CN115276708A - 天线开关电路和方法 - Google Patents

Abstract

一种天线开关电路和一种天线电路切换方法。所述电路包括天线端口、终端端口(例如，用于在传输模式下处理从天线反射回来并通过所述天线端口接收的功率)以及接收端口(例如，用于在接收模式下经由所述天线开关电路从所述天线端口接收信号)。所述电路还包括耦合在所述天线端口与所述终端端口之间的第一开关。所述电路另外包括耦合在所述接收端口与位于所述天线端口和所述第一开关之间的节点之间的谐振电感。所述电路还包括耦合在参考电势与位于所述谐振电感和所述接收端口之间的节点之间的第二开关。

Description

天线开关电路和方法

技术领域

本说明书涉及一种天线开关电路，涉及一种包括天线开关电路的集成电路，涉及一种包括天线开关电路的前端模块，涉及一种包括前端模块的基站或无线局域网“WLAN”装置以及涉及一种天线电路切换方法。

背景技术

无线基站应用中的天线开关拓扑通常是使用四个开关的单刀双掷(SPDT)拓扑。开关本身可以使用金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET)例如在绝缘体上硅(SOI)技术中实现。

此类电路拓扑的例子如图1所示。电路10包括通向/来自天线的端口2。电路还包括用于将从天线端口2接收到的信号通过(例如，基站的)前端模块路由的RX端口(RX)以及终端端口(TX)。如下文将结合图2所描述，终端端口允许在电路的传输模式期间处理从天线反射回来的功率。

电路10另外包括开关(通常为MOSFET，如上所述)的布置，包括开关M1、M2、M3、M4。开关M1串联耦合在天线端口2与TX端口之间。开关M3串联耦合在天线端口2与RX端口之间。开关M2耦合在接地与位于RX端口和开关M3之间的节点之间。开关M4耦合在接地与位于TX端口和开关M1之间的节点之间。

电路具有传输模式和接收模式。在传输模式下，开关M1和M2接通，而开关M3和M4断开。在接收模式下，开关M1和M2断开，而开关M3和M4接通。

在传输模式下，可存在通过天线端口2和TX端口的高信号功率(例如，50Ω下47dBm峰值＝50W＝71V峰值)。开关M3和M4需要承受终端间的电压，因此需要高击穿能力。

在接收模式下，功率水平可能对开关不重要，但电路的噪声特性仍然很重要。

因此，电路10在功率处理和噪声特性方面的性能受到电路拓扑的限制。

发明内容

本公开的各方面在随附独立和从属权利要求中阐述。来自从属权利要求的特征的组合可按需要与独立权利要求的特征组合，且不仅仅如权利要求中明确地阐述。

根据本公开的方面，提供一种天线开关电路，所述天线开关电路包括：

天线端口；

终端端口；

接收端口；

第一开关，耦合在所述天线端口与所述终端端口之间；

谐振电感，耦合在所述接收端口与位于所述天线端口和所述第一开关之间的节点之间；以及

第二开关，耦合在参考电势与位于所述谐振电感和所述接收端口之间的节点之间，

其中所述天线开关电路能在以下模式之间切换：

传输模式，其中所述第一开关和所述第二开关都处于接通状态；以及

接收模式，其中所述第一开关和所述第二开关都处于断开状态。

在一些实施例中，所述终端端口用于在传输模式下处理从天线反射回来并通过所述天线端口接收的功率。在一些实施例中，所述接收端口用于在接收模式下经由所述天线开关电路从所述天线端口接收信号。

所述第一开关可位于第一半导体管芯中且所述第二开关可位于第二半导体管芯中。所述第一半导体管芯可通过互连件电连接到所述第二半导体管芯。所述电感可以是所述互连件的部分电感。所述互连件可以是一个或多个键合线或层压轨迹。第二半导体管芯可包括放大级。所述放大级的输入可耦合到位于所述电感与所述接收端口之间的所述节点。所述放大级的输出可耦合到所述接收端口。

