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Die
Erfindung betrifft eine Halbleiterdetektoranordnung, umfassend eine
Trägerschicht zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterdetektoranordnung,
ein Halbleitersubstrat, das auf der Trägerschicht angeordnet
ist, wobei das Halbleitersubstrat eine der Trägerschicht
zugewandte Vorderseite und eine der Trägerschicht abgewandte
Rückseite aufweist, und eine Vielzahl von Halbleiterstrukturen,
insbesondere Fotodioden, die auf der Vorderseite des Halbleitersubstrats
angeordnet sind, wobei die Vielzahl von Halbleiterstrukturen über
elektrische Kontakte mit der Trägerschicht verbunden sind
und zusammen mit dem Halbleitersubstrat eine Vielzahl von Detektoren
bilden.
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Die
Erfindung betrifft außerdem ein Herstellungsverfahren für
eine Halbleiterdetektoranordnung der oben genannten Art.
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Halbleiterdetektoranordnungen
der oben genannten Art sind insbesondere als so genannte rückseitig
beleuchtete Multipin-Fotodetektoren beziehungsweise CCD-Sensoren
(Back-Illuminated Charge Coupled Devices) bekannt.
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Rückseitig
beleuchtete Fotodetektoren kommen insbesondere bei hochwertigen
Anwendungen, wie etwa in der Computertomographie, der Spektroskopie
oder der Astronomie zum Einsatz. Ein Nachteil der rückseitig
beleuchteten Fotodetektoren ist der verhältnismäßig
lange Weg von in der lichtempfindlichen Schicht ausgelösten
Minoritätsladungsträgern, das heißt Elektronen
oder Löchern, zu den Raumladungszonen der Dioden struktur.
Dadurch kann es vorkommen, dass Ladungsträger, die im Bereich
eines Detektors ausgelöst werden, durch eine benachbarte
Fotodiode detektiert werden. Dabei spricht man auch vom Übersprechen.
Das Übersprechen verschlechtert die räumliche
Auflösung von Detektoren und ist deshalb von Nachteil.
Obwohl der Effekt des Übersprechens auch von vorderseitig
beleuchteten Fotodetektoranordnungen bekannt ist, ist er bei rückseitig
beleuchteten Fotodetektoranordnungen aufgrund der anderen Detektorgeometrie
in etwa um eine Größenordnung stärker.
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Es
sind unterschiedliche Lösungsansätze zur Verringerung
des Übersprechens bekannt. Aus den Patentanmeldungen
EP 1 608 020 A1 sowie
EP 1 569 275 A1 sind
Halbleiterdetektorenanordnungen bekannt, bei denen Vertiefungen
in der Halbleiterschicht einer Detektoranordnung im Bereich von
Fotodioden eine Verkürzung des Weges der Ladungsträger
und somit eine Verringerung des Übersprechens bewirken.
Aus der
US 6,762,473 ist
eine Halbleiterdetektoranordnung mit einer besonders dünnen Halbleiterschicht
bekannt, bei der Teile der Halbleiterstrukturen, die die eigentlichen
Fotodioden bilden, besonders tief in die Halbleiterschicht eingebracht sind.
Auch hierdurch wird der Weg der ausgelösten Ladungsträger
verkürzt.
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Beide
Ansätze erfordern jedoch verhältnismäßig
aufwändige, teilweise mikromechanische, Fertigungstechniken,
so dass sie nur bei besonders hochwertigen Systemen einsetzbar sind.
Des Weiteren wird durch die beschriebenen Ansätze das Übersprechen
nur vermindert, jedoch nicht gänzlich vermieden.
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Aufgabe
der Erfindung ist es daher, verbesserte Halbleiterdetektoranordnungen
und Verfahren zur Herstellung solcher De tektoranordnungen zu beschreiben,
bei denen ein Übersprechen zwischen benachbarten Detektoren
ganz oder teilweise verhindert wird. Des Weiteren soll die Herstellung
der Halbleiterdetektoranordnungen verhältnismäßig
einfach sein.
