DE102006033354A1 - Flat fragile substrate e.g. silicon wafer, treating device for use in semiconductor and solar industry, has individual counter roller units movable in vertical direction independent of each other and exerting pressure on substrates - Google Patents

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Abstract

The device (1) has a treatment chamber in which substrates (2a-2d) are subjected with a treatment fluid (4), and counter rollers (7a-7d) engaged to a side of the substrates. The rollers are formed such that individual counter roller units are movable in a vertical direction independent of each other and exert pressure on the substrates, where the pressure is independent of thickness of the substrates. The roller units are arranged on a shaft made of a flexible material and serve as contact units for supplying current to the substrates.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Behandeln von flachen, zerbrechlichen Substraten, insbesondere für die Halbleiter- und Solarindustrie, mit

  • a) einer Behandlungskammer, in welcher die Substrate mit einer Behandlungsflüssigkeit beaufschlagt werden können;
  • b) einer Transporteinrichtung, mit welcher die Substrate in einer Mehrzahl von zueinander parallelen Spuren im horizontalen Durchlauf durch die Behandlungskammer geführt werden können;
  • c) mindestens einer Gegenhalteeinrichtung, welche an der nach oben zeigenden Seite der Substrate angreift, deren Abheben von der Transporteinrichtung verhindert und eine durchgehende, mehrere Spuren übergreifende Welle umfasst, an welcher eine Mehrzahl von Gegenhalteelementen befestigt ist.
The invention relates to a device for treating flat, fragile substrates, in particular for the semiconductor and solar industries, with
  • a) a treatment chamber in which the substrates can be acted upon with a treatment liquid;
  • b) a transport device with which the substrates can be guided in a plurality of mutually parallel tracks in the horizontal passage through the treatment chamber;
  • c) at least one counter-holding device, which acts on the upward-facing side of the substrates, prevents their lifting from the transport device and comprises a continuous, multi-lobe shaft to which a plurality of counter-holding elements is attached.

In der Halbleiter- und Solarindustrie finden sich häufig sehr flache Substrate, wie beispielsweise Siliziumscheiben (Wafer), Siliziumplatten und Glasplatten, die den unterschiedlichsten Arten von Nassprozessen unterzogen werden müssen. Dabei handelt es sich beispielsweise um chemische und elektrochemische Behandlungen, Spül- und Trocknungsprozesse. Die Behandlungsflüssigkeit kann sowohl in einem Sprüh- als auch in einem Tauchverfahren aufgebracht werden.In Semiconductor and solar industries often find very flat substrates, such as silicon wafers, silicon plates and Glass plates covering a wide variety of wet processes must be subjected. These are, for example, chemical and electrochemical Treatments, rinsing and drying processes. The treatment liquid can be used both in one spray as well as applied in a dipping process.

Substrate der genannten Art sind sehr bruchempfindlich und müssen daher auf eine sehr schonende Art durch die Behandlungskammer(n) befördert werden.substrates of the type mentioned are very fragile and therefore need be transported in a very gentle way through the treatment chamber (s).

Die bekannten Horizontal-Durchlauf-Galvanikanlagen, wie sie für die Leiterplattengalvanik verwendet werden, sind für den Einsatz bei den hier angesprochenen Substraten nicht verwendbar. Sie benutzen als Gegenhalteelemente, die dort häufig auch als Kontaktelemente dienen, Rollen, die auf einer spurübergreifenden gemeinsamen Welle angebracht sind. Geringfügige Dickenschwankungen der Leiterplatten wirken sich hier nicht sehr stark auf den Anpressdruck der Gegenhalteelemente aus; sie können von der starren Welle aufgenommen werden, ohne dass die Gefahr eines Bruchs der Leiterplatten bestehen würde. Bei den bekannten Horizontal-Galvanikanlagen ist ausserdem ein starker Anpressdruck der Gegenhalteelemente erforderlich, um angesichts der hier hohen fließenden Ströme den Übergangswiderstand niedrig zu halten. Dieser starke Anpressdruck würde zerbrechliche Substrate zerstören.The known horizontal pass galvanizing equipment, as used for printed circuit board electroplating are used for the use of the substrates mentioned here not usable. They use as counter holding elements, which are often used as contact elements serve, rolling, on a cross-track common shaft are attached. slight Thickness variations of the PCBs do not affect much here strong on the contact pressure of the counter-holding elements; they can from The rigid wave can be absorbed without the risk of Breakage of printed circuit boards would exist. In the known horizontal galvanic systems In addition, a strong contact pressure of the counter-holding elements is required, in view of the high currents flowing here, the contact resistance low to keep. This strong contact pressure would be fragile substrates to destroy.