所述第一开关和所述第二开关都可位于第一半导体管芯上。所述电感可以是以下的电感：键合线，或形成于所述第一半导体管芯的表面上的层压轨迹或平面线圈。所述天线开关电路可包括第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括放大级。所述放大级的输入可耦合到位于所述电感与所述接收端口之间的所述节点。所述放大级的输出可耦合到所述接收端口。可替换的是，所述第一半导体管芯可另外包括放大级。所述放大级的输入可耦合到位于所述电感与所述接收端口之间的所述节点。所述放大级的输出可耦合到所述接收端口。

所述天线开关电路可另外包括串联耦合的电容和第三开关。所述串联耦合的电容和第三开关可与所述谐振电感并联耦合。在所述传输模式下，所述第三开关可切换至接通状态。在所述接收模式下，所述第三开关可切换至断开状态。所述电容可以是可编程的。

所述天线开关电路可另外包括与所述第一开关并联耦合的电感。所述天线开关电路可另外包括耦合在参考电势与位于与所述终端端口和所述第一开关之间的节点之间的电感。

每个开关可包括金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET)。每个MISFET可使用绝缘体上硅(SOI)技术实现。例如，每个MISFET可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

根据本公开的另一方面，提供一种前端模块，所述前端模块包括上述类型的天线开关电路。

根据本公开的另一方面，提供一种基站，所述基站包括上述类型的前端模块。

根据本公开的另一方面，提供一种无线局域网“WLAN”装置，所述装置包括上述类型的前端模块。

根据本公开的另一方面，提供一种天线电路切换方法，所述方法包括：

提供上述类型的天线开关电路；以及

在所述传输模式与所述接收模式之间切换所述天线开关电路。

附图说明

在下文中将仅借助于例子参考附图描述本公开的实施例，在附图中类似附图标记指代类似元件，并且在附图中：

图1示出天线开关电路；

图2示出根据本公开实施例的包括前端模块的系统；

图3示出根据本公开实施例的天线开关电路；

图4示出根据本公开实施例的电路；

图5示出根据本公开实施例的电路；

图6示出根据本公开实施例的电路；

图7示出根据本公开实施例的天线开关电路；并且

图8A和8B分别示出根据本公开实施例的天线开关电路。

具体实施方式

下文参考附图描述本公开的实施例。

图2示出根据本公开实施例的包括前端模块30的系统20。例如，系统20可以用于在(例如5G)多信道基站中实现信道。

所述系统包括传输端口22、接收端口29、功率放大器24、环行器26、滤波器28、天线2、前述前端模块30和耦合在前端模块30与参考电压(例如接地)之间的电阻器27。功率放大器24的输入耦合到传输端口22。功率放大器24的输出耦合到环行器26的输入。环行器26的第一输出耦合到前端模块，如下所述。环行器26的第二输出耦合到滤波器28。滤波器28的输出耦合到天线2。

在此实施例中，前端模块30包括天线开关电路32、第一低噪声放大器34、数字步进衰减器36和第二低噪声放大器38。天线开关电路32具有耦合到环行器26的输入。天线开关电路32可在两个输出之间切换。可对应于上文关于图1所述类型的TX端口的输出中的第一输出耦合到电阻器27(例如50Ω)，并且输出中的第二输出耦合到第一低噪声放大器34的输入。电阻器27可以是离散组件。第一低噪声放大器的输出耦合到数字步进衰减器36的输入。数字步进衰减器36的输出耦合到第二低噪声放大器38的输入。第二低噪声放大器38的输出耦合到接收端口29。第二低噪声放大器具有与第二低噪声放大器39并联耦合的旁路开关39。

在传输模式下，功率放大器24接通，并基于在传输端口22处接收的用于传输的信号向环行器26传递功率(例如，在一个实现方式中，可在功率放大器24的输出处提供峰值为50W＝47dB的8W＝39dBm的最大平均功率)。环行器26将此功率通过滤波器28引导至天线2。由于天线失配，部分(或全部)功率可能会通过系统20反射回来。这种反射的天线传输功率的至少一部分(通常大部分或全部)可由环行器26引导至前端模块30。为了防止反射功率损坏功率放大器26、前端模块30的组件和/或位于接收端口29下游的任何组件，天线开关电路32可切换，以将反射的功率通过(例如，通过图1的TX端口)引导至电阻器27。

