DE102007020449A1 - Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen nasschemischen und elektrolytischen Behandlung von Gut - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen nasschemischen und elektrolytischen Behandlung von Gut Download PDF

Info

Publication number
DE102007020449A1
DE102007020449A1 DE102007020449A DE102007020449A DE102007020449A1 DE 102007020449 A1 DE102007020449 A1 DE 102007020449A1 DE 102007020449 A DE102007020449 A DE 102007020449A DE 102007020449 A DE102007020449 A DE 102007020449A DE 102007020449 A1 DE102007020449 A1 DE 102007020449A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
treatment
contact
electrolyte
goods
treatment liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007020449A
Other languages
English (en)
Inventor
Norbert BÜRGER
Franck Delahaye
Konrad Kaltenbach
Dietmar LÜTKE NOTARP
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rena Sondermaschinen GmbH
Original Assignee
Rena Sondermaschinen GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rena Sondermaschinen GmbH filed Critical Rena Sondermaschinen GmbH
Priority to DE102007020449A priority Critical patent/DE102007020449A1/de
Publication of DE102007020449A1 publication Critical patent/DE102007020449A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/005Contacting devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008Current shielding devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F1/00Electrolytic cleaning, degreasing, pickling or descaling
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft die nasschemische oder elektrolytische Behandlung von ebenem Gut wie beispielsweise einem Wafer, welches nach dem Stand der Technik mittels technisch komplexer Rahmen oder Greifer in Behandlungsräumen behandelt wird. Insbesondere bei bruchempfindlichem Gut wie z.B. Solarzellen aus Silizium ist die Handhabung sehr Zeit aufwändig, insbesondere dann, wenn die Unterseite des Gutes nicht benetzt werden darf. Erfindungsgemäß wird das Gut 1 ohne Rahmen, Greifer oder Halter derart über einem vertikal angeordneten Behandlungsraum 3 abgelegt, dass lediglich die Unterseite von der Behandlungsflüssigkeit benetzt wird. Durch eine rotationssymmetrische Strömung 4 an der Unterseite 7 des auf mindestens einer Auflage 2 abgelegten Gutes neutralisieren sich die auf das Gut 1 horizontal einwirkenden Adhäsionskräfte gegenseitig. Eine seitliche Verschiebung des Gutes erfolgt nicht. Daher kann auf die üblicherweise verwendeten Begrenzer oder seitlichen Endanschläge verzichtet werden. Erfindungsgemäß führen die vertikal wirkenden Komponenten der Adhäsionskraft zu einer Anhaftung des Gutes 1 an den Auflagen bzw. den Kontakten 2, wodurch eine sichere elektrische Kontaktierung im Rahmen einer elektrolytischen Behandlung bereitgestellt wird. Zur vollständigen Entmetallisierung der Kontakte 2 wird die natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze 25 in der Nähe der Kontakte mittels eines entgegen der Flussrichtung oder gegen die Oberfläche des Elektrolyten gerichteten Gasstroms 26 ...

