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Für diese
Anmeldung wird die Priorität
der provisorischen
US-Patentanmeldung
Nr. 60/803,873 mit dem Titel "Systems, Methods, and Apparatuses for
Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Antenna Switches
Using Switched Resonators",
angemeldet am 04. Juni 2006, beansprucht, deren Offenbarung durch
Bezugnahme hier eingeschlossen ist.
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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung betrifft im Allgemeinen Antennenschalter, und insbesondere
CMOS-(complemetary
metal Oxide semiconductor) Antennenschalter.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Im
letzten Jahrzehnt ist die Industrie für kabellose Kommunikation stark
gewachsen, wodurch wiederum die industrielle Entwicklung integrierter Schaltungen
(IC = integrated circuit) beschleunigt wurde. Insbesondere wurden
im Bereich der IC-Industrie
viele mobile Anwendungssysteme wie rauscharme Verstärker (LNAs
= low noise amplifier), Mischer, spannungsgesteuerte Oszillatoren
(VCO = voltagecontrolled oscillator) in CMOS-Technologie integriert.
Zwei bedeutende mobile Anwendungsbauteile-Leistungsverstärker (PAs
= power amplifier) und Hochfrequenz-(HF-)Schalter – wurden
jedoch noch nicht kommerziell in CMOS-Technologie ausgeführt.
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Jedoch
bewegt sich die Forschung schnell in Richtung in CMOS-Technologie
ausgeführter
Leistungsverstärker.
Beispielsweise zeigt die aktuelle Forschung, dass ein CMOS-Leistungsverstärker machbar
ist und geeignet ist, für
mobile Kommunikationen eine bedeutende Leistung, vielleicht bis
zu 2 W, bereitzustellen.
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Somit
besteht, wenn der Leistungsverstärker in
CMOS-Technologie ausgeführt
wird, ein Bedarf nach einem HF-Schalter in CMOS-Technologie.
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Jedoch
gibt es bei der aktuellen CMOS-Technologie eine Vielzahl Schwierigkeiten
für deren
Anwendung auf HF-Schalter. Zum Beispiel wurde aufgrund der Materialeigenschaften
von CMOS, einschließlich
verlustbehafteter Substrate und niedriger Durchschlagsspannungen
aufgrund geringer Mobilität
der Elektronen, verhindert, dass CMOS-Technologie für HF-Schalter
verwendet wurde, für
die Multibandbetrieb, hohe Leistungspegel und/oder Integration mit
anderen Geräten
und Schaltungen erforderlich ist.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER
ERFINDUNG
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Mit
Ausführungsformen
der Erfindung können
CMOS-HF-Schalter geschaffen werden, die als CMOS SP4T-Schalter bezeichnet
werden können. Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann der CMOS-HF-Schalter mittels einer Vielzahl von Prozessen
hergestellt werden, einschließlich
eines 0,18 μm-Prozesses.
Es können
auch andere Prozesse verwendet werden, ohne von den Ausführungsformen
gemäß der Erfindung
abzuweichen. Um in einem Multibandbetrieb (beispielsweise bei ungefähr 900 MHz
und 1,9 GHz) eine hohe Nennbelastbarkeit des CMOS-HF-Schalters vorzusehen,
wird ein LC-geschaltetes Resonatorschema für die Empfangsschaltung verwendet.
Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann der CMOS-HF-Schalter bei einem oder mehreren
Bändern,
einschließlich Multiband
(z.B. 900 MHz und 1,9 GHz) im Sendemodus (TX) eine höhere Sperrfähigkeit
sowie im Empfangsmodus (RX) einen niedrigen Einfügungsverlust vorsehen. Als
Beispiel kann der CMOS-HF-Schalter bei einem Pegel P 1 dB Watt Nennbelastbarkeit
jeweils bei 900 MHz und 1,9 GHz bei einem Einfügungsverlust von – 1,4dB
auf beiden Bändern
(900 MHz und 1,9 GHz) im TX-Modus erreichen. Gleichermaßen kann
der CMOS-HF-Schalter im RX-Modus ebenfalls jeweils bei ungefähr 900 MHz
und 1,9 GHz einen Einfügungsverlust
von 0,9 dB und –1,4
dB erreichen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines CMOS-Antennenschalters
vorgesehen. Das Verfahren kann umfassen: Herstellen einer Antenne,
die geeignet ist, Signale über
wenigstens ein Hochfrequenz-(HF-)Band
zu senden und zu empfangen, und Koppeln der Antenne mit einem Sendeschalter,
wobei der Sendeschalter aktiviert wird, um ein erstes Signal an
die Antenne zu senden, und deaktiviert wird, um das Senden des ersten
Signals an die Antenne zu verhindern. Das Verfahren kann weiter
umfassen: Koppeln der Antenne mit einem Empfangsschalter, der ein
Filter bildet, wenn er aktiviert wird, und einen Resonanzkreis,
wenn er deaktiviert wird, wobei das Filter das Empfangen eines zweiten
von der Antenne empfangenen Signals vorsieht, und wobei der Resonanzkreis
das Empfangen wenigstens des ersten Signals sperrt.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung ist ein System für
einen CMOS-Antennenschalter
vorgesehen. Das System kann eine Antenne aufweisen, die Signale über wenigstens
ein Hochfrequenz-(HF-)Band senden und empfangen kann, und einen
Sendeschalter, der mit der Antenne gekoppelt ist, wobei der Sendeschalter
aktiviert wird, um ein entsprechendes erstes Signal an die Antenne
zu senden, und deaktiviert wird, um das Senden des ersten Signals
an die Antenne zu verhindern, und einen mit der Antenne gekoppelten
Empfangsschalter, wobei der Empfangsschalter ein Filter bildet,
wenn er aktiviert ist, und einen Resonanzkreis, wenn er deaktiviert
ist, wobei das Filter das Empfangen eines zweiten von der Antenne
empfangenen Signals vorsieht, und wobei der Resonanzkreis das Empfangen
wenigstens des ersten Signals sperrt.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung ist ein System für
einen CMOS-Antennenschalter vorgesehen. Das System kann eine Antenne aufweisen,
die bei einer Vielzahl von Hochfrequenz-(HF)-Bändern betrieben werden kann.
Das System kann weiter Mittel zum Senden erster Signale an die Antenne
und Mittel zum Empfangen zweiter Signale von der Antenne aufweisen,
wobei das Mittel zum Empfangen ein Filter bildet, wenn das Mittel
zum Empfangen betriebsbereit ist, und wobei das Mittel zum Empfangen
einen Resonanzkreis bildet, wenn das Mittel zum Senden betriebsbereit
ist.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Nachdem
die Erfindung allgemein beschrieben wurde, wird nun auf die beigefügten Zeichnungen
Bezug genommen, welche nicht unbedingt maßstabsgetreu sind, und in denen:
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1A und 1B vereinfachte
Betriebsweisen eines Empfangsschalters gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung darstellen;
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2 einen
CMOS-Schalter unter Verwendung eines geschalteten Resonators in
einem TX-Modus gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung darstellt;
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3 einen
CMOS-Schalter unter Verwendung eines geschalteten Resonators in
einem RX-Modus gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung darstellt;
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4A einen
mehrfach gestapelten Schalter bei einem TX-Pfad gemäß einer
Ausführungsform der
Erfindung darstellt;
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4B ein
vereinfachtes Ersatzschaltbild eines eingeschalteten Schalters unter
Verwendung eines Body Floating-Technik-Schalters mit Signalfluss gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung darstellt;
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5 Simulationsergebnisse
für einen
beispielhaften Empfangsschalter gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung darstellt; und
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6A und 6B Simulationsergebnisse für einen
beispielhaften Empfangsschalter gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung darstellen.
