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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Erzeugen elektrischer
Kontaktierungen zwischen Halbleiterstücken und insbesondere auf das
Erzeugen einer elektrischen Kontaktierung zwischen zwei Wafern oder
zwischen einem Wafer und einem oder mehreren Chips.
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In
vielen Bereichen werden heutzutage Halbleiterbauelemente verwendet,
die aus dreidimensionalen gestapelten Chips bzw. Wafern gebildet
sind. Durch die dreidimensionale Anordnung können eine hohe Packungsdichte
und ferner hohe Schaltgeschwindigkeiten gegenüber zweidimensionalen Systemen
erreicht werden. Insbesondere können
durch die Verwendung gedünnter
Wafer Leitungswege von elektrischen Kontaktierungen gering gehalten
werden, was zu einer schnellen Signalübertragung führt.
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Das
Erzeugen einer elektrischen Kontaktierung zwischen den einzelnen
Wafern eines derartigen dreidimensionalen Waferstapels wird bekannterweise
derart durchgeführt,
daß nach
einem Verbinden der beiden Wafer Durchgangslöcher bzw. Vialöcher bis
zu einer Anschlußfläche eines
unteren Wafers geätzt
werden, wobei in einem darauffolgenden Abscheidungsprozeß die Durchgangslöcher mit
einem Metall gefüllt werden,
so daß eine
Verbindung mit der Anschlußfläche des
unteren Wafers erzeugt wird.
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Beispielsweise
beschreibt die
DE 4433833 A1 ein
Verfahren, bei dem ein erstes Bauelementsubstrat, das eine oder
mehrere Metallisierungsebenen enthält, nach einem Testen mit einer
Passivierungsschicht bedeckt wird. Eine elektrische Verbindung wird
erreicht, indem die Durchführungslöcher mittels einer
Metallabscheidung gefüllt
werden und eine Strukturierung durchgeführt wird.
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Das Ätzen bzw.
Freiätzen
der Durchführungslöcher in
einem bereits gestapelten Zustand, d. h. wenn die beiden Wafer bereits
miteinander verbunden sind, ist jedoch für manche Anwendungen und in
manchen Prozessabläufen
nachteilig. Ferner müssen
bei dem obigen Verfahren zwei Ätzvorgänge durchgeführt werden,
was zu einem erhöhten
Aufwand führt.
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Weitere
Grundlagen für
das Erzeugen elektrischer Verbindungen finden sich in den Druckschriften
EP 0703623 A1 ,
EP 0703618 A1 ,
WO 00/74134 A1 ,
WO 99/16131 A1 ,
WO 99/49509 A1 .
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Die
WO 00/74134 A1 offenbart
ein Verfahren zur vertikalen Integration von elektrischen Bauelementen,
bei dem in einem oberen Substrat Kontaktlöcher erzeugt werden, die mit
einem elektrisch leitfähigen
Material gefüllt
werden. Auf den Kontaktlöchern
werden erste Kontaktflecken aufgebracht, wobei ein unteres Substrat
mit zweiten Kontaktflecken versehen wird, die den ersten Kontaktflecken
entsprechen. Die beiden Substrate werden aufeinander gesetzt, so
dass sich die Kontaktflecken jeweils berühren, wobei unter Anwendung
einer mechanischen Kraft und einer gleichzeitigen Tempera turerhöhung eine
elektrische und mechanische Verbindung erzeugt wird.
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Die
US 6,080,640 A beschreibt
ein Verfahren zum Bilden einer Schaltungsstruktur, bei dem auf einem
ersten Substrat metallische Zwischen-Ebene-Leiterstrukturen erzeugt
werden, die bei einem Verbinden mit einem zweiten Substrat mit Zwischen-Ebene-Leiterstrukturen
des zweiten Substrats verbunden werden.
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Die
US 6,090,687 A zeigt
ein Verfahren zum Verbinden von Wafern, bei dem ein erster Wafer
Kontakte und eine Dichtung aufweist, um einen luftdichten Raum durch
Verbinden mit einem zweiten Wafer zu bilden. Die Wafer werden gegeneinander
gedrückt,
wobei für
eine bestimmte Zeit eine erhöhte Bond-Temperatur angelegt
wird, um ein Verbinden der Kontakte zwischen den Wafern zu ermöglichen. Durch
das darauf folgende Abkühlen
wird eine Vakuumdichtung des Zwischenraums zwischen den beiden Wafern
erreicht.
