DE102005039336A1 - Verbundene Siliziumkomponenten und ein Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Verbundene Siliziumkomponenten und ein Verfahren zur Herstellung derselben Download PDF

Info

Publication number
DE102005039336A1
DE102005039336A1 DE102005039336A DE102005039336A DE102005039336A1 DE 102005039336 A1 DE102005039336 A1 DE 102005039336A1 DE 102005039336 A DE102005039336 A DE 102005039336A DE 102005039336 A DE102005039336 A DE 102005039336A DE 102005039336 A1 DE102005039336 A1 DE 102005039336A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
eutectic
layer
heating
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102005039336A
Other languages
English (en)
Inventor
James C. Racine Rogers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Modine Manufacturing Co
Original Assignee
Modine Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Modine Manufacturing Co filed Critical Modine Manufacturing Co
Publication of DE102005039336A1 publication Critical patent/DE102005039336A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/0233—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes the conduits having a particular shape, e.g. non-circular cross-section, annular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/166—Material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

Eine Heizröhrengehäuseanordnung (22), welche ein Paar von Siliziumgehäuseteilen (24, 26) und eine Verbindung (42) zwischen den Gehäusen (24, 26) umfasst, wobei die Verbindung (42) vorzugsweise eine eutektische Schicht (43) umfasst.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung bezieht sich auf Heizröhren und Verfahren zum Verbinden von Siliziumkomponenten und in spezielleren Anwendungen auf eine Heizröhre, welche eine Siliziumgehäuseanordnung aufweist und ein Verfahren zum Herstellen solcher Anordnungen.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Heizröhren sind wohl bekannt und werden oft verwendet zum Kühlen von elektronischen Komponenten einschließlich integrierter Leiterchips, CPUs und ähnlichem. Ublicherweise verwenden Heizröhren ein wärmeleitendes Gehäuse, welches aus Metall besteht, welches befestigt ist direkt an der elektrischen Komponente oder an einem Gehäuse oder Deckel der elektronischen Komponente, um die Wärmeabführung von der elektronischen Komponente zu dieser Heizröhre zu verbessern. Ein Problem, welches verbunden ist mit solch einer Heizrohranwendung ist das Beibehalten einer geeigneten Anhaftung zwischen dem Heizrohrgehäuse und der elektronischen Komponente (wie beispielsweise ein Siliziumchip) oder der elektronischen Komponente, Gehäuse oder Deckel (lid), welche typischerweise hergestellt ist aus Silizium, aufgrund der Unterschiede der thermischen Ausdehnung zwischen dem Siliziumchip oder dem Gehäuse/Deckel der elektronischen Komponente und dem Metall des Heizrohrs.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt zur Herstellung eines Heizrohrgehäuses aus Silizium. Das Verfahren umfasst die Schritte des Bereitstellens eines Materials, welches ein Eutektikum bildet mit Silizium bei einer Temperatur unterhalb des Schmelzpunkts von Silizium, wobei eine Schicht des Materials zwischen zwei Siliziumoberflächen von zwei Teilen eines Heizrohrgehäuses eingelegt wird und die eingelegte Schicht des Materials und die zwei Siliziumoberflächen aufgeheizt werden auf eine Temperatur zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium, und wobei die eingelegte Materialschicht und die zwei Siliziumoberflächen zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium gehalten werden, bis das Material und das Silizium in einander diffundieren, um eine Verbindung zwischen den zwei Teilen herzustellen.
  • In einem Aspekt umfasst die Verbindung ein Eutektikum des Materials und des Siliziums.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt umfasst der Heizschritt das Heizen der eingelegten Schicht des Materials und der Siliziumoberflächen in trockenem Stickstoff bei einer Atmosphäre Druck auf eine Temperatur zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium und Beibehalten der eingelegten Materialschicht und der zwei Oberflächen zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium in trockenem Stickstoff bei einem Atmosphärendruck bis das Material und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Legierung herzustellen, welche ein Eutektikum des Materials und des Siliziums bei der Aushärtung enthält.
  • In einer Form weist das Material Aluminium auf.
  • In einer Form weist das Material Gold auf.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt weist der Einlegeschritt das Einlegen einer Folie von dem Material zwischen die zwei Siliziumoberflächen auf.
  • In einem Aspekt weist das Verfahren weiterhin auf den Schritt des Anwendens eines Flussmittels zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen vor dem Einlegeschritt. In einer Form umfasst das Flussmittel ein Kaliumfluoroaluminatflussmittel.
  • In Ubereinstimmung mit einem Aspekt der Erfindung wird eine Heizröhrengehäusekonstruktion bereitgestellt und umfasst ein erstes Gehäuseteil, welches aus Silizium besteht, ein zweites Gehäuseteil, welches aus Silizium besteht und eine eutektische Siliziumschicht bei einer Verbindung zwischen den ersten und zweiten Gehäusen.
  • In einer Form umgibt die Verbindung eine Arbeitsfluidkammer, welche zwischen den zwei Gehäusen definiert wird.