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GENAUE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung wird nun genauer unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben, in denen einige, aber nicht alle Ausführungsformen
der Erfindung dargestellt sind. Diese Erfindungen können nämlich in
vielen unterschiedlichen Formen verkörpert sein und sollten nicht
als auf die hier beschriebenen Ausführungsformen eingeschränkt erachtet
werden. Es werden durchgängig
gleiche Bezugsziffern verwendet, um gleiche Elemente zu kennzeichnen.
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Ausführungsformen
der Erfindung können CMOS-HF-Antennenschalter
vorsehen, welche auch als SP4T CMOS-Schalter bezeichnet werden können. Die
CMOS-HF-Antennenschalter
gemäß Ausführungsformen
der Erfindung können
eine oder mehrere der folgenden Eigenschaften aufweisen: Multibandbetrieb,
hohe Leistungs-Nennbelastbarkeit und/oder Integration mit anderen
Geräten
und Schaltungen. Im Allgemeinen kann der CMOS-Antennenschalter wenigstens
einen Empfangsschalter und wenigstens einen Sendeschalter aufweisen.
Für den Empfangsschalter
können
ein oder mehrere geschaltete Resonatoren verwendet werden, wie unten
genauer beschrieben wird. Für
den Sendeschalter kann eine Körpersubstratabstimmtechnik
verwendet werden, wie ebenfalls unten genauer beschrieben wird.
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Beschreibung eines Empfangsschalters
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung wird nun der CMOS-HF-Antennenschalter, und insbesondere das
Bauteil Empfangsschalter des HF-Antennenschalters
genauer unter Bezugnahme auf 1–3 beschrieben. 1A und 1B stellen
ein Beispiel einer Betriebsart eines vereinfachten CMOS-HF-Antennenschalters
mit einem Sendeschalter 102 und einem Empfangsschalter 104 gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung dar. Wie in den 1A und 1B dargestellt,
kann ein CMOS-HF-Antennenschalter eine Antenne 100 in Verbindung
mit wenigstens einem Sendeschalter 102 und wenigstens einem
Empfangsschalter 104 aufweisen. Wenn, wie in 1A dargestellt
ist, der Sendeschalter auf EIN (z.B. aktiviert) steht, wodurch ein Sendesignal
an die Antenne 100 gelie fert wird, ist der Empfangsschalter 104 AUS
(z.B. deaktiviert). Gleichermaßen
ist, wie in 1B dargestellt, wenn der Empfangsschalter
auf EIN (z.B. aktiviert) steht, wodurch der Empfang eines Empfangssignals
von der Antenne 100 ermöglicht
wird, der Sendeschalter 102 AUS (z.B. deaktiviert). Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann die Antenne eine einzelne Multi-Mode-(z.B. RX
und TX), Multibandantenne sein, obwohl gemäß anderen Ausführungsformen der
Erfindung eine Vielzahl unterschiedlicher Antennen verwendet werden
kann.
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Weiter
unter Bezugnahme auf 1A und 1B kann
der Empfangsschalter gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung in Form eines geschalteten Resonators vorliegen. Der
geschaltete Resonator kann deutlich unterschiedliche äquivalente
Schaltkreise aufweisen, abhängig
jeweils davon, ob der Empfangsschalter 102 EIN oder AUS
ist. In 1A kann, wenn der Empfangsschalter 104 AUS ist,
ein LC-Resonanzkreis gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung gebildet sein. Der LC-Resonanzkreis kann das Sendesignal,
das von dem Sendeschalter 102 im EIN-Zustand gesendet wird,
sperren, wodurch die Leistung des Signals, das über die Antenne 100 gesendet
wird, maximiert wird. Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann der LC-Resonanzkreis wenigstens eine Spule 106 parallel
zu wenigstens einem Kondensator 108 aufweisen. Der Wert
der Spule 106 kann ausreichend groß sein, beispielsweise über 5 nH,
abhängig
von der gewünschten
Betriebsfrequenz des Resonanzkreises. Es wird darauf hingewiesen,
dass, obwohl in 1A der LC-Resonanzkreis als
Parallelresonanzkreis dargestellt ist, in anderen Ausführungsformen
der Erfindung ebenfalls ein Reihenresonanzkreis verwendet werden
kann (z.B. ein RLC-Resonanzkreis).