Description

  • Die Erfindung betrifft die nasschemische, elektrochemische und elektrolytische Behandlung sowie die Reinigung von ebenem Gut, wie insbesondere von Substraten wie Wafern, Solarzellen, Hybriden, CDs und dergleichen.
  • Typische Beispiele für Behandlungsverfahren, die sich an eine Oberflächenreinigung anschließen, betreffen das Aktivieren, Dotieren, das elektrochemische/elektrolytische oder chemische Metallisieren oder das Ätzen, Strippen und dergleichen geeigneter Substrate. Normalerweise werden derartige Güter lediglich einseitig an der Oberfläche behandelt. Demgemäß kann sowohl eine vollständige Oberfläche als auch eine strukturierte Behandlung vorliegen. Um eine Beschädigung des Gutes aufgrund chemischer Reaktionen zu vermeiden, muss die nicht zu behandelnde Rückseite gewöhnlich sicher gegen eine durch die Behandlungsflüssigkeit verursachte Benetzung geschützt werden. Hierzu sind so genannte Cup- oder Fountain-Behandlungseinrichtungen bekannt. Der Behandlungsraum derartiger Einrichtungen wird an einer Seite von dem zu behandelnden Gut geschlossen. Während der gesamten Behandlungsdauer ist das Gut z.B. mittels eines Substrathalters, eines Greifers oder einer Spannvorrichtung mit dem Behandlungsraum verbunden. Daher kann die Behandlungsflüssigkeit gegen die zu behandelnde Oberfläche strömen, so dass eine chemische Modifikation des Gutes herbeigeführt werden kann. Dichtelemente, die an den Spannvorrichtungen in der Nähe des Gutes angeordnet sind, verhindern eine Benetzung der nicht zu behandelnden Rückseite. Derartige Dichtelemente können auch gebildet werden durch passende Greifer, Vakuumhalter oder andere Transporteinrichtungen, welche bei Kontaktierung die gesamte Rückseite des Gutes abdecken und somit vor unerwünschter Benetzung schützen. Gewöhnlich können derartige Vorrichtungen beispielsweise mechanisch, mit Vakuum, oder nach dem Bernoulli-Prinzip arbeiten.
  • Ein typisches Beispiel für eine Vorrichtung zur Behandlung der zuvor genannten Güter beschreibt die Druckschrift WO 99/16936 , welche die elektrolytische Metallisierung von Wafern betrifft. Innerhalb des Behandlungsraumes ist eine Anode und, erforderlichenfalls, eine Streublende integriert. Die zu behandelnde Oberfläche des Gutes bildet die Kathode der elektrolytischen Zelle. Der Elektrolyt strömt von unten in den Behandlungsraum ein und verlässt diesen anschließend, indem er über seinen Rand überläuft. Das Gut wird von einem Träger gehalten und kontaktiert, der aus Probenhaltern, Rotoren, Statoren und Einrichtungen zur Stromübertragung und Messung besteht. Das in dieser Weise eingespannte Gut wird während der gesamten Behandlungsdauer mittels einer Transporteinrichtung horizontal und vertikal an der Oberfläche der überströmenden Behandlungsflüssigkeit positioniert und fixiert. Mittels eines präzisen Vertikalantriebs, wie z.B. eines Schrittmotors für den Träger, wird die Eintauchtiefe des Gutes so eingestellt, dass lediglich die zu behandelnde Unterseite benetzt wird und mit der Behandlungsflüssigkeit in Kontakt bleibt. Bei der vorliegenden elektrolytischen Metallisierung werden die elektrisch leitfähigen Probenhalter, die sich an der Unterseite des Gutes befinden, auch metallisiert. Diese unerwünscht metallisierten Halter müssen von Zeit zu Zeit entmetallisiert werden. Hierzu wird der Träger ohne das Gut in einem zusätzlichen Verfahrensschritt derart über dem Behandlungsraum positioniert, dass die metallisierten Teile des Probenhalters in die Behandlungsflüssigkeit eintauchen. Die Probenhalter werden anodisch gegen eine kathodische Hilfselektrode geschaltet. Die Probenhalter werden dann mittels einer Stromquelle elektrolytisch entmetallisiert. Die Hilfselektrode absorbiert das Metall, wie z.B. das Kupfer. Sie muss nach einigen Ätzvorgängen ausge tauscht werden. Diese Vorrichtung nach dem Stand der Technik weist die folgenden Nachteile auf:
    Das Gut muss zur Behandlung in einen Träger eingespannt und von diesem während der gesamten Behandlungsdauer gehalten werden. Daher muss die Höhenlage des Gutes in Bezug auf die Behandlungsflüssigkeit individuell ermittelt und mittels eines Vertikalantriebes präzise eingestellt werden. Weil das in der Regel sehr dünne Gut, das beispielsweise eine Dicke von 0,3 mm aufweisen kann, praktisch über dem Behandlungsraum schwebt, ist eine sehr stabile mechanische Konstruktion für den Aufbau des Behandlungsraumes als auch für die Transporteinrichtung und den Träger notwendig. Zukünftig wird die Dicke von Solarzellen aus Silizium auf etwa 0,1 mm reduziert werden. Darüber hinaus kann die Höhenlage des Trägers in Bezug auf die Behandlungsflüssigkeit durch Temperaturveränderungen während der Behandlung beeinflusst werden.
  • Dem Problem der korrekten Höheneinstellung des Gutes über der Oberfläche des Elektrolyten entspricht die in US 5,429,733 offenbarte Vorrichtung. Das Gut wird mittels Luftkissen über dem Behandlungsraum gehalten, wobei die gesamte Halterung mechanisch mit dem Behandlungsraum verbunden ist. Zugleich wird die nicht nasschemisch zu behandelnde Oberseite des Gutes gegen die Behandlungsflüssigkeit abgedichtet. Nachteilig ist jedoch die Tatsache, dass das Gut zeitaufwändig in die Halterung eingebracht und dort fixiert werden muss. Nach Beendigung der Behandlung muss das Gut aus der Halterung entnommen werden. Bei bruchempfindlichen Gütern, wie z.B. bei Solarzellen aus Silizium, besteht immer die Gefahr eines Bruches der dünnen Scheiben. Gleiches gilt während der eigentlichen Behandlung, wenn die Behandlungsflüssigkeit zu intensiv gegen das eingespannte und damit besonders bruchgefährdete Gut strömt. Eine gegebene minimale Flussrate des in den Behandlungsraum einströmenden Elektrolyten ist jedoch notwendig, um die beschriebene Rückströmung zu überwinden und die Oberfläche des Gutes zur Herbeiführung einer chemischen Modifikation derselben zu kontaktieren. In diesem Zusammenhang und insbesondere im Hinblick auf die künftigen nasschemisch zu behandelnden dünnen Substrate mit zunehmendem Durchmesser wird auch die Gefahr eines Bruches dieser dünnen Güter dramatisch erhöht.
  • Die gleiche Bruchgefahr besteht unter Verwendung der Vorrichtungen zur nasschemischen und/oder elektrolytischen Behandlung von ebenen Gütern, die in US 5,437,777 und DE 197 36 340 C2 beschrieben sind. Die Güter werden mittels Halterungen in Kontakt mit der Behandlungsflüssigkeit gebracht. Dichtungen schützen sowohl die nicht zu behandelnde Oberseite des Gutes als auch die Kontaktmittel zur Stromeinleitung in die Behandlungsflüssigkeit. Neben der beschriebenen Bruchgefahr für das Gut ist es ferner nachteilig, dass es in die Halterungen eingebracht und nach der Behandlung wieder entnommen werden muss.
  • Diese Handhabungsprobleme bestehen auch bei der Vorrichtung, welche in US 5,443,707 beschrieben wird. Die Halterungen einer derartigen Vorrichtung müssen während der gesamten Expositionsdauer am Gut verbleiben, und für jedes System sind mehrere dieser technisch komplexen Vorrichtungen erforderlich, um das Gut während der Behandlung zu positionieren. Abstandhalter bestimmen die Höhenlage in Bezug auf die Oberkante des Behälters, gegen die das Gut von dem Halter oder der Transporteinrichtung gedrückt wird. In allen Fällen werden Kräfte auf das Gut ausgeübt, die zum Bruch desselben führen können.
  • Die Druckschrift US 5,000,827 beschreibt eine elektrolytische Zelle zur partiellen Metallisierung von Wafern. Der vom Boden einströmende Elektrolyt verlässt die Zelle über eine Überlaufkante. Zur Beeinflussung der Strömung, insbesondere im Randbereich der Unterseite des Wafers, erfolgt die Einstellung des Abstandes H mittels Stützelementen in Form von Schrauben. Gleiches gilt für den Abstand S, der vom Durchmesser des Wafers und der elektrolytischen Zelle festgelegt wird und einmalig eingestellt werden muss. Die elektrische Kontaktierung erfolgt an der trockenen Oberseite des Wafers, wodurch das Gut während der elektrolytischen Behandlung mit diesen Kontaktierungsmitteln in Berührung bleibt. Da der Elektrolyt nicht an die elektrischen Kontakte gelangt, werden diese nicht metallisiert. Allerdings müssen beide Seiten des Gutes elektrisch miteinander verbunden sein. In diesem Falle ist eine Entmetallisierung der Kontakte nicht erforderlich.
  • Die Stützelemente, die zugleich den Wafer gegen eine seitliche Verlagerung über der Zelle fixieren, sind wesentliche Elemente jener Erfindung. In der Praxis zeigt es sich jedoch, dass die Behandlungsflüssigkeit durch derartige seitlich wirkenden Begrenzer oder Anschläge aufgrund von Kapillarkräften an oder entlang der Kante des Gutes nach oben gezogen wird. Dadurch gelangt die Flüssigkeit im Bereich dieser Begrenzer in unerwünschter Weise an die Oberseite des Gutes, was in vielen Fällen zu Ausschuss führt. Deshalb können derartige Begrenzer nicht in Fällen verwendet werden, in denen eine ungeschützte Oberseite noch nicht einmal partiell benetzt werden darf.
  • Weitere Galvanisiereinrichtungen für Wafer sind beispielsweise in DE 600 25 773 T2 (1) und US 6,001,235 (1) offenbart. Die elektrischen Kontakte zum Anschluss an die Badstromquelle ragen vertikal aus dem Elektrolyten heraus. Beim Metallisieren des Gutes werden auch die Kontakte bis zur Elektrolyt/Luft-Grenze metallisiert, zumindest bis zu einer möglichen partiellen Isolierbeschichtung. Da diese Isolierbeschichtung in der Praxis Verschleiß anfällig ist, wird gewöhnlich auf sie verzichtet, was auch deshalb erfolgt, weil die elektrische Isolierung an dem Grundwerkstoff, der gewöhnlich aus einem elektrochemisch inerten Metall wie Titan oder Niob besteht, nicht oder nur unzureichend haftet. Die unvermeidliche Oxidbildung an der Oberfläche dieser Metalle ist der Grund für die unzureichende Haftung einer solchen Isolierbeschichtung an den Kontakten. Die Metallisierung der metallisch blanken Kontaktbereiche muss daher während der fortlaufenden Produktion immer wieder entfernt werden. Hierzu werden die Kontakte im Behandlungsraum anodisch gegen eine kathodische Hilfselektrode geschaltet. Bei dieser elektrolytischen Entmetallisierung wird beobachtet, dass in unmittelbarer Nähe zur Elektrolyt/Luft-Grenze nur eine unvollständige Entfernung der metallisierten Schicht stattfindet. Als Ergebnis und ungeachtet mehrerer zwischengeschalteter Entmetallisierungsschritte lagert sich auf dem Kontakt in diesem Grenzbereich immer mehr Metall in einer mehr oder weniger ringförmigen Weise ab. Hinzu kommt, dass sich in diesem Bereich Kristalle des verwendeten Elektrolyten ablagern können. Eine automatische Entmetallisierung und Reinigung der Kontakte ist somit im Rahmen einer ununterbrochenen Produktion unzureichend. Von Zeit zu Zeit müssen manuelle Eingriffe zur Entfernung der störenden ringförmigen Ablagerungen erfolgen.
