DE102006004636A1 - Cooling system for electronic microchips has a heat sink, a heat exchanger and a pump to circulate a liquid between the heat sink and the heat exchanger via connection tubes - Google Patents

Cooling system for electronic microchips has a heat sink, a heat exchanger and a pump to circulate a liquid between the heat sink and the heat exchanger via connection tubes Download PDF

Info

Publication number
DE102006004636A1
DE102006004636A1 DE200610004636 DE102006004636A DE102006004636A1 DE 102006004636 A1 DE102006004636 A1 DE 102006004636A1 DE 200610004636 DE200610004636 DE 200610004636 DE 102006004636 A DE102006004636 A DE 102006004636A DE 102006004636 A1 DE102006004636 A1 DE 102006004636A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heat
cooling system
heat sink
metal
heat exchanger
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE200610004636
Other languages
German (de)
Inventor
Ming-Hang Hwang
Yu-Chiang Cheng
Chao-Yi Chen
Ping-Feng Lee
Hsin-Lung Kuo
Bin-Wei Lee
Wei-Chung Hsiao
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Getac Technology Corp
Original Assignee
Mitac Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitac Technology Corp filed Critical Mitac Technology Corp
Publication of DE102006004636A1 publication Critical patent/DE102006004636A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
    • F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F21/00—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F21/00—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials
    • F28F21/02—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials of carbon, e.g. graphite
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F3/00—Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
    • F28F3/12—Elements constructed in the shape of a hollow panel, e.g. with channels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3732—Diamonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2255/00—Heat exchanger elements made of materials having special features or resulting from particular manufacturing processes
    • F28F2255/14—Heat exchanger elements made of materials having special features or resulting from particular manufacturing processes molded
    • F28F2255/143—Heat exchanger elements made of materials having special features or resulting from particular manufacturing processes molded injection molded
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F3/00—Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
    • F28F3/02—Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations
    • F28F3/04—Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations the means being integral with the element
    • F28F3/048—Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations the means being integral with the element in the form of ribs integral with the element or local variations in thickness of the element, e.g. grooves, microchannels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/467—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing gases, e.g. air
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Made from heat-conducting material containing metal and a crystalline carbon, a heat sink (33) can absorb a microchip's operating heat. A heat exchanger (34) serves to draw heat off. Two or more connection tubes (351) interlink the heat sink with the heat exchanger. A pump (35) brings a liquid via the tubes in a circuit between the heat sink and the heat exchanger. An independent claim is also included for a method for producing a heat sink.

Description

Technisches Gebiettechnical area

Die Erfindung betrifft ein Kühlsystem für Chip, dessen Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung des Kühlkörpers, wobei der Kühlkörper aus einem wärmeleitenden Material hergestellt wird, das ein Metall und einen kristallinen Kohlenstoff enthält.The The invention relates to a cooling system for chip, its heat sink and Method for producing the heat sink, wherein the heat sink off a thermally conductive Material is made, which is a metal and a crystalline Contains carbon.

Die große integrierte Schaltung, die die Halbleitertechnik verwendet, findet in der letzten Zeit eine breite Anwendung, wie Personalcomputer, Netzwerkserver, RAM, Treiberschaltung, Haushaltsgerät usw. Dadurch bekommt die Entwick lung der Halbleitertechnik einen großen Sprung. Die Entwicklung der Halbleitertechnik ist sogar ein Schwerkpunkt des wirtschaftlichen Entwicklungsplanes der Regiergung, um die internationale Wettbewerbsfähigkeit des Landes zu erhöhen.The size integrated circuit, which uses the semiconductor technology finds Recently, a broad application, such as personal computers, Network server, RAM, driver circuit, home appliance, etc. This gets the development of semiconductor technology has taken a big leap forward. The development Semiconductor technology is even a major point of the economic Development plan of governance to international competitiveness of the country.

Eine kompakte Form und eine hohe Dichte sind Ziele der Entwicklung der Halbleitertechnik. Die Hersteller der Halbleiterprodukte investieren alle eine enorme Summe in der Entwicklung der Halbleitertechnik, insbesondere Zentraleinheit, da sie das Kernstück des Personalcomputers und Servers ist. Die Leistung des Personalcomputers und des Servers ist von der Zentraleinheit abhängig. Die Abwärme der elektronischen Baulemente, wie Zentraleinheit, muß abgeführt werden, um eine Beschädigung durch die Abwärme zu vermeiden.A compact shape and high density are goals of the development of Semiconductor technology. The manufacturers of semiconductor products invest all an enormous sum in the development of semiconductor technology, in particular Central unit, as it is the centerpiece of the personal computer and Servers is. The performance of the personal computer and the server depends on the central unit. The waste heat the electronic components, such as the central unit, must be removed, about damage through the waste heat to avoid.