  • In einer Form umfasst die Verbindung ein Aluminium-Silizium-Eutektikum.
  • In einem Aspekt umfasst die Verbindung ein Gold-Silizium-Eutektikum.
  • In Ubereinstimmung mit einem Aspekt der Erfindung ist ein Verfahren das Bereitstellen des Verbindens von zwei Siliziumteilen. Das Verfahren umfasst die Schritte des Einlegens einer einzigen Aluminiumschicht zwischen zwei Siliziumoberflächen von zwei Siliziumteilen; und Heizen der eingelegten Aluminiumschicht und der zwei Siliziumoberflächen auf eine Temperatur zwischen einer Aluminium-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium und Beibehalten der eingelegten Schicht von Material und der zwei Oberflächen zwischen der Aluminium-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium bis das Aluminium und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Verbindung herzustellen zwischen den zwei Teilen.
  • In einem Aspekt umfasst die Verbindung ein Aluminium-Silizium-Eutektikum.
  • Andere Ziele und Vorteile der offenbarten Erfindung werden offensichtlicher werden bei einer Durchsicht der Beschreibung, inklusive der beigefügten Ansprüche und Zeichnungen.
    •
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine diagrammatische Aufrissansicht in teilweisem Schnitt, welche eine Heizröhrengehäusekonstruktion zeigt, welches die vorliegende Erfindung verkörpert;
  • 2 ist eine perspektivische Explosionsansicht, welche die Heizröhrenkonstruktion gemäß 1 zeigt vor der Herstellung;
  • 3 ist eine vergrößerte, teilweise Schnittansicht entlang der Linie 3-3 in 1; und
  • 4 ist eine schematische Darstellung eines Verfahrens, welches die vorliegende Erfindung verkörpert.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die Erfindung wird hier nun veranschaulicht in Zusammenhang mit einer flachen Heizröhre 10, welche verwendet wird zum Kühlen einer elektronischen Komponente 12 in der Form eines Chips 14, welcher ein Siliziumgehäuse aufweist oder einen Deckel 16 mit emer Siliziumoberfläche 18 bei einer Schnittstelle mit der Heizröhre 10. Dieser Typ von Heizröhre wird oft bezeichnet als Wärmeverbreiter. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die Erfindung auch Anwendung finden kann in anderen Typen von Heizröhren inklusive Heizröhren, welche nicht flach sind, Heizröhren, welche verwendet werden zum Kühlen von anderen Typen von elektronischen Komponenten und Heizröhren, welche verwendet werden zum Kühlen von Gegenständen, welche keine elektronischen Komponenten sind. Demgemäß ist die Erfindung nicht beschränkt auf die spezielle Heizröhre 10, welche in den Zeichnungen gezeigt wird, auch nicht auf die Verwendung mit elektronischen Komponenten, außer, wenn es ausdrücklich in den Ansprüchen festgehalten ist. Des Weiteren kann, während die Erfindung beschrieben wird im Zusammenhang mit dem Verbinden von Siliziumgehäusekomponenten für eine Heizröhre die Erfindung Anwendung finden im Zusammenhang mit dem Verbinden von anderen Typen von Siliziumkomponenten, welche nicht verwendet werden im Zusammenhang mit dem Gehäuse einer Heizröhre.
  • Wie zu sehen in den 1 und 2 umfasst die Heizröhre 10 eine Gehäuseanordnung 22, welche hergestellt ist aus zwei Siliziumgehäuseteilen 24 und 26. Die zwei Gehäuseteile 24 und 26 definieren eine Arbeitsfluidkammer 28, welche ein geeignetes Arbeitsfluid enthält für die Heizröhre. Wie es wohl bekannt ist für Heizröhren diesen Typs wird die Wärme übertragen von der elektronischen Komponente 12 zu der Heizröhre 10 in dem Gebiet, welches die elektronische Komponente 12 überdeckt und wird dann übertragen auf das Arbeitsfluid innerhalb der Kammer 28. Das Arbeitsfluid in dem Gebiet der Kammer 28, welches die elektronische Komponente 12 überdeckt, verdampft, wenn es die Wärme von der elektronischen Komponente 12 aufnimmt und fließt anschließend zu den kühleren Regionen der Kammer 28, welche entfernt sind von der elektronischen Komponente 12. Die Wärme wird dann abgeführt von dem verdampften Arbeitsfluid zu den kühleren Teilen des Heizröhrengehäuses 22, welche dann die Hitze abführen an die Umgebung, welche die Heizröhre 10 umgibt. Nach dem Abführen seiner Wärme kondensiert das Arbeitsfluid und fließt zurück in das Gebiet der Arbeitskammer 28, welches die elektronischen Komponenten 12 überdeckt und der Zyklus wird wiederholt. In dieser Hinsicht kann es, obwohl nicht notwendig, wünschenswert sein in manchen Anwendungen, eine Art von Dochtmittel (wicking means) bereitzustellen zum Zurückbringen des verflüssigten Arbeitsfluids in das Gebiet der Arbeitskammer 28, welches die elektronische Komponente 12 überdeckt. Jede der vielen wohlbekannten Dochtvorrichtungen kann angewendet werden, wie beispielsweise Oberflächemnerkmale, welche bereitgestellt sind auf den Oberflächen der inneren Kammer 28 oder ein separates Dochtmaterial ist enthalten innerhalb der Arbeitskammer 28.
