DE102008001553B4 - Komponente zur Einstellung einer scanintegrierten Beleuchtungsenergie in einer Objektebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents
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| JP6626273B2 (ja) * | 2015-06-03 | 2019-12-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
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| WO2020216643A1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and illumination uniformity correction system |
| DE102021213827B4 (de) | 2021-12-06 | 2026-04-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Optimierung einer Pupillen-Blendenform zur Nachbildung von Beleuchtungs- und Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems bei der Beleuchtung und Abbildung eines Objekts mittels eines optischen Messsystems |
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| DE102025107605A1 (de) * | 2025-02-27 | 2025-12-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anpassbare blende für eine projektionsbelichtungsanlage, projektionsbelichtungsanlage und verfahren zum anpassen einer anpassbaren blende |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097474A (en) * | 1997-03-31 | 2000-08-01 | Svg Lithography Systems, Inc. | Dynamically adjustable high resolution adjustable slit |
| JP2006134932A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Nikon Corp | 可変スリット装置、照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
| US7064805B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-06-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US20070014112A1 (en) * | 2003-11-13 | 2007-01-18 | Nikon Corporation | Variable slit apparatus, illumination apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method |
| JP2007207821A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nikon Corp | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
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Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
| US5966202A (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-12 | Svg Lithography Systems, Inc. | Adjustable slit |
| EP0952491A3 (en) | 1998-04-21 | 2001-05-09 | Asm Lithography B.V. | Lithography apparatus |
| JP2000082655A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Canon Inc | スリット機構、露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP3862438B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置、走査露光方法およびデバイス製造方法 |
| JP4241281B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2009-03-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
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Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| US6097474A (en) * | 1997-03-31 | 2000-08-01 | Svg Lithography Systems, Inc. | Dynamically adjustable high resolution adjustable slit |
| US20070014112A1 (en) * | 2003-11-13 | 2007-01-18 | Nikon Corporation | Variable slit apparatus, illumination apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method |
| US7064805B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-06-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2006134932A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Nikon Corp | 可変スリット装置、照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
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