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Die
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleiterdetektoranordnung
der oben genannten Art gelöst, die dadurch gekennzeichnet
ist, dass eine Vielzahl von Bereichen des Halbleitersubstrats, die
der Vielzahl von Halbleiterstrukturen räumlich zugeordnet
sind, jeweils durch Trenngräben zumindest teilweise voneinander
getrennt sind, so dass Ladungsträger innerhalb des Halbleitersubstrats
daran gehindert sind, aus einem ersten Bereich in einen zweiten
Bereich des Halbleitersubstrats zu diffundieren.
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Durch
das Einbringen von Trenngräben in das Halbleitersubstrat
werden die einzelnen Detektoren sowohl elektrisch als auch mechanisch
voneinander isoliert. Ein Stromfluss durch die Trenngräben, der
ein Übersprechen zwischen benachbarten Detektoren verursachen
würde, wird somit verhindert.
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Gemäß einer
vorteilhaften Ausgestaltung erstrecken sich die Trenngräben über
die gesamte Dicke des Halbleitersubstrats. Wenn sich die Trenngräben über
die gesamte Dicke des Halbleitersubstrats erstrecken, werden benachbarte
Detektoren vollständig voneinander getrennt, so dass nicht
nur jegliches Übersprechen zwischen benachbarten Zellen
vermieden wird, sondern auch mechanische Spannungen zwischen benachbarten
Detektoren verhindert werden können.
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Gemäß einer
weiteren vorteilhaften Ausgestaltung erstrecken sich die Trenngräben über
einen vorbestimmten Bruchteil der Dicke des Halbleitersubstrats.
Wenn sich die Trenngräben nicht über die gesamte
Dicke des Halbleitersubstrats erstrecken, bleiben die einzelnen
Detektoren mechanisch miteinander verbunden, so dass ihre Verarbeitung
vereinfacht wird. Dennoch wird auch hier ein Übersprechen
zwischen benachbarten Zellen erheblich vermindert.
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Gemäß einer
weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung besteht die Trägerschicht
aus einem Leiterplattenmaterial, insbesondere FR4. Bei herkömmlichen
Halbleiterdetektoranordnungen wird in der Regel ein verhältnismäßig
teures, keramisches Trägermaterial verwendet, damit der
Temperaturkoeffizient von Trägermaterial und Halbleitersubstrat vergleichbar
ist und mechanische Spannungen zwischen der Trägerschicht
und dem Halbleitersubstrat vermieden werden. Durch die Trenngräben
in dem Halbleitersubstrat kann stattdessen auch gewöhnliches
Leiterplattenmaterial Verwendung finden, das kostengünstiger
und in der Verarbeitung einfacher zu handhaben ist.
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Die
zugrunde liegende Aufgabe wird ebenfalls durch ein Herstellungsverfahren
für eine Halbleiterdetektoranordnung gelöst, das
die folgenden Schritte aufweist:
- – Herstellen
eines Halbleitersubstrats mit einer Vorderseite und einer Rückseite,
- – Herstellen einer Vielzahl von Detektoren, insbesondere
Fotodioden, durch Bearbeiten der Vorderseite des Halbleitersubstrats,
- – Aufbringen von elektrischen Kontakten zum Anschluss
der Vielzahl von Detektoren auf die Vorderseite des Halbleitersubstrats,
- – Montieren des Halbleitersubstrats auf einer Trägerschicht
durch Verbinden der elektrischen Kontakte mit der Trägerschicht
und
- – teilweises Trennen der einzelnen Detektoren durch
Einbringen von Trenngräben in die Rückseite des
Halbleitersubstrats.
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Durch
die oben genannten Schritte kann eine erfindungsgemäße.
Halbleiterdetektoranordnung auf sehr einfache Weise hergestellt
werden. Dabei werden die Vielzahl von Halbleiterstrukturen wie gewöhnlich
auf der Vorderseite eines gemeinsames Halbleitersubstrat hergestellt
und durch ein Einbringen von Trenngräben in die Rückseite
des Halbleitersubstrats elektrisch und mechanisch zumindest teilweise
voneinander getrennt.