Speziell für die Behandlung zerbrechlicher Substrate ausgebildete Rollentransportvorrichtungen sind in der WO 2005/093788 A1 , der WO 03/086913 A1 und der WO 03/086914 A1 beschrieben. Hier ist jedoch die Ausführung der Gegenhalteeinrichtung sehr aufwendig.Specially designed for the treatment of fragile substrates roller transport devices are in the WO 2005/093788 A1 , of the WO 03/086913 A1 and the WO 03/086914 A1 described. Here, however, the execution of the counter-holding device is very expensive.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der mit einfachen Mitteln ein schonender Transport der Substrate möglich ist.task The present invention is a device of the initially to create the above-mentioned type, in which by simple means a gentler Transport of the substrates possible is.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass

  • d) die Gegenhalteeinrichtung so ausgebildet ist, dass die einzelnen Gegenhalteelemente in vertikaler Richtung unabhängig voneinander bewegbar und so in der Lage sind, auf die Substrate einen von deren Dicke im wesentlichen unabhängigen Druck auszuüben.
This object is achieved in that
  • d) the counter-holding device is formed so that the individual counter-holding elements in the vertical direction are independently movable and so capable of exerting on the substrates a thickness substantially independent of the pressure.

Die Erfindung fußt auf der Erkenntnis, dass Brüche von Substraten häufig auf wenn auch geringe Dickenunterschiede der Substrate zurückgehen. Wenn mehrere Gegenhalteelemente auf der selben, starren Welle angeordnet sind und der auf das dünnste Substrat ausgeübte Druck gerade zum Niederhalten ausreicht, kann beim dickeren Substrat schon die Bruchgrenze überschritten sein. Daher sieht die Erfindung die Möglichkeit vor, dass die einzelnen Gegenhalteelemente, die der selben durchgehenden Welle zugeordnet sind, eine gewisse Beweglichkeit nach oben und unten besitzen, so dass sie Dickenunterschiede der einzelnen Substrate in den parallelen Spuren folgen und die Ausbildung unzulässig hoher Druckkräfte vermeiden können.The Invention is based on the realization that breaks of substrates frequently even though small differences in the thickness of the substrates go back. If several counter-holding elements arranged on the same rigid shaft are and the thinnest Substrate applied Pressure just enough to hold it down, can already do with the thicker substrate exceeded the breaking point be. Therefore, the invention provides the possibility that the individual Retaining elements associated with the same continuous wave are, have a certain mobility up and down, so that they have differences in thickness of the individual substrates in the parallel Follow tracks and avoid the formation of impermissibly high pressure forces can.

Im einfachsten Fall lässt sich dies schon dadurch erreichen, dass die Welle, an welcher die Gegenhalteelemente angeordnet sind, flexibel und hierzu so dünn und aus einem solchen Material ausgebildet ist, dass sie sich bei einer Kraftbeaufschlagung nach oben durch die einzelnen Gegenhalteelemente elastisch ausbiegen kann und die Größe der Kraft, mit welcher die Gegenhalteelemente gegen das Substrat wirken, unterhalb der Bruchgrenze bleibt.in the the simplest case this can be achieved by the fact that the wave on which the Counter holding elements are arranged, flexible and so thin and off Such a material is formed that they are in a Applying force to the top by the individual counter-holding elements elastic can turn out and the size of the force, with which act the counter-holding elements against the substrate, below the breaking point remains.

Geeignet sind beispielsweise Durchmesser der Welle zwischen einem und drei Millimetern, wenn das Material der Welle Metall ist.Suitable For example, the diameter of the shaft is between one and three Millimeters, if the material of the shaft is metal.