  • Dieses Problem der unzureichenden Entmetallisierung tritt auch bei Galvanisieranlagen auf, bei denen horizontal positionierte oder schräg gestellte Kontakte verwendet werden, die zugleich als Auflagen für das Gut dienen können. Ein Teil dieser Kontakte wird durch den aus dem Behandlungsraum ausströmenden Elektrolyten benetzt. Daher werden die mechanisch in Bezug zum Behandlungsraum permanent fixierten Kontakte bis zur Elektrolyt/Luft-Grenze metallisiert. Bei der elektrolytischen Entmetallisierung tritt die oben beschriebene unvollständige Entmetallisierung und Reinigung an dieser Grenze auf.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt in der Bereitstellung einer Vorrichtung und von Verfahren zur Überwindung der obigen Nachteile des Standes der Technik und zur Sicherstellung der einseitigen nasschemischen, elektrochemischen und/oder elektrolytischen Behandlung oder Reinigung einer völlständig flachen oder strukturierten Unterseite eines ebenen Gutes, welches auf mindestens einer Auflage über dem Behandlungsraum derart positioniert ist, dass auf das Gut nahezu keine horizontale Kraft einwirkt, die dasselbe verschieben könnte.
  • Mit anderen Worten ermöglicht die vorliegende Erfindung dem Anwender die ausschließliche Behandlung lediglich einer Seite eines ebenen Gutes, ohne dieses zu halten und/oder seitlich zu begrenzen, und ohne die andere Seite des Gutes gegen Benetzung zu schützen.
  • Dementsprechend werden die Vorrichtung gemäß Anspruch 1 und das Verfahren gemäß Anspruch 22 vorgeschlagen. Bevorzugte Ausführungsformen sind Gegenstände entsprechender Unteransprüche.
  • Erfindungsgemäß werden mechanische Spannungen oder andere auf das Gut einwirkende Kräfte vermieden, um die Bruchgefahr für empfindliche Güter signifikant zu reduzieren.
  • Im Falle elektrochemischer oder elektrolytischer Anwendungen ermöglicht die vorliegende Erfindung eine vollständige Entmetallisierung und Reinigung elektrisch nicht isolierter Kontakte, die in Bezug zum Behandlungsraum fixiert und permanent angeordnet sind.
  • Im Verlauf der Experimente, die zur vorliegenden Erfindung geführt haben, wurde zunächst versucht, die oben beschriebene Kapillarwirkung der seitlichen Begrenzer oder Endanschläge zu vermeiden, indem die Kontaktbereiche bis zu einem Linienkontakt zwischen den Begrenzern und der Kante des auf die Auflage(n) abgelegten Gutes reduziert wurden. Die partielle Benetzung der Oberseite des Gutes ließ sich wegen seiner gewöhnlich sehr geringen Dicke und der damit einhergehenden Kantenhöhe im Bereich von 0,1 mm bis 0,3 mm nicht verhindern. Da bereits kleine Flüssigkeitsmengen zu unerwünschten chemischen Reaktionen an der Oberseite führen können, wurde dieser Lösungsansatz verworfen.
  • Die Versuche ergaben jedoch überraschenderweise, dass die seitlichen Scherkräfte, die von einer entlang der Oberfläche eines Gutes strömenden Flüssigkeit ausgehen, praktisch kontrollierbar sind. Eine horizontale Raumveränderung des Gutes weg von den Auflagen ohne das Vorhandensein seitlicher Begrenzer oder Endanschläge konnte dann verhindert werden, wenn die Strömung der Behandlungsflüssigkeit, zumindest in der Nähe zum Gut, radial-symmetrisch von der Vertikallinie zu allen Seiten des Behandlungsraumes geführt wurde, und wenn das Gut in Kongruenz mit dem Behandlungsraum positioniert war. Durch eine Erhöhung der Präzision, insbesondere im Hinblick auf die obigen Symmetrien des experimentellen Versuchsaufbaus, war es möglich, das horizontale Wegdriften des Gutes aus seiner zentralen Lage ausreichend zu reduzieren. Das Gut verblieb auf den Auflagen, welche keinerlei seitlich wirkenden Begrenzer aufwiesen und im oberen Bereich der Behälterwandung des Behandlungsraumes angebracht waren, wenn die Spalthöhe, aufgrund der präzisen Positionierung der wenigstens einen Auflage in Bezug zur Überlaufkante, entlang des gesamten Umfangs des Behandlungsraumes im Wesentlichen exakt dieselbe war, und wenn die Überlaufkante und der Spalt entlang des gesamten Umfangs exakt horizontal verliefen. Dies wurde erreicht, indem die Auflagepunkte der Auflagen für das Gut in gleiche Höhe mit der Oberfläche der Behandlungsflüssigkeit gebracht wurden. Förderlich war dabei eine Justierbarkeit der Höhenlage der Auflagen innerhalb eines ausreichenden Bereiches. Da in diesem Experiment mehr als eine Auflage verwendet wurden, erwies es sich auch als hilfreich, wenn die Auflagen zumindest nahezu symmetrisch zur vertikalen Mittenachse des Behandlungsraumes angeordnet waren. Wenngleich in diesem Experiment eine Vielzahl symmetrisch angeordneter Auflagen verwendet wurde, kann die vorliegende Erfindung auch durch Verwendung einer Vorrichtung mit nur einer Auflage realisiert werden, die dann eine seitliche oder zentrale Auflage, oder eine durchgehend oder unterbrochen umlaufende, ringförmige Auflage sein kann. Im Folgenden wird das technische Merkmal dieser mindestens einen Auflage anhand einer Vorrichtung mit drei separaten und symmetrisch verteilten Auflagen veranschaulicht.
  • Wird das Gut über dem Behandlungsraum auf die Oberfläche der überlaufenden Behandlungsflüssigkeit auf- und damit auf den Auflagen abgelegt, neutralisieren sich die horizontalen Komponenten der Adhäsionskraft zwischen dem Gut und der Behandlungsflüssigkeit nahezu vollständig. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die Auflagen symmetrisch angeordnet sind und die Strömung der die Unterseite des Gutes kontaktierenden Behandlungsflüssigkeit radial-symmetrisch verläuft. Das einmal auf Auflagen ohne jegliche seitlichen Begrenzer abgelegte Gut verblieb in dieser Position, ohne dass irgendein Rahmen, Greifer, Halter oder irgendeine Auflage mit seitlichen Begrenzern zur Erzielung dieses Ergebnisses erforderlich war. Da demnach keine seitlichen Begrenzer vorhanden sind, kann keine Benetzung der Oberseite des Gutes stattfinden. Als weiterer Vorteil entfällt jegliche Notwendigkeit eines Schutzes der Oberseite, beispielsweise durch Beaufschlagung derselben mit einer Schutzschicht oder unter Zuhilfenahme einer mechanisch wirkenden Abdeckung oder eines Greifers wie einer gewöhnlich genutzten Vakuumspann vorrichtung. Außerdem wirken keine nachteiligen mechanischen Kräfte oder Spannungen auf das Gut.
  • Die Menge der in den Behandlungsraum einströmenden Behandlungsflüssigkeit wird mittels einer Pumpe und/oder Ventilen derart eingestellt, dass die Oberseite des Gutes, welches auf der Oberfläche der aus dem Behandlungsraum ausströmenden Behandlungsflüssigkeit abgelegt und mittels der mindestens einen Auflage exakt positioniert ist, nicht benetzt wird. Die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit ist ausreichend, dass selbst die dünne Kante des Gutes von der Flüssigkeit nicht benetzt wird.
  • Die Behandlungsflüssigkeit wird permanent in den Behandlungsraum eingeleitet und fließt nach Kontaktierung der Unterseite des Gutes über eine Überlaufkante des Behandlungsraumes in einen Auffangbehälter. Hierdurch führen die vertikalen Komponenten der Adhäsion zwischen Gut und Behandlungsflüssigkeit am Rand des Gutes zu einer sanften Anhaftung des Gutes an die mindestens eine Auflage. Bei einer elektrochemischen und/oder elektrolytischen Behandlung der Unterseite des Gutes ist die mindestens eine Auflage elektrisch leitend und kann vorteilhafterweise zugleich als elektrischer Kontakt zur Übertragung des für die elektrolytische Behandlung des Gutes notwendigen Stromes dienen. Alternativ hierzu kann die elektrische Kontaktierung des Gutes durch Verwendung eines oder mehrerer separater Kontakte erfolgen, die mit der Unter- und/oder Oberseite des Gutes verbunden sind. Die Ausführungsform eines oder mehrerer integrierter mechanischer und elektrischer Kontakte ist jedoch bevorzugt. Durch die vertikal wirkenden Adhäsionskräfte wird eine sehr zuverlässige elektrische Kontaktierung erreicht. Zwischen den Auflagebereichen der Auflagen und der darauf liegenden Unterseite des Gutes wirkt in Folge der vertikalen Kraftkomponenten eine – wenn auch nur geringe – Reibung. Hierdurch wird die horizontale und zentrierte Lage des Gutes auf den Auflagen zusätzlich stabilisiert, sodass das Gut selbst ohne seitliche Endanschläge oder Begrenzer überraschenderweise in seiner zentralen Position verbleibt, in der es abgelegt wurde.
  • Der mindestens eine elektrische Kontakt zur Stromzuführung an die Unterseite des Gutes wird nach einem oder mehreren Metallisierungsvorgängen elektrolytisch im selben Elektrolyten entmetallisiert. Zur Vermeidung einer ringförmigen Anlagerung von Metall an der Elektrolyt/Luft-Grenze eines jeden Kontaktes umfasst die erfindungsgemäße Vorrichtung zusätzlich Mittel, mit denen die Elektrolyt/Luft-Grenze an dem Kontakt und/oder die Oberfläche des Elektrolyten beim Metallisieren und Entmetallisieren in Bezug auf die natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze verlagert werden kann. Dabei kann die Flussrate des Elektrolyten in beiden Fällen annähernd oder exakt dieselbe sein. Zur Verlagerung der Elektrolyt/Luft-Grenze existieren zwei bevorzugte, nachfolgend mit Fall 1 und Fall 2 bezeichnete Ausführungsformen, die diese Mittel in Form mindestens eines Gasverteilers umfassen.
  • Im Fall 1 werden der Elektrolyt und damit die Elektrolyt/Luft-Grenze während der Metallisierung des Behandlungsgutes in der Nähe eines jeden Kontaktes durch einen Gasstrom, bevorzugt durch einen Luftstrom, in Richtung zum Behandlungsraum verlagert. Bei vertikal angeordneten Kontakten kann dies durch einen Gasstrom erreicht werden, der in der Nähe eines jeden Kontaktes gegen die Oberfläche des im Behandlungsraum befindlichen Elektrolyten gerichtet ist. Bei horizontal angeordneten oder schräg gestellten Kontakten weist die Strömungsrichtung des Gases zur ungefähren Mitte des Behandlungsraumes. In beiden Fällen wird die Elektrolyt/Luft-Grenze zum Behandlungsraum hin verlagert.
  • Das Entmetallisieren des oder der anodisch geschalteten Kontakte erfolgt dann ohne Gut bei abgeschaltetem oder gedrosseltem Gasstrom. Auf diese Weise wird die natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze an jedem Kontakt von der ursprünglichen Position, wie sie beim Metallisieren vorliegt, nach außen verlagert. Hierdurch wird jeder Kontakt auch im kritischen Grenzbereich vom Elektrolyten vollständig benetzt, und es erfolgt eine vollständige Entmetallisierung in der in Abwesenheit eines Gasstromes räumlich erweiterten elektrolytischen Zelle.
  • Im Fall 2 erfolgt die Verlagerung oder Verdrängung der Elektrolyt/Luft-Grenze an jedem Kontakt beim Entmetallisieren in entgegengesetzter Richtung. Während der vorhergehenden Metallisierung wird der aus dem Behandlungsraum über dessen Überlaufkante und entlang eines jeden Kontaktes ausströmende Elektrolyt nicht beeinflusst oder verdrängt, auch wenn es ausreichen kann, den Gasstrom zu verringern. Auf diese Weise bildet sich an dem Kontakt eine natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze aus. Die Entmetallisierung des nahezu horizontal angeordneten oder schräg gestellten und anodisch geschalteten Kontaktes erfolgt wieder ohne Gut. Dadurch wird die Elektrolyt/Luft-Grenze an jedem Kontakt, vorzugsweise mit Hilfe eines Gasstromes, vom Behandlungsraum derart in Richtung nach außen verlagert bzw. verdrängt, dass der Elektrolyt an jedem Kontakt in einen Bereich gelangt, der bei der Metallisierung noch nicht benetzt worden ist. Bei nahezu vertikal angeordneten Kontakten wird der Gasstrom fern von den Kontakten derart gegen das Niveau des Elektrolyten im Behandlungsraum gerichtet, dass das Niveau an jedem Kontakt ansteigt und ein Bereich benetzt wird, welcher der ursprünglichen natürlichen Elektrolyt/Luft-Grenze an jedem Kontakt entspricht. Wiederum erfolgt eine vollständige elektrolytische Entmetallisierung, da sich der zu entmetalli sierende Bereich der Kontakte vollständig innerhalb des Elektrolyten befindet.