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Gemäß unterschiedlichen
Ausführungsbeispielen kann das Trennen vor oder nach dem
Schritt des Montierens des Halbleitersubstrats auf der Trägerschicht
durchgeführt werden. Ein nachträgliches Trennen
hat den Vorteil, dass die einzelnen Detektoren bereits sicher durch
die Trägerschicht gehalten werden, so dass die Herstellung
besonders einfach durchgeführt werden kann. Ein vorzeitiges
Trennen besitzt den Vorteil, dass die Sensoren völlig unabhängig
voneinander sind und einzeln montiert und deshalb auch einzeln ersetzt
werden können.
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Gemäß einer
weiteren vorteilhaften Ausgestaltung werden im Schritt des teilweisen
Trennens die Trenngräben durch Sägen, Ätzen
oder Lasertrennen in das Halbleitersubstrat eingebracht. Eine aufwändige
mikromechanische Bearbeitung der Halbleiterdetektoranordnung kann
somit entfallen. Stattdessen werden verhältnismäßig
einfache Herstellungsschritte verwendet, die sich problemlos in
den Herstellungsprozess der Halbleiterdetektoranordnung integrieren
lassen.
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In
einer vorteilhaften Weiterbildung werden die Trenngräben
in einem weiteren Schritt durch eine elektrisch isolierende Füllmasse
wieder aufgefüllt. Auf diese Weise wird die mechanische
Stabilität der Halbleiterdetektoranordnung erhöht
ohne die vorteilhaften Eigenschaften der elektrischen Trennung zu stören.
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Weitere
Einzelheiten und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen
angegeben.
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Die
Erfindung wird nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel
anhand der Zeichnungen näher erläutert. In den
Zeichnungen zeigen:
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1 eine
Halbleiterdetektoranordnung mit einer Vielzahl von Detektoren gemäß einer
Ausgestaltung der Erfindung,
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2 ein
Querschnitt durch eine rückseitig beleuchtete Halbleiterdetektoranordnung
gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung,
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3 einen
Querschnitt durch eine rückseitig beleuchtete Halbleiterdetektoranordnung
nach dem Stand der Technik und
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4 ein
Ablaufdiagramm eines Herstellungsverfahren für eine Halbleiterdetektoranordnung.
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Zum
besseren Verständnis wird zunächst eine Halbleiterdetektoranordnung
gemäß dem Stand der Technik beschrieben, die in
der 3 vereinfacht dargestellt ist.
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Auf
einer Trägerschicht 1, die üblicherweise aus
einem Keramikmaterial besteht, sind Anodenkontakte 2 sowie
Kathodenkon takte 3 aufgebracht. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel
wechseln sich die Anodenkontakte 2 und die Kathodenkontakte 3 gegenseitig
ab, so dass eine räumlich periodische Struktur entsteht.
Die Anodenkontakte 2 beziehungsweise Kathodenkontakte 3 stellen
elektrische Verbindungen mit der Trägerschicht 1 her.
Dazu dienen im dargestellten Ausführungsbeispiel so genannte
"Lötbumps" 17, die zwischen den Anodenkontakten 2 beziehungsweise
den Kathodenkontakten 3 und der Trägerschicht 1 angeordnet
sind.
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In
das Halbleitersubstrat 4 sind im Ausführungsbeispiel
Halbleiterstrukturen 5, im Ausführungsbeispiel
Diodenstrukturen, eingebracht. Jede Fotodiode verfügt über
eine p-dotierte Anode 6 sowie eine n-dotierte Kathode 7.
Des Weiteren befindet sich an der oben gelegenen Rückseite
des Halbleitersubstrats 4 eine zusätzliche n-dotierte
Kathodenschicht 8. Die Anode 6 beziehungsweise
die Kathode 7 sind über metallische Verbindungselemente 9 mit
den Anodenkontakten 2 beziehungsweise Kathodenkontakten 3 elektrisch
verbunden. An der Rückseite des Halbleitersubstrats 4 ist
zusätzlich eine Antireflexschicht 10 angeordnet.
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Zwischen
der Rückseite und der Vorderseite des Halbleitersubstrats 4 verbleibt
ein lichtempfindlicher Bereich 11, bei dem es sich beispielsweise
um eine Siliziumschicht handelt. Um die Anoden 6 von den
Kathoden 7 elektrisch zu trennen, so dass sich eine Raumladungszone
in dem lichtempfindlichen Bereich 11 ausbildet, werden
Isolatoren 12 in die Vorderseite des Halbleitersubstrats
eingebracht. Die Isolatoren 12 können beispielsweise
durch Oxidieren des Silizium-Halbleitersubstrats hergestellt werden.