在接收模式下，在天线2处接收的功率由环行器26引导至前端模块30。在接收模式下，天线开关电路32可切换以引导接收功率通过第一低噪声放大器34、数字步进衰减器36和第二低噪声放大器38，从而向接收端口29提供放大的接收信号。在一些实施例中，由低噪声放大器34、38提供的增益可以是可编程的。旁路开关39可以构成调整增益的一种方式，因为旁路开关39的闭合可以有效地从信号路径移除第二低噪声放大器38，由此只有第一低噪声放大器34有助于前端模块30提供的增益。数字步进衰减器36可以构成调整增益的另一种方式。数字步进衰减器36可根据所需增益衰减信号。应注意，根据基于前端模块30的给定应用所需的增益可调节性水平，可以设想数字步进衰减器36、旁路开关以及第二低噪声放大器38可被视为是可选的。

传统上，应了解，天线开关电路32可使用上文关于图1所述类型的电路10来实现。

然而，此布置将面临许多问题。

例如，电路10的开关M3在其断开状态下(即在传输模式下)需要承受其终端上的大传输功率。因此，需要具有高击穿特性的开关。这通常可能需要使用串联堆叠的多个晶体管来实现开关M3，每个晶体管单独具有相对较高的击穿电压(例如，多达15个晶体管，每个晶体管具有5V的击穿电压)。

另一个问题是，在开关M3的接通状态下(即，在接收模式下)，开关M3的接通状态电阻应相对较小(在一些实施例中尽可能小)，以免将不需要的噪声引入天线端口2处接收的信号中。这可能需要使用较大晶体管来实现开关M3(例如，每个开关晶体管的总指宽为6mm)。

上文提及的两个因素都会增加用于实现开关M3的电路和组件的物理尺寸。这可能会使驱动开关M3的晶体管变得困难，由此达到快速切换时间(例如，0.5μs内在M3的接通状态与断开状态之间切换(或反之亦然))，驱动器及其相关联电荷泵的尺寸也可能需要增加。同样，这会增加整个电路的尺寸。电路尺寸的增加会增加成本，也会增加电路内的寄生效应，这可能会对确保功率处理能力的平衡网络产生不利影响。也可能诱发或获得增加的噪声，或者路由可能变得不切实际。

另一个问题是，上述问题可能会限制可用于实现电路的技术。例如，以上述方式堆叠晶体管可能需要使用绝缘体上硅(SOI)技术(因其高隔离和击穿特性)，这通常比体效应技术更昂贵。

图3示出根据本公开实施例的天线开关电路40。天线开关电路40可以是单刀双掷(SPDT)开关。天线开关电路40可用于实现上文关于图2描述的天线开关电路32。

天线开关电路40包括天线端口2。天线端口2可耦合到天线，例如上文关于图2所述类型的天线。因此，天线端口2可以经由环行器和滤波器耦合到天线，如图2所示。

天线开关电路40还包括终端端口TX。与图1所示的布置一样，此实施例中的终端端口TX用于在传输模式下处理从天线接收的反射信号，并且可以耦合到电阻器，例如如图2所示的(例如，50Ω)电阻器27。

天线开关电路40另外包括接收端口RX。在此实施例中，接收端口RX用于在接收模式下经由天线开关电路40从天线端口2接收信号。

天线开关电路40还包括第一开关M1。第一开关M1耦合在天线端口2与终端端口TX之间。

天线开关电路40另外包括谐振电感。谐振电感耦合在接收端口RX与位于天线端口2和第一开关M1之间的节点之间。在此实施例中，谐振电感包括电感L_res。此实施例中的谐振电感还具有电容C_res，所述电容耦合在参考电势(例如接地)与位于天线端口2和第一开关M1之间的节点之间。