  • Die elektrolytische Entmetallisierung des oder der Kontakte kann mit einer signifikant höheren Stromdichte erfolgen, als sie bei der Metallisierung des Behandlungsgutes anwendbar ist. Auf diese Weise kann die Entmetallisierung im Vergleich zu einer typischen Metallisierungszeit von 10 bis 30 Minuten oder länger in kurzer Zeit erfolgen, z.B. in 20 Sekunden.
  • Nach einer bevorzugten Ausführungsform wird die Elektrolyt/Luft-Grenze während der Entmetallisierung des mindestens einen Kontaktes durch irgendeinen der folgenden Schritte, die einzeln oder in Kombination durchgeführt werden können, derart ausreichend verlagert, dass sich die Grenze, welche sich während der vorhergehenden Metallisierung gebildet hat, zumindest in der Nähe des mindestens einen Kontakts vollständig im Elektrolyten befindet: a) Ausrichten eines Gasstroms in Flussrichtung des Elektrolyten an dem Kontakt oder gegen die Oberfläche des Elektrolyten; b) Absenken des mindestens einen Kontaktes zur Entmetallisierung in die Behandlungsflüssigkeit, beispielsweise durch Bereitstellung einer temporären mechanischen Verkippbarkeit eines jeden Kontaktes; c) lokales Applizieren von Behandlungsflüssigkeit auf den mindestens einen Kontakt; d) Anheben des Niveaus der Behandlungsflüssigkeit durch Erhöhung der Überlaufkante, beispielsweise durch Verwendung mechanischer Blenden oder dergleichen; und/oder e) Anheben des Niveaus der Behandlungsflüssigkeit durch Steigerung ihrer Flussrate.
  • Erfindungsgemäß erlaubt die vollständige Entmetallisierung und Reinigung eines jeden Kontaktes während eines jeden Entmetallisierungsvorganges eine ununterbrochene automatische Behandlung von Gut in einer Galvanisieranlage. Zur Verbesserung der elektrischen und mechanischen Eigenschaften des mindestens einen Kontaktes, der gewöhnlich aus oxidierenden Metallen besteht, kann dessen Oberfläche mit einer elektrisch leitfähigen Diamantschicht und/oder teilweise mit einer elektrischen Isolierungsschicht beaufschlagt sein.
  • Die Oberfläche der elektrolytisch zu behandelnden Unterseite des Gutes muss zu ihrer elektrischen Kontaktierung unter Verwendung des mindestens einen Kontaktes mindestens einen Kontaktbereich umfassen, welcher elektrisch mit der zu behandelnden Oberfläche verbunden ist. Wenn das Gut an seiner Unterseite kontaktiert werden soll, muss dieser Kontaktbereich zur Ausgestaltung des mindestens einen Kontaktes passen, so dass der Strom in angemessener Weise an das Gut angelegt werden kann. Alternativ kann das Gut in bestimmten Fällen über seine trockene Oberseite kontaktiert werden, sofern die Unterseite elektrisch mit dieser Oberseite in Verbindung steht. Dies kann beispielsweise durch Bereitstellung mindestens eines außerhalb des Elektrolyten angeordneten elektrischen Kontaktes erreicht werden, wobei der Galvanisierstrom aus der Badstromquelle über die umlaufende Kante des Gutes und/oder durch das Gut hindurch an dasselbe geführt wird.
  • Bei Solarzellen, die bevorzugt aus p- und n-dotiertem Silizium bestehen, lässt sich diese elektrische Verbindung durch Beleuchtung der n-dotierten Unterseite herstellen. Dabei wirkt die Solarzelle ihrer eigentlichen Bestimmung entsprechend als Gleichstromquelle, die in Serie mit der beim Galvanisieren gleich gepolten Badstromquelle geschaltet ist. Eine ausreichend beleuchtete Solarzelle ist in der Lage, die für eine Galvanisierung erforderlichen Ströme in Höhe von 1 A und mehr zu führen. Ein Vorteil dieser Ausführungsform liegt darin, dass es an den trockenen Kontaktmitteln zu keiner Metallisierung kommt. Die erforderlichen Leuchtmittel einschließlich Reflektoren können innerhalb des Elektrolyten im Arbeitsbehälter und auch außerhalb des Behälters angeordnet sein. Die äußere Anordnung erfordert zumindest teilweise transparente Behälterwände des Behandlungsraumes. Als Leuchtmittel eignen sich alle bekannten Lichtquellen, wie insbesondere Halogenlampen und Leuchtdioden.
  • Nach einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Vorrichtung daher mindestens eine Lichtquelle zur Aktivierung lichtempfindlicher Komponenten der Behandlungsflüssigkeit und/oder zur Herbeiführung einer chemischen, elektrochemischen oder elektrolytischen Behandlung. Sie ist bevorzugt innerhalb des Behandlungsraumes angeordnet, kann aber auch außerhalb angeordnet sein. Diese mindestens eine Lichtquelle kann jedweder Art sein, einschließlich Halogenlampen, Leuchtdioden, Fluoreszenzlampen, ultraviolette oder infrarote Lichtquellen, Laser, oder Kombinationen derselben. Durch Verwendung einer Behandlungsflüssigkeit mit lichtaktivierbaren Komponenten in Kombination mit einer Lichtquelle erfolgt der Behandlungsprozess nur dann bzw. wird nur dann unterstützt, wenn die Lichtquelle eingeschaltet ist. Gewünschtenfalls kann die Aktivierung selektiv durch Verwendung geeigneter Masken gesteuert werden, die bestimmte Bereiche der Oberfläche des Gutes vor einer Beleuchtung schützen.
  • Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform umfasst die Vorrichtung ferner mindestens ein Transportmittel zur Beförderung des Gutes zum und weg vom Behandlungsraum mit Mitteln zum Positionieren und Ablegen des Gutes auf der mindestens einen Auflage oberhalb des Behandlungsraumes und zum Umpositionieren und Abheben des Gutes nach der Behandlung. Diese zuletzt genannten Mittel zum Be- und Entladen sind vorzugsweise so ausgestaltet, dass sie ausschließlich die Unterseite des Gutes berühren. Mit anderen Worten sollten Mittel vermieden werden, welche die Kante und/oder die Oberseite des Gutes berühren. Ein geeignetes Mittel umfasst ein oder mehrere stabförmige Elemente, welche gebogen und/oder stark abgewinkelt sind, damit die Unterseite eines auf der Oberfläche der Behandlungsflüssigkeit abgelegten Gutes erreicht wird, ohne dessen Kante zu berühren.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die schematischen und nicht maßstabgetreuen 1 bis 9 detaillierter beschrieben.
  • 1 zeigt die grundsätzliche Anordnung zur ausschließlich einseitigen nasschemischen Behandlung eines Gutes im Querschnitt und als Draufsicht.
  • 2 zeigt die grundsätzliche Anordnung zur einseitigen elektrochemischen und/oder elektrolytischen Behandlung eines Gutes mit Einzelheiten des Kontaktbereiches.
  • 3 zeigt unterschiedliche Ausführungsformen der Auflagen für das Gut und Einzelheiten des Auflagenbereichs.
  • 4a zeigt Ausführungsformen der Überlaufkante des Behandlungsraumes in Seitenansicht.
  • 4b zeigt Ausführungsformen der Überlaufkante des Behandlungsraumes im Querschnitt.
  • 5 zeigt eine Anordnung mehrerer Behandlungsräume zur elektrochemischen und/oder elektrolytischen Metallisierung von Gütern innerhalb einer Fertigungsanlage.
  • 6 zeigt die Anordnung aus 5 während der elektrolytischen Entmetallisierung der Kontakte, die in diesem Fall auch als Auflagen für das Gut während der Behandlung dienen.
  • 7a zeigt im Detail einen gestreckten Kontakt während der Metallisierung des Behandlungsgutes gemäß Fall 1.
  • 7b zeigt die Situation während der Entmetallisierung des gestreckten Kontaktes.
  • 8a zeigt im Detail einen gewinkelten Kontakt während der Metallisierung des Behandlungsgutes gemäß Fall 1.
  • 8b zeigt die Situation während der Entmetallisierung des gewinkelten Kontaktes.
  • 9a zeigt im Detail einen gewinkelten Kontakt während der Metallisierung des Behandlungsgutes gemäß Fall 2.
  • 9b zeigt die Situation während der Entmetallisierung des gewinkelten Kontaktes.
  • 10 zeigt eine Anordnung zur elektrolytischen Metallisierung von Silizium-Solarzellen mit beleuchteter Unterseite.
  • In 1 ist das ebene Gut 1 auf den Kontakten oder Auflagen 2 oberhalb eines Behandlungsraumes 3 abgelegt. Die mindestens drei Auflagen 2 für ein kreisrundes Gut 1 oder die mindestens vier Auflagen 2 für ein eckiges Gut 1 sind am Rand des Behandlungsraumes 3 positioniert und symmetrisch zu seiner vertikalen Mittenachse 9 angeordnet. Auf diese Weise sind die Andruckkräfte zwischen dem Gut 1 und den hier stabförmigen Auflagen 2 nahezu identisch, was insbesondere zur Stromübertragung während einer elektrochemischen und/oder elektrolytischen Behandlung wichtig ist. Nach dieser Ausführungsform weist der Behandlungsraum 3 einen inneren Querschnitt auf, der weitgehend kongruent mit der Form und den Abmessungen des zu behandelnden Gutes 1 ist. Abweichend von dieser Kongruenz kann das Gut vorzugsweise geringfügig größer sein als der innere Querschnitt des Behandlungsraumes 3. In diesem Fall erfolgt im Randbereich 10 des Gutes eine geringfügig geringere oder, bei größeren Überhängen, keine Oberflächenbehandlung. Darüber hinaus kann das Gut 1 auch geringfügig kleiner als der Behandlungsraum 3 sein. Der innere Querschnitt kann kreisförmig, quadratisch oder rechteckig, mit oder ohne eingekürzte Ecken oder Rundungen, z.B. für Solarzellen, oder hiervon abweichend in einer anderen Form ausgestaltet sein. Die Überhänge sollten zumindest nahezu symmetrisch zur vertikalen Mittenachse 9 gewählt werden, damit auf das Gut 1 einwirkende horizontal resultierende Kräfte reduziert oder vermieden werden. Schließlich kann auch eine Deckungsungleichheit zwischen dem Querschnitt des Behandlungsraumes 3 und dem Gut 1 ausgewählt werden, um selektiv lediglich die Region des Gutes zu galvanisieren, welche mit der Behandlungsflüssigkeit 24 kontaktiert wird.
  • Um die Kosten und Anstrengungen im Falle einer Veränderung der Form des Gutes in Bezug auf die nicht veränderbare Außenform des Behandlungsraumes zu reduzieren, kann die innere Form des Behandlungsraumes angepasst werden durch Verwendung geeigneter Einsätze oder dergleichen, welche den Innendurchmesser und/oder die Form des Behandlungsraumes 3 entsprechend reduzieren.