1 zeigt ein herkömmliches Luftkühlsystem 1 für Chip, das aus einem Chip 11, einer Basisplatte und einem Kühlkörper 13 besteht. Der Chip 11 kann eine Zentraleinheit sein und weist eine Vielzahl von Anschlüssen 111 auf, die zur Verbindung mit der Basisplatte 12 dienen. Die Basisplatte 12 kann die Platine sein. Der Kühlkörper 13 umfaßt einen Kühlventilator 131 und wird mittels eines Kühlklebers 132 auf dem Chip 11 geklebt. Die Betriebswärme des Chips 11 wird von dem Kühlkleber 132 auf den Kühlkörper 13 geleitet. Durch den Luftstrom aus dem Kühlventilator 131 kann die wärme abgeführt werden. 1 shows a conventional air cooling system 1 for a chip that comes from a chip 11 , a base plate and a heat sink 13 consists. The chip 11 may be a central unit and has a plurality of terminals 111 on, for connection to the base plate 12 serve. The base plate 12 may be the board. The heat sink 13 includes a cooling fan 131 and is using a cooling adhesive 132 on the chip 11 glued. The operating heat of the chip 11 is from the cooling glue 132 on the heat sink 13 directed. By the air flow from the cooling fan 131 the heat can be dissipated.

Bei diesem Kühlsystem ist die Kühlwirkung durch die Größe und die Drehzahl des Kühlventilators 131 begrenzt. Daher kann die Betriebswärme des Chips nicht vollständig abgeführt werden, wodurch der Betrieb des Chips beeinflußt wird.In this cooling system, the cooling effect is due to the size and speed of the cooling fan 131 limited. Therefore, the operating heat of the chip can not be completely dissipated, thereby affecting the operation of the chip.

2 zeigt ein herkömmliches Wasserkühlsystem 2 für Chip, das aus einem Chip 21, einer Basisplatte 22, einem Kühlkörper 23, einem Wärmeaustauscher 24 und einer Pumpe 25 besteht. Der Chip 21 kann eine Zentraleinheit sein und weist eine Vielzahl von Anschlüssen 211 auf, die zur Verbindung mit der Basisplatte 22 dienen. Die Basisplatte 32 kann die Platine sein. Der Kühlkörper 23 kann mittels eines Kühlklebers 231 auf dem Chip 21 geklebt werden. Die Pumpe 25, der Kühlkörper 23 und der Wärmeaustauscher 24 können über Verbindungsrohre 251 miteinander verbunden werden. Die Pumpe 25 kann das Wasser (nicht dargestellt) über die Verbindungsrohre 251 in einen Kreislauf zwischen dem Kühlkörper 23 und dem Wärmeaustauscher 24 bringen. 2 shows a conventional water cooling system 2 for a chip that comes from a chip 21 , a base plate 22 , a heat sink 23 , a heat exchanger 24 and a pump 25 consists. The chip 21 may be a central unit and has a plurality of terminals 211 on, for connection to the base plate 22 serve. The base plate 32 may be the board. The heat sink 23 can by means of a cooling glue 231 on the chip 21 to be glued. The pump 25 , the heat sink 23 and the heat exchanger 24 can via connecting pipes 251 be connected to each other. The pump 25 can the water (not shown) through the connecting pipes 251 in a circuit between the heat sink 23 and the heat exchanger 24 bring.

Die Betriebswärme des Chips 21 wird von dem Kühlkleber 231 auf den Kühlkörper 23 geleitet. Die Wärme des Kühlkörpers 23 wird von der Flüssigkeit (wie Wasser) in den Wärmeaustauscher 24 geführt. Das Wärmeaustauscher 24 umfaßt einen Lüfter 241, der einen Luftstrom erzeugt, der die Wärme des Wärmeaustauschers 24 abführen kann.The operating heat of the chip 21 is from the cooling glue 231 on the heat sink 23 directed. The heat of the heat sink 23 gets from the liquid (like water) into the heat exchanger 24 guided. The heat exchanger 24 includes a fan 241 which generates a flow of air which is the heat of the heat exchanger 24 can dissipate.

Bei diesem Wasserkühlsystem wird die wärme von dem Wasser, das einen hohen spezifischen Wärmekoeffizient besitzt und von der Pumpe 25 in Kreislauf gebracht wird, kontinuierlich in den Wärmeaustauscher 24 geführt, so daß die Kühlwirkung erhöht wird. Da der Wärmeaustauscher 24 nicht auf der Basisplatte 22 angeordnet ist, ist seine Größe nicht begrenzt. Daher kann ein größerer Wärmeaustauscher verwendet werden, wenn die Kühlanforderung höher ist.In this water cooling system, the heat from the water, which has a high specific heat coefficient and the pump 25 is brought into circulation continuously in the heat exchanger 24 guided, so that the cooling effect is increased. Because the heat exchanger 24 not on the base plate 22 is arranged, its size is not limited. Therefore, a larger heat exchanger can be used if the cooling requirement is higher.

3 zeigt den Kühlkörper 23 in 2, der durch eine obere Hälfte 232 und eine untere Hälfte 233 gebildet ist, die identisch aufgebaut sind. Die untere Hälfte 233 weist zwei halbkreisförmige Öffnungen 2331 und eine Nut 2332 auf. Die obere Hälfte 232 umfaßt ebenfalls zwei halbkreisförmige Öffnungen 2321 und eine Nut (nicht dargestellt) auf. Wenn die obere und untere Hälfte 232, 233 miteinander verbunden sind, bilden die halbkreisförmigen Öffnungen 2321, 2331 zwei runde Öffnungen für die Verbindungsrohre 251. Die Nuten der oberen und unteren Hälfte 232, 233 bilden einen Kanal für die Flüssigkeit. Daher kann die Flüssigkeit durch den Kühlkörper 23 fließen und die wärme des Kühlkörpers 23 abführen. 3 shows the heat sink 23 in 2 that by an upper half 232 and a lower half 233 is formed, which are identical. The lower half 233 has two semicircular openings 2331 and a groove 2332 on. The upper half 232 also includes two semicircular openings 2321 and a groove (not shown). If the upper and lower half 232 . 233 connected to each other, form the semicircular openings 2321 . 2331 two round openings for the connecting pipes 251 , The grooves of the upper and lower half 232 . 233 form a channel for the liquid. Therefore, the liquid can through the heat sink 23 flow and the heat of the heat sink 23 dissipate.

Die Fließgeschwindigkeit der Flüssigkeit kann durch die Pumpe erhöht werden. wenn das Material des Kühlkörpers eine schlechte Wärmeleitfähigkeit aufweist, kann er die Wärme nicht rechtzeitig in die Flüssigkeit leiten. Das Material des Kühlkörpers ist üblicherweise Aluminium, Kupfer, Silber oder deren Legierung. Dieses Material kann jedoch nicht mehr die Kühlanforderung der Zentraleinheit mit immer höherer Leistung erfüllen.The flow rate the liquid can be increased by the pump become. if the material of the heat sink a poor thermal conductivity has, he can heat Do not pour into the liquid in time. The material of the heat sink is usually Aluminum, copper, silver or their alloy. This material However, it can no longer meet the cooling requirement the central unit with ever higher Achieve performance.

Der Diamant ist durch eine hohe Härte, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine große Brechung und eine Korrosionsbeständigkeit gekennzeichnet und findet somit in der Industrie eine breite Anwendung. Der Wärmeleitungskoeffizent des Diamantes ist das Fünffache des Wärmeleitungskoeffizentes des Kupfers, insbesondere bei höherer Temperatur. Der natürliche Diamant ist sehr teuer. Daher wurden verschiedene Verfahren entwickelt, den synthetischen Diamant herzustellen. Zur Erzeugung einer Diamantschicht aus Gasen von der Kohlenwasserstoffreihe sind mehrere Verfahren bekannt, wie MPCVD (mikrowellenplasma-unterstützte Gasphasenabscheidung) und HFCVD (Hot-Filament-CVD). Dadurch kann eine polykristalline Diamantschicht erhalten werden, deren Eigenschaf ten mit denen des natürlichen einkristallinen Diamantes identisch sind.Of the Diamond is by a high hardness, a high thermal conductivity, a big Refraction and corrosion resistance characterized and thus finds in the industry a wide application. The heat conduction coefficient of the diamond is five times the Wärmeleitungskoeffizentes of copper, especially at higher Temperature. The natural one Diamond is very expensive. Therefore, different methods have been developed to produce the synthetic diamond. For producing a diamond layer from hydrocarbons are several processes known as MPCVD (microwave plasma assisted vapor deposition) and HFCVD (Hot Filament CVD). This can be a polycrystalline Diamond layer are obtained, whose properties with those of the natural monocrystalline Diamantes are identical.

Daher hat der Erfinder ein wärmleitendes Material entwickelt, das ein Metall und einen kristallinen Kohlenstoff (wie Diamant) enthält, wodurch der Wärmeleitungskoeffizient des Materials erheblich erhöht wird. In Anbetracht der Nachteile herkömmlicher Lösungen hat der Erfinder, basierend auf langjähriger Erfahrung in diesem Bereich, nach langem Studium, zahlreichen Versuchen und unentwegten Verbesserungen die vorliegende Erfindung entwickelt.Therefore the inventor has a conductive Material developed that has a metal and a crystalline carbon contains (like diamond), whereby the heat conduction coefficient material significantly increased becomes. In view of the disadvantages of conventional solutions, the inventor has based on longtime Experience in this area, after a long study, numerous experiments and unceasing improvements to the present invention.

Aufgabe der ErfindungTask of invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kühlsystem für Chip, dessen Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung des Kühlkörpers zu schaffen, wobei das Kühlsystem aus einem Kühlkörper, einem Wärmeaustauscher, einer Pumpe und mindestens zwei Verbindungsrohren besteht, wobei der Kühlkörper aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist, das ein Metall und einen kristallinen Kohlenstoff enthält. Der kristalline Kohlenstoff ist auf der Oberfläche des Metalls beschichtet oder das Metall ist mit dem kristallinen Kohlenstoff dotiert oder deren Kombination. Das wärmeleitende Material kann durch CVD-Verfahren, PVD-Verfahren, Zusammenschmelzen, Spritzgießen oder dergleichen hergestellt werden. Da der kristalline Kohlenstoff einen hohen Wärmeleitungskoeffizient aufweist, wird die Kühlwirkung erhöht.Of the Invention is based on the object, a cooling system for chip, the heat sink and Process for the production of the heat sink too create, with the cooling system from a heat sink, a Heat exchanger, a pump and at least two connecting tubes, wherein the heat sink off a thermally conductive Material is made, which is a metal and a crystalline Contains carbon. The crystalline carbon is coated on the surface of the metal or the metal is doped with the crystalline carbon or their combination. The thermally conductive Material can be processed by CVD, PVD, fusing, injection molding or the like. Because the crystalline carbon a high heat transfer coefficient has, the cooling effect elevated.

Dadurch kann die Erfindung eine hohe Kühlwirkung erreichen und somit die Kühlanforderung des Chips der integrierten Schaltung mit hoher Leistung erfüllen. Daher wird der Betrieb des Chips verbessert.Thereby the invention can have a high cooling effect reach and thus the cooling requirement of the integrated circuit chip with high performance. Therefore the operation of the chip is improved.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den anliegenden Zeichnungen.Further Details, features and advantages of the invention will become apparent the following detailed description of a preferred embodiment in conjunction with the attached drawings.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenShort description the drawings

1 eine Darstellung des herkömmlichen Luftkühlsystemes für Chip, 1 a representation of the conventional air cooling system for chip,

2 eine Darstellung des herkömmlichen Wasserkühlsystemes für Chip, 2 an illustration of the conventional water cooling system for chip,

3 eine Explosionsdarstellung des herkömmlichen Kühlkörpers, 3 an exploded view of the conventional heat sink,

4 eine Darstellung des erfindungsgemäßen Kühlsystemes, 4 a representation of the cooling system according to the invention,

5 eine Explosionsdarstellung des erfindungsgemäßen Kühlkörpers, 5 an exploded view of the heat sink according to the invention,

6 eine Explosionsdarstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Kühlkörpers, 6 an exploded view of another heat sink according to the invention,

7 ein Herstellungsverfahren des erfindungsgemäßen Kühlkörpers, 7 a manufacturing method of the heat sink according to the invention,

8 ein weiteres Herstellungsverfahren des erfindungsgemäßen Kühlkörpers, 8th a further production method of the heat sink according to the invention,

9 ein nochmals weiteres Herstellungsverfahren des erfindungsgemäßen Kühlkörpers. 9 a still further manufacturing method of the heat sink according to the invention.

Wege zur Ausführung der ErfindungWays to execute the invention

4 zeigt das erfindungsgemäße Kühlsystem 3, das aus einem Chip 31, einer Basisplatte 32, einem Kühlkörper 33, einem Wärmeaustauscher 34 und einer Pumpe 35 besteht. Der Chip 31 kann eine Zentraleinheit sein und weist eine Vielzahl von Anschlüssen 311 auf, die zur Verbindung mit der Basisplatte 32 dienen. Die Basisplatte 32 kann die Platine sein. Der Kühlkörper 33 kann mittels eines Kühlklebers 331 auf dem Chip 31 geklebt werden. Die Pumpe 35, der Kühlkörper 33 und der Wärmeaustauscher 34 können über Verbindungsrohre 351 miteinander verbunden werden. Die Pumpe 35 kann eine Flüssigkeit mit hohem spezifischen Wärmekoeffizient (nicht dargestellt) über die Verbindungsrohre 351 in einen Kreislauf zwischen dem Kühlkörper 33 und dem Wärmeaustauscher 34 bringen. Der Kühlkörper ist aus einem wärmeleitenden Material hergestellt, das ein Metall und einen kristallinen Kohlenstoff enthält. Das Metall kann Kupfer, Aluminium, Silber oder deren Legierung oder andere Metalle mit hohem Wärmeleitungskoeffizient und der Kohlenstoff kann Diamant sein. Der Kohlenstoff ist auf der Oberfläche des Metalls beschichtet oder das Metall ist mit dem Kohlenstoff dotiert oder deren Kombination. 4 shows the cooling system according to the invention 3 that made a chip 31 , a base plate 32 , a heat sink 33 , a heat exchanger 34 and a pump 35 consists. The chip 31 may be a central unit and has a plurality of terminals 311 on, for connection to the base plate 32 serve. The base plate 32 may be the board. The heat sink 33 can by means of a cooling glue 331 on the chip 31 to be glued. The pump 35 , the heat sink 33 and the heat exchanger 34 can via connecting pipes 351 be connected to each other. The pump 35 can a liquid with high specific heat coefficient (not shown) through the connecting pipes 351 in a circuit between the heat sink 33 and the heat exchanger 34 bring. The heat sink is made of a thermally conductive material containing a metal and a crystalline carbon. The metal may be copper, aluminum, silver or their alloy or other high thermal conductivity coefficient metals and the carbon may be diamond. The carbon is coated on the surface of the metal or the metal is doped with the carbon or their combination.

Die Betriebswärme des Chips 31 wird von dem Kühlkleber 331 auf den Kühlkörper 33 geleitet. Die Wärme des Kühlkörpers 33 wird von der Flüssigkeit (wie Wasser) in den Wärmeaustauscher 34 geführt. Der Wärmeaustauscher 34 umfaßt einen Lüfter 341, der einen Luftstrom erzeugt, der die Wärme des Wärmeaustauschers 34 abführen kann.The operating heat of the chip 31 is from the cooling glue 331 on the heat sink 33 directed. The heat of the heat sink 33 gets from the liquid (like water) into the heat exchanger 34 guided. The heat exchanger 34 includes a fan 341 which generates a flow of air which is the heat of the heat exchanger 34 can dissipate.

5 zeigt eine Explosionsdarstellung des Kühlkörpers 33, der durch eine obere Hälfte 332 und eine untere Hälfte 333 gebildet sind, die identisch aufgebaut sind. Die untere Hälfte 333 weist zwei halbkreisförmige Öffnungen 3331 und eine Nut 3332 auf. Die obere Hälfte 332 umfaßt ebenfalls zwei halbkreisförmige Öffnungen 3321 und eine Nut (nicht dargestellt) auf. Wenn die obere und untere Hälfte 332, 333 miteinander verbunden sind, bilden die halbkreisförmigen Öffnungen 3321, 3331 zwei runde Öffnungen für die Verbindungsrohre 351. Die Nuten der oberen und unteren Hälfte 332, 333 bilden einen Kanal für die Flüssigkeit. Daher kann die Flüssigkeit durch den Kühlkörper 33 fließen und die Wärme des Kühlkörpers 33 abführen. 5 shows an exploded view of the heat sink 33 that by an upper half 332 and a lower half 333 are formed, which are identical. The lower half 333 has two semicircular openings 3331 and a groove 3332 on. The upper half 332 also includes two semicircular openings 3321 and a groove (not shown). If the upper and lower half 332 . 333 connected to each other, form the semicircular openings 3321 . 3331 two round openings for the connecting pipes 351 , The grooves of the upper and lower half 332 . 333 form a channel for the liquid. Therefore, the liquid can pass through the heat sink 33 flow and the heat of the heat sink 33 dissipate.

Wie obengenannt ist der Kühlkörper 33 aus einem wärmeleitenden Material hergestellt, wodurch der Kühlkörper 33 die Wärme schnell in die Flüssigkeit abgeben kann. Da die Flüssigkeit durch die Pumpe 35 zyklisch zwischen dem Kühler 33 und dem Wärmeaustauscher 34 fließt, kann die Wärme des Kühlkörpers 33 kontinuierlich abgeführt werden. Durch den Lüfter 341 (wie ein Kühlventilator) kann die Wärme des Wärmeaustauschers schnell in die Außenluft geführt werden. Daher wird die Kühlwirkung des gesamten Kühlsystemes erhöht, so daß die Betriebswärme des Chips 31 wirkungsvoll abgeführt werden kann.As mentioned above, the heat sink 33 made of a thermally conductive material, causing the heat sink 33 which can quickly release heat into the liquid. Because the liquid through the pump 35 cyclically between the radiator 33 and the heat exchanger 34 flows, can heat the heat sink 33 be continuously discharged. Through the fan 341 (like a cooling fan), the heat of the heat exchanger can be quickly fed into the outside air. Therefore, the cooling effect of the entire cooling system is increased, so that the operating heat of the chip 31 can be effectively dissipated.

6 zeigt eine weitere Ausführungsform der unteren Hälfte 333 des Kühlkörpers 33, wobei in der Nut 3332 eine Vielzahl von Kühlrippen 3333 angeordnet sind, durch die die Kontaktfläche der Flüssigkeit mit dem Kühlkörper 33 vergrößert wird, so daß die Flüssigkeit schneller die Wärme des Kühlkörpers 33 absorbieren kann. Die Kühlrippen 3333 sind aus dem erfindungsgemäßen wärmeleitenden Material hergestellt, das ein Metall und einen kristallinen Kohlenstoff enthält. 6 shows a further embodiment of the lower half 333 of the heat sink 33 , where in the groove 3332 a variety of cooling fins 3333 are arranged, through which the contact surface of the liquid with the heat sink 33 is increased, so that the liquid faster the heat of the heat sink 33 can absorb. The cooling fins 3333 are made of the thermally conductive material of the invention containing a metal and a crystalline carbon.

7 zeigt ein Herstellungsverfahren des Kühlkörpers, das ein bekanntes Spritzgußverfahren 4 für Metall ist, das einen Formmassebehälter 41, ein Spritzgerät 42 und ein Formwerkzeug verwendet. Die Formmasse wird von dem Spritzgerät 42 in die Formhöhle 44 des Formwerkzeuges 43 gespritzt. Die Formmasse ist die Schmelze eines Metalls und eines kristallinen Kohlenstoffs. Das Metall kann Kupfer, Aluminium, Silber oder deren Legierung oder andere Metalle mit hohem Wärmeleitungskoeffizient sein. Der Schmelzpunkt des Kohlenstoffs ist höher als der des Metalls. Die Form der Formhöhle 44 entspricht der des Formteiles, wie die untere Hälfte 333 in 5. In gleicher Weise kann die obere Hälfte 332 in 5 geformt werden. Danach werden die obere und untere Hälfte 332, 333 miteinander verbunden (wie durch Löten), so daß der Kühlkörper 33 in 4 erhalten wird. 7 shows a manufacturing method of the heat sink, which is a known injection molding process 4 for metal, that is a molding material container 41 , a sprayer 42 and a mold used. The molding compound is sprayed by the sprayer 42 into the mold cavity 44 of the mold 43 injected. The molding compound is the melt of a metal and a crystalline carbon. The metal may be copper, aluminum, silver or their alloy, or other high thermal conductivity coefficient metals. The melting point of the carbon is higher than that of the metal. The shape of the mold cavity 44 corresponds to that of the molded part, as the lower half 333 in 5 , In the same way, the upper half 332 in 5 be formed. After that, the upper and lower half 332 . 333 connected together (as by soldering), so that the heat sink 33 in 4 is obtained.

8 zeigt ein weiteres Herstellungsverfahren des Kühlkörpers, das ein bekanntes MACVD (mikrowellenplasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung)-Verfahren 5 ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird der kristalline Kohlenstoff auf der Oberfläche des Metalls, insbesondere des Kühlkörpers 33 in 4, abgeschieden. Dabei wird ein Gemisch aus den Reaktionsgasen durch eine Einlaßöffnung 51 in die Reaktionskammer 56 geleitet. Ein Mikrowellenerzeuger 53 erzeugt Mikrowellen, durch die die aktiven Reaktionsionen der Reaktionsgase angeregt und auf der Oberfläche des Metalls 55 auf einem Träger 54 abgeschieden werden, wodurch eine kristalline Kohlenstoffschicht (Diamantschicht) erhalten wird. Das Metall 55, das der in 7 geformte Kühlkörper sein kann, kann Kupfer, Aluminium, Silber oder deren Legierung oder anderen Metalle mit hohem Wärmeleitungskoeffizient sein. Die restlichen Reaktionsgase werden durch eine Auslaßöffnung 56 abgeführt. Dadurch wird das Metall mit einer Diamantschicht beschichtet. Das Metall 55 kann auch die obere oder untere Hälfte 332, 333 in 5 sein, die nach der Beschichtung mit einem kristallinen Kohlenstoff miteinander verbunden werden, so daß der Kühlkörper 33 in 4 erhalten wird. 8th shows another manufacturing method of the heat sink, the a known MACVD (microwave plasma enhanced chemical vapor deposition) method 5 is. In this embodiment, the crystalline carbon on the surface of the metal, in particular the heat sink 33 in 4 , isolated. In this case, a mixture of the reaction gases through an inlet opening 51 in the reaction chamber 56 directed. A microwave generator 53 generates microwaves through which the active reaction ions the reaction gases are excited and on the surface of the metal 55 on a carrier 54 are deposited, whereby a crystalline carbon layer (diamond layer) is obtained. The metal 55 that the in 7 may be shaped heat sink may be copper, aluminum, silver or their alloy or other metals with a high coefficient of thermal conductivity. The remaining reaction gases are passed through an outlet port 56 dissipated. As a result, the metal is coated with a diamond layer. The metal 55 can also be the top or bottom half 332 . 333 in 5 be joined together after coating with a crystalline carbon, so that the heat sink 33 in 4 is obtained.

9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Kühlkörpers, das ein bekanntes Ionenstrahlsputtern 6 ist, das ein PVD (physikalische Gasphasenabscheidung)-Verfahren ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird der kristalline Kohlenstoff auf der Oberfläche des Metalls, insbesondere des Kühlkörpers 33 in 4, abgeschieden. Dabei wird ein Target 61 aus krsitallinem Kohlenstoff verwendet, der mit der Richtung des Ionenstrahls aus dem ersten Ionenstrahler 62 einen Winkel von 45° einschließt. Die durch den Beschuß von dem Ionenstrahl aus dem ersten Ionenstrahler 62 abgedampte Kohlenstoffionen verteilen sich und werden durch die kinetische Energie der Ionen aus dem zweiten Ionenstrahler 63 homogen auf der Oberfläche des Metalls 64 abgelagert, wodurch eine kristalline Kohlenstoffschicht erhalten wird. Das Metall 64, das der in 7 geformte Kühlkörper sein kann, kann Kupfer, Aluminium, Silber oder deren Legierung oder anderen Metalle mit hohem Wärmeleitungskoeffizient sein. Die restlichen Kohlenstoffatome werden durch die Auslaßöffnung 65 abgeführt. Das Metall 64 kann auch die obere oder untere Hälfte 332, 333 in 5 sein, die nach der Beschichtung mit einem kristallinen Kohlenstoff miteinander verbunden werden, so daß der Kühlkörper 33 in 4 erhalten wird. 9 shows another embodiment of the heat sink, which is a known ion beam sputtering 6 that is a PVD (Physical Vapor Deposition) method. In this embodiment, the crystalline carbon on the surface of the metal, in particular the heat sink 33 in 4 , isolated. This becomes a target 61 made of krsitallinem carbon, used with the direction of the ion beam from the first ion beam 62 an angle of 45 °. By the bombardment of the ion beam from the first ion beam 62 evaporated carbon ions are distributed and are due to the kinetic energy of the ions from the second ion beam 63 homogeneous on the surface of the metal 64 deposited, whereby a crystalline carbon layer is obtained. The metal 64 that the in 7 may be shaped heat sink may be copper, aluminum, silver or their alloy or other metals with a high coefficient of thermal conductivity. The remaining carbon atoms are through the outlet 65 dissipated. The metal 64 can also be the top or bottom half 332 . 333 in 5 be joined together after coating with a crystalline carbon, so that the heat sink 33 in 4 is obtained.

Dadurch kann die Erfindung eine hohe Kühlwirkung erreichen und somit die Kühlanforderung des Chips der integrierten Schaltung mit hoher Leistung erfüllen. Die vorstehende Beschreibung stellt nur die bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung dar und soll nicht als Definition der Grenzen und des Bereiches der Erfindung dienen. Alle gleichwertige Änderungen und Modifikationen gehören zum Schutzbereich dieser Erfindung.Thereby the invention can have a high cooling effect reach and thus the cooling requirement of the integrated circuit chip with high performance. The The above description represents only the preferred embodiments of the invention and should not be used as a definition of boundaries and serve the scope of the invention. All equivalent changes and modifications are included to the scope of this invention.

Bezugszeichenliste

Figure 00110001
LIST OF REFERENCE NUMBERS
Figure 00110001

Figure 00120001
Figure 00120001

Claims (26)

Kühlsystem für Chip, bestehend aus einem Kühlkörper (33), der die Betriebswärme des Chips absorbieren kann und aus einem wärmeleitenden Material hergestellt ist, das ein Metall und einen kristallinen Kohlenstoff enthält, einem Wärmeaustauscher (34), der zum Abführen der Wärme dient, mindestens zwei Verbindungsrohren (351), die den Kühlkörper (33) und den Wärmeaustauscher (34) miteinander verbinden, und einer Pumpe (35), die eine Flüssigkeit über die Verbindungsrohre (351) in einen Kreislauf zwischen dem Kühlkörper (33) und dem Wärmeaustauscher (34) bringt.Cooling system for chip, consisting of a heat sink ( 33 ), which can absorb the operating heat of the chip and is made of a thermally conductive material containing a metal and a crystalline carbon, a heat exchanger ( 34 ), which serves to dissipate the heat, at least two connecting pipes ( 351 ), which the heat sink ( 33 ) and the heat exchanger ( 34 ) and a pump ( 35 ), which is a liquid through the connecting pipes ( 351 ) in a circuit between the heat sink ( 33 ) and the heat exchanger ( 34 ) brings. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip eine Zentraleinheit ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the chip is a central unit is. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Kupfer ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the metal is copper. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Silber ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the metal is silver. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Aluminium ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the metal is aluminum. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall ein Metall mit hohem Wärmeleitungskoeffizient ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the metal is a metal high thermal conductivity coefficient is. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der kristalline Kohlenstoff Diamant ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the crystalline carbon Diamond is. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmeleitende Material durch CVD-Verfahren hergestellt ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the heat-conductive material by CVD method is made. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmeleitende Material durch PVD-Verfahren hergestellt ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the heat-conductive material by PVD method is made. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmeleitende Material durch Zusammenschmelzen hergestellt ist.cooling system according to claim 1, characterized in that the heat-conducting material by Melting is made. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (33) durch Spritzgußverfahren geformt ist.Cooling system according to claim 1, characterized in that the heat sink ( 33 ) is molded by injection molding. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (33) eine Vielzahl von Kühlrippen (3333) umfaßt.Cooling system according to claim 1, characterized in that the heat sink ( 33 ) a plurality of cooling fins ( 3333 ). Kühlsystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlrippen (3333) aus dem wärmeleitenden Material hergestellt sind.Cooling system according to claim 12, characterized in that the cooling fins ( 3333 ) are made of the thermally conductive material. Kühlsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeaustauschrohr (34) einen Lüfter (341) umfaßt.Cooling system according to claim 1, characterized in that the heat exchange tube ( 34 ) a fan ( 341 ). Kühlsystem nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Lüfter (341) ein Kühlventilator ist.Cooling system according to claim 14, characterized in that the fan ( 341 ) is a cooling fan. Kühlsystem nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit Wasser ist.cooling system according to claim 14, characterized in that the liquid is water. Verfahren zum Herstellen des Kühlkörpers, das folgende Schritte enthält: ein wärmeleitendes Material, das ein Metall und einen kristallinen Kohlenstoff enthält, bereitstellen, und aus dem wärmeleitendes Material den Kühlkörper (33) spritzgießen, der mindestens zwei Öffnungen und einen Kanal, der mit den Öffnungen verbunden sind, aufweist.A method for producing the heat sink, comprising the steps of: providing a heat conductive material containing a metal and a crystalline carbon, and from the heat conductive material, the heat sink ( 33 ) having at least two openings and a channel, which are connected to the openings has. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Kupfer ist.Method according to claim 17, characterized in that that this Metal is copper. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Silber ist.Method according to claim 17, characterized in that that this Metal is silver. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Aluminium ist.Method according to claim 17, characterized in that that this Metal is aluminum. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall ein Metall mit hohem Wärmeleitungskoeffizient ist.Method according to claim 17, characterized in that that this Metal is a metal with a high coefficient of thermal conductivity is. verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der kristalline Kohlenstoff Diamant ist.Method according to Claim 17, characterized that the crystalline carbon diamond is. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmeleitende Material durch CVD-Verfahren hergestellt ist.Method according to claim 17, characterized in that that this thermally conductive Material produced by CVD process. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmeleitende Material durch PVD-Verfahren hergestellt ist.Method according to claim 17, characterized in that that this thermally conductive Material is made by PVD process. Kühlsystem nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das wärmeleitende Material durch Zusammenschmelzen hergestellt ist.cooling system according to claim 17, characterized in that the heat-conducting material by Melting is made. Kühlsystem nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper (33) durch Spritzgußverfahren geformt ist.Cooling system according to claim 17, characterized in that the heat sink ( 33 ) is molded by injection molding.
DE200610004636 2005-03-02 2006-01-31 Cooling system for electronic microchips has a heat sink, a heat exchanger and a pump to circulate a liquid between the heat sink and the heat exchanger via connection tubes Ceased DE102006004636A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094106354 2005-03-02
TW94106354A TWI283052B (en) 2005-03-02 2005-03-02 Chip heat dissipation system and manufacturing method and structure of heat dissipation device thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006004636A1 true DE102006004636A1 (en) 2006-09-07

Family

ID=36848285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200610004636 Ceased DE102006004636A1 (en) 2005-03-02 2006-01-31 Cooling system for electronic microchips has a heat sink, a heat exchanger and a pump to circulate a liquid between the heat sink and the heat exchanger via connection tubes

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2006245568A (en)
DE (1) DE102006004636A1 (en)
TW (1) TWI283052B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008150596A2 (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Apple Inc. Notebook computer with hybrid diamond heat spreader
EP2056345A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-06 Plansee Se Heat sink module for electronic components or circuits and method for its manufacture

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5259559B2 (en) * 2009-11-30 2013-08-07 株式会社ティラド heatsink
CN110798965B (en) * 2019-11-13 2022-10-14 重庆大学 Controllable active fluid heat dissipation system of electronic component integrated on PCB

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11126870A (en) * 1997-10-21 1999-05-11 Denso Corp Heat sink with integrated fin and production thereof
JP2001024372A (en) * 1999-07-12 2001-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Cooling device and electronic equipment using the same
JP2001339022A (en) * 1999-12-24 2001-12-07 Ngk Insulators Ltd Heat sink material and its manufacturing method
AT7382U1 (en) * 2003-03-11 2005-02-25 Plansee Ag HEAT SINK WITH HIGH HEAT-CONDUCTIVITY
JP2005045003A (en) * 2003-07-22 2005-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Radiator

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008150596A2 (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Apple Inc. Notebook computer with hybrid diamond heat spreader
WO2008150596A3 (en) * 2007-05-31 2009-03-12 Apple Inc Notebook computer with hybrid diamond heat spreader
EP2056345A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-06 Plansee Se Heat sink module for electronic components or circuits and method for its manufacture
WO2009056338A2 (en) * 2007-11-02 2009-05-07 Plansee Se Heat sink module for electronic components or circuits, and method for the production thereof
WO2009056338A3 (en) * 2007-11-02 2009-07-30 Plansee Se Heat sink module for electronic components or circuits, and method for the production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW200633164A (en) 2006-09-16
TWI283052B (en) 2007-06-21
JP2006245568A (en) 2006-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69031651T2 (en) Evaporator with core formation sites formed by etched fiber and process for its manufacture
DE69126686T2 (en) Heat transfer module for ultra high density and silicon applications on silicon packages
DE4121534C2 (en) Cooler
DE60208953T2 (en) Cooling plate with flat hose for liquid cooling of electrical components
EP1406297B1 (en) Microstructure cooling device and use thereof
DE69626662T2 (en) LIQUID-COOLED HEAT SINK FOR COOLING ELECTRONIC COMPONENTS
DE69026055T2 (en) Heat transfer apparatus for an integrated circuit arrangement
DE102005033150A1 (en) Microstructured cooler and its use
DE102008031786B4 (en) LED module with a heat sink
DE10049274B4 (en) Cooling device and method for its production
DE69730601T2 (en) Coolant distributor with cooling tips selectively distributed for electronic components
DE102010043904A1 (en) Power electronics substrate for direct substrate cooling
DE202008009218U1 (en) Heat transfer plate in the manner of a cooling module
DE102004033400A1 (en) Microelectronics unit in cylindrical housing
DE202006021052U1 (en) Heat Pipe Cooler
DE102007050405B4 (en) Electrical power component, in particular power semiconductor module, with a cooling device and method for surface and heat-conducting bonding of a cooling device to an electrical power component
DE102006003754A1 (en) Air cooler system for chips with fan, numerous cooling fins, cooler body and heat exchange tube, with cooler body formed by metal and crystalline carbon of high heat
DE10335197B4 (en) Cooling device for an electronic component, in particular for a microprocessor
DE102006004636A1 (en) Cooling system for electronic microchips has a heat sink, a heat exchanger and a pump to circulate a liquid between the heat sink and the heat exchanger via connection tubes
DE2225491A1 (en) LIQUID HEAT DRAINAGE DEVICE FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS
DE102006004189A1 (en) Cooling system for IC (integrated circuit) chips used in e.g. personal computer, has heat sink connected to heat exchanger by connecting tubes through which liquid from pump circulates to cool IC chip
DE102006009504A1 (en) Component module with cooling fins consisting of connector and numerous cooling fins and made of heat conductive materials containing metal and crystalline carbon with high heat conductive coefficient
DE10249436A1 (en) Heat sink for cooling power component on circuit board, has recess which receives power component, while establishing thermal contact between planar surfaces of heat sink and circuit board
DE112015000153B4 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP0757385A2 (en) Cooling device for electronic circuits

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 23/473 AFI20060131BHDE

8131 Rejection