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Die
nachveröffentlichte
DE 10323394 A1 offenbart
ein Konzept zum Erzeugen von elektrischen Kontaktierungen, bei dem
Stifte in einem Halbleiterstück
durch einen hohen angelegten pneumatischen Druck, der bis 1000 bar
sein kann, derart unter Druck gesetzt werden, dass die elektrische
Kontaktierung erreicht wird.
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Dieses
Konzept ist dahingehend nachteilhaft, dass ein relativ hoher Aufwand
getrieben werden muss. So wird zum Erzeugen der elektrischen Kontaktierung
eine Hochdruckkammer benötigt,
um zum einen diesen außerordentlich
hohen Druck zu erzeugen, und um zum anderen diesen Druck auf den
Stift auszuüben.
Damit ist dieses Konzept für
alle Halbleiterfer tigungseinrichtungen, bei denen keine derartige
Druckkammer zum Erzeugen dieses hohen Drucks vorhanden ist, mit
zusätzlichen
Investitionen verbunden.
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Ein
weiterer Nachteil besteht darin, dass insbesondere durch Materialabweichungen,
aber auch durch Dimensionierungsunterschiede nicht immer genau vorhergesagt
werden kann, wie tief sich der Stift bewegt. Außerdem können Druckunterschiede von
der Mitte des Wafers zum Rand des Wafers dazu führen, dass in der Mitte ein
höherer
lokaler Druck als am Rand herrscht. Dies führt wiederum dazu, dass die
Stifte in der Mitte stärker
bewegt werden bzw. stärker
in die darunter liegende Anschlussfläche eindringen als am Rand.
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Wenn
die Anschlussfläche,
in die der Stift aufgrund des angelegten pneumatischen Drucks eindringt,
auf „festem" Untergrund ist,
so ist dies eigentlich nicht problematisch, da mit tieferem Eingreifen des
Stifts in die darunter liegende Anschlussfläche auch die Qualität des elektrischen
Kontakts normalerweise immer besser wird.
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Wenn
allerdings der feste Untergrund nicht gegeben ist, bzw. wenn nur
eine maximale Bewegung des Stifts aus irgendwelchen anderen Gründen zugelassen
ist, kann auch der Fall auftreten, dass die Stifte zu tief eindringen,
was wiederum zur Folge hat, dass zwar ein guter elektrischer Kontakt
des Stifts mit der zweiten Anschlussfläche erreicht wird, dass jedoch
das Material unter der Anschlussfläche zu hoch belastet wird und
entweder bricht oder Sprünge
bekommt. Falls darunter wieder elektrische Kontaktierungen sind,
könnte
es sogar sein, dass der Stift zwei Lagen kurzschließt, da er z.
B. besonders gut gerutscht ist, während ein anderer Stift nicht
so gut gerutscht ist und keine Probleme erzeugt hat.
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Allgemein
gesagt ist dieses Konzept aufgrund der benötigten Hochdruckkammer mit
einem höheren
Aufwand verbunden und andererseits in bestimmten Fällen in
der Feinjustierung der Stiftbewegungen nur aufwendig steuerbar.
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Die
Deutsche Patentschrift
4314907 C1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von
vertikal miteinander elektrisch leitend kontaktierten Halbleiterbauelementen,
bei dem die Kontaktstrukturierung hergestellt wird, indem das Substrat
eines oberen Bauelements von der Oberseite ausgehend so weit vertikal
ausgeätzt
wird, dass in diese stiftförmige Aussparung
eine Metallisierung eingebracht werden kann, die mit der zu kontaktierenden
Metallschicht oder Halbleiterschicht des oberen Bauelements elektrisch
leitend kontaktiert wird. Die Unterseite des Substrats wird so weit
rückgeschliffen
oder rückgeätzt, dass
diese stiftförmige
Metallisierung auf der Unterseite über das Substrat hinaus ragt.
Mit diesem herausragenden Stift wird das obere Halbleiterbauelement
mit einem geeignet hergestellten Kontakt aus niedrigschmelzendem
Material auf der Oberseite eines unteren Halbleiterbauelements dauerhaft
elektrisch leitend verbunden, wobei zum Herstellen des dauerhaften
Kontakts das niedrigschmelzende Material aufgeschmolzen wird, so
dass der herausragende Stift des oberen Halbleiterbauelements in
das geschmolzene Material eintauchen kann.
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Die
Druckschrift
US 2002/1920
A1 beschreibt eine Methode zum Wafer-Ronden und eine dazu
geeignete Vorrichtung. Dabei werden zwei Wafer auf geeignete Art
und Weise miteinander in Kontakt gebracht. Der erste Wafer wird
dabei von einer Haltevorrichtung, die nur in den äußeren Bereichen des
Wafers in mechanischem Kontakt mit diesem steht, durch Unterdruck
auf der Haltevorrichtung fixiert. Der zweite Wafer wird ebenfalls
auf einer Haltevorrichtung mittels Unter druck fixiert, wobei beide Haltevorrichtungen
relativ zueinander so positioniert werden, dass sich die Waferoberflächen exakt
zueinander ausgerichtet über
einem Spalt vordefinierter Breite gegenüber liegen. Während der
erste und der zweite Wafer noch durch Unterdruck fixiert werden, wird
auf den zweiten Wafer nahe seiner zentralen Position ein lokaler
Druck ausgeübt,
so dass dieser an der Stelle der Druckausübung mit dem ersten Wafer in
Kontakt gerät.
Durch das Lösen
des Unterdrucks, mit dem der zweite Wafer an seiner Haltevorrichtung befestigt
ist, wird erreicht, dass sich der zweite Wafer, beginnend vom zentralen
Punkt des ersten Kontakts, auf den ersten Wafer legt. Die Aufgabe
der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Konzept zu schaffen,
das ein verbessertes Erzeugen von elektrischen Kontaktierungen zwischen
zwei Halbleiterstücken
ermöglicht.
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Diese
Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 oder durch eine
Vorrichtung nach Anspruch 37 gelöst.
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Die
vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß ein einfacheres
Erzeugen einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Halbleiterstück und einem
zweiten Halbleiterstück
dadurch erreicht wird, daß ein
erster leitfähiger
Bereich des ersten Halbleiterstücks
gegenüber
einem zweiten leitfähigen
Bereich des zweiten Halbleiterstücks
angeordnet wird. Durch ein Ausüben
von Druck durch ein mechanisches Element auf einen Stift kann erreicht
werden daß der
erste und zweite leitfähige
Bereich, die im drucklosen Zustand einen schlechten elektrischen Kontakt
aufweisen oder voneinander elektrisch isoliert sind, einen verbesserten
elektrischen Kontakt aufweisen. Der erste leitfähige Bereich kann dabei eine
Anschlußfläche sein.
Der erste leitfähige
Bereich kann ferner ein leitfähiger
Bereich ei ner Stiftanordnung, beispielsweise ein leitfähiges Ende
derselben, sein.
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Erfindungsgemäß wird also
der Druck auf den Stift durch ein mechanisches Element ausgeübt, was
unmittelbar dazu führt,
dass keine Hochdruckkammer mehr erforderlich ist, sondern eine einfache mechanische
oder aber pneumatische Einrichtung zum Betätigen des mechanischen Elements,
so dass das mechanische Element, welches von dem ersten Halbleiterstück getrennt
ist, sich bezüglich
des ersten Halbleiterstücks
bewegt, was dazu führt,
dass aufgrund der Bewegung des mechanischen Elements der Druck auf
das erste Halbleiterstück
auf den Stift übertragen
wird, derart, dass der Stift auf die darunter liegende Anschlussfläche gedrückt oder,
wenn er selbst leitfähig
ist, eine darunter liegende Anschlussfläche berührt. Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen
wird der Stift nicht nur in die Anschlussfläche hineingedrückt, sondern
bewegt sich auch bezüglich des
ersten Halbleiterstücks
aufgrund des mechanischen Drucks, der durch das mechanische Element auf
das erste Halbleiterstück
ausgeübt
wird.