  • In 1 strömt die Behandlungsflüssigkeit beispielhaft zentral in den Behandlungsraum 3 ein. Dies wird symbolisch durch die Strömungspfeile 4 dargestellt. Zur Herbeiführung einer chemischen Modifikation des Gutes 1 wird die Behandlungsflüssigkeit mit Hilfe einer Pumpe 5 im Kreislauf durch eine in Form eines Rohres bereitgestellte Einlassöffnung 6 in den Behandlungsraum 3 in Richtung zur Unterseite 7 des zu behandelnden Gutes 1 gefördert. Alternativ können jedwede Mittel zum Einbringen der Behandlungsflüssigkeit in den Behandlungsraum genutzt werden, einschließlich passiver Mittel wie erhöht positionierte Flüssigkeitsbehälter. Die Behandlungsflüssigkeit wird an der Unterseite 7 radial nach außen zum Rand 10 des Gutes 1 gelenkt. Innerhalb des mit Behandlungsflüssigkeit gefüllten Behandlungsraumes, mindestens jedoch in der Nähe des Gutes, verläuft die Strömung radialsymmetrisch von der vertikalen Mittenachse 9 zu allen Seiten des Behandlungsraumes 3. Dies wird durch rotationssymmetrische (symmetrierende) Mittel 11 wie Blenden, Streublenden, durch ringförmige oder zentrale Einspeisung der Behandlungsflüssigkeit in den Boden des Behandlungsraumes 3, und/oder durch Verwendung mehrerer symmetrischer Mittel zur Einspeisung der Behandlungsflüssigkeit in den Bodenbereich des Behandlungsraumes 3 erreicht. Diese Flüssigkeit erzeugt Adhäsionskräfte, welche das auf der Flüssigkeitsoberfläche schwimmende Gut nach außen ziehen. Da die Strömung jedoch radial-symmetrisch verläuft, neutralisieren sich diese Kräfte gegenseitig, zumindest bis auf einen Toleranz bedingt unbedeutend kleinen Restbetrag. Zwischen der Überlaufkante 13 und dem auf den Auflagen 2 abgelegten Gut 1 bildet sich ein horizontaler Spalt, durch welchen die Behandlungsflüssigkeit allseitig aus dem Behandlungsraum 3 heraus- und in einen Auffangbehälter 14 hineinströmen kann, wobei die Fallhöhe zur Vermeidung eines unerwünschten Lufteintrages klein eingestellt wird. Hierzu wird das Gesamtvolumen der Behandlungsflüssigkeit so groß gewählt, dass ihr Niveau im Auffangbehälter 14 nahe an die Überlaufkante 13 heranreicht. Eine Pumpe 5 fördert die Behandlungsflüssigkeit aus dem Auffangbehälter 14 zurück in den Behandlungsraum 3. Zur Einstellung der umlaufenden Flüssigkeitsmenge pro Zeiteinheit können ein in der Drehzahl veränderlicher Antrieb für die Pumpe oder innerhalb der Rohre befindliche einstellbare Drosseln, Ventile und dergleichen verwendet werden. Für ein Gut mit einer zu behandelnden Oberfläche von 1,5 dm2 wurde das Durchflussvolumen in den Versuchen für jeden Behandlungsraum zwischen 3 und 20 Liter pro Minute eingestellt. Die jeweilige Menge ist in erster Linie Prozess bedingt. Erfindungsgemäße erlaubt die Fixierung des Gutes 1 oberhalb des Behandlungsraumes 3 ohne seitliche Begrenzer die Einstellung des Durchflussvolumens innerhalb des genannten weiten Bereiches, ohne dass es dabei zu einer Verschiebung des Gutes kommt. In 1 zeigt eine Draufsicht eine typische Solarzelle mit eingekürzten Ecken. Der innere Querschnitt des Behandlungsraumes 3 hat die gleiche Form. Da die Überlaufkante 13 in dieser Zeichnung von dem Gut 1 verdeckt wird, ist sie gestrichelt dargestellt. Bei dieser Vorrichtung werden keine seitlichen Anschläge verwendet.
  • Sofern für eine spezifische Verfahrensgestaltung gewünscht, können in den Behandlungsraum 3 weitere rotationssymmetrische Mittel 11 eingebaut werden, die bevorzugt axialsymmetrisch zur vertikalen Mittenachse 9 ausgerichtet sind, wie Blenden, Membranen, Diaphragmen, lösliche oder unlösliche Anoden und andere Elektroden oder Betriebsmittel. Sie sind so ausgestaltet, dass die gleichmäßige symmetrische Strömung entlang des Gutes erhalten bleibt.
  • Für lösliche Anoden können sowohl selbsttragende Platten mit oder ohne Löcher als auch Schüttgut verwendet werden. Das z.B. in Form von Metallkugeln vorliegende Schüttgut liegt auf einem elektrisch leitfähigen und chemisch inerten Metallgitter, welches zugleich der elektrischen Verbindung mit einer Badstromquelle dient. Oben wird das Schüttgut von einem für Ionen durchlässigen Filtergewebe, z.B. aus Polypropylen, abgedeckt. Die Behandlungsflüssigkeit strömt zur Unterseite 7 des Gutes, während sie diese Anordnung passiert, welche insgesamt als Anode oder – im Rahmen der vorliegenden Beschreibung – allgemein als rotationssymmetrisches Mittel 11 bezeichnet wird.
  • Die Auflagen 2 bestimmen gemäß Darstellung in 3 die Spalthöhe 15. Daher müssen sie mechanisch präzise nahe des Behandlungsraumes positioniert sein. Die mindestens eine Auflage kann aus einem elektrisch nicht-leitenden Werkstoff oder im Falle einer elektrochemischen und/oder elektrolytischen Behandlung des Gutes 1 aus Metall hergestellt sein. In diesem Fall dient diese mindestens eine Auflage vorzugsweise zugleich als elektrischer Kontakt 2 zur Stromübertragung auf das Gut 1. Die Auflage(n) 2 kann bzw. können gemäß Darstellung in 1 an der Behälterwand 17, oder gemäß Darstellung in 2 an gesonderten Auflagenträgern 16 befestigt sein.
  • Die 2 veranschaulicht die elektrochemische und/oder elektrolytische Behandlung des Gutes 1. Innerhalb des Behandlungsraumes 3 ist eine lösliche oder unlösliche Anode 21 angeordnet. Zur Metallisierung wird das Gut 1 von einer Badstromquelle 22 kathodisch gegen die Anode 21 geschaltet. Daher werden die benetzte Unterseite 7 des Gutes 1 und die benetzten Bereiche der metallisch blanken Kontakte 2 durch den Elektrolyten bis zur Elektrolyt/Luft-Grenze 25 galvanisiert. In Abhängigkeit vom Elektrolyten, insbesondere von dessen Metallgehalt, können sich an dieser Grenze auch Kristalle ablagern. Sowohl die Kontaktmetallisierung 30 als auch die Kristallbildung sind für einen Dauerbetrieb einer Galvanisieranlage nachteilig. Nach jedem oder nach einigen Metallisierungsvorgängen müssen die Kontakte 2 elektrolytisch entmetallisiert und gereinigt werden. Hierzu werden sie anodisch gegen eine kathodisch geschaltete Gegenelektrode gepolt. Die elektrolytische Entmetallisierung erfolgt in diesem Bereich der Kontakte 2 jedoch nicht vollständig. Werden keine weiteren Maßnahmen ergriffen, führen bereits wenige Metallisierungs- und Entmetallisierungsvorgänge zu einer annähernd ringförmigen oder streifenförmigen Anlagerung des zu galvanisierenden Metalls auf den Kontakten im Bereich der Elektrolyt/Luft-Grenze 25. Diese störende Ablagerung wird nachfolgend als Metallring 31 bezeichnet und muss gewöhnlich manuell entfernt werden, wodurch der automatische Produktionsablauf unterbrochen wird.
  • Durch eine mehrfache Verlängerung der Entmetallisierungsdauer könnte der Metallring 31 vermutlich weitgehend elektrolytisch aufgelöst werden. Dies ist jedoch mit einer Reduzierung der Produktionskapazität der Anlage verbunden und sollte deshalb vermieden werden. Eine andere Möglichkeit zum elektrolytischen Auflösen oder Ätzen des Metallringes 31 wäre eine Steigerung der zirkulierenden Elektrolytmenge während der Entmetallisierung. Dies würde jedoch einen komplexeren Aufbau erfordern und den Nachteil aufweisen, dass es aufgrund einer forcierten und damit unruhigeren Strömung zu einem erhöhten Eintrag von Luft in den Elektrolyten kommt.
  • Die Luft wirkt auf die Additive des Elektrolyten ein und führt zu einem unvorteilhaften Anstieg seines Verbrauchs. Da die Entmetallisierungsdauer im Rahmen der vorliegenden Erfindung im Vergleich zur Galvanisierungsdauer jedoch vorzugsweise sehr kurz ist, hat eine vorübergehende Steigerung der Flussrate nur einen geringen Effekt auf das Elektrolytsystem.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Auflagen 2 sind in 3 dargestellt. Zur Vermeidung einer Benetzung der Kante 23 des Gutes sollte ein Kontakt zwischen der Auflage 2 und dem Gut 1 innerhalb dieses kritischen Bereichs vermieden werden. Dies wird durch die dargestellten Formen und Ausrichtungen der Auflagen 2 sowie durch den Überhang des Gutes in Bezug auf den Behälterrand erreicht. Zur Vermeidung einer Benetzung der Auflagenträger 16 mit der Behandlungsflüssigkeit können die Auflagen gemäß Darstellung siphonartig ausgebildet sein.
  • Die 4a zeigt Ausführungsformen der Überlaufkante 13 in Seitenansicht. Bevorzugt wird eine gerade Kantenlinie verwendet. Wie in dieser Figur dargestellt ist, können die gesamte Überlaufkante 13 oder Teile davon verschieden gestaltete Einschnitte 18 aufweisen. Ähnlich den trapezförmigen Einschnitten kann auch ein sinusförmiger Verlauf gewählt werden. Diese Einschnitte dienen der individuellen Beeinflussung (Verringerung) der Strömungsgeschwindigkeit der Behandlungsflüssigkeit im Randbereich des Behandlungsraumes. Durch Einschnitte 18 an der Überlaufkante 13 kann die Abflussgeschwindigkeit der Behandlungsflüssigkeit daher für eine gegebene Durchflussmenge optimiert werden, damit die beabsichtigte gleichmäßige Behandlung des Gutes sichergestellt ist. Die Tiefe und die Beabstandung der Einschnitte 18 liegen im Bereich von 0,5 mm bis 5 mm. In Abhängigkeit des Verfahrens kann die Spalthöhe 15 zwischen 0,3 mm und 6 mm variieren und liegt bevorzugt zwischen 1 mm bis 3 mm. Die Spalthöhe 15 wird von dem höchsten Punkt der Einschnitte 18 gemessen.
  • Die 4b zeigt im Querschnitt verschiedene Ausführungsformen der Behälterwand 17 im Bereich der Überlaufkante 13. Die Form des Querschnitts hängt vom Prozess ab. Die abgerundete Überlaufkante verringert eine Wirbelbildung in diesem Bereich. Für Wafer oder Solarzellen üblicher Abmessungen kann die Dicke 19 der Überlaufkante zwischen einer scharfen Kante (mehr als 0,0 mm) und 5 mm und vorzugsweise zwischen 0,5 mm und 2,5 mm liegen.
  • Die 5 zeigt eine Mehrzahl von Behandlungsräumen 3, wie sie in einer größeren Produktionsanlage nebeneinander oder hintereinander angeordnet sind. Der Auffangbehälter 14 nimmt die überlaufende Behandlungsflüssigkeit aus einem, mehreren oder allen Behandlungsräumen 3 auf. Eine gemeinsame Pumpe 5 fördert die Behandlungsflüssigkeit in ein Verteilerrohr 20, das mit den Behandlungsräumen 3 über zentrale Einlassrohre 6 in Verbindung steht. Zur Vermeidung ungleicher Durchflussvolumina in den parallel gespeisten Behandlungsräumen 3 kann das Verteilerrohr 20 mit einem inneren Rohr in gleicher Länge mit Öffnungen ausgestattet sein, in welche die Behandlungs flüssigkeit von der Pumpe zuerst eingespeist wird. Von dort erreicht die Flüssigkeit dann das Verteilerrohr 20.
  • In diesem Ausführungsbeispiel umfasst ein jeder Behandlungsraum 3 eine lösliche oder unlösliche Anode 21, die bevorzugt Öffnungen aufweist, durch welche der für die elektrochemische oder elektrolytische Behandlung des Gutes 1 benötigte Elektrolyt hindurchfließen kann. Zur Metallisierung wird das Gut 1 von einer Badstromquelle 22 kathodisch geschaltet. Geeignet ist auch eine unipolare oder bipolare Pulsstromquelle. Eine Badstromquelle 22 kann mehrere Behandlungsräume 3 mit Badstrom zum Galvanisieren versorgen. Das Be- und Entladen der Behandlungsräume 3 mit Gütern erfolgt vorzugsweise parallel, d.h. gleichzeitig, mit nicht dargestellten Transportmitteln. Dadurch werden in der gesamten Produktionsanlage weniger Transportmittel benötigt.
  • Die Situation beim Entmetallisieren der Kontakte 2 nach einem oder mehreren Metallisierungsvorgängen zeigt die 6. Ein Gut 1 ist nicht abgelegt. Die im Überlaufbereich des Elektrolyten befindlichen Kontakte 2 sind hier mittels der Badstromquelle 22 und nicht dargestellter Schaltmittel anodisch geschaltet. Die Anode 21 dient in diesem Fall als Kathode, auf der das von den Kontakten 2 abgetragene Metall, z.B. Kupfer, Zinn oder Silber, abgeschieden wird. Damit kann dieses Metall beim nächstfolgenden Galvanisierungsschritt nutzbringend wieder verwendet werden.
  • In den 5 und 6 sind die Einrichtungen zur Anströmung der Kontakte 2 mit dem Gasstrom zur Vereinfachung der Darstellungen nicht eingezeichnet. Diese Einrichtungen zur vollständigen Entfernung der gesamten, bei jedem Metallisierungsprozess auftretenden Kontaktmetallisierung 30 und zur Vermeidung der Bildung von Metallringen 31 sind in den folgenden 7 bis 9 dargestellt.
