DE102007032381A1

DE102007032381A1 - Magnettransistorschaltung mit EXOR-Funktion

Info

Publication number: DE102007032381A1
Application number: DE102007032381A
Authority: DE
Inventors: Tom Allen Saint Paul Agan; James Chyi Saint Paul Lai
Original assignee: Northern Lights Semiconductor Corp
Current assignee: Northern Lights Semiconductor Corp
Priority date: 2006-10-13
Filing date: 2007-07-11
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2027-07-12
Also published as: US7397277B2; CN101162902A; GB2443495B; TW200818707A; JP2008099284A; DE102007032381B4; JP4526557B2; US20070103196A1; GB0713650D0; GB2443495A; FR2907285A1

Abstract

Eine Magnettransistorschaltung weist einen ersten und einen zweiten Magnettransistor auf. Diese beiden Magnettransistoren, die als herkömmliche Transistoren arbeiten, können durch die Steuerung vieler Metallvorrichtungen, welche jeweils um die Magnettransistoren herum angeordnet sind, angeschaltet oder ausgeschaltet werden. Die EXOR-Logikfunktion des binären Systems kann durch die Steuerung dieser Metallvorrichtungen implementiert werden.

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Transistorschaltung mit der EXOR-Funktion. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Transistorschaltung mit der EXOR-Funktion, die durch mehrere Magnettransistoren konfiguriert wird.
Stand der Technik
Die EXOR-Schaltung ist sehr wichtig für den Entwurf von IC-Schaltungen. Der Entwerfer kann diese Schaltung mit anderen logischen Schaltungen kombinieren, um die benötigten Funktionen zu implementieren.
Die EXOR-Logikfunktion ist: Ausgabe = X·Y' + X'·Y
Die Funktionstabelle bzw. Wahrheitstabelle der OR-Logikfunktion des binären Systems gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung ist:

Ausgabe Y=1 Y=0

X=1 0 1

X=0 1 0
Die herkömmliche Transistorschaltung mit der EXOR-Funktion der obigen Tabelle benötigt eine große Anzahl an CMOS-Transistoren.
Der Riesen-Magnetwiderstandseffekt (GMR) ist ein quantenmechanischer Effekt, der in Strukturen mit abwechselnden dünnen magnetischen und dünnen nichtmagnetischen Bereichen beobachtet wird. Der GMR-Effekt zeigt eine signifikante Änderung des elektrischen Widerstands vom Zustand hohen Widerstands bei Nullfeld, zum Zustand niedrigen Widerstands bei hohem Feld gemäß einem angelegten äußeren Feld.
Deswegen kann der GMR-Effekt benutzt werden um den Magnettransistor zu entwerfen. Daher können Magnettransistoren des Weiteren verwendet werden, um eine Magnettransistorschaltung ohne aufwendiges Verfahren und Ausrüstung zu integrieren. Die Magnettransistorschaltung kann mit kurzer Programmierzeit bzw. Speicherzeit und hoher Dichte entworfen und hergestellt werden.
Aus zuvor genannten Gründen besteht ein Bedarf an einer Magnettransistorschaltung, in welche die EXOR-Funktion mittels Magnettransistoren integriert ist.
ZUSAMMENFASSUNG
Es ist daher ein Aspekt der vorliegenden Erfindung, eine Transistorschaltung bereitzustellen, in welche die EXOR-Funktion mittels Magnettransistoren implementiert ist.
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, weist die Magnettransistorschaltung einen ersten und einen zweiten Magnettransistor auf. Der erste Magnettransistor hat einen ersten magnetischen Bereich und einen zweiten magnetischen Bereich, wobei der erste magnetische Bereich mit einer Hochspannungsendstelle verbunden ist und der zweite magnetische Bereich mit einer Ausgabeendstelle verbunden ist. Der zweite Magnettransistor weist einen dritten magnetischen Bereich und einen vierten magnetischen Bereich auf, wobei der der dritte magnetische Bereich mit einer Niederspannungsendstelle verbunden ist und der vierte magnetische Bereich mit dem zweiten magnetischen Bereich und der Ausgabeendstelle verbunden ist. Der zweite und der vierte magnetische Bereich haben den gleichen Dipol und der erste und der dritte magnetische Bereich haben entgegengesetzte Dipole; die Dipole des ersten zweiten, dritten und vierten magnetischen Bereichs sind eingerichtet, um die Datenwerte zu steuern, die an der Ausgabeendstelle ausgegeben werden.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet das Verfahren eine Magnettransistorschaltung, um die EXOR-Funktion zu erzeugen. Das Verfahren umfasst die Verwendung eines ersten Magnettransistors mit einem ersten magnetischen Bereich und einem zweiten magnetischen Bereich, wobei der erste magnetische Bereich mit einer Hochspannungsendstelle verbunden ist und der zweite magnetische Bereich mit einer Ausgabeendstelle verbunden ist; und die Verwendung eines zweiten Magnettransistors mit einem dritten magnetischen Bereich und einen vierten magnetischen Bereich, wobei der dritte magnetische Bereich mit einer Niederspannungsendstelle verbunden ist und der vierte magnetische Bereich mit dem zweiten magnetischen Bereich und der Ausgabeendstelle verbunden ist. Das Verfahren verwendet die Dipole des ersten, zweiten, dritten bzw. vierten magnetischen Bereichs, um die Datenwerte zu steuern, die an der Ausgabeendstelle ausgegeben werden, wobei der zweite und der vierte magnetische Bereich den gleichen Dipol haben und der erste und der dritte magnetische Bereich entgegengesetzte Dipole haben.
Es muss verstanden werden, dass sowohl die vorhergehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft sind und dazu vorgesehen sind, eine weitergehende Erklärung der beanspruchten Erfindung zu liefern.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die begleitenden Zeichnungen sind enthalten, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung zu liefern, und sind in diese Beschreibung einbezogen und bilden einen Teil von ihr. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erklären. In den
Zeichnungen ist
1 die Magnettransistorschaltung mit der EXOR-Funktion gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung.
2A die Magnettransistorschaltung, die eine EXOR-Funktion des binären Systems gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung ausführt.
2B die Magnettransistorschaltung, die eine andere EXOR-Funktion des binären Systems gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung ausführt.
2C die Magnettransistorschaltung, die eine andere EXOR-Funktion des binären Systems gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung ausführt.
2D die Magnettransistorschaltung, die eine andere EXOR-Funktion des binären Systems gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung ausführt.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Es wird nun detailliert Bezug auf die derzeitigen bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung genommen, von denen Beispiele in den begleitenden Zeichnungen illustriert sind. Wo immer möglich, werden dieselben Bezugszeichen in den Zeichnungen und der Beschreibung verwendet, um auf gleiche oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen.
Alle Figuren sind nur zur Erklärungsvereinfachung der grundlegenden Lehren der vorliegenden Erfindung erstellt; die Erstreckung der Figuren bezüglich Anzahl, Position, Verhältnis und Abmessungen der Teile, um die Ausführungsform zu bilden wird erklärt werden oder wird innerhalb der Fähigkeiten des Fachmanns liegen, nachdem die folgende Beschreibung gelesen und verstanden wurde. Weiterhin werden die exakten Abmessungen und Verhältnisse der Abmessungen, um spezifischer Kraft, Gewicht, Festigkeit und ähnlichen Anforderungen zu entsprechen, ebenso innerhalb der Fähigkeiten des Fachmanns liegen, nachdem die folgende Beschreibung gelesen und verstanden wurde.
1 ist eine Magnettransistorschaltung, mit der EXOR-Funktion gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung. Die Magnettransistorschaltung weist einen ersten Magnettransistor 200 und einen zweiten Magnettransistor 230 auf. Der erste Magnettransistor 200 hat einen ersten magnetischen Bereich 213 und einen zweiten magnetischen Bereich 216, wobei der erste magnetische Bereich 213 mit einer Hochspannungsendstelle 220 verbunden ist und der zweite magnetische Bereich 216 mit einer Ausgabeendstelle 270 verbunden ist. Der zweite Magnettransistor 230 weist einen dritten magnetischen Bereich 233 und einen vierten magnetischen Bereich 236 auf, wobei der dritte magnetische Bereich 233 mit einer Niedersparmungsendstelle 240 verbunden ist und der vierte magnetische Bereich 236 mit dem zweiten magnetischen Bereich 216 und der Ausgabeendstelle 270 verbunden ist. Der zweite und der vierte magnetische Bereich 216 und 236 haben den gleichen Dipol und der erste und der dritte magnetische Bereich 213 und 233 haben entgegengesetzte Dipole; die Dipole des ersten, zweiten, dritten und vierten magnetischen Bereichs 213, 216, 233 und 236 sind eingerichtet, um die Datenwerte zu steuern, die an der Ausgabeendstelle 270 ausgegeben werden.
Die Magnettransistorschaltung umfasst weiterhin eine Vielzahl von Metallvorrichtungen 212, 217, 232 und 237, die jeweils um die magnetischen Bereiche 213, 216, 233 und 236 herum angeordnet sind. Die Metallvorrichtungen 212, 217, 232 und 237 sind eingerichtet, um jeweils Dipole der magnetischen Bereiche 213, 216, 233 und 236 zu steuern. Beispielsweise hat der erste Magnettransistor 200 Metallvorrichtungen 212 und 217, die jeweils um die magnetischen Bereiche 213 und 216 herum angeordnet sind. Die Metallvorrichtung 212 ist eingerichtet, um den Dipol des magnetischen Bereichs 213 zu steuern und die Metallvorrichtung 217 ist eingerichtet, um den Dipol des magnetischen Bereichs 216 zu steuern.
Gemäß der obigen Beschreibung kann der Entwerfer die Metallvorrichtungen verwenden, um die Dipole der magnetischen Bereiche zu steuern. Der Entwerfer kann die Dipole dieser zwei magnetischen Bereiche eines Magnettransistors weiterhin verwenden, um die Leitfähigkeit zwischen diesen beiden magnetischen Bereichen zu steuern.
Wenn beispielsweise Dipole des ersten magnetischen Bereichs 213 und des zweiten magnetischen Bereichs 216 gleich sind, sind der erste magnetische Bereich 213 und der zweite magnetische Bereich 216 leitfähig, wenn Dipole des ersten magnetischen Bereichs 213 und des zweiten magnetischen Bereichs 216 unterschiedlich sind, sind der erste magnetische Bereich 213 und der zweite magnetische Bereich 216 nicht leitfähig.
Wenn Dipole des dritten magnetischen Bereichs 233 und des vierten magnetischen Bereichs 236 gleich sind, sind der dritte magnetische Bereich 233 und der vierte magnetische Bereich 236 leitfähig, wenn Dipole des dritten magnetischen Bereichs 233 und des vierten magnetischen Bereichs 236 unterschiedlich sind, sind der dritte magnetische Bereich 233 und der vierte magnetische Bereich 236 nicht leitfähig.
Gemäß der obigen Beschreibung können Eigenschaften des Magnettransistors verwendet werden, um eine Schaltung mit einigen Logikfunktionen zu implementieren.
Die Magnettransistorschaltung aus 1 hat eine EXOR-Logikfunktion des unten beschriebenen binären Systems.
Die EXOR-Logikfunktion ist: Ausgabe = X·Y' + X'·Y
Die Funktionstabelle der logischen EXOR-Funktion des binären Systems gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung ist:

Ausgabe Dipol Y=1 (→) Dipol Y=0 (←)

Dipol X=1 (→) 0 1

Dipol X=0 (←) 1 0
Wobei „Ausgabe" der Datenwert ist, der an der Ausgabeendstelle 270 ausgegeben wird, „X" Dipole der magnetischen Bereiche 216 und 236 sind und „Y" der Dipol des magnetischen Bereichs 233 ist. Der erste und der dritte magnetische Bereich 213 und 233 haben entgegengesetzte Dipole, folglich ist der Dipol des ersten magnetischen Bereichs 213Y Y' (d.h. nicht Y). Die Symbole „→" und „←" sind angeordnet, um den ersten Dipol bzw. den zweiten Dipol zu repräsentieren. Wie die Dipole von X und Y zu verwenden sind, um die EXOR-Logikfunktion zu erzeugen wird im Folgenden beschrieben.
2A ist die Magnettransistorschaltung gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung, die eine EXOR-Funktion des binären Systems ausführt. Wobei, wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, die Dipole 218a und 238a des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 ein erster Dipol sind, der den Datenwert „1" des binären Systems repräsentiert, um den Ausgabedatenwert zu steuern und die Dipole 211a und 231a des ersten und dritten magnetischen Bereichs 213 und 233 ein zweiter Dipol und der erste Dipol sind, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren, um den Ausgabedatenwert zu steuern.
2B ist die Magnettransistorschaltung gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung, die eine andere EXOR-Funktion des binären Systems ausführt. Wobei, wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, die Dipole 218b und 238b des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 der erste Dipol sind, der den Datenwert „1" des binären Systems repräsentiert, um den Ausgabedatenwert zu steuern und die Dipole 211b und 231b des ersten und dritten magnetischen Bereichs 213 und 233 der erste Dipol und der zweite Dipol sind, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren, um den Ausgabedatenwert zu steuern.
2C ist die Magnettransistorschaltung gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung, die eine andere EXOR-Funktion des binären Systems ausführt. Wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, sind die Dipole 218c und 238c des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 der zweite Dipol, der den Datenwert „0" des binären Systems repräsentiert, um den Ausgabedatenwert zu steuern und die Dipole 211c und 231c des ersten und dritten magnetischen Bereichs 213 und 233 der zweite Dipol und der erste Dipol, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren, um den Ausgabedatenwert zu steuern.
2D ist die Magnettransistorschaltung gemäß der Ausführungsform dieser Erfindung, die eine andere EXOR-Funktion des binären Systems ausführt. Wobei, wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, die Dipole 218d und 238d des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 der zweite Dipol sind, der den Datenwert „0" des binären Systems repräsentiert, um den Ausgabedatenwert zu steuern und die Dipole 211d und 231d des ersten und dritten magnetischen Bereichs 213 und 233 der erste Dipol und der zweite Dipol sind, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren, um den Ausgabedatenwert zu steuern.
Folglich kann die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion mittels dieser Vorrichtung ausführen.
Weiterhin stellt die vorliegende Erfindung auch ein Verfahren bereit, welches eine Magnettransistorschaltung verwendet, um die EXOR-Funktion zu erzeugen. Das Verfahren umfasst die Verwendung eines ersten Magnettransistors 220 mit einem ersten magnetischen Bereich 213 und einem zweiten magnetischen Bereich 216, wobei der erste magnetische Bereich 213 mit einer Hochspannungsendstelle 220 verbunden ist und der zweite magnetische Bereich 216 mit einer Ausgabeendstelle 270 verbunden ist; und die Verwendung eines zweiten Magnettransistors 230 mit einem dritten magnetischen Bereich 233 und einem vierten magnetischen Bereich 236, wobei der der dritte magnetische Bereich 233 mit einer Niederspannungsendstelle 240 verbunden ist und der vierte magnetische Bereich 236 mit dem zweiten magnetischen Bereich 216 und der Ausgabeendstelle 270 verbunden ist. Das Verfahren verwendet auch eine Vielzahl von Dipolen des ersten, zweiten, dritten bzw. vierten magnetischen Bereichs, um den Datenwert zu steuern, der an der Ausgabeendstelle ausgegeben wird, wobei der zweite und der vierte magnetische Bereich den gleichen Dipol haben und der erste und der dritte magnetische Bereich entgegengesetzte Dipole haben.
Wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, macht das Verfahren Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 zu dem ersten Dipol, der den Datenwert „1" des binären Systems repräsentiert und macht Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zu einem zweiten Dipol und dem ersten Dipol, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren. Wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, macht das Verfahren Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 zu dem ersten Dipol, der den Datenwert „1" des binären Systems repräsentiert und macht Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zum ersten Dipol und zweiten Dipol, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren.
Wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, macht das Verfahren Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 zu dem zweiten Dipol, der den Datenwert „0" des binären Systems repräsentiert und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zum zweiten Dipol und ersten Dipol, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren. Wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, macht das Verfahren die Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs 216 und 236 zum zweiten Dipol, der den Datenwert „0" des binären Systems repräsentiert und macht Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zum ersten Dipol und zweiten Dipol, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren.
Um mit herkömmlichen integrierten Halbleiterschaltungen zusammen zu arbeiten beträgt eine Spannung der Niederspannungsendstelle 240 ungefähr 0 Volt und eine Spannung der Hochspannungsendstelle 220 beträgt ungefähr 2,5 Volt, 3,3 Volt oder 5 Volt.
Die Symbole „→" und „←" sind hier nur angeordnet, um jeweils die Dipole der magnetischen Bereiche zu repräsentieren, sie sind nicht angeordnet, um die Dipolausrichtungen einzuschränken. In der Magnettransistorschaltung hat jeder Magnettransistor einen leitfähigen Bereich zwischen zwei magnetischen Bereichen. Die Leitfähigkeit des leitfähigen Bereichs kann durch die Dipole dieser zwei magnetischen Bereiche gesteuert werden. Folglich ist die Magnettransistorschaltung eine Schaltung mit zwei Eingängen mit der EXOR-Funktion. Gemäß der vorhergehenden Beschreibung können die Magnettransistorschaltung und das vorhergehend beschriebene Verfahren verwendet werden, um die EXOR-Funktion zu erzeugen.
Es wird für Fachleute ersichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen am Aufbau der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Schutzumfang oder dem Wesen der Erfindung abzuweichen. Hinsichtlich des Vorhergehenden ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, falls sie in den Schutzumfang der nachstehenden Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.

Claims

Magnettransistorschaltung mit der EXOR-Funkton, umfassend: einen ersten Magnettransistor mit einem ersten magnetischen Bereich und einem zweiten magnetischen Bereich, wobei der erste magnetische Bereich mit einer Hochspannungsendstelle verbunden ist und der zweite magnetische Bereich mit einer Ausgabeendstelle verbunden ist; und einen zweiten Magnettransistor mit einem dritten magnetischen Bereich und einem vierten magnetischen Bereich, wobei der der dritte magnetische Bereich mit einer Niederspannungsendstelle verbunden ist und der vierte magnetische Bereich mit dem zweiten magnetischen Bereich und der Ausgabeendstelle verbunden ist; wobei der zweite und der vierte magnetische Bereich den gleichen Dipol haben und der erste und der dritte magnetische Bereich entgegengesetzte Dipole haben; die Dipole des ersten, zweiten, dritten und vierten magnetischen Bereichs eingerichtet sind, um die Datenwerte zu steuern, die an der Ausgabeendstelle ausgegeben werden.
Magnettransistor mit der EXOR-Funktion nach Anspruch 1, weiterhin umfassend eine Vielzahl von Metallvorrichtungen, die jeweils um die magnetischen Bereiche herum angeordnet sind, wobei die Metallvorrichtungen eingerichtet sind, um jeweils Dipole der magnetischen Bereiche zu steuern.
Magnettransistor mit der EXOR-Funktion nach Anspruch 1, wobei wenn Dipole des ersten magnetischen Bereichs und des zweiten magnetischen Bereichs gleich sind, der erste magnetische Bereich und der zweite magnetische Bereich leitfähig sind, und wenn Dipole des ersten magnetischen Bereichs und des zweiten magnetischen Bereichs unterschiedlich sind, der erste magnetische Bereich und der zweite magnetische Bereich nicht leitfähig sind.
Magnettransistor mit der EXOR-Funktion nach Anspruch 1, wobei wenn Dipole des dritten magnetischen Bereichs und des vierten magnetischen Bereichs gleich sind, der dritte magnetische Bereich und der vierte magnetische Bereich leitfähig sind, und wenn Dipole des dritten magnetischen Bereichs und des vierten magnetischen Bereichs unterschiedlich sind, der dritte magnetische Bereich und der vierte magnetische Bereich nicht leitfähig sind.
Magnettransistor mit der EXOR-Funktion nach Anspruch 1, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs ein erster Dipol sind, der den Datenwert „1" des binären Systems repräsentiert und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs ein zweiter Dipol und der erste Dipol sind, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren, um die Ausgabedatenwerte zu steuern.
Magnettransistor mit der EXOR-Funktion nach Anspruch 1, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs der ersten Dipol ist, der den Datenwert „1" des binären Systems repräsentiert und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs der erste Dipol und der zweite Dipol sind, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren, um die Ausgabedatenwerte zu steuern.
Magnettransistor mit der EXOR-Funktion nach Anspruch 1, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs der zweit Dipol ist, der den Datenwert „0" des binären Systems repräsentiert und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs der zweite Dipol und der erste Dipol sind, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren, um die Ausgabedatenwerte zu steuern.
Magnettransistor mit der EXOR-Funktion nach Anspruch 1, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs der zweite Dipol ist, der den Datenwert „0" des binären Systems repräsentiert und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs der erste Dipol und der zweite Dipol sind, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren, um die Ausgabedatenwerte zu steuern.