  • In der veranschaulichten Ausführungsform ist das Gehäuseteil 24 ein rechtwinkliger Bogen aus Silizium, welcher ein paar von entgegen gesetzt gerichteten Oberflächen 30 und 32 aufweist, wobei die Oberfläche 32 ein Teil der inneren Kammer 28 bildet. Das Gehäuseteil 26 ist ein anderer rechtwinkliger Bogen aus Silizium mit einer planaren äußeren Oberfläche 34 und einer entgegen gesetzten Oberfläche 36, welche eine rechteckige Aussparung 38 aufweist, welche gebildet ist darin und welche das Volumen der Arbeitskammer 28 definiert. Der nicht ausgesparte Teil der Oberfläche 36 bildet einen peripheren Flansch 40, welcher die Kammer 28 umgibt und dient als Schnittstelle mit der Oberfläche 32 des Gehäuseteils 24 bei einer Verbindung 42, welche die Kammer 28 umgibt und abdichtet.
  • Die Verbindung 42 stellt eine Schwierigkeit dar, welche zusammenhängt mit dem Herstellen einer Heizröhre mit Siliziumkomponenten, da für eine optimale Leistung der Heizröhre die Verbindung vorzugsweise stark sein soll, nicht porös, um die anfängliche Atmosphäre innerhalb der Heizröhre zu behalten und nicht reaktiv mit dem Arbeitsfluid innerhalb der Heizröhre. Um zumindest einige dieser gewünschten Eigenschaften zu erreichen, wird die Verbindung 42 gebildet durch ein Verfahren, welches eine Bindung durch Diffusion von Silizium und Material produziert, welche ein Eutektikum mit Silizium bildet und vorzugsweise eine Bindung, welche umfasst eine eutektische Zone oder Schicht 43 aus Silizium und einem Material, welches ein Eutektikum mit Silizium bildet bei der Verbindung 42, welche die Gehäuse 24 und 26 zusammen verbindet.
  • Vorzugsweise wird das Material 44 Aluminium, eine Aluminium-Silizium-Legierung, wie beispielsweise eine 4047-Lötlegierung mit 12 % Silizium oder ei ne 4343-Lötlegierung mit 7,5 % Silizium, oder Gold sein. In dieser Hinsicht ist die Aluminium-Silizium-binäre eutektische Temperatur 577°C und die Gold-Silizium-eutektische Temperatur ist 363°C, wobei beide deutlich unterhalb des 1410°C-Schmelzpunkts von Silizium sind. Wenn es auf eine Temperatur oberhalb der eutektischen Temperatur des Materials 44 und des Siliziums aufgeheizt wird, aber unterhalb des Schmelzpunkts für das Material 44 und das Silizium, diffundiert das Material 44 und das Silizium ineinander unter Bildung einer flüssigen Schmelze, welche nach der Aushärtung die Verbindung 42 erzeugt, welche die Oberflächen 32 und 36 der Teile 22 und 26 zusammen verbindet, und welche ein Eutektikum des Siliziums und des Materials umfasst, wie beispielsweise ein Aluminium-Silizium-Eutektikum, wenn Aluminium das Material ist oder ein Gold-Silizium-Eutektikum, wenn Gold das Material ist. Es ist tatsächlich möglich, mit einem guten Kontakt zwischen den Materialien, dass eine ausreichende Festzustandsdiffusion des Materials 44 und des Siliziums auftreten kann, um eine geeignete Verbindung 42 zu bilden, sogar bei Temperaturen unterhalb der eutektischen Temperatur für das Material 44 und das Siliziums. Es ist hoch bevorzugt, dass ein Flussmittel, und vorzugsweise ein Kaliumfluoroaluminatflussmittel, wie es beispielsweise verkauft wird unter dem Handelsnamen NOCOLOK®, verwendet wird zwischen dem Material 44 und dem Silizium unabhängig davon, ob geheizt wird oberhalb oder unterhalb der eutektischen Temperatur, um die Verbindung 42 zu bilden. Das Flussmittel entfernt Oxidationsschichten zwischen dem Material 44 und dem Silizium und gestattet die gewünschte Diffusion.
