced by the predetermined desired phase deviation forces an, for example, approximately parabolic dependence of the illumination parameters ellipticity (E090) and uniformity as above in particular in connection with FIGS 7 . 10 and 12 explained. This parabolic dependence is used as a precondition for compensation of opposing parabolic field dependencies of these illumination parameters, which are obtained, for example, by layer effects on the optical surfaces of the optical components of the illumination optics 5 be generated.
Typische
Vorhaltwerte sind Verläufe
des Elliptizitätswertes
E090 derart, dass sich dieser am Rand des Objektfeldes um mehr als
1% ändert,
und Verläufe
des Uniformitätswertes
derart, dass sich dieser am Rand des Objektfeldes um mehr als 1% ändert.typical
Prevalues are gradients
of the ellipticity value
E090 such that this at the edge of the object field by more than
1% changes,
and gradients
of uniformity value
such that it changes by more than 1% at the edge of the object field.
Mit
Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens
ein Teil des Retikels 6a auf einen Bereich einer lichtempfindlichen
Schicht auf dem Wafer bzw. dem Substrat 11a zur lithographischen
Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements abgebildet.
Je nach Ausführung
der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als
Stepper werden das Retikel 6a und der Wafer 11a zeitlich
synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb
oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.With the help of the projection exposure system 1 becomes at least a part of the reticle 6a to a region of a photosensitive layer on the wafer or the substrate 11a for the lithographic production of a microstructured or nanostructured component. Depending on the version of the projection exposure system 1 as a scanner or as a stepper become the reticle 6a and the wafer 11a synchronized in time in the y-direction continuously in scanner mode or stepwise in stepper mode.