天线开关电路40还包括第二开关M2。第二开关M2耦合在参考电势(例如地)与位于谐振电感和接收端口RX之间的节点之间。

第一开关M1和第二开关M2各自可以使用串联耦合的一个或多个晶体管(例如，金属绝缘体场效应晶体管(MISFET))来实现。

天线开关电路40可在传输模式与接收模式之间切换。

在传输模式下，第一开关M1和第二开关M2都处于接通状态。在图2的上下文中，在传输模式期间，到达天线端口2的来自天线的反射功率可通过开关M1引导至终端端口TX(并从那里通过电阻器，例如上文描述的电阻器27)。这与从天线端口2向RX端口看到的L_res和C_res形成的谐振槽的高欧姆阻抗一起，可以保护位于接收端口RX下游的组件不受反射功率的影响，还可以保护位于天线端口上游的功率放大器不受反射功率的影响。

在接收模式下，第一开关M1和第二开关M2都处于断开状态。因此，到达天线端口2的接收到的信号可以被引导至接收端口RX，但从终端端口TX被阻断(通过第一开关M1)。由于第二开关M2处于断开状态，因此接收到的信号也不会转移到参考电势(例如接地)。

与图1所示的天线开关电路10不同，本实施例的天线开关电路不包括串联耦合在天线端口2与接收端口RX之间的开关(图1中的M3)。省略此开关至少可以解决上述与图1中的天线开关电路10有关的一些问题。例如，由于减少了提供具有高击穿特性的开关的需要，因此可以在体效应技术中实现本公开的实施例。与使用SOI技术的实现方式相比，这可以降低成本。此外，与图1所示类型的天线开关电路相比，天线开关电路40可以制得更小并且具有更少的寄生。例如，与图1所示的电路相比，省略开关M3也可以省略与所述开关相关联的电荷泵和较大驱动器。与此处提及的关于省略开关M3的考虑类似的考虑也可适用于省略TX分路开关(图1中的开关M4)，根据本公开的实施例，所述分路开关可能不是必需的。

如上所述，在传输模式下，图3实施例中的开关M1和M2处于接通状态。因此，可能需要开关M1和M2处理较大电流，但不一定需要通过其终端处理较大电压。与上文讨论的电压处理能力(例如高击穿电压)相比，电流处理能力往往与较少权衡有关。在开关M1和M2的断开状态下(即在接收模式下)，这些开关可能只会经历与接收到的信号相关联的电压(与和传输信号相关联的较高功率相比)。具体而言，与接收到的信号相关联的功率可以比与传输信号相关联的功率小几个数量级(例如，-10dBm相比47dBm)。因此，开关M1和M2(在其断开状态下，在接收模式下)的击穿性能可能不重要。这可以使开关的使用具有较低的优值R_on.C_off(其中R_on是每个开关的接通状态电阻且C_off是每个开关的断开状态电容)。实现此类开关的晶体管可具有较短的沟道长度。

对于结合天线开关电路40的前端模块的热约束，传输模式下的反射功率可主要通过上文关于图2所述类型的外部(例如离散)电阻器27(例如50Ω)引导以进行处理。因此，从天线看，在传输模式下的接收路径(包括例如处于接通状态的L_res、C_res和开关M2)可以制作成高欧姆的。这可以通过使用谐振电感来实现。谐振电感可形成在所需频率下并联谐振的L_res-C_res槽。根据给定应用，可选择L_res和C_res的值以满足此谐振条件。例如，当C_res是明确的组件时，它可能被视为向谐振电感增加了满足谐振条件所需的额外电容量。