Eine Alternative dazu besteht darin, dass die Gegenhalteelemente an einem Schwenkarm befestigt sind, der gegenüber der Welle verschwenkbar ist. Bei dieser Ausgestaltung ist die Beweglichkeit der verschiedenen, der selben Welle zugeordneten Gegenhalteelemente noch unabhängiger voneinander. Die Auflagekraft der Kontaktelemente an der Substratoberfläche kann ggf. durch Gegengewichte am Schwenkarm eingestellt werden.A Alternative to this is that the counter-holding elements on a Swivel arm are attached, which is pivotable relative to the shaft is. In this embodiment, the mobility of the various, the same shaft associated counter-holding elements even more independent of each other. The Contact force of the contact elements on the substrate surface can possibly adjusted by counterweights on the swivel arm.

Bei galvanischen Anlagen ist es üblich, dass die Gegenhalteelemente zugleich als Kontaktelemente zur Zufuhr eines Stroms zum Substrat dienen und die Welle als Stromzufuhr zu den Gegenhalteelementen ausgebildet ist. Dies ist bei den erfindungsgemäßen Vorrichtungen auch bei sehr dünnen Wellen möglich, da die hier zu übertragenden Ströme sehr viel kleiner als bei Anlagen zur Behandlung von Leiterplatten sind.In galvanic systems, it is customary that the counter-holding elements also serve as contact elements for supplying a current to the substrate and the shaft is formed as a power supply to the counter-holding elements. This is possible with the devices according to the invention even with very thin waves, since the currents to be transmitted here are much smaller than in systems for the treatment of printed circuit boards.

Die Gegenhalteelemente sind zweckmäßigerweise Rollen, da sie mit geringer Reibung verbunden sind und besonders schonend an den Substraten anliegen.The Retaining elements are expediently Rolls because they are associated with low friction and especially gently against the substrates.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert; es zeigenembodiments The invention will be explained in more detail with reference to the drawing; it demonstrate

1 in einer schematischen Seitenansicht eine Vorrichtung zur galvanischen Verstärkung von auf einem Siliziumsubstrat aufgebrachten metallischen Leiterzügen; 1 in a schematic side view of a device for the galvanic reinforcement of applied on a silicon substrate metallic conductor tracks;

2 einen vertikalen Schnitt durch die Vorrichtung der 1 senkrecht zu deren Zeichenebene; 2 a vertical section through the device of 1 perpendicular to their plane of drawing;

3 einen Schnitt, ähnlich der 2, durch ein zweites Ausführungsbeispiel einer der artigen Vorrichtung; 3 a cut, similar to the one 2 , By a second embodiment of the like device;

4 einen Schnitt, ähnlich den 2 und 3, durch ein drittes Ausführungsbeispiel einer derartigen Vorrichtung; 4 a cut, similar to the one 2 and 3 by a third embodiment of such a device;

5 einen Ausschnitt der Vorrichtung der 4 in Draufsicht; 5 a section of the device of 4 in plan view;

6 in vergrößertem Maßstab ein Detail der Vorrichtung der 4 und 5. 6 on a larger scale, a detail of the device 4 and 5 ,

Als Beispiel für eine "Behandlung" im hier interessierenden Sinne wird nachfolgend ein Anwendungsfall aus der Solarindustrie geschildert:
Zur Herstellung von Solarzellen werden etwa 0,2 mm dicke Siliziumplatten eingesetzt, die auf derjenigen Seite, die später die "sonnenaktive" Seite wird, aufgedampfte oder siebgedruckte dünne metallische elektrische Leiterzüge aufweist. Diese müssen galvanisch auf eine Schichtstärke von 1-20 Mikrometern verstärkt werden. Bei dem Verstärkungsmaterial kann es sich um Kupfer, Zinn, Silber oder Gold handeln. Auf der gegenüberliegenden Seite des Substra tes befinden sich die hierfür erforderlichen Kontaktflächen, beispielsweise in Form von Kontaktstreifen und/oder Kontaktfenstern, die elektrisch mit den aufgedampften oder siebgedruckten elektrischen Leiterzügen auf der "sonnenaktiven" Seite in Verbindung stehen.As an example of a "treatment" in the interest here is an application from the solar industry described below:
For the production of solar cells about 0.2 mm thick silicon plates are used, which has on the side, which later becomes the "sun-active" side, vapor-deposited or screen-printed thin metallic electrical conductor tracks. These must be galvanically reinforced to a layer thickness of 1-20 microns. The reinforcing material may be copper, tin, silver or gold. On the opposite side of the Substra tes are the necessary contact surfaces, for example in the form of contact strips and / or contact windows, which are electrically connected to the vapor-deposited or screen printed electrical circuit traces on the "sun-active" side.