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Wird
die Halbleiterdetektorenanordnung von der Rückseite her
beleuchtet, wie durch die zwei Pfeile angedeutet ist, dringen Photonen
in das Halbleitersubstrat 4 ein und lösen dort
Elektronen-Loch-Paare aus. Die dadurch erzeugten Ladungsträger
wandern zu den Raumladungszonen der Halbleiterstrukturen 5 und
verursachen dort einen Photostrom zwischen den Anoden 6 und
Kathoden 7, der zur Detektion der einafallenden Lichtstärke
benutzt wird.
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Da
insbesondere kurzwelliges Licht nahe der Rückseite des
Halbleitersubstrats 4, in der 3 oben,
absorbiert wird müssen die erzeugten Ladungsträger
einen verhältnismäßig langen Weg zurücklegen,
bevor sie in die Raumladungszonen zwischen Anode 6 und
Kathode 7 gelangen. Daher kann es vorkommen, dass einzelne
Ladungsträger zu einer benachbarten Raumladungszone einer
benachbarten Halbleiterstruktur 5 in dem lichtempfindlichen Bereich 11 gelangen.
Dies ist insbesondere bei so genannten Multipin-Fotodetektoren beziehungsweise
Charge Coupled Devices(CCD) Sensoranordnungen von Nachteil.
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1 zeigt
eine Halbleiterdetektoranordnung 15 mit einer Matrix 13 von
Detektoren 14 gemäß einer Ausgestaltung
der Erfindung. Im Ausführungsbeispiel handelt es sich bei
den Detektoren 14 um Fotodioden. Es können jedoch
auch andere Detektoren 14 eingesetzt werden. Insbesondere
ist es auch möglich, Detektoren 14 zur Detektion
von ultravioletter, infraroter oder Röntgenstrahlung zu
verwenden. Beispielsweise können Infrarotdetektoren durch
Verwendung eines Germaniumsubstrats anstelle des Siliziumsubstrats
hergestellt werden.
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Wie
in der 1 ersichtlich ist, besteht die Matrix 13 aus
einer Vielzahl von Zeilen und Spalten von einzelnen Detektoren 14,
im optischen Bereich auch "Pixel" genannt. Im Ausfüh rungsbeispiel
umfasst die Halbleiterdetektoranordnung 15 insgesamt 512
Detektoren 14. Die einzelnen Detektoren 14 sind jeweils
durch Trenngräben 16 voneinander getrennt. Es
ist jedoch auch möglich, Trenngräben 16 nur
zwischen Gruppen von Detektoren 14 vorzusehen. Beispielsweise
können Trenngräben nur in einer räumlichen
Orientierung, zum Beispiel zwischen benachbarten Spalten oder Zeilen
der Matrix 13 eingebracht werden, wenn ein Übersprechen
nur in dieser Richtung vermindert werden soll. Dies ist insbesondere dann
sinnvoll, wenn auf der Halbleiterdetektoranordnung 15 Vorrichtungen
mit einer bevorzugten optischen Orientierung, beispielsweise ein
Szintillatorkristall, angeordnet sind.
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2 zeigt
einen Querschnitt durch die Halbleiterdetektoranordnung 15 gemäß einer
Ausgestaltung der Erfindung. Die Halbleiterdetektoranordnung 15 umfasst
dieselben Elemente wie die in 3 dargestellte
Halbleiterdetektoranordnung nach dem Stand der Technik. zusätzlich
wurden die einzelnen Detektoren 14 durch Einbringen der
Trenngräben 16 elektrisch und mechanisch voneinander
getrennt. Im Ausführungsbeispiel sind die Trenngräben 16 im
Bereich der Kathoden 7 in das Halbleitersubstrat 4 eingebracht.
Dadurch wird jede Kathode 7 in eine linke und in eine rechte
Kathode zweier benachbarter Detektoren 14 geteilt.