  • Das Verfahren umfasst die Schritte des Bereitstellens eines Materials 44, wie in 2 zu sehen, welches ein Eutektikum bildet mit Silizium bei einer Temperatur unterhalb des Schmelzpunkts von Silizium, wie gezeigt bei 50 in 4; Einlegen einer Schicht des Materials 44 zwischen die zwei Siliziumoberflächen 32 und 36 der zwei Teile 24 und 26 der Heizröhrengehäuseanordnung 22, wie gezeigt bei 52 in 4; und Heizen der eingelegten Schicht des Materials 44 und der zwei Siliziumoberflächen 32, 36 auf eine Temperatur, welche ausreicht, um einen angemessenen Betrag an Diffusion zwischen dem Material 44 und den Siliziumober flächen 32 und 36 zu erzeugen, um eine geeignete Verbindung 42 zu bilden werden kann und vorzugsweise auf eine Temperatur zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium; und Beibehalten der eingelegten Materialschicht 44 und der zwei Oberflächen 32 und 36 bei der Temperatur (wiederum vorzugsweise zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium), bis das Material 44 und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Legierung zu produzieren, welche beim Kühlen und/oder bei der Aushärtung die Verbindung 42 bildet, welche die zwei Teile 24 und 26 zusammen verbindet, wie gezeigt bei 54 in 4 und welche vorzugsweise das Eutektikum 43 des Materials 44 und das Silizium umfasst. Vorzugsweise wird der Heiz- und Halteschritt, welcher bei 54 gezeigt wird, ausgeführt in einem trockenen Stickstoff bei einer Atmosphäre Druck. In manchen Anwendungen ist es auch bevorzugt, dass der Heiz- und Halteschritt, welcher gezeigt wird bei 54, ausgeführt wird bei einer Temperatur, welche kleiner ist als der Verflüssigungspunkt des Materials 44, aber, wie zuvor besprochen, oberhalb der eutektischen Temperatur des Materials und des Siliziums. Es wird auch bevorzugt, dass die eingelegten Komponenten 24, 26 und 44 befestigt werden, während des Heiz- und Halteschritts, welcher bei 54 gezeigt wird, um eine relative Bewegung zwischen ihnen zu verhindern, um zu verhindern, dass sich Lücken in der Verbindung 42 bilden und um eine gleichmäßige Verteilung des Materials 44 über die Verbindung 42 sicherzustellen, wie es typisch ist für fast alle Typen von Bindungsoperationen.
  • Wie zu sehen bei 56 umfasst das Verfahren vorzugsweise die Anwendung eines Flussmittels 58 zwischen dem Material 44 und jeder der zwei Siliziumoberflächen 32 und 36 vor dem Einlegeschritt 52. In einer bevorzugten Ausführungsform ist das Flussmittel 58 ein Kaliumfluoroaluminatflussmittel, wie es verwendet wird beim Aluminiumlöten, ein bevorzugter Typ davon wird verkauft unter dem Handelsnamen NOCOLOK®.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Material 44 bereitgestellt als ein Folienbogen 59, welcher eingelegt wird zwischen die zwei Oberflächen 32 und 36. Es werden jedoch die Fachleute zu würdigen wissen, dass es viele Möglichkeiten gibt, um eine Schicht des Materials 44 zwischen die zwei Oberflächen 32 und 36 zu formen, von denen jede angewandt werden kann in der Erfindung.
  • In einem Test des vorgeschlagenen Verfahrens wurden ein Paar von kommerziell erhältlichen Siliziumhalbleiterscheiben mit spiegelartiger Oberfläche zusammen verbunden mit einer Schicht einer kommerziell erhältlichen Aluminiumfolie, welche dazwischen eingelegt war, wobei das zuvor beschriebene Kaliumfluoroaluminatflussmittel 58 angewendet wurde auf die Oberflächen, es wurde aber keine andere Oberflächenaufbereitung oder -säuberung durchgeführt. Die übereinander geschichtete Anordnung wurde aufgeheizt in trockenem Stickstoff bei ungefähr 645°C für 13 Minuten und produziert eine erfolgreiche Verbindung 42 mit einem Aluminium-Silizium-Eutektikum bei der Verbindung 42. Als ein weiteres Arbeitsbeispiel wurde eine Aluminium 4047-Lötschicht, welche 12 % Silizium enthält, eingelegt zwischen die kommerziell erhältliche Halbleiterscheibe nachdem das zuvor beschriebene Kaliumfluoroaluminatflussmittel 58 angewandt wurde auf die Oberflächen und geheizt wurde in Trockenstickstoff bei einer Atmosphäre bei 645°C für 25 Minuten um erfolgreich die zwei Siliziumscheiben zusammen zu verbinden mit einem Aluminium-Silizium-Eutektikum bei der Verbindung 42. In dieser Hinsicht sollte festgehalten werden, dass die Komponenten gehalten wurden bei einer Temperatur für 25 Minuten in einem Versuch, um die Schicht von Aluminium-4047-Lötlegierung vollständig zu verbrauchen, und es wird angenommen, dass eine geeignete Verbindung 42 sich gebildet haben würde bei einer sogar noch niedrigeren Temperatur und/oder in weniger Zeit bei der Temperatur. Als noch ein weiteres Arbeitsbeispiel wurde eine Schicht von Lötpaste, welche verkauft wird von OMNITechnologies Corporation und welche 4047-Pulver und NOCOLOK®-Flussmittel enthält, die zusammengehalten sind in einer Pastenform durch ein Bindemittel, eingelegt zwischen der kommerziell erhältlichen Halbleiterscheibe und gehalten bei einer Temperatur von ungefähr 607°C für ungefähr 1,7 Minuten in einem Beispiel und 3,3 Minuten in einem anderen Beispiel, wobei beide eine erfolgreiche Verbindung 42 ergaben.