Die 1 zeigt eine insgesamt mit dem Bezugszeichen 1 gekennzeichnete Vorrichtung, mit welcher die aufgedampften Leiterbahnen derartiger Siliziumsubstrate verstärkt werden können. In 1 sind drei Siliziumsubstrate dargestellt und mit den Bezugszeichen 2a, 2b und 2c gekennzeichnet. Diese Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c werden mit Hilfe eines eine Mehrzahl von angetriebenen Rollen 3a, 3b, 3c, 3d aufweisenden Rollentransportsystemes durch eine galvanische Badflüssigkeit 14 hindurchgeführt. Die Förderrichtung ist durch den Pfeil 4 angedeutet. Der Spiegel 15 der galvanischen Badflüssigkeit 14 liegt knapp, 0,1 bis 10 Millimeter, oberhalb der Oberseite der Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c. Die Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c tauchen also beim Durchgang durch das galvanische Bad vollständig in die Badflüssigkeit 14 ein. Die "sonnenaktive" Seite weist dabei nach unten, während die die Kontaktflächen aufweisende Seite der Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c nach oben zeigt.The 1 shows a total with the reference numeral 1 characterized device with which the vapor-deposited conductor tracks of such silicon substrates can be amplified. In 1 three silicon substrates are shown and denoted by the reference numerals 2a . 2 B and 2c characterized. These silicon substrates 2a . 2 B . 2c be using one of a number of powered rollers 3a . 3b . 3c . 3d having roller transport system by a galvanic bath fluid 14 passed. The conveying direction is indicated by the arrow 4 indicated. The mirror 15 the galvanic bath fluid 14 is just 0.1 to 10 millimeters above the top of the silicon substrates 2a . 2 B . 2c , The silicon substrates 2a . 2 B . 2c Thus, when passing through the galvanic bath, they completely submerge in the bath liquid 14 one. The "sun-active" side points down, while the contact surfaces having the side of the silicon substrates 2a . 2 B . 2c pointing upwards.

Entlang und unterhalb des Bewegungsweges der Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c erstreckt sich eine plattenförmige Anode 5, die mit dem Pluspol einer nicht dargestellten Galvanisierungsstromquelle verbunden ist. Handelt es sich bei dem Verstärkungsmetall um Kupfer, Zinn oder Silber, so können lösliche, sich verbrauchende Anoden 5 eingesetzt werden. Handelt es sich jedoch um ein Goldbad, so wird mit unlöslichen Anoden 5 gearbeitet.Along and below the path of movement of the silicon substrates 2a . 2 B . 2c extends a plate-shaped anode 5 which is connected to the positive pole of a galvanizing power source, not shown. If the reinforcing metal is copper, tin or silver, soluble, consumable anodes can be used 5 be used. However, if it is a gold bath, insoluble anodes will be used 5 worked.

Auf der den Transportrollen 3a, 3b, 3c, 3d gegenüberlie genden Seite der Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c sind Gegenrollen 7a, 7b, 7c, 7d angeordnet. Diese Gegenrollen 7a, 7b, 7c, 7d dienen zwei Funktionen: Zum einen stellen sie diejenigen Führungseinrichtungen dar, welche die Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c sanft nach unten drücken und so unterhalb des Spiegels 15 der Badflüssigkeit 14 halten. Zum anderen dienen die Gegenrollen 7a, 7b, 7c als Kontakteinrichtungen, mit denen die Kontaktflächen der Siliziumsubstrate 2a, 2b, 2c und damit die auf der Unterseite aufgedampften oder siebgedruckten Leiterzüge in nicht näher interessierender Weise elektrisch in Verbindung mit dem Minuspol der nicht dargestellten Galvanisierungsstromquelle verbunden werden können.On the transport wheels 3a . 3b . 3c . 3d opposite side of the silicon substrates 2a . 2 B . 2c are counter-rolls 7a . 7b . 7c . 7d arranged. These counter-rolls 7a . 7b . 7c . 7d serve two functions: First, they represent those guiding devices, which are the silicon substrates 2a . 2 B . 2c gently press down and so below the mirror 15 the bath liquid 14 hold. On the other hand, the counter-roles serve 7a . 7b . 7c as contact means with which the contact surfaces of the silicon substrates 2a . 2 B . 2c and so that the deposited on the bottom or screen printed circuit traces can be electrically connected in a manner not of further interest in connection with the negative pole of the galvanization power source, not shown.

Wie insbesondere der 2 zu entnehmen ist, besitzt die Anlage 1 zwei parallele "Spuren", in denen jeweils nebeneinander Siliziumsubstrate 2 durch die Behandlungsflüssigkeit 14 geführt werden können. Jede dieser Spuren besitzt eine Vielzahl von Transportrollen 3, die paarweise einander gegenüberliegend und innerhalb des Paares durch eine Achse 6 miteinander verbunden sind. Seitlich außerhalb der Transportrollen 3, ebenfalls mit der Achse 6 verbunden oder baueinheitlich mit den Transportrollen 3, befinden sich Seitenführungsrollen 20, die eine konische Form aufweisen. Die Substrate 2 liegen mit ihrer Unterseite auf den Transportrollen 3 randseitig auf. Die Transportrollen 3 sind mit die Reibung verbessernden O-Ringen 21 in ihren Umfangsflächen versehen.How the particular 2 can be seen, owns the plant 1 two parallel "tracks", in each of which side by side silicon substrates 2 through the treatment fluid 14 can be performed. Each of these tracks has a variety of transport wheels 3 which are in pairs opposite each other and within the pair by an axis 6 connected to each other. Laterally outside the transport rollers 3 , also with the axle 6 connected or structurally with the transport rollers 3 , there are side guide rollers 20 which have a conical shape. The substrates 2 lie with their underside on the transport rollers 3 on the edge. The transport wheels 3 are verbes with the friction singing O-rings 21 provided in their peripheral surfaces.

2 zeigt ferner, daß jeder "Spur" der Anlage 1 jeweils ein Satz von Gegenrollen 7 zugeordnet ist. Die in Transportrichtung 4 auf derselben "Höhe" befindlichen Gegenrollen 7 der verschiedenen Spuren sitzen auf einer gemeinsamen Welle 22 und zwar in solchen axialen Positionen, daß sie jeweils etwa in der Mitte zwischen den beiden Transportrollen 3 auf der Oberseite der Siliziumsubstrate abrollen können. Die Welle 22 ist beidseits in Lagern 23 gelagert. Sie dient nicht nur der Halterung der Gegenrollen 7 sondern auch der Stromzuführung zu diesen. 2 further shows that each "track" of the plant 1 one set of counter-rolls each 7 assigned. The in transport direction 4 on the same "height" counter rolls 7 of the various tracks sit on a common shaft 22 in such axial positions that they are each approximately in the middle between the two transport rollers 3 can roll on top of the silicon substrates. The wave 22 is on both sides in camps 23 stored. It not only serves to hold the counter rollers 7 but also the power supply to these.

