DE102007029820B4 - Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien - Google Patents

Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien Download PDF

Info

Publication number
DE102007029820B4
DE102007029820B4 DE102007029820A DE102007029820A DE102007029820B4 DE 102007029820 B4 DE102007029820 B4 DE 102007029820B4 DE 102007029820 A DE102007029820 A DE 102007029820A DE 102007029820 A DE102007029820 A DE 102007029820A DE 102007029820 B4 DE102007029820 B4 DE 102007029820B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metallic support
support structures
negative
electrode
metal nanoparticles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102007029820A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102007029820A1 (de
Inventor
Christoph Gärditz
Ralph Dr. Pätzold
Wiebke Sarfert
Günter Dr. Schmid
Harald Wegerer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pictiva Displays International Ltd
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102007029820A priority Critical patent/DE102007029820B4/de
Publication of DE102007029820A1 publication Critical patent/DE102007029820A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102007029820B4 publication Critical patent/DE102007029820B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Verfahren zur Herstellung von transparenten Elektroden mit metallischen Stützstrukturen für organische Leuchtdioden,
dadurch gekennzeichnet, dass
– ein Negativ der metallischen Stützstrukturen auf die Elektrode aufgebracht wird, wobei zwischen dem Negativ der metallischen Stützstrukturen und dem Verlauf der metallischen Stützstrukturen selbst ein hydrophil/hydrophober Kontrast entsteht, wobei das Negativ der metallischen Stützstruktur hydrophob ist,
– anschließend die Elektrodenschicht mit dem Negativ mit Edelmetallnanopartikeln bekeimt wird und
– daran anschließend die Elektrodenschicht einem Metallisierungsbad ausgesetzt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien nach dem Oberbegriff der Patentansprüche 1, 5 und 6.
  • Leuchtdioden aus organischen Materialien (OLEDs) haben als zentrale Eigenschaft eine Homogenität der Leuchtdichte über die aktive Fläche. Allerdings haben die Elektroden einer OLED aufgrund der verwendeten Materialien und/oder der geringen Schichtdicken einen relativ hohen Widerstand. Für die Elektroden ist insbesondere das häufig für die Anode verwendete Material Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder aluminiumoxidiertes Zinkoxid (ZnO:Al) gebräuchlich. Bei hohen Stromdichten entsteht aufgrund des Widerstandes ein Spannungsabfall, der zu erheblichen Inhomogenitäten der Leuchtdichte führt. Speziell bei Beleuchtungsanwendungen, die große und homogene Leuchtflächen erfordern, ist dies unerwünscht.
  • Die WO 03/056641 A1 beschreibt das Aufbringen von beliebigen Strukturelementen auf Substrate. Die WO 2007/112151 A2 betrifft die Herstellung von transparenten, leitenden Strukturen, die entweder elektrisch leitfähige Partikel enthalten oder Leiterbahnen aufweisen.
  • Um die Homogenität der Stromdichte auf der aktiven Fläche zu verbessern, ist die Verwendung von zusätzlichen leitfähigen Strukturen (Linien=busbars) oder Netze (Grids) bekannt. Diese werden unter oder auf die Anode appliziert und bestehen meist aus dünnen, schmalen Metallstreifen (bzw. aus Aluminium). Die Leitfähigkeit der Anode wird dadurch wesentlich erhöht und die Homogenität der Leuchtdichte verbessert. Die Leiterbahnen haben typischerweise eine Breite von > 100 μm. Diese Stützstrukturen werden mittels Direktdrucken leitender Stützstrukturen aus leitfähigen Metall- oder Rußpasten aufgebracht. Hierbei handelt es sich zwar um ein kostengünstiges Verfahren, allerdings sind die Auflösung sowie auch die elektrische Leitfähigkeit begrenzt. Es ist auch bekannt, die Stützstrukturen aus eine vollflächigen Metallfläche zu ätzen. Als Ätzmaske können photolithographische strukturierte Resistmasken Verwendung finden. Dies stellt jedoch einen vergleichsweise hohen Aufwand dar. Bei direkt aufgedruckten Resistmasken ergibt sich eine eher geringe Auflösung und damit vergleichsweise große Ausdehnungen der Stützstrukturen.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, die Leitfähigkeit der Stützstrukturen zu verbessern und deren räumliche Ausdehnung zu verringern.
  • Diese Aufgabe wird nach der vorliegenden Erfindung gemäß Anspruch 1 gelöst, indem ein Negativ der metallischen Stützstrukturen auf die Elektrode aufgebracht wird, wobei zwischen dem Negativ der metallischen Stützstrukturen und dem Verlauf der metallischen Stützstrukturen selbst ein hydrophil/hydrophober Kontrast entsteht, wobei das Negativ der metallischen Stützstruktur hydrophob ist, anschließend die Elektrodenschicht mit dem Negativ mit Edelmetallnanopartikeln bekeimt wird wobei die Elektrode anschließend einem Metallisierungsbad ausgesetzt wird.