Verfahren, welches eine Magnettransistorschaltung verwendet, um die EXOR-Funktion zu erzeugen, umfassend: Verwenden eines ersten Magnettransistors mit einem ersten magnetischen Bereich und einem zweiten magnetischen Bereich, wobei der erste magnetische Bereich mit einer Hochspannungsendstelle verbunden ist und der zweite magnetische Bereich mit einer Ausgabeendstelle verbunden ist; Verwenden eines zweiten Magnettransistors mit einem dritten magnetischen Bereich und einem vierten magnetischen Bereich, wobei der dritte magnetische Bereich mit einer Niederspannungsendstelle verbunden ist und der vierte magnetische Bereich mit dem zweiten magnetischen Bereich und der Ausgabeendstelle verbunden ist; und Verwenden einer Vielzahl von Dipolen des ersten, zweiten, dritten bzw. vierten magnetischen Bereichs, um die Datenwerte zu steuern, die an der Ausgabeendstelle ausgegeben werden, wobei der zweite und der vierte magnetische Bereich den gleichen Dipol haben und der erste und der dritte magnetische Bereich entgegengesetzte Dipole haben.
Verfahren nach Anspruch 9, weiterhin umfassend Verwenden einer Vielzahl von Metallvorrichtungen, die jeweils um die magnetischen Bereiche herum angeordnet sind, wobei die Metallvorrichtungen eingerichtet sind, um jeweils Dipole der magnetischen Bereiche zu steuern.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei wenn Dipole des ersten magnetischen Bereichs und des zweiten magnetischen Bereichs gleich sind, der erste magnetische Bereich und der zweite magnetische Bereich leitfähig sind, und wenn Dipole des ersten magnetischen Bereichs und des zweiten magnetischen Bereichs unterschiedlich sind, der erste magnetische Bereichs und der zweite magnetische Bereichs nicht leitfähig sind.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei wenn Dipole des dritten magnetischen Bereichs und des vierten magnetischen Bereichs gleich sind, der dritte magnetische Bereich und der vierte magnetische Bereich leitfähig sind, und wenn Dipole des dritten magnetischen Bereichs und des vierten magnetischen Bereichs unterschiedlich sind, der dritte magnetische Bereich und der vierte magnetische Bereich nicht leitfähig sind.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs zu ersten Dipolen gemacht werden, die den Datenwert „1" des binären Systems repräsentieren und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zu einem zweiten Dipol und dem ersten Dipol gemacht werden, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs zu dem ersten Dipol gemacht werden, de den Datenwert „1" des binären Systems repräsentiert und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zum ersten Dipol und zweiten Dipol gemacht werden, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „1" des binären Systems auszugeben, Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs zu dem zweiten Dipol gemacht werden, die den Datenwert „0" des binären Systems repräsentieren und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zum zweiten Dipol und ersten Dipol gemacht werden, die den Datenwert „0" bzw. „1" des binären Systems repräsentieren.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei wenn die Magnettransistorschaltung die EXOR-Funktion ausführt, um den Datenwert „0" des binären Systems auszugeben, werden die Dipole des zweiten und vierten magnetischen Bereichs zu dem zweiten Dipol gemacht, der den Datenwert „0" des binären Systems repräsentiert und Dipole des ersten und dritten magnetischen Bereichs zum ersten Dipol und zweiten Dipol gemacht, die den Datenwert „1" bzw. „0" des binären Systems repräsentieren.