Die Welle 22 ist durch Wahl ihres Materials und durch Wahl ihrer Geometrie flexibel ausgestaltet. D.h., daß sich die Welle 22 bereits unter kleinen Kräften ausbiegen kann. Dies hat zur Folge, daß die vertikale Position zweier auf derselben Welle 22 liegender Gegenrollen 7, wie in 2 dargestellt, nicht dieselbe zu sein braucht. Befindet sich beispielsweise die Oberseite des in 2 rechts dargestellten Siliziumsubstrates 2 geringfügig höher als die Oberseite des links dargestellten Siliziumsubstrates 2, so kann unter einer gewissen elastischen Verformung der Welle 22 die rechts dargestellte Gegenrolle 7 nach oben ausweichen, während die links dargestellte Gegenrolle 7 in Anlage an der Oberseite des zugeordneten Siliziumsubstrates 2 bleibt. Auf diese Weise ist es möglich, die Siliziumsubstrate 2 auch bei geometrischen Abweichungen voneinander schonend durch die Behandlungsflüssigkeit 14 zu führen, so daß ein Brechen der Siliziumsubstrate 2 ausgeschlossen ist.The wave 22 is flexible in its choice of material and choice of geometry. Ie, that's the wave 22 already under small forces can turn out. This has the consequence that the vertical position of two on the same shaft 22 lying counter rolls 7 , as in 2 represented, does not need to be the same. For example, is the top of the in 2 right silicon substrate 2 slightly higher than the top of the silicon substrate shown on the left 2 , so under some elastic deformation of the shaft 22 the counter-roll shown on the right 7 dodge upwards while the counter roller shown on the left 7 in abutment with the top of the associated silicon substrate 2 remains. In this way it is possible to use the silicon substrates 2 even with geometric deviations from each other gently by the treatment liquid 14 lead, causing a breakage of the silicon substrates 2 is excluded.

Da bei den hier interessierenden Anwendungsgebieten der an die Siliziumsubstrate 2 zu leitende Strom vergleichsweise gering ist, reicht der dünne Querschnitt der Welle 22 zum Führen dieses Stromes durchaus aus. Beispielsweise muß bei einer Solarplatte, die Abmessungen von 180 mal 80 mm mit etwa 0,25 dm2 leitender Ober fläche aufweist, bei einer Stromdichte von 0,5 A/dm2 ein Strom von 0,125 A übertragen werden. Besitzt die Vorrichtung 1 beispielsweise sechs parallele Spuren, sind dies 0,75 A pro Welle 22. Bei diesen niedrigen Strömen reicht auch ein geringer Anpreßdruck der Gegenrolle 7 aus, was für einen schonenden Durchlauf der Siliziumsubstrate 2 sorgt. Als Durchmesser der Welle 22 kommt ein Bereich zwischen etwa 1 und etwa 4 mm in Betracht, wenn sie aus Metall, insbesondere Edelstahl, gefertigt ist.Since in the fields of application of interest to the silicon substrates 2 the current to be conducted is comparatively low, the thin cross-section of the shaft is sufficient 22 to lead this stream quite. For example, in a solar panel having dimensions of 180 by 80 mm with about 0.25 dm 2 conductive surface, at a current density of 0.5 A / dm 2, a current of 0.125 A must be transmitted. Owns the device 1 For example, six parallel tracks, 0.75 A per wave 22 , At these low currents, a low contact pressure of the counter-roll is sufficient 7 what a gentle pass of the silicon substrates 2 provides. As the diameter of the shaft 22 is a range between about 1 and about 4 mm into consideration, if it is made of metal, especially stainless steel.

In 3 ist ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung in einem Schnitt dargestellt, der demjenigen der 2 entspricht. Beide Ausführungsbeispiele ähneln sehr stark einander; daher sind entsprechende Komponenten in 3 mit demselben Bezugszeichen wie in 2 zuzüglich 100 gekennzeichnet. Der einzige Unterschied besteht darin, daß auf derselben Welle 122 nicht, wie beim Ausführungsbeispiel der 2, pro "Spur" nicht nur eine (mittige) Gegenrolle 7 sondern zwei randseitig auf den Siliziumsubstraten 102 abrollende Gegenrollen 107, 107' vorgesehen sind. Diese Ausführungsform wird bei Siliziumsubstraten 102 größerer Abmessungen verwendet und vermeidet Durchbiegungen in deren mittlerem Bereich.In 3 a second embodiment of the invention is shown in a section similar to that of 2 equivalent. Both embodiments are very similar to each other; therefore, corresponding components are in 3 with the same reference number as in FIG 2 plus 100 characterized. The only difference is that on the same wave 122 not, as in the embodiment of 2 , not just one (central) counter-roll per "track" 7 but two edges on the silicon substrates 102 rolling counter rolls 107 . 107 ' are provided. This embodiment is used with silicon substrates 102 larger dimensions used and avoids deflections in the middle range.