  • Die 7a veranschaulicht die Situation während der Metallisierung des Gutes 1. Der Kontakt 2, der beispielsweise eine runde oder rechteckige Form aufweist, kontaktiert und trägt das Gut. Im Falle einer runden Form ruht das Gut auf mindestens drei Kontakten 2 über dem Behandlungsraum 3. Bei quadratischen oder rechteckigen Gütern werden zum Kontaktieren und Tragen über dem Behandlungsraum 3 gewöhnlich mehr als drei Kontakte verwendet. Alternativ kann der Behandlungsraum lediglich eine Auflage umfassen, welche im Wesentlichen ringförmig ausgestaltet und nahe der inneren Behälterwand (nicht dargestellt) angeordnet ist. Der von einer Pumpe (nicht dargestellt) geförderte Elektrolyt 24 strömt entlang der Unterseite 7 des Gutes 1 und von dort über die Überlaufkante 13 in einen nur teilweise sichtbaren Auffangbehälter 14. Durch den aus dem Behandlungsraum 3 ausströmenden Elektrolyten 24 bildet sich im Randbereich des Gutes 1 und damit in der Nähe der Überlaufkante 13 eine mehr oder weniger unscharfe, natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze 25 aus. Diese Grenze und damit auch der Bereich des Kontaktes, welcher bei jedem Metallisierungsvorgang bis zur Elektrolyt/Luft-Grenze 25 metallisiert wird, wird beim Galvanisieren durch mindestens einen Gasstrom 26, der vorzugsweise ein Luftstrom ist, in Richtung zur Mitte des Behandlungsraumes 3 verlagert. Der Luftstrom 26 strömt für jeden Kontakt der Anlage aus mindestens einer individuellen Öffnung oder Düse 27, die an Gasverteilern 28, die bevorzugt als Gasverteilerrohre ausgebildet sind, angeordnet ist. Die Gasverteiler 28 werden von mindestens einem Verdichter oder Kompressor (nicht dargestellt) beispielsweise mit Druckluft gespeist. Unter Verwendung einer nicht dargestellten Steuerungseinrichtung kann der Luftstrom 26 mittels eines Ventils 29, einer Klappe oder dergleichen gesteuert und somit eingeschaltet, gedrosselt und ausgeschaltet werden. Das ausströmende Gas bzw. die Luft kann zumindest für jeden Behandlungsraum gemeinsam in Gruppen gesteuert werden. Hierzu dienen die Klappen oder Ventile 29, die zwischen dem Kompressor und den Düsen 27 angeordnet sind.
  • Die Menge und die Geschwindigkeit eines jeden ausströmenden Luftstroms werden derart eingestellt, dass die sich an die Metallisierung anschließende, ohne Luftstrom 26. stattfindende elektrolytische Entmetallisierung innerhalb kürzester Zeit zu einer vollständigen Entmetallisierung und Reinigung der Kontakte führt. Bei Verwendung von nahezu horizontal angeordneten oder schräg gestellten Kontakten wird die Elektrolyt/Luft-Grenze 25 während der Metallisierung derart ausreichend zum Zentrum des Behandlungsraums 3 zurückgedrängt, dass sich die während der Metallisierung ausgebildete Elektrolyt/Luft-Grenze bei der anschließenden Entmetallisierung mit gedrosseltem oder abgeschaltetem Luftstrom vollständig im Elektrolyten befindet. Beim Entmetallisieren mit ausgeschaltetem oder gedrosseltem Luftstrom wird die Elektrolyt/Luft-Grenze 25 in Richtung zum Kontakt verlagert. Diese natürliche Grenze liegt dann in dem Bereich des Kontaktes 2, der beim Metallisieren nicht metallisiert oder verunreinigt wurde, da er in Folge des Luftstromes 26 trocken blieb. Auf diese Weise wird bei jedem Entmetallisierungsprozess eine vollständige Entmetallisierung eines jeden Kontaktes erreicht.
  • Bei Verwendung vertikal angeordneter Kontakte wird der Gasstrom beim Metallisieren derart gegen die Oberfläche des Elektrolyten gerichtet, dass das Niveau des Elektrolyten innerhalb des Behandlungsraumes 3 zumindest in der Nähe der Kontakte abgesenkt wird, woraus auch eine Verlagerung der Elektrolyt/Luft-Grenze 25 resultiert.
  • Die 7b veranschaulicht die Situation zu Beginn der Entmetallisierung der Kontaktmetallisierung 30 bei ausgeschaltetem Luftstrom. Die sich natürlich entwickelnde Elektrolyt/Luft-Grenze ist nach außen verlagert worden. Die Kontaktmetallisierung 30 befindet sich vollständig innerhalb des Elektrolyten, wodurch ihre vollständige elektrolytische Auflösung ermöglicht wird. Eventuell gebildete Kristalle werden durch den strömenden Elektrolyten ebenfalls aufgelöst. Selbst nach vielen Metallisierungs- und Entmetallisierungsvorgängen kann sich an dem mindestens einen Kontakt kein Metallring 31 bilden.
  • Die 8a und 8b beziehen sich auf Fall 1 und zeigen Details einer ähnlichen Galvanisierungsvorrichtung mit beiden Prozesssituationen (Metallisierung in 8a; Entmetallisierung in 8b).
  • Der Kontaktträger 16 ist in diesem Fall über dem höchsten Niveau des Elektrolyten 24 angeordnet. Dadurch kann sich der Elektrolyt bei abgeschaltetem Luftstrom nicht bis zum Kontaktträger 16 ausbreiten.
  • 9a bezieht sich auf den Fall 2 und zeigt einen gewinkelten Kontakt 2 während der elektrolytischen Metallisierung. Der Elektrolyt strömt über die Überlaufkante 13 des Behandlungsraumes 3 in den Auffangbehälter 14. Dabei bildet sich die natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze 25 im dargestellten Bereich des gewinkelten Kontaktes 2 aus. Zur vollständigen Entmetallisierung und Reinigung des Kontaktes von der Kontaktmetallisierung 30 muss sich diese Grenze während der Entmetallisierung vollständig innerhalb des Elektrolyten befinden. Dies geschieht bevorzugt durch mindestens einen in Richtung des strömenden Elektrolyten gerichteten Gasstrom 26, wie beispielsweise in der 9b veranschaulicht. In Abwesenheit eines Gutes im Behandlungsraum tritt aus mindestens einer Düse 27 ein Gasstrom 26 aus, der den Elektrolyten bzw. den Elektrolytstrom zumindest in der Nähe der Kontakte 2 derart verlagert, dass sich die neu bildende Elektrolyt/Luft-Grenze 25 in Relation zur ursprünglichen natürlichen Elektrolyt/Luft-Grenze entgegen der Schwerkraft, d.h. nach außen verschiebt. Dieser Bereich der Kontakte wurde vom Elektrolyten bei der Metallisierung nicht erreicht und daher auch nicht metallisiert.
  • Bei der Entmetallisierung von vertikal angeordneten Kontakten wird der mindestens eine Gasstrom derart gegen die Oberfläche des Elektrolyten gerichtet, dass das Niveau des Elektrolyten im Behandlungsraum 3 zumindest in der Nähe eines jeden Kontaktes ansteigt, wodurch die Elektrolyt/Luft-Grenze 25 angehoben wird. Bei nahezu horizontal angeordneten Kontakten wird der Gasstrom ebenfalls annähernd horizontal in Richtung zum Kontaktträger 16 ausgerichtet, wie in 9b dargestellt ist. Aufgrund der unterschiedlichen Elektrolyt/Luft-Grenzen 25 beim Metallisieren und Entmetallisieren wird bei jedem Entmetallisierungsvorgang eine vollständige Entmetallisierung und Reinigung der Kontakte 2 erreicht.
  • Die Entmetallisierung erfolgt gewöhnlich gegen eine als Hilfselektrode eingesetzte Gegenelektrode. In den 7, 8 und 9 kann die Gegenelektrode (nicht dargestellt) auch die lösliche oder unlösliche Anode sein, die sich innerhalb des Behandlungsraumes 3 befindet. In dieser Prozessfolge ist die Anode kathodisch gegen die zu entmetallisierenden Kontakte 2 geschaltet. Dadurch kann das von den Kontakten 2 abgelöste und auf der Anode abgeschiedene Metall nutzbringend zurückgewonnen werden. Beim nächsten Galvanisiervorgang wird es von dort wieder gelöst und zur Metallisierung des Gutes 1 verwendet.
  • Die 10 zeigt einen weiteren Behandlungsraum mit einer elektrolytischen Zelle 37. Bei dem Gut 1 handelt es sich um eine Solarzelle mit p- und n-dotierten Bereichen, die beleuchtet wird. Wie bei den anderen Beispielen steht lediglich die zu behandelnde Unterseite 7 in Kontakt mit dem Elektrolyten 24 des Behandlungsraumes 3. Die elektrisch leitfähige Oberseite 38 der Solarzelle soll nicht metallisiert werden. Bei derartigen Solarzellen kann die elektrische Kontaktierung unter Verwendung der trockenen Oberseite 38 erfolgen, wenn die galvanisierte Unterseite 7 beleuchtet wird. In diesem Fall entfällt die ansonsten erforderliche Entmetallisierung der Kontaktmittel.
  • Die beleuchtete Solarzelle stellt elektrisch eine Gleichstromquelle 35 dar, deren Ersatzschaltbild eingetragen ist. Diese Gleichstromquelle 35 generiert eine elektromotorische Kraft (EMK) in Form der Solarzellenspannung US, die in Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke etwa 0,6 Volt erreicht. Diese Gleichstromquelle 35 befindet sich stromführend im Galvanisierstromkreis, der aus der Badstromquelle 22, den elektrischen Oberseitenkontakten 36, der Gleichstromquelle 35, der zu behandelnden Unterseite 7, dem Elektrolyten 24 in der elektrolytischen Zelle 37, und einer löslichen oder unlöslichen Anode 21 besteht. Die Polaritäten der beteiligten Spannungen dieses Galvanisierstromkreises sind in 10 angegeben. Dabei handelt es sich um die Klemmenspannung UB der Badstromquelle 22, die als elektromotorische Kraft EMK auftretende Solarzellenspannung US, und die Zellspannung UZ der elektrolytischen Zelle, die als Spannung an der Last bzw. am Verbraucher anliegt. Wegen der Serienschaltung der beiden treibenden Spannungen ist die Klemmenspannung UB der Badstromquelle 22 geringer als die Zellspannung UZ, da sie annähernd auf den Betrag der EMK reduziert ist.
  • Die Unterseite 7 des Gutes 1 wird von einem Lichtquelle 34 beleuchtet. Geeignete Lichtquellen bieten ein Lichtspektrum, das annähernd dem Sonnenlicht entspricht. Gewünschtenfalls kann das Licht mittels eines Reflektors 33 verstärkt und/oder auf das Gut 1 ausgerichtet werden. Durch die Beleuchtung generiert die Solarzelle eine EMK von ungefähr 0,6 Volt mit kleinem Innenwiderstand. Dieser Widerstand einer Solarzelle aus Silizium mit einer Oberfläche von 1 bis 2 dm2 kann den Galvanisierstrom in der Größenordnung von 1 Ampere und größer sicher führen. Die Lichtquelle 34 kann sich auch außerhalb eines zumindest teilweise transparenten Behandlungsraumes befinden.
  • Der Elektrolyt kann beispielsweise durch einen Verteilerring 32 symmetrisch in den Behandlungsraum 3 eingespeist werden. Hierdurch wird ein Abblenden des von der Lichtquelle ausgehenden Lichtes vermieden.
  • Die Erfindung eignet sich neben sämtlichen üblichen nasschemischen Behandlungen insbesondere für alle typischen elektrolytischen Anlagen sowie für alle ebenen Güter wie Wafer, Solarzellen, Leiterplatten und Hybride. Darüber hinaus können alle zum elektrolytischen Abscheiden und Auflösen geeigneten Metalle Anwendung finden, wie zum Beispiel Kupfer, Nickel, Zinn und Silber. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist auch für ein elektrolytisches Ätzen mit umgekehrter Polarität der Badstromquelle geeignet. Hierzu ist innerhalb des Behandlungsraumes 3 eine Gegenelektrode angeordnet, die das geätzte Metall aufnimmt. Diese Elektrode wird nach längerer Betriebszeit ausgetauscht.
  • 1
    Gut, Wafer, Solarzelle
    2
    Auflage, Kontakt
    3
    Behandlungsraum
    4
    Strömungspfeil
    5
    Pumpe
    6
    Einlassrohr
    7
    Unterseite des Gutes
    8
    Überhang
    9
    vertikale Mittenachse
    10
    Rand des Gutes
    11
    rotationssymmetrisches Mittel, symmetrierendes Mittel
    12
    Spalt
    13
    Überlaufkante
    14
    Auffangbehälter
    15
    Spalthöhe
    16
    Auflagenträger, Kontaktträger
    17
    Behälterwand
    18
    Einschnitte
    19
    Kantendicke
    20
    Verteilerrohr
    21
    Anode
    22
    Badstromquelle
    23
    Kante des Gutes
    24
    Elektrolyt, Behandlungsflüssigkeit
    25
    Elektrolyt/Luft-Grenze
    26
    Gasstrom, Luftstrom
    27
    Öffnung, Düse
    28
    Gasverteiler, Gasverteilerrohr
    29
    Ventil
    30
    Kontaktmetallisierung
    31
    Metallring
    32
    Elektrolytverteiler, Verteilerring
    33
    Reflektor
    34
    Lichtquelle
    35
    Gleichstromquelle
    36
    elektrischer Oberseitenkontakt
    37
    elektrolytische Zelle
    38
    Oberseite des Gutes
    US
    Solarzellenspannung
    UB
    Klemmenspannung
    UZ
    Zellspannung