  • Es sollte gewürdigt werden, dass die Zeitdauer für den Schritt 54 abhängig sein wird von einer Anzahl von Faktoren, welche spezifisch sind für jede Anwendung, umfassend, das spezielle Material 44, welches ausgewählt wurde, den Betrag des Materials, welcher verwendet wurde für die Schicht, die Temperatur(en), bei welchen der Heiz- und Halteschritt ausgeführt wurde, und die Diffusionsmenge des Materials 44 und des Siliziums, welche wünschenswert ist zum Bilden der Bindung.
  • Es sollte gewürdigt werden, dass die Gehäuseanordnung 22 und die Siliziumgehäuseteile 24 und 26 viele Formen annehmen können, und dass die Gehäuseanordnung 22, welche hergestellt werden soll, für mehr als zwei Siliziumgehäuseteile 24 und 26 periphere Verbindungen zwischen jedem der Teile aufweist. Zusätzlich wird in einer Ausführungsform eines der Gehäuseteile 24 und 26 verwendet als der Deckel oder die Kappe für die elektronische Komponente 12, welche die Standardkappe oder den Deckel für die Komponente 12 ersetzt.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Materiallage 44, welche für die Schicht bereitgestellt wird, angepasst, so dass während des Heiz- und Halteschritts, welcher bei 54 gezeigt wird, im Wesentlichen alles Material 44 diffundiert mit dem Silizium, um ein Eutektikum zu bilden des Materials und des Siliziums bei der Verbindung 42, wobei wenig oder kein Material 44 in seiner ursprünglichen Form verbleibt bei der Verbindung 42, und wobei zumindest etwas Material, aber wahrscheinlich nicht alles Material ein Eutektikum bildet mit dem Silizium. In weiteren bevorzugten Ausführungsformen diffundiert nicht alles Material 44 mit dem Silizium und dem gemäß resultiert eine Verbindung 42, welche zwei eutektische Zonen oder Schichten 43 aufweist, eine auf jeder Seite des Materials 44, eingelegt zwischen die zwei Siliziumschichten 32 und 36.
  • Es wird gewürdigt werden, dass beim Herstellen der Gehäuseteile 24 und 26 aus Silizium eine Verbindung 60 geformt werden kann zwischen der Heizröhre 10 und dem Siliziumgehäuse/-kasten 16 des Chips, welche wenig oder keine ther misch induzierten Beanspruchungen ausgesetzt ist, welche verursacht sind durch die Differenzen in der thermischen Ausdehnung von verschiedenen Materialien, wie es üblich ist bei herkömmlichen Heizröhren. Dies ist vorteilhaft, weil es potentiell sowohl die Leistung als auch die Lebensdauer der Heizröhre 10 und der elektronischen Komponenten verlängern kann und es einem breiteren Bereich an Bindungstechniken und Materialen ermöglicht, verwendet zu werden zwischen der Heizröhre 10 und der elektrischen Komponente 12.
  • Während die Offenbarung sich auf die Herstellung eines Heizerröhrengehäuses aus Silizium fokussiert hat, sollte es gewürdigt werden, dass das offenbarte Verfahren zum Verbinden von zwei Siliziumteilen unter Verwendung einer einzigen Materialschicht 44 (wie beispielsweise Aluminium oder einer Aluminium-Silizium-Legierung), welche ein Eutektikum mit Silizium bildet, mit der optionalen aber bevorzugten Verwendung eines Flussmaterials, welches vorzugsweise ein Kaliumfluoroaluminatflussmittel ist, Anwendung finden kann bei der Verbindung von Siliziumkomponenten, welche andere sind als die, welche verwendet wurden, um ein Heizröhrengehäuse zu bilden.

Claims (33)

  1. Ein Verfahren zum Herstellen eines Heizröhrengehäuses aus Silizium, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Materials, welches ein Eutektikum bildet mit Silizium bei einer Temperatur unterhalb des Schmelzpunkts von Silizium; Einlegen einer Schicht des Materials zwischen zwei Siliziumoberflächen von zwei Teilen eines Heizröhrengehäuses; und Heizen der eingelegten Schicht des Materials und der zwei Siliziumoberflächen auf eine Temperatur zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium und Halten der emgelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium bis das Material und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Verbindung zwischen den zwei Teilen herzustellen.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Heizschritt aufweist das Heizen der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen in trockenem Stickstoff bei einer Atmosphäre Druck auf eine Temperatur zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium, und halten der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium in trockenem Stickstoff bei einer Atmosphäre Druck, bis das Material und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Legierung zu pro duzieren, welche ein Eutektikum des Materials und des Siliziums beim Aushärten umfasst.
  3. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Material Aluminium aufweist.
  4. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Material Gold aufweist.