Ein drittes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung 201 zur galvanischen Verstärkung von auf Siliziumsubstraten 202 aufgebrachten metallischen Leiterzügen ist Gegenstand der 4 bis 6. Auch dieses dritte Ausführungsbeispiel ähnelt sehr stark den beiden oben beschriebenen. Soweit Teile in den 4 bis 6 solchen des Ausführungsbei spiels der 1 und 2 entsprechen, sind diese mit demselben Bezugszeichen zuzüglich 200 gekennzeichnet.A third embodiment of a device 201 for galvanic reinforcement of on silicon substrates 202 applied metallic circuit traces is the subject of 4 to 6 , Also, this third embodiment is very similar to the two described above. As far as parts in the 4 to 6 those of the Ausführungsbei game of 1 and 2 These are the same reference number plus 200 characterized.

Die Ausbildung der beiden "Spuren" des Transportsystemes mit den Transportrollen 203, den Seitenführungsrollen 220 und den diese miteinander verbindenden Achsen 206 entspricht vollständig derjenigen der beiden vorher beschriebenen Ausführungsbeispiele. Die Unterschiede liegen ausschließlich in der Art, in welcher die Gegenrollen 207 gehaltert sind.The formation of the two "tracks" of the transport system with the transport rollers 203 , the side guide rollers 220 and the axes connecting them 206 completely corresponds to that of the two previously described embodiments. The differences lie exclusively in the way in which the counter-roles 207 are held.

Das Ausführungsbeispiel der 4 bis 6 ähnelt insofern stärker dem Ausführungsbeispiel der Ansprüche 1 und 2, als jeder Spur nur ein Satz von Gegenrollen 207 zugeordnet ist, die jeweils in der Mitte zwischen den Transportrollen 203 auf der Oberfläche der Siliziumsubstrate 202 abrollen. Die Gegenrollen 203 sind jedoch nicht direkt mit der Welle 222 verbunden, wie dies bei den beiden vorausgegangenen Ausführungsbeispielen der Fall war. Vielmehr sind sie in einem gabelartigen Endbereich eines Schwenkarmes 140 gelagert, der seinerseits mit seinem gegenüberliegenden Ende um die Welle 222 verdreh- bzw. verschwenkbar angebracht ist. Die Welle 222 kann bei diesem Ausführungsbeispiel starr sein, braucht also zur Vermeidung übergroßer, auf die Siliziumsubstrate 202 wirkender Kräfte nicht flexibel zu sein. Ersichtlich können sich die beiden Gegenrollen 203 unabhängig voneinander in vertikaler Richtung unter entsprechender Schwenkbewegung um die Welle 222 bewegen und ermöglichen somit einen Anpreßdruck, der weitgehend unabhängig von geometrischen Abweichungen in den Siliziumsubstraten 202 und der Vorrichtung 201 selbst sind.The embodiment of 4 to 6 so far more closely resembles the embodiment of claims 1 and 2, as each track only a set of counter-rollers 207 is assigned, each in the middle between the transport rollers 203 on the surface of the silicon substrates 202 roll. The counter-rolls 203 However, they are not directly related to the wave 222 connected, as was the case with the two previous embodiments. Rather, they are in a fork-like end of a swing arm 140 mounted, in turn, with its opposite end around the shaft 222 is mounted rotatable or pivotable. The wave 222 can be rigid in this embodiment, so needs to avoid oversized, on the silicon substrates 202 acting forces are not flexible. The two opposing roles can be seen clearly 203 independently in the vertical direction with corresponding pivotal movement about the shaft 222 thus move and allow a contact pressure, which is largely independent of geometric variations in the silicon substrates 202 and the device 201 themselves are.

Die Kraft, mit welcher die Gegenrollen 203 auf den Siliziumsubstraten 202 aufliegen, ist im wesentlichen durch das Gewicht derjenigen schwenkbaren Einheit bestimmt, welche den Schwenkarm 240 und die darin gelagerte Gegenrolle 203 umfaßt. Sie kann gegebenenfalls durch ein Gegengewicht eingestellt werden.The force with which the counter-rolls 203 on the silicon substrates 202 rest, is essentially determined by the weight of that pivotal unit, which the swivel arm 240 and the counter-role stored in it 203 includes. It can optionally be adjusted by a counterweight.