Claims (35)

  1. Vorrichtung zur ausschließlich einseitigen nasschemischen, elektrochemischen oder elektrolytischen Behandlung oder zum Reinigen der vollständig flachen oder strukturierten Unterseite (7) eines ebenen Gutes (1), wobei die Vorrichtung umfasst: a) einen vertikal angeordneten Behandlungsraum (3) mit mindestens einer Öffnung, durch welche eine Behandlungsflüssigkeit in den Behandlungsraum einströmt und diesen befüllt, wobei am oberen Rand des Behandlungsraumes eine als Auslass für die Behandlungsflüssigkeit dienende Überlaufkante (13) angeordnet ist; b) mindestens eine im oberen Bereich der Behälterwand (17) des Behandlungsraumes (3) angeordnete Auflage (2) zur Aufnahme des Gutes (1); c) einen Spalt (12), welcher zwischen der Überlaufkante (13) des Behandlungsraumes und der mindestens einen Auflage (2) gebildet wird; d) mindestens ein Mittel zum Fördern der Behandlungsflüssigkeit in den Behandlungsraum (3); e) einen Auffangbehälter (14) zum Sammeln der durch den Spalt (12) aus dem Behandlungsraum (3) ausströmenden Behandlungsflüssigkeit; dadurch gekennzeichnet, dass: f) die Spalthöhe (15) aufgrund der präzisen Positionierung der mindestens einen Auflage (2) in Bezug auf die Überlaufkante (13), entlang des gesamten Umfanges des Behandlungsraumes (3) im Wesentlichen exakt gleich ist; g) die Überlaufkante (13) und der Spalt (12) entlang des gesamten Umfanges exakt horizontal verlaufen; h) die Vorrichtung ferner zentral oder ringförmig angeordnete Mittel zur Einspeisung der Behandlungsflüssigkeit am oder über dem Boden des Behandlungsraumes, und/oder innerhalb des Behandlungsraumes (3) angeordnete symmetrierende Mittel (11) umfasst, um den Strom der Behandlungsflüssigkeit zumindest in der Nähe des Gutes (1) radial-symmetrisch von der vertikalen Mittenachse (9) nach allen Seiten des Behandlungsraumes zu richten, wodurch sichergestellt wird, dass auf das Gut (1) nahezu keine horizontal wirkende Kraft angreift, die dasselbe verschieben könnte.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Behandlungsraum einen kreisförmigen, quadratischen oder rechteckigen Querschnitt mit oder ohne eingekürzte Ecken aufweist, so dass das Behandlungsgut (1) deckungsgleich mit dem Behandlungsraum (3) positioniert werden kann.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Auflagebereich der mindestens einen Auflage (2) nahe der Überlaufkante (13) zumindest nahezu symmetrisch zur vertikalen Mittenachse (9) des Behandlungsraumes (3) angeordnet ist, aus elektrisch leitenden oder nichtleitenden Materialien besteht, und darauf abgelegtes Gut in einem ausreichenden Abstand zur Überlaufkante (13) gehalten wird, so dass es von der Behandlungsflüssigkeit kontaktiert werden kann.
  4. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kantendicke (19) der Überlaufkante (13) mehr als 0,0 mm bis 5 mm, vorzugsweise 0,5 mm bis 2,5 mm beträgt, und dass diese Überlaufkante (13), entlang ihrer gesamten Länge oder teilweise, gleichmäßig voneinander beabstandete Einschnitte (18) von 0,5 mm bis 5 mm aufweist.
  5. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung keinerlei seitlichen Begrenzer zur Beibehaltung der horizontalen Position des Gutes nach seiner Ablage oberhalb des Behandlungsraumes (3) umfasst.
  6. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner mindestens eine Elektrode zum elektrolytischen Ätzen des Gutes oder für die elektrolytische Entmetallisierung der Kontakte (2) innerhalb des Behandlungsraumes (3) umfasst, wobei das Gut und/oder die Kontakte mittels einer geeigneten Badstromquelle (22) anodisch gegen eine kathodisch gepolte Elektrode geschaltet sind.
  7. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Auflage (2) im Falle einer elektrolytischen Behandlung auch als Kontakt für die Stromzuführung zur Unterseite des Gutes (7) dient und daher aus einem elektrisch leitenden Material besteht.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die kathodisch gepolte Elektrode die Anode (21) ist.
  9. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 8, ferner umfassend mindestens ein Mittel zur Verlagerung der Elektrolyt/Luft-Grenze (25), die sich natürlicherweise an dem mindestens einen Kontakt (2) während der elektrolytischen Metallisierung des Gutes (1) und des Kontaktes, oder während der elektrolytischen Entmetallisierung des mindestens einen Kontaktes ausbildet.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass diese Mittel ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus (a) mindestens einem Gasstrom (26), (b) Mitteln zum Absenken des mindestens einen Kontaktes in die Behandlungsflüssigkeit, (c) Mitteln zum lokalen Applizieren von Behandlungsflüssigkeit auf diesen mindestens einen Kontakt, (d) Mitteln zum Erhöhen der Überlaufkante, und/oder (e) Mitteln zum Anheben des Niveaus der Behandlungsflüssigkeit durch Steigerung ihrer Flussrate.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass diese Mittel zur Verlagerung der Elektrolyt/Luft-Grenze mindestens einen Gasverteiler (28) mit mindestens einer Öffnung (27) betreffen, der an dem mindestens einen Kontakt (2) angeordnet und derart auf diesen und/oder die Oberfläche des im Behandlungsraum (3) befindlichen Elektrolyten (24) gerichtet ist, dass die Elektrolyt/Luft-Grenze (25) an dem mindestens einen Kontakt in Bezug auf die natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze mittels des aus jeder Öffnung (27) austretenden Gasstroms (26) verlagerbar ist.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasverteiler (28) ein Ventil (29) umfasst, welches während der Metallisierung des Gutes in Richtung des Behandlungsraumes (3) offen ist, um die natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze (25) an dem mindestens einen Kontakt (2) zu verlagern, und welches während der nachfolgenden elektrolytischen Entmetallisierung des mindestens einen Kontaktes (2) geschlossen oder gedrosselt ist.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasverteiler (28) ein Ventil (29) umfasst, welches während der Entmetallisierung des mindestens einen Kontaktes (2) vom Behandlungsraum (3) nach Außen hin offen ist, um die natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze (25) an dem mindestens einen Kontakt (2) zu verlagern, und welches während der elektrolytischen Metallisierung des Gutes (1) und des mindestens einen Kontaktes (2) geschlossen oder gedrosselt ist.
  14. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 6 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Kontakt (2) eine Oberfläche aufweist, welche mit einer elektrisch leitenden Diamantschicht bedeckt und/oder teilweise mit einer elektrischen Isolationsschicht bedeckt ist.
  15. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 6 bis 14, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von Behandlungsräumen (3), welche in einer Produktionsanlage neben- oder hintereinander angeordnet sind, mit einem gemeinsamen Auffangbehälter (14) sowie einem Mittel zur Speisung der Behandlungsräume mit Behandlungsflüssigkeit mittels eines Verteilerrohrs (20), wobei Gruppen dieser Anordnung mittels einer Transporteinrichtung gleichzeitig mit dem Gut (1) be- und entladbar sind.
  16. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 15, ferner umfassend mindestens ein Transportmittel zur Förderung des Gutes (1) zum und weg vom Behandlungsraum (3), mit Mitteln zum Positionieren und Ablegen des Gutes auf der mindestens einen Auflage (2) oberhalb des Behandlungsraumes und zum Umpositionieren und Abheben des Gutes nach der Behandlung.
  17. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 6 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine lösliche oder unlösliche Anode (9) umfasst, die während der Entmetallisierung des mindestens einen Kontaktes (2) auch als Gegenelektrode dient.
  18. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 6 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine Badstromquelle (22) zur Erzeugung von Gleichstrom, unipolarem oder bipolarem Pulsstrom umfasst.
  19. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 6 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner mindestens eine Lichtquelle (34) zur Aktivierung von lichtempfindlichen Komponenten der Behandlungsflüssigkeit und/oder zur Herbeiführung einer chemischen, elektrochemischen oder elektrolytischen Behandlung umfasst.
  20. Vorrichtung nach irgendeinem der Ansprüche 6 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das zu behandelnde Gut (1) eine Solarzelle ist, und dass die Vorrichtung ferner eine Lichtquelle (34) zur Beleuchtung des Gutes während der Metallisierung umfasst, die innerhalb oder außerhalb des Elektrolyten (24) angeordnet ist.
  21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner mindestens einen außerhalb des Elektrolyten (24) angeordneten elektrischen Kontakt (36) zur Leitung des Galvanisierstroms von der Badstromquelle (22) zum Gut (1) umfasst.
  22. Verfahren zur ausschließlich einseitigen nasschemischen, elektrochemischen oder elektrolytischen Behandlung oder zur Reinigung der vollständig flachen oder strukturierten Unterseite (7) eines ebenen Gutes (1) mit einer Behandlungsflüssigkeit, wobei die Oberseite des Gutes nicht gegen eine Benetzung geschützt ist, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellung eines vertikal angeordneten Behandlungsraumes (3) mit einem kreisförmigen, quadratischen oder rechteckigen Querschnitt mit oder ohne eingekürzte Ecken, wobei der Behandlungsraum mindestens eine Öffnung aufweist, durch welche die Behandlungsflüssigkeit in den Behandlungsraum (3) einströmt und diesen befüllt, und wobei am oberen Rand des Behandlungsraumes eine als Auslass für die Behandlungsflüssigkeit dienende Überlaufkante (13) angeordnet ist; b) Herbeiführung einer chemischen Modifikation des Gutes (1) durch Kontaktierung desselben mit der Behandlungsflüssigkeit, welche permanent in den Behandlungsraum (3) eingespeist wird und über eine Überlaufkante (13) des Behandlungsraumes in einen Auffangbehälter (14) fließt, wobei die Behandlungsflüssigkeit in einem Kreislauf geführt wird; c) Transportieren, Positionieren des Gutes in Kongruenz mit dem Behandlungsraum (3), sowie Ablage des Gutes (1) auf mindestens eine Auflage (2) durch ein Transportmittel, wobei sich die mindestens eine Auflage entlang der Überlaufkante (13) des Behandlungsraumes angeordnet ist; d) Bildung eines Spaltes (12) zwischen der Überlaufkante (13) und der Unterseite (7) des auf der mindestens einen Auflage (2) abgelegten Gutes; e) Entfernung des Transportmittels vom Gut, so dass keine Mittel zum Schutz der Oberseite gegen Benetzung vorhanden sind; dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die folgenden Schritte umfasst: f) Einstellung der durch den Behandlungsraum (3) strömenden Menge an Behandlungsflüssigkeit derart, dass die Oberseite des auf der Oberfläche der Behandlungsflüssigkeit abgelegten und mittels der mindestens einen Auflage (2) in einer bestimmten Höhe positionierten Gutes nicht benetzt wird; g) Ausströmen lassen der Behandlungsflüssigkeit aus dem Behandlungsraum (3) durch den Spalt (12), wobei der die Unterseite des Gutes (7) kontaktierende Strom zumindest in der Nähe des Gutes (1) radial-symmetrisch von der vertikalen Mittenachse (9) in Richtung aller Seiten des Behandlungsraumes (3) derart gerichtet ist, dass sich die horizontalen Kraftkomponenten der Adhäsion zwischen Gut und Behandlungsflüssigkeit gegenseitig nahezu neutralisieren, und dass die vertikalen Komponenten der Adhäsion zwischen Gut und Behandlungsflüssigkeit am Rand des Gutes (10) zu einer Anhaftung des Gutes (1) an der mindestens einen Auflage (2) führen; h) Stabilisierung der Position des auf der mindestens einen Auflage (2) abgelegten Gutes in Bezug auf den Behandlungsraum (3) mittels der strömenden Behandlungsflüssigkeit und durch Reibung an der mindestens einen Auflage (2) derart, dass nahezu keine horizontale Kraft auf das Gut (1) einwirkt, die dasselbe verschieben könnte.
  23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der zur elektrolytischen Behandlung des Gutes erforderliche Strom mittels mindestens eines elektrisch leitenden Kontaktes angelegt wird.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Auflage (2) elektrisch leitend ist und als der mindestens eine Kontakt verwendet wird.
  25. Verfahren nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrolyt/Luft-Grenze (25), die sich natürlicherweise an dem mindestens einen Kontakt (2) während der elektrolytischen Metallisierung des Gutes und des Kontakts oder während der elektrolytischen Entmetallisierung des Kontakts bildet, verschoben wird.
  26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrolyt/Luft-Grenze (25) an dem mindestens einen Kontakt (2) während der Metallisierung mittels mindestens eines gegen der Oberfläche des Elektrolyten (24) oder gegen die natürliche Strömungsrichtung des Elektrolyten am Kontakt gerichteten Gasstroms (26) derart ausreichend zurückgedrängt wird, dass sich die während der Metallisierung gebildete Elektrolyt/Luft-Grenze (25) während der nachfolgenden Entmetallisierung des mindestens einen Kontakts (2) bei gedrosseltem oder abgeschaltetem Gasstrom vollständig innerhalb des Elektrolyten befindet.
  27. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrolyt/Luft-Grenze (25) an dem Kontakt (2) während der Entmetallisierung des mindestens einen Kontaktes (2) (a) mittels mindestens eines in die Strömungsrichtung des Elektrolyten an dem Kontakt oder entgegen der Oberfläche des Elektrolyten gerichteten Gasstroms (26), (b) durch Absenken des mindestens einen Kontaktes in die Behandlungsflüssigkeit, (c) durch lokales Applizieren von Behandlungsflüssigkeit auf den mindestens einen Kontakt, (d) durch Anheben des Niveaus der Behandlungsflüssigkeit durch Erhöhung der Überlaufkante, und/oder (e) durch Anheben des Niveaus der Behandlungsflüssigkeit durch Steigerung ihrer Flussrate derart ausreichend verlagert wird, dass sich die während der vorhergehenden Metallisierung ausgebildete natürliche Elektrolyt/Luft-Grenze (25) zumindest in der Nähe des mindestens einen Kontaktes (2) vollständig innerhalb des Elektrolyten befindet.
  28. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 22 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass nach der elektrolytischen Metallisierung eine anodische Entmetallisierung des mindestens einen Kontaktes unter Verwendung der Anode (21) erfolgt, welche in geeigneter Weise so geschaltet ist, dass sie als Kathode arbeitet.
  29. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 22 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungsflüssigkeit durch (a) Verwendung rotationssymmetrischer Mittel (11, 21), (b) ringförmiges oder zentrales Einspeisen in den Boden des Behandlungsraumes (3), und/oder (c) durch Verwendung einer Mehrzahl symmetrischer Mittel zur Einspeisung in den Bodenbereich des Behandlungsraumes (3) so geführt wird, dass sie radial-symmetrisch entlang der Unterseite des Gutes (7) strömt.
  30. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 22 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Abflussgeschwindigkeit der mit einer gegebenen Flussrate zirkulierenden Behandlungsflüssigkeit durch Einschnitte (18) an der Überlaufkante (13) variiert wird.
  31. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 22 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrolytische Behandlung des Gutes durch Verwendung von Gleichstrom, unipolarem oder bipolarem Pulsstrom erfolgt.
  32. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 22 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass das zu behandelnde ebene Gut (1) eine Solarzelle ist, und dass die elektrolytische Behandlung dieser Solarzelle durch Beleuchtung ihrer Unterseite (7) herbeigeführt wird.
  33. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Kontaktierung des Gutes außerhalb des Elektrolyten erfolgt.
  34. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 22 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine innerhalb des Behandlungsraumes (3) angeordnete Lichtquelle (34) zur Aktivierung der lichtempfindlichen Komponenten der Behandlungsflüssigkeit und/oder zur Herbeiführung oder Unterstützung einer chemischen, elektrochemischen oder elektrolytischen Behandlung verwendet wird.
  35. Verwendung des Verfahrens gemäß irgendeinem der Ansprüche 22 bis 34 zum Galvanisieren von Solarzellen aus Silizium.
DE102007020449A 2006-12-13 2007-04-27 Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen nasschemischen und elektrolytischen Behandlung von Gut Withdrawn DE102007020449A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007020449A DE102007020449A1 (de) 2006-12-13 2007-04-27 Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen nasschemischen und elektrolytischen Behandlung von Gut

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006058739 2006-12-13
DE102006058739.1 2006-12-13
DE102007020449A DE102007020449A1 (de) 2006-12-13 2007-04-27 Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen nasschemischen und elektrolytischen Behandlung von Gut

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007020449A1 true DE102007020449A1 (de) 2008-06-19

Family

ID=39399870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007020449A Withdrawn DE102007020449A1 (de) 2006-12-13 2007-04-27 Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen nasschemischen und elektrolytischen Behandlung von Gut

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102007020449A1 (de)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008045260B3 (de) * 2008-09-01 2009-09-10 Rena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Galvanisieren von Substraten in Prozesskammern
WO2009152896A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-23 Rena Gmbh Vorrichtung und verfahren zur einseitigen nasschemischen und/oder elektrolytischen behandlung von gut
DE102008045256A1 (de) 2008-09-01 2010-03-04 Rena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Nassbehandlung von unterschiedlichen Substraten
DE102008056093B3 (de) * 2008-11-06 2010-06-10 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum lichtinduzierten Galvanisieren von Halbleiter-Bauelementen und Halbleiter-Bauelement
WO2011120714A2 (de) 2010-04-01 2011-10-06 Somont Gmbh Solarzellen und herstellverfahren dafür
DE102010014555A1 (de) 2010-04-01 2011-10-06 Somont Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur elektrochemischen Metallisierung von flachem Gut
DE102010042481A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Roth & Rau Ag Verfahren zur galvanischen Erzeugung von Kontaktstrukturen auf Wafern für die Produktion von Solarzellen und Modulen
DE202012102765U1 (de) 2011-12-06 2012-12-06 Rena Gmbh Austauschbares Behandlungsbecken für nasschemische Prozesse
CN103871937A (zh) * 2014-03-31 2014-06-18 上海华力微电子有限公司 一种用于清洗硅片的溢流槽体结构
WO2019219430A1 (de) * 2018-05-17 2019-11-21 Nexwafe Gmbh Vorrichtung und verfahren zum einseitigen ätzen einer halbleiterschicht eines werkstücks

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009152896A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-23 Rena Gmbh Vorrichtung und verfahren zur einseitigen nasschemischen und/oder elektrolytischen behandlung von gut
DE102008045260B3 (de) * 2008-09-01 2009-09-10 Rena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Galvanisieren von Substraten in Prozesskammern
DE102008045260B8 (de) * 2008-09-01 2010-02-11 Rena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Galvanisieren von Substraten in Prozesskammern
DE102008045256A1 (de) 2008-09-01 2010-03-04 Rena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Nassbehandlung von unterschiedlichen Substraten
DE102008056093B3 (de) * 2008-11-06 2010-06-10 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum lichtinduzierten Galvanisieren von Halbleiter-Bauelementen und Halbleiter-Bauelement
DE102010014555A1 (de) 2010-04-01 2011-10-06 Somont Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur elektrochemischen Metallisierung von flachem Gut
WO2011120714A2 (de) 2010-04-01 2011-10-06 Somont Gmbh Solarzellen und herstellverfahren dafür
DE102010042481A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Roth & Rau Ag Verfahren zur galvanischen Erzeugung von Kontaktstrukturen auf Wafern für die Produktion von Solarzellen und Modulen
WO2012049281A2 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Roth & Rau Ag Verfahren zur galvanischen erzeugung von kontaktstrukturen auf wafern für die produktion von solarzellen und modulen
DE202012102765U1 (de) 2011-12-06 2012-12-06 Rena Gmbh Austauschbares Behandlungsbecken für nasschemische Prozesse
DE202012102763U1 (de) 2011-12-06 2012-12-06 Rena Gmbh Austauschbares Behandlungsbecken für nasschemische Prozesse
CN103871937A (zh) * 2014-03-31 2014-06-18 上海华力微电子有限公司 一种用于清洗硅片的溢流槽体结构
CN103871937B (zh) * 2014-03-31 2016-08-17 上海华力微电子有限公司 一种用于清洗硅片的溢流槽体结构
WO2019219430A1 (de) * 2018-05-17 2019-11-21 Nexwafe Gmbh Vorrichtung und verfahren zum einseitigen ätzen einer halbleiterschicht eines werkstücks

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007020449A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen nasschemischen und elektrolytischen Behandlung von Gut
EP1688518B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur elektrochemischen Behandlung von Bauteilen in Durchlaufanlagen
DE102012018393B4 (de) Serielles Galvanisierungssystem
DE102009029551B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur galvanischen Beschichtung von Substraten
DE102008026199B3 (de) Vorrichtung und Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von ebenem Gut in Durchlaufanlagen
DE102007026633A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmiger Ware
DE102007005161B4 (de) Verfahren zur Metallisierung von Substraten
EP2201160B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur einseitigen nasschemischen und/oder elektrolytischen behandlung von gut
EP2179448B1 (de) Verfahren zur beschichtung von solarzellen sowie vorrichtung hierfür
EP1007766B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum vergleichmässigen der dicke von metallschichten an elektrischen kontaktierstellen auf behandlungsgut
DE102006033353B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von flachen, zerbrechlichen Substraten
DE10241619B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von zumindest oberflächlich elektrisch leitfähigem Behandlungsgut
WO2008071239A1 (en) Apparatus and process for single-side wet chemical and electrolytic treatment of goods
DE19633797B4 (de) Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten oder dergleichen
DE102008045260B3 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Galvanisieren von Substraten in Prozesskammern
DE60302560T2 (de) Durchlaufmetallisierungsanlage und verfahren zum elektrolytischen metallisieren von werkstücken
DE19936569B4 (de) Herstellung von porösem Silicium
DE102009013164A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum elektrolytischen Behandeln von ausgedehntem Gut
EP0694090A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur elektrolytischen oberflächenbeschichtung von werkstücken
DE10043817A1 (de) Anordnung und Verfahren für elektrochemisch zu behandelndes Gut
EP2432920A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum gesteuerten elektrolytischen behandeln von dünnen schichten
DE19736351C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum präzisen Galvanisieren von Werkstücken
DE19722983C2 (de) Verfahren zur elektrochemischen Behandlung von stabförmigem Behandlungsgut und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102009018360A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur elektrolytischen Behandlung von Solarzellen
EP2229688B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur nassbehandlung von unterschiedlichen substraten

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R120 Application withdrawn or ip right abandoned

Effective date: 20110407