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Im
Ausführungsbeispiel erstrecken sich die Trenngräben 16 über
die volle Dicke des Halbleitersubstrats 4. Somit wird jegliches Übersprechen
benachbarter Detektoren 14 vermieden. Es ist jedoch auch
möglich, Trenngräben 16 nur über
einen vorbestimmten Bruchteil, etwa der Hälfte oder Dreiviertel, der
Dicke des Halbleitersubstrates 4 vorzusehen. Beispielsweise
können die Trenngräben 16 nur im lichtempfindlichen
Bereich 11 eingebracht werden. Je nach Tiefe der eingebrachten Trenngräben
kann ein Übersprechen zwischen benachbarten Detektoren 14 nur
vermindert oder aber vollständig unterbunden werden.
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Werden
die einzelnen Detektoren 14, wie in der 2 dargestellt,
durch Trenngräben 16 vollständig voneinander
getrennt, ergibt sich der zusätzliche Vorteil, dass Unterschiede
in den Temperaturausdehnungskoeffizienten zwischen der Trägerschicht 1 und dem
Halbleitersubstrat 4 weniger mechanische Verspannungen
verursachen. Daher ist es möglich, das Halbleitersubstrat 4 unmittelbar
auf einem herkömmlichen Leiterplattenmaterial, beispielsweise
FR4, das dann als Trägerschicht 1 fungiert, zu
montieren. Selbstverständlich ist auch eine Montage auf
einer ein Keramikmaterial umfassenden Trägerschicht möglich,
insbesondere um eine verbesserte Ableitung von Wärme zu
gewährleisten.
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Um
eine einfache Montage der erfindungsgemäßen Halbleiterdetektoranordnung 15 auch
bei vollständiger Trennung der einzelnen Detektoren 14 durch
die Trenngräben 16 zu ermöglichen, wird
im Folgenden ein verbessertes Herstellungsverfahren 40 beschrieben,
das auf dem so genannten "Flip Chip" Verfahren beruht. Die einzelnen
Schritte des Herstellungsverfahrens 40 sind in 4 in
Form eines Ablaufdiagramms dargestellt.
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In
einem ersten Schritt 41 werden die Halbleiterstrukturen 5 in
ein bereitgestelltes Halbleitersubstrat 4 eingebracht.
Die dazu benötigten Techniken, insbesondere die Fotolithographie, Ätzung
und Dotierung von Halbleitersubstraten 4, sind dem Fachmann
wohlbekannt und richten sich nach der herzustellenden Halbleiterstruktur 5,
so dass auf eine Beschreibung an dieser Stelle verzichtet werden
kann. Im Ausführungsbeispiel handelt es sich bei den Halbleiterstrukturen 5 bevorzugt
um Diodenstrukturen.
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In
einem optionalen weiteren Schritt 42 wird das Halbleitersubstrat 4 auf
die gewünschte Dicke abgeschliffen. Für rückseitig
beleuchtete Fotodetektoren ist es vorteilhaft, das Halbleitersubstrat 4 auf eine
vorgegebene Dicke abzuschleifen.
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In
einem weiteren Schritt 43 werden elektrische Kontaktpunkte,
im Ausführungsbeispiel Lötbumps 17 auf
Anschlusspunkten des Halbleitersubstrats 4, im Ausführungsbeispiel
im Bereich der Anodenkontakte 2 und Kathodenkontakte 3,
aufgebracht. Alternativ ist es auch möglich, Lötbumps 17 auf
dem Trägermaterial 1 oder auf beiden Seiten aufzubringen.
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In
einem weiteren optionalen Schritt 44 wird das Halbleitersubstrat 4 vereinzelt. Üblicherweise
befinden sich auf einem so genannten Wafer eine Vielzahl von Detektor-Matrizen 13,
die im Schritt 44 in einzelne Matrizen 13 getrennt
werden. Beispielsweise ist es möglich, einen Wafer zu zersägen.
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In
einem weiteren Schritt 45 wird eine einzelne Matrix 13 umgedreht,
so dass die Vorderseite mit den darauf befindlichen Detektoren 14 nach
unten, in Richtung einer bereitgestellten Trägerschicht 14 weist.