Claims (5)

Vorrichtung zum Behandeln von flachen, zerbrechlichen Substraten, insbesondere für die Halbleiter- und Solarindustrie, mit a) einer Behandlungskammer, in welcher die Substrate mit einer Behandlungsflüssigkeit beaufschlagt werden können; b) einer Transporteinrichtung, mit welcher die Substrate in einer Mehrzahl von zueinander parallelen Spuren im horizontalen Durchlauf durch die Behandlungskammer geführt werden können; c) mindestens einer Gegenhalteeinrichtung, welche an der nach oben zeigenden Seite der Substrate angreift, deren Abheben von der Transporteinrichtung verhindert und eine durchgehende, mehrere Spuren übergreifende Welle umfasst, an welcher eine Mehrzahl von Gegenhalteelementen befestigt ist; dadurch gekennzeichnet, dass d) die Gegenhalteeinrichtung (7, 22; 107, 122; 207, 222) so ausgebildet ist, dass die einzelnen Gegenhalteelemente (7; 107; 207) in vertikaler Richtung unabhängig voneinander bewegbar und so in der Lage sind, auf die Substrate (2; 102; 202) einen von deren Dicke im wesentlichen unabhängigen Druck auszuüben.Device for treating flat, fragile substrates, in particular for the semiconductor and solar industries, having a) a treatment chamber in which the substrates can be exposed to a treatment liquid; b) a transport device with which the substrates can be guided in a plurality of mutually parallel tracks in the horizontal passage through the treatment chamber; c) at least one counter-holding device, which acts on the upward-facing side of the substrates, prevents their lifting from the transport device and comprises a continuous, multi-track shaft to which a plurality of counter-holding elements is attached; characterized in that d) the counter-holding device ( 7 . 22 ; 107 . 122 ; 207 . 222 ) is formed so that the individual counter holding elements ( 7 ; 107 ; 207 ) are movable independently of one another in the vertical direction and are thus capable of acting on the substrates ( 2 ; 102 ; 202 ) exert a pressure substantially independent of the thickness thereof. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Welle (22; 122), an welcher die Gegenhalteelemente (7; 107) angeordnet sind, flexibel und hierzu so dünn und aus einem solchen Material ausgebildet ist, dass sie sich bei einer Kraftbeaufschlagung nach oben durch die einzelnen Gegenhalteelemente (7; 107) elastisch ausbiegen kann und die Größe der Kraft, mit welcher die Gegenhalteelemente (7; 107) gegen das Substrat (2; 102) wirken, unterhalb deren Bruchgrenze bleibt.Device according to claim 1, characterized in that the shaft ( 22 ; 122 ), on which the counter-holding elements ( 7 ; 107 ) are arranged, flexible and this is so thin and made of such a material that they are at a force application up through the individual counter-holding elements ( 7 ; 107 ) and the magnitude of the force with which the counter-holding elements ( 7 ; 107 ) against the substrate ( 2 ; 102 ), below the breaking point remains. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenhalteelemente (207) an einem Schwenkarm (240) befestigt sind, die gegenüber der Welle (222) verschwenkbar ist.Device according to claim 1, characterized in that the counter-holding elements ( 207 ) on a swivel arm ( 240 ), which are opposite the shaft ( 222 ) is pivotable. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenhalteelemente (7; 107; 207) zugleich als Kontaktelemente zur Zufuhr eines Stroms zum Substrat (2; 102; 202) dienen und die Welle (22; 122; 222) als Stromzufuhr zu den Gegenhalteelementen (7; 107; 207) ausgebildet ist.Device according to one of the preceding claims, characterized in that the counter-holding elements ( 7 ; 107 ; 207 ) at the same time as contact elements for supplying a current to the substrate ( 2 ; 102 ; 202 ) and the wave ( 22 ; 122 ; 222 ) as power supply to the counter-holding elements ( 7 ; 107 ; 207 ) is trained. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenhalteelemente Rollen (7; 107; 207) sind.Device according to one of the preceding claims, characterized in that the counter-holding elements rollers ( 7 ; 107 ; 207 ) are.
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