  5. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Einlegeschritt aufweist das Einlegen einer Folie des Materials zwischen die zwei Siliziumoberflächen.
  6. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, weiterhin aufweisend den Schritt des Anwendens eines Flussmittels zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen vor dem Einlegeschritt.
  7. Das Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der Schritt des Anwendens eines Flussmittels aufweist das Anwenden von Kaliumfluoroaluminatflussmittel zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen vor dem Einlegeschritt.
  8. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Heiz- und Halteschritt ausgeführt wird bei einer Temperatur, welche geringer ist, als der Verflüssigungspunkt des Materials.
  9. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Heizschritt die Verbindung veranlasst, ein Eutektikum des Materials und des Siliziums zu umfassen.
  10. Ein Verfahren zum Herstellen eines Heizröhrengehäuses aus Silizium, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Einlegen einer Aluminiumschicht oder Aluminium-Silizium-Legierung zwischen zwei Siliziumoberflächen von zwei Teilen eines Heizröhrengehäuses; Heizen der eingelegten Aluminiumschicht und der zwei Siliziumoberflächen zwischen einer Aluminium-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium; und Halten der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen zwischen der Aluminium-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium, bis das Aluminium und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Verbindungsstelle zwischen den zwei Teilen zu bilden.
  11. Das Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei der Heizschritt aufweist das Heizen der eingelegten Aluminiumschicht und der zwei Siliziumoberflächen in trockenem Stickstoff bei einer Atmosphäre Druck auf eine Temperatur zwischen der Aluminium-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium und Halten der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen zwischen der Aluminium-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium in trockenem Stickstoff bei einer Atmosphäre bis das Aluminium und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Legierung zu erzeugen, welche ein Aluminium-Silizium-Eutektikum beim Aushärten umfasst.
  12. Das Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei der Einlegeschritt aufweist das Einlegen einer Aluminiumfolie zwischen die zwei Siliziumoberflächen.
  13. Das Verfahren gemäß Anspruch 10, weiterhin aufweisend das Anwenden eines Flussmittels zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen vor dem Einlegeschritt.
  14. Das Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei der Schritt des Anwendens eines Flussmittels aufweist das Anwenden von Kaliumfluoroaluminatflussmittel zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen vor dem Einlegeschritt.
  15. Das Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei der Heiz- und Halteschritt ausgeführt wird bei Temperaturen, welche geringer sind als der Verflüssigungspunkt von Aluminium.
  16. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Heizschritt die Verbindungsstelle veranlasst, ein Aluminium-Silizium-Eutektikum zu umfassen.
  17. Ein Verfahren zum Herstellen eines Heizröhrengehäuses aus Silizium, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: das Einlegen einer Goldschicht zwischen zwei Siliziumoberflächen von zwei Teilen eines Heizröhrengehäuses; Heizen der eingelegten Goldschicht und der zwei Siliziumoberflächen auf eine Temperatur zwischen einer Gold-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium; und Halten der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen zwischen der Gold-Silizium-eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium, bis das Gold und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Verbindung zwischen den zwei Teilen herzustellen.
  18. Das Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei der Einlegeschritt aufweist das Einlegen einer Folie aus Gold zwischen den zwei Siliziumoberflächen.
  19. Das Verfahren gemäß Anspruch 17, weiterhin aufweisend das Anwenden eines Flussmittels zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen vor dem Einlegeschritt.
  20. Das Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei der Schritt des Anwendens eines Flussmittels aufweist das Anwenden von Kaliumfluoroaluminatflussmittel zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen vor dem Einlegeschritt.
  21. Das Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei der Heiz- und Halteschritt ausgeführt wird bei Temperaturen unterhalb des Verflüssigungspunkts von Gold.
  22. Das Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei der Heizschritt die Verbindung veranlasst, ein Gold-Silizium-Eutektikum zu umfassen.
  23. Eine Heizröhrengehäusekonstruktion, aufweisend: ein erstes Gehäuseteil aus Silizium; ein zweites Gehäuseteil aus Silizium; und eine Verbindung zwischen den ersten und zweiten Gehäusen, wobei die Verbindung ein Silizium-Eutektikum aufweist.
  24. Die Heizröhrengehäusekonstruktion gemäß Anspruch 20, wobei die Verbindungsstelle eine Arbeitsfluidkammer umgibt, welche zwischen den zwei Gehäusen definiert ist.
  25. Die Heizröhrengehäusekonstruktion gemäß Anspruch 23, wobei das Silizium-Eutektikum ein Aluminium-Silizium-Eutektikum aufweist.
  26. Die Heizröhrengehäusekonstruktion gemäß Anspruch 23, wobei das Silizium-Eutektikum ein Gold-Silizium-Eutektikum aufweist.