例如，谐振电感L_res可以使用结合一个或多个半导体管芯的集成电路(IC)中或集成电路(IC)上的键合线、层压轨迹或平面线圈来实现。例如，电容C_res可以由封装或IC寄生、L_res的有限自谐振或位于结合一个或多个半导体管芯的IC上或IC中的明确电容器(例如，边缘或金属绝缘体金属(MIM))形成。根据此讨论，应了解，在一些实施例中，可观察到的C_res形成为电感L_res的固有因素，而在其它实施例中，可以单独提供C_res(例如，为满足给定应用的前述谐振条件而“补充”L_res的电容)。当单独提供C_res时，可将其作为结合天线开关电路40的IC的固有特性的一部分(例如，在如上所述的寄生情况下)或作为明确的单独组件(例如，在如上所述的边缘或MIM电容器情况下)包括在内。

对于L_res的C_res的各种实现方式，应注意，相关联的损耗且因此Q因数可能适用。例如，Q因数为40-50的键合线通常比使用(Q因数约为20的)片上线圈实现的键合线高得多。层压轨迹的Q因数可能介于使用键合线和片上线圈可实现的Q因数之间。类似地，单独的电容器可具有约80-100的因数，但仍可利用L_res的自谐振电容器，以避免所有谐振电流必须通过(RX分路)第二开关M2。

现在将结合图4至6描述谐振电感的各种实现方式以及将其并入一个或多个半导体管芯的方式。具体地，将展示可在一个或多个半导体管芯上划分L_res和C_res的各种方式。

图4示出根据本公开实施例的电路50。天线开关电路40可用于实现天线开关电路32和前端模块30的组件，如关于图2所描述。

图4中的电路50包括天线端口2、终端端口TX、接收端口RX、第一开关M1和第二开关M2，如上文关于图3所描述。电路50还包括谐振电感。在本实施例中，不包括明确的电容C_res，并且C_res可以考虑为至少部分地由L_res的有限自谐振形成。然而，如果给定应用需要，可以设想明确的单独电容可以证明“补充”C_res。此外，还可以设想，可以由封装或IC寄生向C_res提供额外的贡献。

图4中的电路50还包括上文关于图2所述类型的放大器级。如先前所解释，放大器级可包括一个或多个低噪声放大器46、48和可选旁路开关49。如先前所解释，例如使用旁路开关49或可选数字步进衰减器(图4中未示出)，低噪声放大器46、48提供的增益可以是可编程的。

在图4的实施例中，在终端路径中串联设置的第一开关M1设置在第一半导体管芯42中，而充当接收分路开关的第二开关M2设置在第二半导体管芯44上。放大器级的特征也可以设置在第二半导体管芯44上。在此实施例中，可以利用第一半导体管芯42与第二半导体管芯44之间的连接来形成L_res。具体地，形成L_res的互连件可包括基于层压的封装中的一个或多个键合线或层压轨迹，如上文所描述。

图5示出根据本公开另一实施例的电路50。天线开关电路40可用于实现天线开关电路32和前端模块30的组件，如关于图2所描述。

图5中的电路50包括天线端口2、终端端口TX、接收端口RX、第一开关M1和第二开关M2，如上文关于图3所述。电路50还包括谐振电感。在本实施例中，不包括明确的电容C_res，并且C_res可以考虑为至少部分地由L_res的有限自谐振形成。然而，如果给定应用需要，可以设想明确的单独电容可以证明“补充”C_res。此外，还可以设想，可以由封装或IC寄生向C_res提供额外的贡献。

图5中的电路50还包括上文关于图2所述类型的放大器级。如先前所解释，放大器级可包括一个或多个低噪声放大器46、48和可选旁路开关49。如先前所解释，例如使用旁路开关49或可选数字步进衰减器(图5中未示出)，低噪声放大器46、48提供的增益可以是可编程的。

在图5的实施例中，在终端路径中串联设置的第一开关M1和充当接收分路开关的第二开关M2都设置在第一半导体管芯42中。在此实施例中，放大器级的特征可以设置在第二半导体管芯44上。

在此实施例中，由于谐振电感器L_res放置在第一半导体管芯的两个已经可用的管脚(例如ANT和SWOUT)之间，因此可以通过上文所提及的任何方式(键合线、层压轨迹或片上线圈)来实现(而无需额外管脚)。此外，结合放大器级的第二半导体管芯44现在可以靠近第一半导体管芯放置，因为第一半导体管芯42与第二半导体管芯44之间的连接不受形成图4中的L_res的需要限制。因此，图5的布置可以使结构更加紧凑。