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Andererseits
kann gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung, wie in 1B, ein Filter gebildet werden,
wenn der Empfangsschalter 104 EIN ist. Das Filter kann
gemäß einer
Ausführungsform der
Erfindung ein Tiefpassfilter mit bestimmten Grenzfrequenzeigenschaften
sein. Des Weiteren kann das Filter bei der gewünschten Betriebsfrequenz einen
sehr kleinen Spulenwert 110 aufweisen, um einen niedrigen
Einfügungsverlust
vorzusehen. Dementsprechend kann das Filter 104 den Empfang mit
geringem Einfügungsverlust
wenigstens eines Bereichs des von der Antenne 100 gelieferten
Empfangssignals vorsehen. Obwohl das oben beschriebene Filter als
Tiefpassfilter dargestellt ist, wird darauf hingewiesen, dass in
anderen Ausführungsformen
der Erfindung das Filter ein Bandpassfilter, Hochpassfilter oder Ähnliches
sein kann.
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In 2 ist
ein Beispiel einer Betriebsart eines HF-Antennenschalters 200 im
Sende-(TX-)Modus dargestellt. Insbesondere ist in 2 eine
Antenne 100 in Verbindung mit dem Sendeschalter 102 und
dem Empfangsschalter 104 enthalten. Gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung kann der Sendeschalter 102 Signalwege für ein oder
mehrere Sendesignale aufweisen. Zum Beispiel können, wie in 2A,
zwei Signalwege vorhanden sein – das heißt, Signalwege
TX1 und TX2, die jeweils von Schalter M1 204 und M2 206 gesteuert
werden. Die Schalter M1 204 und M2 206 können einen
oder mehrere CMOS-Schalter aufweisen. Gleichermaßen kann der Empfangsschalter 104 Signalwege
RX1 und RX2 aufweisen, wie durch Schalter M3 208, M4 210,
M5 212, M6 214, M7 216, M8 218 und
M9 220 gesteuert, welche jeweils einen oder mehrere CMOS-Schalter
aufweisen können.
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In 2 ist
gemäß einer
Ausführungsform der
Erfindung der HF-Antennenschalter 200 als
im TX-Modus im Betrieb für
Signalweg TX1 dargestellt. Mit dieser TX-Modus-Anwendung für den Sendeschalter 102 ist
der Schalter M1 204 geschlossen und der Schalter M2 206 geöffnet. Des
Weiteren bildet der Empfangsschalter 104 einen Resonanzkreis, welcher
unten genauer beschrieben wird, durch Schließen der Schalter M3 208,
M4 210, während
die Schalter M5 212, M6 214 und M7 216 geöffnet werden,
um bei Knoten 232 einen hohen Impedanzpunkt vorzusehen.
Des Weiteren können,
obwohl dies in 2 nicht dargestellt ist, die
Schalter M8 218 und M9 220 ebenfalls geschlossen
werden, um Lecksignale zur Masse abzuleiten, um den rauscharmen
Verstärker
(LNA = low-noise amplifier) vor derartigen Lecksignalen zu schützen. Der
Fachmann wird in 2 erkennen, dass statt Signalweg
TX1 auch Signalweg TX2 hätte
aktiviert werden können,
ohne von den Ausführungsformen
der Erfindung abzuweichen. Es wird ebenfalls darauf hingewiesen,
dass die Anordnung des Sendeschalters 102 und des Empfangsschalters 104 einschließlich der
Anzahl von Sende- und Empfangspfaden geändert werden kann, ohne von
den Ausführungsformen
der Erfindung abzuweichen.
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Bei
der in 2 dargestellten Ausführungsform kann die Nennbelastbarkeit
des Sendeschalters 102 auf der Impedanz des Resonanzkreises
und der Source-zu-Drain-Durchschlagspannung
der kaskadierten Schalter M5 212, M6 214, M7 216 des
Empfangsschalters 104 basieren. Anders formuliert kann die
maximale Sendeleistung des Sendeschalters 102 von den Impedanz-
und Durchschlageigenschaften des Empfangsschalters 104 abhängen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung kann der Resonanzkreis ein LC-Parallelresonanzkreis sein, der von
den Spulen L1 222 und L2 224 parallel zu dem Kondensator
C1 226 gebildet ist. Um das gewünschte Sperren während der
TX-Modus-Anordnung
vorzusehen, um die Sendesignalleistung zu optimieren, kann der Induktivitätswert der Spule
L2 224 ausreichend groß sein.
Jedoch kann das Verhältnis
der Werte der Spulen L1 222 und L2 224 mit der
Nennbelastbarkeit des Sendeschalters 102 in Bezug stehen.
Dementsprechend kann, wenn der Wert von L1 222 zu klein
ist, eine große
Spannungsschwingung oberhalb der Source-zu-Drain-Durchschlagsspannung der Schalter
M5 212, M6 214 und/oder M7 216, welche
offen sein sollten, um bei Knoten 232 einen hohen Impedanzpunkt vorzusehen,
liegen. Somit kann der Wert der Spule L1 222 so gewählt werden,
dass die optimale Spannungsschwingung für den TX-Modus und ein niedriger
Einfügungsverlust
für den
RX-Modus erhalten wird.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung wird in 3 der Betrieb eines HF-Antennenschalters 300 im
Empfangs-(RX-)Modus dargestellt. Wie in 3 dargestellt,
ist sowohl Schalter M1 204 als auch Schalter M2 206 des
Sendeschalters 102 geöffnet,
um die Antenne 100 jeweils von den Sendesignalpfaden TX1
und TX2 zu isolieren. Jedoch sind durch das Aktivieren des Empfangssignalwegs
RX1 die Schalter M3 208, M4 210 und M8 218 offen,
während
die Schalter M5 212 und M6 214 geschlossen sind.
Um ein Lecksignal zur Masse abzuleiten, um den rauscharmen Verstärker (LNA)
zu schützen, kann
Schalter M9 220 geschlossen sein. Der Fachmann wird erkennen,
dass statt Signalpfad RX1 auch Signalpfad RX2 aktiviert sein könnte, ohne
von den Ausführungsformen
der Erfindung abzuweichen.
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Weiter
unter Bezugnahme auf 3 kann unter Verwendung der
Spule L1 222 und des Kondensators C2 228 ein Tiefpassfilter
gebildet werden. Wenn ein geringer Einfügungsverlust das Hauptmerkmal
ist, kann der Wert der Spule L1 222 so klein wie möglich sein.
Jedoch beeinflusst, wie oben unter Bezug auf 2 beschrieben,
der Wert der Spule L1 222 die Spannungsschwingung des TX-Modus,
und somit kann der Wert der Spule L1 222 so gewählt werden,
dass für
den TX-Modus eine
optimale Spannungsschwingung und für den RX-Modus ein niedriger
Einfügungsverlust
vorgesehen wird.
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Dualband-Betrieb
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Wie
unter Bezugnahme auf 1–3 beschrieben,
kann der Empfangsschalter 104 (z.B. geschalteter Resonator)
im TX-Modus einen LC-Resonator und im RX-Modus ein LC-Tiefpassfilter
vorsehen. Des Weiteren können,
wie in 2 und 3 dargestellt ist, zwei Sendesignalpfade
TX1 und TX2 und zwei Empfangssignalpfade RX1 und RX2 vorgesehen
werden. Es wird jedoch darauf hingewiesen, dass weniger Sende- oder
Empfangspfade je nach Wunsch enthalten sein können, ohne von den Ausführungsformen
der Erfindung abzuweichen. Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung können
TX1 und RX1 für
GSM-Band-(z.B. 900 MHz) Verbindungen vorgesehen sein, und TX2 und
RX2 können
für DCS/PCS-Band-(z.B. 1,9 GHz)
Verbindungen vorgesehen sein, obwohl ebenfalls andere Bänder verwendet
werden können.
Des Weiteren können
auch mehr als zwei Bänder,
beispielsweise drei oder vier Bänder,
unterstützt
werden, ohne von den Ausführungsformen
der Erfindung abzuweichen.
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Mit
Anstieg der Anzahl von Signalpfaden der Antenne 100 kann
jedoch die Nennbelastbarkeit des Sendeschalters 102 fallen.
Dementsprechend kann es bei einem Einfachpol-Mehrbetätigungsschalter wünschenswert
sein, die Anzahl an Signalpfaden der Antenne 100 zu senken.
Zum Beispiel können
sich, wie in 2 und 3 dargestellt,
RX1 und RX2 am Eingang der Antenne 100 des Empfangs schalters
einen LC-Parallelresonator teilen, wobei der LC-Parallelresonator
aus den Spulen L1 222, L2 224 und dem Kondensator
C1 226 besteht. Wie oben beschrieben, kann der LC-Parallelresonator
das Senden von Signalen von TX1 und TX2 bei jedem Band sperren. Statt
eines geschalteten Resonators mit zwei geschalteten Sendenullen
bei Dualbändern
kann der oben beschriebene LC-Parallelresonator
nur eine Sendenull aufweisen, welche gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung bei einem Breitband bei 1,5 GHz liegen kann. Des Weiteren
kann der parallele LC-Resonator jeweils bei 900 MHz, 1,5 GHz und
1,9 GHz einen Reflexionsverlust von –13 dB, –25 dB und –14 dB vorsehen.
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Beschreibung eines Sendeschalters
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Nun
wird der Sendeschalter 102 aus 2 und 3 genauer
unter Bezugnahme auf 4A und 4B beschrieben.
Insbesondere in 4A ist eine Struktur eines Sendeschalters 102 für den Schalter
M1 204 bei TX1 und den Schalter M2 206 bei TX2
gemäß einer
beispielhaften Ausführungsform
der Erfindung dargestellt. Wie in 4A dargestellt,
können
die Schalter M1 204 und M2 206 gestapelte Transistoren,
wie beispielsweise CMOS-Transistoren 402, 404 und 406 aufweisen,
die von der Source zum Drain (z.B. kaskadiert) gestapelt sind. Durch
Stapeln der Transistoren 402, 404 und 406 von der
Source zum Drain kann die kumulative Durchschlagspannung erhöht werden,
da sie zwischen den Transistoren 402, 404 und 406 geteilt
wird, wodurch eine höhere
Leistungssperrfähigkeit
vorgesehen wird. Eine derartige hohe Leistungssperrfähigkeit kann
zum beispiel bei Schalter M2 206 bei TX2 erforderlich sein,
wenn der Schalter M1 204 bei TX1 geschlossen wird, um ein
Signal zu senden. Obwohl in 4 drei
gestapelte Transistoren dargestellt sind, wird darauf hingewiesen,
dass weniger oder mehr ebenfalls kaskadiert werden können.