  27. Ein Verfahren zum Binden von einem Paar von Siliziumkomponenten, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Materials, welches ein Eutektikum bildet mit Silizium bei einer Temperatur unterhalb des Schmelzpunkts von Silizium; Einlegen einer Materialschicht zwischen zwei Siliziumoberflächen von zwei Siliziumkomponenten, mit einem Kaliumfluoroalummatflussmittel zwischen der Schicht und jeder der zwei Siliziumoberflächen; und Heizen der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen auf eine geeignete erhöhte Temperatur für eine ausreichende Zeitdauer, um es dem Material und dem Silizium zu gestatten, ineinander zu diffundieren, um eine Verbindung zu produzieren zwischen den zwei Siliziumkomponenten.
  28. Das Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei der Heizschritt aufweist das Heizen der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen in Trockenstickstoff bei einer Atmosphäre Druck auf eine Temperatur zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium und Halten der eingelegten Materialschicht und der zwei Siliziumoberflächen zwischen der eutektischen Temperatur und dem Schmelzpunkt von Silizium in Trockenstickstoff bei einer Atmosphäre Druck bis das Material und das Silizium ineinander diffundieren, um eine Legierung zu erzeugen, welche ein Eutektikum des Materials und des Siliziums beim Aushärten umfasst.
  29. Das Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei das Material Aluminium aufweist.
  30. Das Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei das Material Gold aufweist.
  31. Das Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei der Einlegeschritt aufweist das Einlegen einer Folie des Materials zwischen die zwei Siliziumoberflächen.
  32. Das Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei der Heiz- und Halteschritt ausgeführt wird bei Temperaturen, welche geringer sind als der Verflüssigungspunkt des Materials.
  33. Das Verfahren gemäß Anspruch 27, wobei der Heizschritt eine Verbindung produziert, welche ein Eutektikum des Materials und des Siliziums umfasst.
DE102005039336A 2004-08-19 2005-08-19 Verbundene Siliziumkomponenten und ein Verfahren zur Herstellung derselben Withdrawn DE102005039336A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/921527 2004-08-19
US10/921,527 US7407083B2 (en) 2004-08-19 2004-08-19 Bonded silicon, components and a method of fabricating the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005039336A1 true DE102005039336A1 (de) 2006-04-20

Family

ID=35768643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005039336A Withdrawn DE102005039336A1 (de) 2004-08-19 2005-08-19 Verbundene Siliziumkomponenten und ein Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7407083B2 (de)
JP (1) JP2006058000A (de)
KR (1) KR20060053104A (de)
CN (1) CN1790645A (de)
DE (1) DE102005039336A1 (de)
FR (1) FR2874457A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7705342B2 (en) 2005-09-16 2010-04-27 University Of Cincinnati Porous semiconductor-based evaporator having porous and non-porous regions, the porous regions having through-holes
US20080042429A1 (en) * 2006-08-17 2008-02-21 Philippe Schick Method and apparatus for coupling and decoupling a device and a heat pipe
US8030754B2 (en) * 2007-01-31 2011-10-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Chip cooling channels formed in wafer bonding gap
US8188595B2 (en) * 2008-08-13 2012-05-29 Progressive Cooling Solutions, Inc. Two-phase cooling for light-emitting devices
US20100132404A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Progressive Cooling Solutions, Inc. Bonds and method for forming bonds for a two-phase cooling apparatus
KR20160029315A (ko) 2014-09-05 2016-03-15 김두용 휴대용제설기
KR20160063735A (ko) 2014-11-27 2016-06-07 김두용 다용도 실외용 청소기
JP2023162880A (ja) * 2022-04-27 2023-11-09 三菱マテリアル株式会社 シリコン部材、および、シリコン部材の製造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3316628A (en) 1964-12-30 1967-05-02 United Aircraft Corp Bonding of semiconductor devices to substrates
US4032350A (en) * 1973-03-12 1977-06-28 Owens-Illinois, Inc. Printing paste vehicle, gold dispensing paste and method of using the paste in the manufacture of microelectronic circuitry components
US4656499A (en) * 1982-08-05 1987-04-07 Olin Corporation Hermetically sealed semiconductor casing
JPS60160149A (ja) 1984-01-26 1985-08-21 Fujitsu Ltd 集積回路装置の冷却方式
US4574470A (en) * 1984-03-19 1986-03-11 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Semiconductor chip mounting system
US4622433A (en) * 1984-03-30 1986-11-11 Diacon, Inc. Ceramic package system using low temperature sealing glasses
US5126919A (en) 1985-10-04 1992-06-30 Fujitsu Limited Cooling system for an electronic circuit device
US4879632A (en) 1985-10-04 1989-11-07 Fujitsu Limited Cooling system for an electronic circuit device
US4701424A (en) * 1986-10-30 1987-10-20 Ford Motor Company Hermetic sealing of silicon
US5037778A (en) 1989-05-12 1991-08-06 Intel Corporation Die attach using gold ribbon with gold/silicon eutectic alloy cladding