图6示出根据本公开另外的实施例的电路50。天线开关电路40可用于实现天线开关电路32和前端模块30的组件，如关于图2所描述。

图6中的电路50包括天线端口2、终端端口TX、接收端口RX、第一开关M1和第二开关M2，如上文关于图3所述。电路50还包括谐振电感。在本实施例中，不包括明确的电容C_res，并且C_res可以考虑为至少部分地由L_res的有限自谐振形成。然而，如果给定应用需要，可以设想明确的单独电容可以证明“补充”C_res。此外，还可以设想，可以由封装或IC寄生向C_res提供额外的贡献。

图6中的电路50还包括上文关于图2所述类型的放大器级。如先前所解释，放大器级可包括一个或多个低噪声放大器46、48和可选旁路开关49。如先前所解释，例如使用旁路开关49或可选数字步进衰减器(图6中未示出)，低噪声放大器46、48提供的增益可以是可编程的。

在图6的实施例中，在终端路径中串联设置的第一开关M1和充当接收分路开关的第二开关M2以及放大器级的特征都设置在同一半导体管芯52上。因此，考虑到谐振单刀双掷(SPDT)拓扑允许使用有成本效益的技术，例如已经用于设计结合上文关于图2所述类型的放大器级的管芯的技术(例如SiGe技术)，图6的实施例可以提供单片解决方案。

图7示出根据本公开另一实施例的天线开关电路40。天线开关电路40可用于实现上文关于图2所述的天线开关电路32。

图7的实施例在某些方面与图3的实施例相似，且下文将仅详细描述显著差异。

在图7中，天线开关电路40包括串联耦合的电容C_extra和第三开关M3。串联耦合的电容C_extra和第三开关M3与谐振电感L_res并联耦合。在传输模式下，第三开关M3切换到接通状态，而在接收模式下，第三开关M3切换到断开状态。串联耦合电容C_extra的电容可以是可编程的。

在传输模式下，在M3接通的情况下，C_extra可用于向谐振电感器L_res添加额外电容，从而允许在一些实施例中满足前述谐振条件。相反，在接收模式下，开关M3可以切换到断开状态，因此接收到的信号可以沿着排除C_extra的路径路由到接收端口RX。

在本实施例中，部分谐振电流可以通过M3或M2，而不是通过两者。因此，可以论证的是，可以在没有额外损耗的情况下实现额外电容的可编程性及其在接收模式下的电势益处，如图3实施例中开关与C_res串联时的情况。还可以设想，使用C_extra的C_res的可编程性还可以实现通过天线开关电路40的信号的相关频带的可编程性，无论是在工厂进行校准，还是在客户处提供不同频带的服务。

图8A和8B各自示出根据本公开另外的实施例的天线开关电路40。天线开关电路40可用于实现上文关于图2所述的天线开关电路32。

图8A和8B的实施例在某些方面与图3的实施例相似，且下文将仅详细描述显著差异。

在图8A中，另外的电感L2a与第一开关M1并联耦合。在图8B中，另外的电感L2b耦合在参考电势(例如接地)与位于终端端口TX和第一开关M1之间的节点之间。可以设想，图8A和8B中使用的另外的电感L2a、L2b可以组合，使得另外的电感L2a和L2b都存在于同一天线开关电路40中。

另外的电感L2a和L2b可选择性地用于补偿没有TX分路开关(例如图1中的开关M4)的情况，其方式类似于在没有图1中的开关M3的情况下使用谐振电感L_res。另外的电感L2a、L2b可增强隔离和回波损耗。

在传输模式下，在图2的上下文中，通常要求在天线端口2和终端端口TX处看到的特性阻抗具有定义的值(例如50Ω)。导通电阻相对较小(例如2Ω)的开关M1可实现这一点。通常，在接收模式下，天线端口仍需要这一相同的阻抗水平(例如50Ω)，但接收端口RX有自由度。本公开的实施例可以在接收模式下自然地启用接收端口RX处的电感阻抗，这可能有利于放大器级的低噪声放大器的低噪声系数设计。可替换的是，在接收模式下，通过将传输路径标注为λ/4，即具有谐振电感和谐振/寄生电容器的一个或多个分路C-串联L-分路C(CLC)区段，也可以设计接收端口RX处的实际阻抗。

本公开的实施例可以包括结合上述类型的天线开关电路的上述类型的前端模块。所述前端模块可以例如包括在基站中(例如，用于无线/移动通信)。前端模块例如可以包括在无线局域网“WLAN”装置中。

根据本公开实施例的天线电路切换方法可包括提供上文关于图2至8中任一图描述类型的天线开关电路，并在天线开关电路的传输模式与接收模式之间切换天线开关电路。

因此，已经描述了一种天线开关电路和一种天线电路切换方法。所述电路包括天线端口、终端端口(例如，用于在传输模式下处理从天线反射回来并通过所述天线端口接收的功率)以及接收端口(例如，用于在接收模式下经由所述天线开关电路从所述天线端口接收信号)。所述电路还包括耦合在所述天线端口与所述终端端口之间的第一开关。所述电路另外包括耦合在所述接收端口与位于所述天线端口和所述第一开关之间的节点之间的谐振电感。所述电路还包括耦合在参考电势与位于所述谐振电感和所述接收端口之间的节点之间的第二开关。

尽管已经描述了本公开的具体实施例，但是应了解，可以在权利要求书的范围内作出许多修改/添加和/或替代。

Claims (10)

1.一种天线开关电路，其特征在于，包括：

天线端口；

终端端口；

接收端口；

第一开关，耦合在所述天线端口与所述终端端口之间；

谐振电感，耦合在所述接收端口与位于所述天线端口和所述第一开关之间的节点之间；以及

第二开关，耦合在参考电势与位于所述谐振电感和所述接收端口之间的节点之间，

其中所述天线开关电路能在以下模式之间切换：

传输模式，其中所述第一开关和所述第二开关都处于接通状态；以及

接收模式，其中所述第一开关和所述第二开关都处于断开状态。

2.根据权利要求1所述的天线开关电路，其特征在于：

所述终端端口用于在传输模式下处理从天线反射回来并通过所述天线端口接收的功率；并且

所述接收端口用于在接收模式下经由所述天线开关电路从所述天线端口接收信号。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的天线开关电路，其特征在于，所述第一开关位于第一半导体管芯中且所述第二开关位于第二半导体管芯中，其中所述第一半导体管芯通过互连件电连接到所述第二半导体管芯，并且其中所述电感是所述互连件的部分电感。

4.根据权利要求3所述的天线开关电路，其特征在于，所述互连件包括：

一个或多个键合线；或

层压轨迹。

5.根据权利要求3或权利要求4所述的天线开关电路，其特征在于，所述第二半导体管芯另外包括放大级，其中所述放大级的输入耦合到位于所述电感与所述接收端口之间的所述节点，并且其中所述放大级的输出耦合到所述接收端口。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的天线开关电路，其特征在于，所述第一开关和所述第二开关都位于第一半导体管芯上，并且其中所述电感是以下的电感：

键合线，或

形成于所述半导体管芯的表面上的层压轨迹或平面线圈。

7.根据权利要求6所述的天线开关电路，其特征在于，包括第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括放大级，其中所述放大级的输入耦合到位于所述电感与所述接收端口之间的所述节点，并且其中所述放大级的输出耦合到所述接收端口。

8.一种前端模块，其特征在于，包括根据权利要求1至7中的任一项权利要求所述的天线开关电路。

9.一种基站，其特征在于，包括根据权利要求8所述的前端模块。

10.一种天线电路切换方法，其特征在于，包括：

提供根据权利要求1至7中的任一项权利要求所述的天线开关电路；以及

在所述传输模式与所述接收模式之间切换所述天线开关电路。

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