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Jedoch
kann durch Stapeln der Transistoren 402, 404 und 406 der
Einfügungsverlust
des Sendeschalters 102 erhöht werden. Somit kann, wie
in 4A dargestellt, eine Body-Floating-Technik, welche
das Verbinden hoher Widerstandswerte 408, 410 und 412 auf
dem Körpersubstrat
aufweist, für
den Sendeschalter 102 gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung verwendet werden. Mit einer derarti gen Body-Floating-Technik
kann für
die Transistoren 402, 404 und 406 eine
tiefe N-Brunnen-Struktur, beispielsweise ein 0,18 μm CMOS-Prozess,
welche gegen mögliche
Latchups aufgrund des Verbindens hoher Widerstandswerte 408, 410, 412 auf
dem Körpersubstrat
immun sein können.
Die Widerstände 408, 410, 412,
welche ebenfalls als Body-Floating-Widerstände bezeichnet werden können, können den
Einfügungsverlust
durch Sperren von Leckstrom zu der Masse des Substrats verringern.
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In 4B ist
der Signalfluss bei einem Einstufenschalter dargestellt, zum Beispiel
Transistoren 402, 404 oder 406. Mit dem
Anstieg der Größe eines Transistors 402, 404, 406 wird
der parasitäre
Kapazitätswert
so groß,
dass ein parasitärer
Kondensator Source-zu-Körper 452 und
Drain-zu-Körper 454 mit Body-Floating-Widerstand 456 als
Signalpfad c im EIN-Zustand verwendet werden kann. Ist der Körper jedoch
geerdet, wird der Signalpfad c in 4B zur Masse
umgeleitet, was eine Verschlechterung des Einfügungsverlusts zur Folge hat.
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Simulationsergebnisse
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In 5 sind
Simulationsergebnisse für
einen beispielhaften Multiband-(z.B. 900 MHz, 1,9 GHz) Empfangsschalter 104 gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung dargestellt. Diese Simulationsergebnisse stellen den
Einfügungsverlust 502, die
Isolation 504 von der Antenne 100 zu TX und die Isolation 506 zwischen
RX1 und RX2 dar. Insbesondere wird der Einfügungsverlust 502 durch
die durchgehende obere Linie dargestellt. Die Isolation 504, die
zwischen der Antenne 100 und dem TX gemessen wurde, ist
durch die mittlere Linie dargestellt. Gleichermaßen ist die Isolation 506 zwischen
RX1 und RX2 durch die untere Linie dargestellt.
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In 6 sind die Simulationsergebnisse für den Betrieb
eines beispielhaften Mehrband-Sendeschalters 102 dargestellt.
Insbesondere zeigen die Simulationsergebnisse in 6A die
Nennbelastbarkeit, wohingegen in 6B die
Isolation von der Antenne 100 zu RX dargestellt ist. Sowohl
in 6A als auch 6B stellen
die durchgehenden Linien Simulationen bei einem ersten Band von
1,9 GHz dar, wohingegen die umkringelten Linien Simulationen bei einem
zweiten Band von 900 MHz darstellen.
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Der
Fachmann wird erkennen, dass die Simulationsergebnisse nur als Beispiel
dienen. Der Sendeschalter 102 und der Empfangsschalter 104 können ebenfalls
für den
Betrieb auf anderen Bändern
ausgebildet sein. Dementsprechend können die Simulationsergebnisse
ebenfalls für
den Betrieb auf anderen Bändern
vorgesehen werden, ohne von den Ausführungsformen der Erfindung
abzuweichen.
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Viele Änderungen
und andere Ausführungsformen
der hier beschriebenen Erfindungen werden dem Fachmann nach Studium
der vorstehenden Beschreibung und der beigefügten Zeichnungen offensichtlich
werden. Somit wird darauf hingewiesen, dass die Erfindungen nicht
auf die offenbarten spezifischen Ausführungsformen beschränkt sind
und dass Änderungen
und andere Ausführungsformen
in den Schutzbereich der beigefügten
Ansprüche
fallen. Obwohl hier spezifische Begriffe verwendet werden, werden
diese nur auf allgemeine und beschreibende Weise verwendet und dienen
nicht zur Einschränkung.