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Anschließend
wird die Matrix 13 im Schritt 46 auf die vorbereitete
Trägerschicht 11 aufgelegt, wobei die Trägerschicht 1 über
Anschlusspunkte im Bereich der Anodenkontakte 2 beziehungsweise
Kathodenkontakte 3 verfügt. Gemäß einer
Ausgestaltung der Erfindung ist es möglich, eine Matrix 13 von
Detek toren 14 unmittelbar auf eine Leiterplatte einer elektronischen
Schaltung aufzubringen.
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Im
Schritt 47 wird die Matrix 13 mit der Trägerschicht 11 verlötet.
Unterschiedliche Techniken zum Verlöten von Halbleitersubstraten 4 mit
einer Trägerschicht 1 sind dem Fachmann bekannt.
Beispielsweise kann die gesamte Anordnung kurzzeitig stark erhitzt
werden, so dass sich auf dem Halbleitersubstrat 4 oder
der Trägerschicht 1 befindliche Lötbumps 17 verflüssigen
und eine elektrische Verbindung zwischen den Anoden- und Kathodenkontakten 2 beziehungsweise 3 und
der Trägerschicht 1 herstellen.
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In
einem weiteren Schritt 48 werden die Trenngräben 16 in
das Halbleitersubstrat 4 eingearbeitet. Im Ausführungsbeispiel
werden die Trenngräben 16 von der nun an der Oberfläche
liegenden Rückseite des Halbleitersubstrats 4 gesägt.
Alternativ ist es jedoch auch möglich, die Trenngräben 16 durch
Lasertrennung oder einen weiteren Ätzschritt in das Halbleitersubstrat 4 einzubringen..
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Je
nach verwendeter Größe der einzelnen Detektoren 14 und
der verwendeten Technik zum Trennen können die Trenngräben 16 unterschiedliche
Breiten aufweisen. Im Ausführungsbeispiel besitzen die
Trenngräben 16 eine Breite von etwa 100 Mikrometern,
so dass zwischen benachbarten Detektoren 14 keine Quanteneffekte,
insbesondere Tunneleffekte, auftreten, die wiederum ein Übersprechen zwischen
benachbarter Detektoren 14 verursachen könnten.
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In
einem weiteren, optionalen Schritt 49 werden die Trenngräben 16 durch
eine elektrisch isolierende Füllmasse, zum Beispiel durch
ein Epoxid- oder anderes Kunststoffharz, wieder aufgefüllt.
Durch diesen, auch als "Underfill" bezeichneten Vorgang wird die
mechanische Stabilität der einzelnen Detektoren 14 bzw.
der Matrix 13 im Ganzen erhöht ohne die vorteilhaften
Eigenschaften der elektrischen Trennung zu stören.
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Alternativ
zu der beschriebenen Vorgehensweise ist es auch möglich,
die einzelnen Detektoren 14 des Halbleitersubstrats 4 bereits
vor der Montage auf der Trägerschicht 1 voneinander
zu trennen. Entweder werden die Trenngräben 16 nicht über
die volle Dicke des Halbleitersubstrats 4 eingebracht,
so dass die einzelnen Detektoren 14 auch weiterhin mechanisch
zusammenhängen, oder die Detektoren 14 werden
mechanisch komplett voneinander getrennt und dann einzeln auf einer
Trägerschicht 1 montiert. Dies bietet sich insbesondere
dann an, wenn nur eine verhältnismäßig
kleine Anzahl von Detektoren 14 auf einer Trägerschicht 1 montiert
werden soll, und einzelne, verhältnismäßig
großflächige Detektoren 14 somit einzeln
auf die Trägerschicht 1 aufgebracht werden können.
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Auch
die Reihenfolge der anderen Verfahrensschritte 41 bis 48 besitzt
nur beispielhaften Charakter und kann an die Verhältnisse
des jeweiligen Herstellungsprozesses angepasst werden. Insbesondere
ist es möglich, einzelne Verfahrensschritte, etwa das Trennen
der Detektoren 14 und Vereinzeln des Halbleitersubstrats 4,
gemeinsam durchzuführen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - EP 1608020
A1 [0005]
- - EP 1569275 A1 [0005]
- - US 6762473 [0005]