JP2748629B2 (ja) * 1990-01-22 1998-05-13 住友電気工業株式会社 半導体装置収納用ハウジングおよびその製造方法
US5097387A (en) 1990-06-27 1992-03-17 Digital Equipment Corporation Circuit chip package employing low melting point solder for heat transfer
JP3232618B2 (ja) 1992-02-05 2001-11-26 株式会社日立製作所 Ｌｓｉ冷却装置
GB9312328D0 (en) * 1993-06-15 1993-07-28 Lexor Technology Limited A method of brazing
JPH07125221A (ja) * 1993-10-29 1995-05-16 Sony Corp プリントヘッドおよびその製造方法
DE19527209A1 (de) 1995-07-27 1997-01-30 Philips Patentverwaltung Halbleitervorrichtung
US6314639B1 (en) * 1998-02-23 2001-11-13 Micron Technology, Inc. Chip scale package with heat spreader and method of manufacture
JP2941801B1 (ja) 1998-09-17 1999-08-30 北川工業株式会社 熱伝導材
SE512906C2 (sv) 1998-10-02 2000-06-05 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande vid lödning av ett halvledarchip samt RF-power transistor för genomförande därav
US6232150B1 (en) 1998-12-03 2001-05-15 The Regents Of The University Of Michigan Process for making microstructures and microstructures made thereby
US6091603A (en) 1999-09-30 2000-07-18 International Business Machines Corporation Customizable lid for improved thermal performance of modules using flip chips
US6799628B1 (en) * 2000-07-20 2004-10-05 Honeywell International Inc. Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components
US6944931B2 (en) * 2002-08-12 2005-09-20 The Boeing Company Method of producing an integral resonator sensor and case
US6869818B2 (en) * 2002-11-18 2005-03-22 Redwood Microsystems, Inc. Method for producing and testing a corrosion-resistant channel in a silicon device
US20040251008A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-16 O'neill Patrick S. Method for making brazed heat exchanger and apparatus
US7150797B2 (en) * 2003-06-20 2006-12-19 Nissan Motor Co., Ltd. Filler material for use in welding of Mg-contained aluminum alloy die-cast members, welding method, and welded article
US6992382B2 (en) * 2003-12-29 2006-01-31 Intel Corporation Integrated micro channels and manifold/plenum using separate silicon or low-cost polycrystalline silicon

Also Published As

Publication number Publication date
US20060037994A1 (en) 2006-02-23
CN1790645A (zh) 2006-06-21
JP2006058000A (ja) 2006-03-02
US7407083B2 (en) 2008-08-05
FR2874457A1 (fr) 2006-02-24
KR20060053104A (ko) 2006-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005039336A1 (de) Verbundene Siliziumkomponenten und ein Verfahren zur Herstellung derselben
DE112015006049B4 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils
DE69031651T2 (de) Verdampfer mit durch geätzte Faser gebildeten Kernbildungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69033226T2 (de) Wärmeleitendes Mischmaterial
DE102005008491B4 (de) Leistungs-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19950402A1 (de) Plattenförmiges Wärmeableitrohr, Verfahren zur Herstellung desselben sowie Kühlvorrichtung mit einem plattenförmigen Wärmeableitrohr
DE3924225C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Keramik-Metall-Verbundsubstrats sowie Keramik-Metall-Verbundsubstrat
DE112017002842T5 (de) Kühlkörper und Kühleinrichtung
DE10006215A1 (de) Kühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul
DE202005021630U1 (de) Biegbarer Wärmeverteiler mit metallischer Mikrostruktur auf Basis eines Drahtnetzes
DE112014006676B4 (de) Leistungsmodulvorrichtung
DE102016121801B4 (de) Baugruppe mit Verbindungen, die verschiedene Schmelztemperaturen aufweisen, Fahrzeug mit der Baugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben und Verwendung der Baugruppe für eine Automobilanwendung
EP1716624B1 (de) Verfahren zum herstellen von plattenstapeln, insbesondere von aus plattenstapeln bestehenden kühlern oder kühlerelementen
DE102004044547B4 (de) Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102014109704A1 (de) Kühlkörper mit Verdampfungskammer sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE69009429T2 (de) Kühlkörper mit verbesserter Lebensdauer und thermischer Leitfähigkeit.
DE10016129A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Verbindung zwischen zwei Werkstücken
EP3698400A1 (de) Kühlkörper für eine elektronische komponente, elektronische baugruppe mit einem solchen kühlkörper und verfahren zum erzeugen eines solchen kühlkörpers
DE68925095T2 (de) Kühlelement aus Verbundmaterial für ein Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
DE102007021073B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsanordnung
EP1555079A2 (de) Verfahren zum Herstellen von aus Plattenstapeln bestehenden Kühlern oder Kühlerelementen, mit Fügemittel auf Innenflächen der Plattendurchbrüchen oder -öffnungen
DE69103436T2 (de) Wärme-Isolator von hoher Wirksamkeit.
DE10360866A1 (de) Anwendungsspezifische Vorrichtung zum Ableiten von Wärme aus mehreren elektronischen Komponenten
DE102004012232B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Plattenstapeln, insbesondere zum Herstellen von aus wenigstens einem Plattenstapel bestehenden Kühlern
DE2729074C2 (de) Anordnung für ein gekapseltes Halbleiterschaltungsplättchen und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee