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Die
Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstoffwissenschaften
und betrifft ein Schichtsystem für
Elektroden, insbesondere für
Interdigitalwandler für
akustische Oberflächenwellen-Bauelemente,
und speziell für
Interdigitalwandler für
akustische Oberflächenwellen-Bauelemente,
welche beispielsweise als Frequenzfilter, Sensoren oder Aktuatoren
zum Einsatz kommen können,
aber auch für Elektroden
von anderen mikro-elektromechanischen Systemen.
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Akustische
Oberflächenwellen-Bauelemente (Surface
Acoustic Wave (SAW)-Bauelemente)
bestehen im Allgemeinen aus einem piezoelektrischen Substrat oder
einer piezoelektrischen Dünnschicht auf
einem nichtpiezoelektrischem Substrat und aus einem oder mehreren
Interdigitalwandlern (IDT) zur Ein- und Auskopplung der elektrischen
Energie, sowie aus entsprechenden Kontaktierungsbereichen (Pads).
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Bei
dem Betrieb der akustischen Oberflächenwellen-Bauelemente bei
hohen Temperaturen und/oder hohen SAW-Leistungen kann es zu stressinduzierten
Ausfällen
bei SAW-Bauelementen durch Migrationseffekte (Akustomigration),
zu Abplatzungen (Versagen des Interface Metallschicht-Substrat) oder
zur Rissbildung im Substrat selbst kommen. All dies limitiert die
Leistungsverträglichkeit,
die Zuverlässigkeit,
sowie die Lebensdauer der Bauelemente.
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Ein
weiteres Problem bei SAW-Bauelementen besteht in der Kontaktierung
der IDT, wofür
haftfeste Verbindungen zwischen einem Kontaktelement (z. B. Al-
oder Au-Draht) und
den Pads realisiert werden müssen.
Für Bauelemente
mit Betriebsfrequenzen im GHz-Bereich müssen diese Pads außerdem entsprechend
aufgedickt werden (Erhöhung
der Schichtdicke der Metallisierung im Padbereich).
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Interdigitalwandler
für SAW-Bauelemente werden
häufig
entweder aus Al-basierten oder Cu-basierten Dünnschichtsystemen (Metallisierung) mit
typischen Abmessungen einer Gesamtdicke von 50 bis 500 nm mit oder
ohne Haftvermittlerschicht (meist Ti) hergestellt. Übliche Abscheideverfahren sind
Elektronenstrahlverdampfen oder Magnetronsputtern. Diese Dünnschichtsysteme
werden entweder als Einzelschicht oder als Legierungen oder als Multischichtsysteme
abgeschieden. Die Strukturierung der Metallisierungsschichten erfolgt
entweder über
Lift-Off-Technik oder über Ätztechniken
mit Hilfe einer Maske. Aufgrund eines gegebenen Zusammenhangs zwischen
Migration und den mechanischen Eigenschaften der Metallisierung
kann die Leistungsverträglichkeit
und folglich auch die Lebensdauer der SAW-Bauelemente durch verbesserte thermomechanische
Eigenschaften der Metallisierung erhöht werden.
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Metallmatrix-Kompositmaterialien
mit eingelagerten Kohlenstoffnanoröhren (CNT-MMC) sind in den letzten Jahren in Form
von kompakten Pulvermaterialien bekannt geworden, wobei die speziell
untersuchten CNT-Cu-Sintermaterialien merklich verbesserte mechanische
Eigenschaften aufweisen.
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Derartige
Materialien sind aber aufgrund ihres Gefüges sowie ihrer pulvermetallurgischen
Herstellung nicht für
Metallisierungen für
die Herstellung von SAW-Bauelementen geeignet, welche mit Dünnschichttechniken
und mit Fingerbreiten der Interdigitalwandler bis in den sub-μm-Bereich
hergestellt werden müssen.
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Weiter
sind elektrochemische Verfahren bekannt zur Herstellung von metallischen
Dünnschichten,
wie z. B. Cu, Ni, Ag, oder ähnliche.
Speziell ist auch ein Verfahren zur elektrochemischen Abscheidung
von CNT-Cu-Kompositen (
US
2007/0199826 A1 ,
US 2007/0158619 A1 ,
US 7226531 B2 ) bekannt. Es
wurde prinzipiell gezeigt, dass sich nach Funktionalisierung der
CNTs über
chemische Methoden CNT-Cu-Kompositschichten
auf Substraten mit verbesserten mechanischen und tribologischen
Eigenschaften mittels Elektroplating herstellen lassen.
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Nach
der
US 6709562 B1 ist
eine Methode zur Herstellung von in einem Isolator vergrabenen Leitbahnen
für mikroelektronische
Schaltkreise bekannt.
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Weiter
ist nach
US 7226531
B2 die Herstellung eines Verbindungsdrahtes („interconnection
wire”)
aus einem Kompositmaterial aus CNTs und Metall auf flexiblen Substraten
bekannt.
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Bekannt
ist auch, dass Nanostrukturen und speziell Kohlenstoffnanoröhren, außergewöhnliche Eigenschaften
aufweisen können
[Dresselhaus, M. S., Dresselhaus, G., Avouris, P. (Eds.): Carbon
Nanotubes, Synthesis, Structure, Properties, and Applications. Springer-V.
Berlin (2001)].
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Bekannt
ist weiterhin nach der
WO 2006/133466
A1 eine Anordnung zur Druckmessung, insbesondere bei gasgefüllten Reifen,
bei der auf einem Trägersubstrat,
welches einen nanokristallinen Kohlenstoff, vorzugsweise Kohlenstoff-Fullerene, Kohlenstoff-Nanofasern
oder Kohlenstoff-Nanoröhren
umfasst, eine Oberflächenwellen-Sensor
mit Erreger- und Empfangselektrode angeordnet ist und der Oberflächenwellen-Sensor
mit einer Oberfläche, auf
die Druck ausgeübt
wird, verbunden ist.
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Ebenfalls
bekannt ist nach der
US 2003/0210111
A1 ein Oberflächenwellenfilter
und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Dabei werden Kohlenstoffnanoröhren als Übertragungsmedium
für die akustischen
Wellen eingesetzt.
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Nachteile
der bekannten Lösungen
für Metallisierungen
für Interdigitalwandler
für SAW-Bauelemente
bestehen vor allem in der noch nicht ausreichenden Leistungsbeständigkeit
und Lebensdauer im Hinblick auf Akustomigration und mechanisch bedingte
Abplatzungen oder Versagen des Interface zwischen Metallisierung
und Substrat, insbesondere für
Leistungsfilter, optische Anwendungen und für Aktuatoren.
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Schichtsystems
für Elektroden
mit verbesserter Leistungsverträglichkeit
und Lebensdauer.
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Gelöst wird
die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
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Das
erfindungsgemäße Schichtsystem
für Elektroden
besteht aus einem piezoelektrischen Substrat mit darauf befindlichen
oder im Substrat eingebetteten Streifenstrukturen aus einem Kompositmaterial,
welches aus einem metallischen Matrixmaterial mit mindestens einer
Einlagerungsphase aus Kohlenstoffnanostrukturen besteht.
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Vorteilhafterweise
ist das Schichtsystem für Interdigitalwandler
für akustische
Oberflächenwellen-Bauelemente
eingesetzt.
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Weiterhin
vorteilhafterweise weist das Kompositmaterial amorphes oder nanokristallines
Gefüge auf.
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Ebenfalls
ist als metallisches Matrixmaterial ein fcc-Material mit einer hohen
Leitfähigkeit
vorhanden.
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Und
auch vorteilhafterweise ist als metallisches Matrixmaterial Al,
Cu, Ag, Au, Pt oder Ru vorhanden.
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Es
ist ebenfalls vorteilhaft, wenn das metallische Matrixmaterial zu
50,1 bis 99,9 Vol.-%
enthalten ist.
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Und
auch vorteilhaft ist es, wenn die Einlagerungsphase aus Kohlenstoffnanoröhren, Kohlenstoffnanodrähten, Fullerenen
oder Graphenen besteht, wobei noch vorteilhafterweise die Kohlenstoffnanoröhren einwandig
(Singlewall CNT) oder mehrwandig (Multiwall CNT) ausgebildet sind,
und/oder die Einlagerungsphase in gerichteter Anordnung im Matrixmaterial
enthalten ist und/oder als Einlagerungsphase vollständig gefüllte Kohlenstoffnanoröhren oder gefüllte Fullerene
vorhanden sind oder eine Kombination von solchen und/oder als Einlagerungsphase eine
Kombination von gefüllten
Kohlenstoffnanoröhren
oder gefüllten
Fullerenen mit ungefüllten
Kohlenstoffnanoröhren
oder ungefüllten
Fullerenen oder Graphenen vorhanden sind oder Kombination von solchen.
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Vorteilhaft
ist es auch, wenn die Kohlenstoffnanostrukturen durch katalytische
CVD-Verfahren hergestellte
Kohlenstoffnanostrukturen sind.
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Von
Vorteil ist es ebenfalls, wenn neben der Einlagerungsphase weitere
globulare, röhrenartige, stabförmige oder
flächige
Strukturen im Matrixmaterial enthalten sind.
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Und
auch von Vorteil ist es, wenn die Kohlenstoffnanostrukturen der
Einlagerungsphase stoffschlüssig
und/oder kraftschlüssig
mit dem Substrat verbunden sind. wobei noch vorteilhafterweise gerichtet
angeordnete Kohlenstoffnanostrukturen der Einlagerungsphase alle
mit einem Ende mit dem Substrat stoffschlüssig und/oder kraftschlüssig verbunden
sind.
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Ebenfalls
von Vorteil ist es, wenn zwischen Substrat und Schichtsystem eine
Pufferschicht vorhanden ist.
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Weiterhin
von Vorteil ist es, wenn auf dem Schichtsystem eine Deckschicht
aufgebracht ist.
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Und
auch von Vorteil ist es, wenn die Streifenstrukturen vollständig oder
nahezu vollständig
in das Substrat eingebettet sind.
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Bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren
zur Herstellung eines Schichtsystems für Elektroden werden entweder
auf eine auf einem Substrat befindliche Keimschicht Partikel oder
eine Schicht eines Katalysatormaterials aufgebracht, dieser Schichtverbund
wird einer Temperaturerhöhung
ausgesetzt und nachfolgend mittels plasmaunterstützter Verfahren Kohlenstoffnanostrukturen
hergestellt, sowie nachfolgend mindestens die Zwischenräume zwischen den
Kohlenstoffnanostrukturen durch ein metallisches Matrixmaterial
ausgefüllt
und/oder bei dem auf ein Substrat mit oder ohne bereits darauf befindlichen Schichten
mittels plasmaunterstützter
Verfahren Partikel aufgebracht werden, die während oder nach dem Aufbringen
zur Herausbildung von Kohlenstoffnanostrukturen führen und
nachfolgend die Zwischenräume
zwischen den Kohlenstoffnanostrukturen durch ein metallisches Matrixmaterial
ausgefüllt
werden.
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Vorteilhafterweise
wird als Keimschichtmaterial Cu oder Ru oder TaN eingesetzt.
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Weiterhin
vorteilhafterweise werden als Katalysatormaterial Fe, Ni und/oder
Co eingesetzt.
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Und
auch vorteilhafterweise werden als Füllmaterial für die Kohlenstoffnanoröhren Fe,
Ni und/oder Co eingesetzt.
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Ebenfalls
vorteilhafterweise wird zwischen Substrat und Keimschicht eine Barriereschicht
aufgebracht.
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Vorteilhaft
ist es auch, wenn beim plasmaunterstützten Verfahren CH4-Gas
eingesetzt wird, wobei noch vorteilhafterweise ein weiteres Gas
zur Verdünnung
des C-Gehaltes eingesetzt wird, welches vorteilhafterweise als Ar
oder He eingesetzt wird.
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Von
Vorteil ist es auch, wenn als metallisches Matrixmaterial Al, Cu,
Ag oder Au eingesetzt werden oder Legierungen oder Multischichten
derselben.
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Ebenfalls
von Vorteil ist es, wenn die Nanostrukturen mit einer Zwischenschicht
versehen sind, die bevorzugt mittels Atomic Layer Deposition (ALD) aufgebracht
wird, wobei vorteilhafterweise die Zwischenschicht aus einem Metall
oder einem Oxid oder Nitrid wie Ru, Ta, Ti, TaN, TiN, Hf-Oxid oder
Zr-Oxid oder Multischichten oder Legierungen davon besteht und als
solches eingesetzt wird.
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Mit
der erfindungsgemäßen Lösung ist
es erstmals möglich,
ein Kompositmaterial als Material für Elektroden und insbesondere
für die
Fingerelektroden der Interdigitalwandler von akustischen Oberflächenwellen-Bauelementen
zu verwenden. Der Einsatz von Kompositmaterialien auf Basis eines
Metalls oder einer Metalllegierung oder Metallmultischichten in
Verbindung mit Nanostrukturen als Einlagerungsphase als Dünnschichtsysteme
als Material für
Fingerelektroden der Interdigitalwandler ist bisher nicht bekannt.
Insbesondere ist nicht bekannt der Einsatz von Kohlenstoffnanostrukturen-Metallmatrix-Kompositen
und insbesondere von Kohlenstoffnanostrukturen-Cu- oder -Al-Kompositmaterialien.
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Von
besonderem Interesse im Zusammenhang mit Nanokompositschichten für die o.
g. Anwendungen als Schichtsystem für Interdigitalwandler für akustische
Oberflächenwellen-Bauelemente
sind streng geordnete 0-, 1- oder 2-dimensionale Kohlenstoffnanostrukturen,
wie Fullerene, einwandige oder mehrwandige Kohlenstoffnanoröhren (Carbon
Nanotubes = CNTs) oder Kohlenstoffnanodrähte oder Graphene. CNTs können mit
unterschiedlicher Qualität, als
ein- (Singlewall-CNT
= SWCNT) oder mehrwandige (Multiwall-CNT = MWCNT) Kohlenstoffnanoröhren entweder über Laser-Arc,
Lichtbogen-Verfahren oder CVD ohne oder mit Plasmaunterstützung hergestellt
werden. Besonders die sogenannte katalytische CVD (cCVD-Verfahren)
ist zur Herstellung größerer CNT-Mengen
geeignet. Die Eigenschaften der hergestellten CNTs sind abhängig vom
Herstellungsverfahren. Über
cCVD hergestellte CNTs sind überwiegend
MWCNTs im Durchmesserbereich zwischen 10 nm und 100 nm. Die äußeren Hüllen besitzen
meist viele strukturelle Defekte oder sie sind teilweise oder vollständig amorph.
Auch können
die CNTs gereinigt, funktionalisiert oder während oder nach der Herstellung
mit verschiedenen Materialien gefüllt werden.
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Defektfreie
CNTs können
einen extrem hohen Young's
Modul (bis etwa 1.2 TPa) und einen ballistischen Elektronentransport
sowie eine hohe Wärmeleitung
aufweisen.
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Mit
der erfindungsgemäßen Lösung für Schichtsysteme
für Interdigitalwandler
für akustische Oberflächenwellen-Bauelemente
können
die bisherigen Nachteile der bekannten Lösungen für Interdigitalwandler für SAW-Bauelemente
behoben oder zumindest signifikant verbessert werden, wobei insbesondere
die homogene Verteilung der CNT's
innerhalb des erfindungsgemäßen Schichtsystems
verbessert und deren Anordnung gezielt gesteuert werden kann.
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Weiterhin
kann die Viskosität
des Schichtmaterials in einem gewissen Bereich eingestellt werden und/oder
auf einem bestimmten Wert gehalten werden, wodurch die Einfügedämpfung des
Bauelementes positiv beeinflusst werden kann.
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Erfindungsgemäß können zur
Herstellung leistungsverträglicher
Metallisierungen für
Elektroden und insbesondere für
Interdigitalwandler für SAW-Bauelemente
Schichtsysteme mit mindestens einer Einlagerungsphase (Kompositschichtsystem) aus
null- (Fullerene), ein- (Kohlenstoffnanoröhren, Kohlenstoffnanodrähten), oder
zweidimensionalen (Graphene) Kohlenstoffnanostrukturen eingesetzt werden,
die mit einem Verfahren der Dünnschichtabscheidung
(bevorzugt elektrochemische Abscheidung (Elektroplating)) hergestellt
werden können. Zur
verbesserten Benetzung mit den Matrixmaterial werden die CNTs funktionalisiert
oder mit mindestens einer Zwischenschicht versehen, die nach dem Wachstum
auf die Kohlenstoffmodifikationen, vorzugsweise mit Atomic Layer
Deposition (ALD), aufgebracht werden.
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Die
Herstellung der erfindungsgemäßen Schichtsysteme
für Elektroden
und insbesondere für Interdigitalwandler
für akustische
Oberflächenwellen-Bauelemente
kann beispielsweise derart erfolgen, dass auf ein Substrat Katalysatorpartikel
(z. B. Fe, Ni, Co oder andere) aufgebracht werden. Das geschieht
vorzugsweise in einer Durchlaufanlage, wobei entweder direkt die
Katalysatorpartikel, z. B. über eine
Sputtertechnik, aus einem übersättigten
Dampf aufgebracht werden, oder in einer Durchlaufanlage zunächst eine
dünne Schicht
(1–5 nm
Dicke) des Katalysatormaterials über
eine der Dünnschichttechniken
(Sputtern, Verdampfen, CVD) auf die Oberfläche des Substrates abgeschieden
wird und über
eine nachfolgende Wärmebehandlung
die Bildung der Katalysatorpartikel durch Agglomerationseffekte
erfolgt. Die Partikelgröße liegt,
abhängig
von den Prozessparametern, vorzugsweise zwischen 5 und 30 nm.
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Nachfolgend
wird das beschichtete Substrat in einer C-haltigen Atmosphäre über thermisch
aktivierte Prozesse oder thermisch-plasmaaktivierte Prozesse mit
Kohlenstoffnanostrukturen, z. B. Kohlenstoffnanoröhren, beschichtet.
Diese Kohlenstoffnanoröhren
haben in diesem Fall eine Vorzugsrichtung mit Bezug auf die Oberfläche des
Substrates.
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In
einem anschließenden
Prozess werden die Kohlenstoffnanostrukturen funktionalisiert (Bildung
von O-H-Gruppen) und/oder über
ALD mit mindestens einer Haftvermittlerschicht (z. B. TaN oder Ru)
beschichtet, und anschließend
mit Hilfe eines Abscheideverfahrens (bevorzugt Elektroplating) mit dem
metallischen Matrixmaterial beschichtet, so das die Zwischenräume zwischen
den Kohlenstoffnanostrukturen teilweise oder vollständig ausgefüllt werden und
das Matrixmaterial als Ummantelung für die Kohlenstoffnanostrukturen
dient. Damit wird eine Kompositschicht erhalten, die ausgerichtete
Kohlenstoffnanostrukturen in einem Matrixmaterial enthält, bei
dem die Kohlenstoffnanostrukturen in einer Länge oder über eine Dicke eingelagert
sind, die mindestens der Dicke der Schicht entspricht. Darüber hinaus
ist eine ungerichtete Einlagerung der Kohlenstoffnanostrukturen
in dem Matrixmaterial möglich,
wenn die Kohlenstoffnanostrukturen zusammen mit der Metallschicht
abgeschieden werden. Zu diesem Zweck können vorteilhaft die Kohlenstoffnanostrukturen dem
Elektrolyten für
die elektrochemische Abscheidung zugegeben werden.
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Weiterhin
ist es möglich,
beide Herstellungsprozesse zu kombinieren, so dass das Schichtsystem
Bereiche mit gerichtet angeordneten Kohlenstoffnanostrukturen enthält und gleichzeitig
andere Bereiche, in denen die Kohlenstoffnanostrukturen ungerichtet
angeordnet sind.
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Es
ist auch möglich,
Bereiche des Schichtsystems mit gerichteten und/oder ungerichteten
Einlagerungsphasen mit Bereichen ohne Einlagerungsphase zu kombinieren.
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Neben
dem Elektroplating kann die Aufbringung mindestens der Matrixschicht
auch über
andere Verfahren, beispielsweise stromlos mittels Electroless Plating
erfolgen.
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Weiterhin
kann die Beschichtung eines Substrates mit dem erfindungsgemäßen Schichtsystem erfolgen
und nachfolgend das Substrat entfernt werden.
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Das
erfindungsgemäße Schichtsysteme kann
auch für
Elektroden für
Mikrospiegelsysteme, für
mikro-elektromechanische Drucksensoren oder -aktoren, für piezoelektro-mechanische
Steuerelemente eingesetzt werden und zeigt dort auch eine verbesserte
Leistungsverträglichkeit
und Lebensdauer.
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Nachfolgend
wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert.
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Dabei
zeigen
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1 eine
prinzipielle Darstellung des erfindungsgemäßen Schichtsystems im Querschnitt
mit gerichtet angeordneten Kohlenstoffnanostrukturen in Form von
Kohlenstoffnanoröhren
und
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2 eine
prinzipielle Darstellung des erfindungsgemäßen Schichtsystems im Querschnitt
mit ungerichtet angeordneten Kohlenstoffnanostrukturen in Form von
Kohlenstoffnanoröhren
und
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3 Beispiele
für transmissionselektronenmikroskopische
Bilder
- a) CNT-Cu-Schichtsystem mit einer Schichtdicke von
1,95 μm,
- b) mit einem dünnen
Ta(N)-Schicht mittels ALD beschichtete CNT vor dem Cu-Elektroplating
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Beispiel 1
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Die
Herstellung der Interdigitalwandler für SAW-Bauelemente aus dem erfindungsgemäßen Schichtsystem
wird am Beispiel der Damaszen-Technik dargestellt.
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Ein
mit einer Lackmaske versehener Wafer aus Quarz wird mittels reaktiven Ιonenätzens in
fingerförmige
Anordnungen, den Interdigitalwandlern, von Abmessungen (Fingerbreiten)
von 3,76 μm
strukturiert und der verbliebene Lack abgelöst. Nachfolgend wird diese
strukturierte Anordnung mit einer 5 nm dicken Schicht aus TaN als
Barriereschicht und nachfolgend mit einer 50 nm dicken Cu-Schicht als Keimschicht
versehen. Diese Schichten werden aufgesputtert. Danach werden auf
die Cu-Schicht Ni-Katalysatorpartikel von einer mittleren Größe von 20
nm mit einer Dichte von 1000–5000
Teilchen/μm3 aufgebracht über ein Sputterverfahren im übersättigten Dampf.
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Im
nachfolgenden plasmaunterstützten CVD-Prozess
im Temperaturbereich zwischen 300°C und
500°C unter
Verwendung von CH4 wachsen ein- und mehrwandige
Kohlenstoffnanoröhren
mit einer mittleren Länge
von 1–3 μm.
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Anschließend wird über Elektroplating
Cu unter Verwendung von schwefelsauren Elektrolyten auf die Oberfläche und
um die Kohlenstoffnanoröhren
deponiert, so dass die Anordnung aus CNTs vollständig bedeckt ist. Durch chemisch-mechanisches Polieren
(CMP) mit einer Standard-Cu-Suspension wird das so entstandene Schichtsystem
strukturiert. Dadurch werden vergrabene Interdigitalwandler-Fingerstrukturen
aus einer CNT-Cu-Schicht mit im Wesentlichen eindirektional eingelagerten
CNT's erhalten.
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Bei
einer Schichtdicke von 1,95 μm
der CNT-Cu-Schicht beträgt
der elektrische Widerstand 1,73 μOhmcm.
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Diese
Interdigitalwandler zeigen eine signifikant höhere Leistungsverträglichkeit
und Lebensdauer im Vergleich zu Cu-Schichten ohne CNT-Einlagerungsphasen.
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Beispiel 2
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Ein
mit einer Lackmaske versehener Wafer aus LiNbO3 wird
mittels reaktiven Ionenätzens
in fingerförmige
Anordnungen von 0.5 μm
Breite und einem ebensolchen Abstand (Interdigitalwandler für Filterstrukturen
im GHz-Bereich) strukturiert und der Restlack abgelöst. Nachfolgend
wird diese strukturierte Anordnung mit einer 3 nm dicken Schicht
aus Ta-Si-N als Barriereschicht und nachfolgend mit einer 50 nm
dicken Cu-Schicht als Keimschicht versehen. Diese Schichten werden
aufgesputtert. Danach werden chemisch funktionalisierte Kohlenstoffnanoröhren mit
einer schmalen Durchmesserverteilung mit einem Maximum bei 20 nm
Durchmesser und einer Länge
zwischen 3 und 5 μm
in ein Cu-Elektrolyten gegeben
und das Bad umgewälzt.
In einem weiteren Prozessschritt erfolgt die Beschichtung mit dem Cu-Elektrolyten über Elektroplating.
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Diese
Interdigitalwandler zeigen ebenfalls eine signifikant höhere Leistungsverträglichkeit
und Lebensdauer im Vergleich zu Cu-Schichten ohne CNT-Einlagerungsphasen.
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- 1
- Substrat
- 2
- Zwischenschicht
- 3
- Keimschicht
- 4
- Einlagerungsphase
- 5
- metallisches
Matrixmaterial