  • Als Basissubstrat für den Aufbau von organischen Leuchtdioden dient ein Glas- oder Foliensubstrat, das mit einer transparenten Anodenschicht (Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder aluminiumdotiertes Zinkoxid (ZnO:Al)) beschichtet ist. Beispielsweise in Y. Xia, G. M. Whitesides „Angewandte Chemie" veröffentlicht 1998 ist insbesondere auf den Seiten 110 und 568 die Soft-Lithography beschrieben, mit der vorliegenden sowohl im Negativ und (wie nachfolgend noch erörtert) auch im Positiv-Verfahren die metallischen Stützstrukturen erzeugt werden können. Hierbei erweist es sich als vorteilhaft, dass die Grenzauflösung dieses Druckverfahrens im Bereich von wenigen 10 nm liegt, weil die gedruckten Schichten nur etwa 2–3 nm dick sind. Die Dicke liegt dabei weit unter den für Stützstrukturen notwendigen Abmessungen von 10 μm bis 50 μm.
  • Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 2 werde die metallischen Stützstrukturen aufgebracht durch eine Lösung von linearen Molekülen, die eine Ankergruppe tragen zur Anbindung an die hydrophilen Flächen der Elektrode.
  • Dies geschieht durch die Verwendung von Drucktinte, die aus Lösungen von linearen Molekülen besteht, die eine substratspezifische Ankergruppe tragen. Bevorzugte Ankergruppen sind die Phosphonsäure- und Trichlorsilan-Einheit. Die Oberfläche der unbehandelten Anodenschicht ist unbehandelt hydrophil.
  • Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 3 wird das Negativ durch eine Selbstorganisierende Monolage realisiert.
  • Im Hochdruckverfahren wird mit beispielsweise Polydimethylsiloxanstempeln (PDMS), die auch in der erwähnte Literaturstelle von Xia und Whitesides beschrieben sind, analog zum ebenfalls bekannten Flexodruck eine Selbstorganisierende Monolage als Negativ der metallischen Stützstruktur aufgedruckt. Die Selbstorganisierende Monolage wird abgekürzt auch als SAM bezeichnet (Self-assembled Monolayer). Eine derartige SAM kann beispielsweise aus Octadecylphosphonsäure oder Octadecyltrichlorsilan (OTS) oder deren fluorierten Homologen bestehen. Die Kettenlänge ist dabei im Bereich von 10-20 C-Atomen frei wählbar.
  • Die aufgedruckte SAM macht die Oberfläche hydrophob. Dadurch entsteht ein hydrophob/hydrophil-Kontrast auf der ITO oder ZnO:Al Oberfläche. Diese Oberfläche wird dann einem stromlosen Metallisierungsbad ausgesetzt. Beispielhaft können dies die gängigen Kupfer- oder Nickelbäder sein. Dazu wird das Substrat zunächst mit Palladiumnanopartikeln bekeimt. Die Bekeimung kann auch mit anderen Edelmetallnanopartikeln erfolgen. Die Palladiumnanopartikel haben sich jedoch als einfach handhabbar erwiesen. Aufgrund des Hydrophilie-Kontrastes findet die Bekeimung nur in den hydrophilen Bereichen des Substrates statt. Im Anschluss daran findet die eigentliche Metallabscheidung durch das stromlose Nickel- oder Kupferbad nur in den bekeimten hydrophilen Bereichen statt. Mit dieser Vorgehensweise werden durchgängige, hochleitfähige Nickel- oder Kupferstrukturen erhalten. Um Elektrodenoberflächen zu aktivieren, werden diese im O2-Plasma vorbehandelt. Hierbei werden die organischen Anteile der SAM-Moleküle entfernt und die ITO-Oberfläche mit geringfügigem Rücksputtern freigelegt. Gleichzeitig werden die Nickel- oder Kupferoberflächen oxidiert und erhalten dadurch eine für den späteren Bauelementaufbau vorteilhafte isolierende Oxidschicht.
  • Bei der Ausgestaltung des Verfahrens nach Anspruch 4 wird das Negativ durch Phenylphosphonsäure gebildet.
  • Diese Phenylphosphonsäure wird anstelle der vorher beschriebenen isolierenden SAM-Molekülvarianten verwendet. Vorteilhaft ist es dann nicht mehr erforderlich, die Substrate einem Sauerstoffplasma auszusetzen, da die Phenylphosphonsäure bereits injektionsfördernd auf die Elektrode wirkt. Zur Isolation der Kupfer oder Nickelschicht wird das gesamte Substrat wie zuvor in eine alkoholische Lösung von beispielsweise Octadeylphosphonsäure getaucht. Diese scheidet sich auf der stromlos hergestellten Metallschicht ab und isoliert diese. Dies ist beispielsweise beschrieben und näher erläutert in Halik, M. et. al. „Low-voltage organic transistors with an amorphous molecular gate dielectric", Nature 431 (2004) 963–966.
  • Eine weitere Lösung nach der vorliegenden Erfindung betrifft das oben bereits angesprochene Positivverfahren. Gemäß Anspruch 5 wird eine Selbstorganisierende Monolage aus ω-Trimethylaminooctadecylphosphonsäure als Positiv der metallischen Stützstruktur auf die Elektrode aufgebracht. Die Elektrode wird anschließend in ein Phenylphosphonsäurebad getaucht und daran anschließend mit verdünnter Ameisensäure gespült, wobei die Elektrode daran anschließend in ein Bad mit Edelmetallnanopartikeln getaucht wird. Im Anschluss daran erfolgt eine stromlose Abscheidung der metallischen Stützstruktur an die angelagerten Edelmetallnanopartikel.
  • Die Edelmetallnanopartikel, die in Bekeimungslösungen verwendet werden, sind im Allgemeinen negativ geladen. Dies ist beispielsweise beschrieben in Hollemann, Wiberg: Lehrbuch der Anorganischen Chemie, 101. Auflage, New York 1995, Seite 929.
  • Das Positiv der Stützstruktur kann mittels eines PDMS-Stempels aufgedruckt werden, indem als SAM ω-Trimethylaminooctadecylphosphonsäure als Positiv der metallischen Stützstruktur auf das ITO oder ZnO:Al Substrat aufgedruckt wird. Im Anschluss an den Druckvorgang wird das Substrat in eine Lösung von Phenylphosphonsäure getaucht, um den nicht bedruckten Bereich vor einer späteren Bekeimung zu schützen. Anschließend wird das vollständig mit SAM bedeckte Substrat mit beispielsweise verdünnter Ameisensäure gespült. Die aminfunktionalisierten Teile der Oberfläche laden sich dabei durch die Protonierung positiv auf. Die negativ geladenen Pd-Nanopartikel der Bekeimungslösung lagern sich dann an die positiv geladenen hydrophilen Bereiche an und erlauben hier nachfolgend die stromlose Abscheidung einer zusammenhängenden Metallfläche zur Ausbildung der Stützstrukturen. Die durch die Phenylphosphonsäure funktionalisierte Oberfläche blockiert durch ihre Hydrophobie zusätzlich die Bekeimung und damit die stromlose Metallabscheidung.
  • Anspruch 6 betrifft ein Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien, bei dem ein Positiv der Stützstruktur auf die Elektrode aufgebracht wird, derart, dass dieses Positiv über eine koordinative Bindung zu einer Anbindung von Edelmetallnanopartikeln an das Positiv in einem anschließenden Bad mit den Edelmetallnanopartikeln führt.
  • Dazu kann das Positiv der metallischen Stützstruktur beispielsweise mit ω-Thioloctadecylphosphonsäure auf das ITO- oder ZnO:Al Substrat aufgedruckt werden. Die koordinative Schwefel-Palladium-Bindung ist hierbei die treibende Kraft.
  • Für alle beschriebenen Lösungen gemeinsam kann die Linienbreite bzw. die Netzdichte der Stützstrukturen innerhalb des Substrates variieren, um eine homogene Stromverteilung zu erhalten.
  • Da die Metalllinien oder Metallnetze zusammenhängen, können diese durch galvanische Abscheidung verstärkt werden. Insbesondere findet im der eigentlichen Anode zugewandten Außenbereich der Stützstruktur eine stärkere Abscheidung statt. Dies wirkt sich vorteilhaft auf deren spätere Stromtragfähigkeit aus. Sowohl im Positiv- also auch im Negativverfahren wird die galvanische Verstärkung vor etwaigen RIE- oder Reinigungsprozessen durchgeführt, um die Intaktheit und damit isolierenden Wirkungen der SAM zu gewährleisten.
  • Für die Bekeimung wird technisch bevorzugt Palladium verwendet. Denkbar sind auch die anderen katalytisch aktiven Edelmetalle wie beispielsweise Pt, Ir, Ru, Rh etc..
  • Es hat sich ebenfalls erwiesen, dass das Verfahren auch anwendbar ist, wenn die metallischen Stützstrukturen unterhalb der ITO-Schicht aufgebracht werden sollen, da die Glasoberflächen genügend OH-Gruppen zur Bindung von SAM-Molekülen besitzen. Vorteilhaft ist hierbei auch die Nutzung von Silanfunktionalitäten als Ankergruppen im linearen Molekül.
  • Vorteilhaft werden bei der vorliegenden Erfindung SAM als Strukturierungsmittel genutzt. Die SAM können durch kostengünstige Druckprozesse aufgebracht werden. Dies geschieht in Verbindung mit einer nachfolgenden stromlosen Metallisierung zur Herstellung von metallischen durchgängigen Stützstrukturen für großflächige OLEDs. Dabei erweist es sich als vorteilhaft, dass im Gegensatz zu aufgedruckten metallischen Stützstrukturen die Metallflächen durchgängig sind und deswegen eine sehr gute elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Außerdem können die Stützstrukturen dünn und schmal ausgeführt werden. Diese hohen möglichen Auflösungen ermöglichen den Aufbau von Stützstrukturen in Beleuchtungsanwendungen, bei denen diese Stützstrukturen für das menschliche Auge nicht wahrnehmbar sind. Außerdem lässt sich die Linien- oder Netzdichte der Stützstrukturen durch die Druckform definieren. Insbesondere wird es möglich, die Dichte von außen nach innen den Anforderungen an die Stromtragfähigkeit anzupassen. Nach folgend kann die Dicke der Stützstrukturen durch galvanische Abscheidung verstärkt werden.

Claims (6)

  1. Verfahren zur Herstellung von transparenten Elektroden mit metallischen Stützstrukturen für organische Leuchtdioden, dadurch gekennzeichnet, dass – ein Negativ der metallischen Stützstrukturen auf die Elektrode aufgebracht wird, wobei zwischen dem Negativ der metallischen Stützstrukturen und dem Verlauf der metallischen Stützstrukturen selbst ein hydrophil/hydrophober Kontrast entsteht, wobei das Negativ der metallischen Stützstruktur hydrophob ist, – anschließend die Elektrodenschicht mit dem Negativ mit Edelmetallnanopartikeln bekeimt wird und – daran anschließend die Elektrodenschicht einem Metallisierungsbad ausgesetzt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die metallischen Stützstrukturen aufgebracht werden durch eine Lösung von linearen Molekülen, die eine Ankergruppe tragen zur Anbindung an die hydrophilen Flächen der Elektrode.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Negativ durch eine Selbstorganisierende Monolage realisiert wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Negativ durch Phenylphosphonsäure gebildet wird.
  5. Verfahren zur Herstellung von transparenten Elektroden mit metallischen Stützstrukturen für organische Leuchtdioden, dadurch gekennzeichnet, dass – eine Selbstorganisierende Monolage aus ω-Trimethylaminooctadecylphosphonsäure als Positiv der metallischen Stützstruktur auf die Elektrode aufgebracht wird, wobei die Elektrode anschließend in ein Phenylphosphonsäurebad ge taucht und daran anschließend mit verdünnter Ameisensäure gespült wird, – wobei die Elektrode daran anschließend in ein Bad mit Edelmetallnanopartikeln getaucht wird, – wobei daran anschließend eine stromlose Abscheidung der metallischen Stützstruktur an die angelagerten Edelmetallnanopartikel erfolgt.
  6. Verfahren zur Herstellung von transparenten Elektroden mit metallischen Stützstrukturen für organische Leuchtdioden, dadurch gekennzeichnet, dass – ein Positiv der metallischen Stützstruktur auf die Elektrode aufgebracht wird, das durch eine selbstorganisierende Monolage als Strukturierungsmittel realisiert wird, – anschließend die Elektrodenschicht mit dem Positiv in ein Bad mit Edelmetallnanopartikeln eingebracht wird, so dass eine koordinative Bindung zu einer Anbindung von Edelmetallnanopartikeln an das Positiv führt und – nachfolgend die so behandelte Elektrodenschicht eines stromlosen metallisierung ausgesetzt wird.
DE102007029820A 2007-06-28 2007-06-28 Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien Active DE102007029820B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007029820A DE102007029820B4 (de) 2007-06-28 2007-06-28 Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007029820A DE102007029820B4 (de) 2007-06-28 2007-06-28 Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102007029820A1 DE102007029820A1 (de) 2009-01-08
DE102007029820B4 true DE102007029820B4 (de) 2009-04-09

Family

ID=40092213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007029820A Active DE102007029820B4 (de) 2007-06-28 2007-06-28 Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102007029820B4 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056641A1 (en) * 2001-12-21 2003-07-10 Plastic Logic Limited Self-aligned printing
WO2004112151A2 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Patterning Technologies Limited Transparent conducting structures and methods of production thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056641A1 (en) * 2001-12-21 2003-07-10 Plastic Logic Limited Self-aligned printing
WO2004112151A2 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Patterning Technologies Limited Transparent conducting structures and methods of production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
DE102007029820A1 (de) 2009-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
WO2009006988A1 (de) Kontakt-struktur für euin halbleiter-bauelement sowie verfahren zur herstellung desselben
DE102018118116B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen Substrats und einer Anzeigevorrichtung
EP3513439A1 (de) Verfahren zur herstellung elektrischer kontakte auf einem bauteil
DE102018202513A1 (de) Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements
EP2056656B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Leiterbahnstruktur
DE3700912C2 (de)
DE102014222749B3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur zwischen einem Kantenabschnitt eines 2D-Materials und einem Metall
DE10153562A1 (de) Verfahren zur Verringerung des elektrischen Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekt-Transistoren durch Einbetten von Nanopartikeln zur Erzeugung von Feldüberhöhungen an der Grenzfläche zwischen dem Kontaktmaterial und dem organischen Halbleitermaterial
DE102009060066A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements sowie elektronisches Bauelement
DE102005041609B4 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen
DE102016217789A1 (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Kontakte auf einem Bauteil
DE102007029820B4 (de) Verfahren zur Aufbringung metallischer Stützstrukturen auf Elektroden von Leuchtdioden aus organischen Materialien
WO2005072035A1 (de) Verfahren zum herstellen eines leiterplattenelements sowie leiterplattenelement
EP1112586A2 (de) Verfahren zum aufbringen von metallischen leiterbahnen als elektroden auf eine kanalplatte für grossflächige flachbildschirme
EP2224795A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einem Substrat
EP1502299B1 (de) Kontaktierung von nanoröhren
EP2122708A2 (de) Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung
EP1638155A1 (de) Verbesserung der Leitfähigkeit einer Polymerelektrode durch Aufbringen einer darunterliegenden Metallschicht
DE102014221584B4 (de) Elektrochemisches Sintern von Metallpartikelschichten
DE102008018939A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektrisch leitenden Struktur auf einem temperaturempfindlichen Foliensubstrat
EP2453471A2 (de) Verfahren zur galvanischen Abscheidung einer Elektrode auf einem dielektrischen Substrat
DE102021126402A1 (de) Verfahren zum Herstellen elektrisch leitfähiger Strukturen
DE102020110646A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Leiterbahnen auf einem Substrat
WO2013091751A2 (de) Elektrisch leitfähiges bauelement, und verfahren zur herstellung eines solchen bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: OSRAM OLED GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93055 REGENSBURG, DE

Effective date: 20150209

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Effective date: 20150209

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

Effective date: 20150209

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: PICTIVA DISPLAYS INTERNATIONAL LIMITED, IE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OLED GMBH, 93049 REGENSBURG, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0051560000

Ipc: H10K0050000000