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Bei
bevorzugten Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung ist das mechanische Element in der Art
eines „Prägestempels" ausgeführt, der
an einer bestimmten Stelle durch ein hervorstehendes Element in
das Halbleiterstück
hineindringt, so dass die mechanische Energie, die durch Eindringen
des Prägestempels
in das Material des ersten Halbleiterstücks im ersten Halbleiterstück erzeugt
wird, zumindest teilweise auf den Stift übergeht, damit er sich in seiner
vorgegebenen Bahn/Ausnehmung bewegt und die elektrische Kontaktierung
mit der darunter liegenden Anschlussfläche erreicht.
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Ein
Prägestempel
besitzt typischerweise eine Anschlagfläche und ein bezüglich der
Anschlagfläche
vorstehendes Element, das dann gewissermaßen punktuell in das Halbleiterstück gedrückt wird, wenn
der Prägestempel
insgesamt in Richtung des Halbleiterstücks bewegt wird. Das Eindringen
des vorstehenden Elements, das eine bestimmte Länge hat, wird natürlich in
dem Moment beendet, wenn die Anschlagfläche auf das Halbleiterstück selbst
auftrifft. Damit kann durch das erfindungsgemäße Konzept des Erzeugens des
Drucks durch ein mechanisches Element die maximale mechanische Energie, die
auf den Stift wirken soll, gut gesteuert werden. Dies ist insbesondere
dann von besonderem Vorteil, wenn eine Sollbruchstelle vorgesehen
ist, die bricht, wenn Kraft auf den Stift ausgeübt wird, wobei sich der Stift
in etwa gleich der Länge
bezüglich
des ersten Halbleiterstücks
bewegt, um die das vorstehende Element des Prägestempels von der Anschlagfläche des
Prägestempels
vorsteht.
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Erfindungsgemäß wird der
Druck zum Kontaktieren des ersten Halbleiterstücks und des zweiten Halbleiterstücks somit
durch eine mechanische Vorrichtung erzeugt. Der mechanische Druck
kann, wie es ausgeführt
worden ist, durch einen „Prägestempel" erzeugt werden.
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Dieses
Konzept ist dahingehend vorteilhaft, dass durch diese Art der Druckerzeugung
eine einfachere Handhabbarkeit des Systems erreicht wird, da kein
Hochdruckbehälter
betrieben werden muss.
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Ferner
ist es positiv, dass der Prägestempel auch
mittels Technologien, die in der Halbleiterindustrie üblich sind,
hergestellt werden kann. So kann der Prägestempel selbst wieder ein
Wafer sein, der durch typische Halbleiter- Abtragungstechniken wie Nassätzen, Trockenätzen, etc.
bearbeitet werden kann, und der vorstehende Elemente enthält, die
dann an den vorgesehenen Stellen in das erste Halbleiterstück eindringen,
wenn kontaktiert wird.
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Ferner
kann durch die in der Halbleiterindustrie üblichen Fertigungsgenauigkeiten
die Prägetiefe so
exakt eingestellt werden, dass damit gleichzeitig ein Tiefenanschlag
realisiert ist.
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Ferner
ist vorteilhaft, dass sämtliche
Herstellungsgeräte
zur Herstellung des ersten Halbleiterstücks (und natürlich auch
des zweiten Halbleiterstücks)
sowie des mechanischen Elements handelsüblich sind und normalerweise
sogar in der Halbleiterfabrik ohnehin vorhanden und in Betrieb sind.
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Unter
einem Halbleiterstück
soll gemäß der vorliegenden
Erfindung ein vorzugsweise scheibenförmiges Stück oder Teil verstanden werden,
das Halbleitermaterial aufweist, und vorzugsweise zur Integration
elektrischer Schaltungen geeignet ist, beispielsweise mittels einer
Dotierung von Bereichen. Das Halbleiterstück kann ein Substrat umfassen,
auf dem weitere Strukturen oder Funktionselemente gebildet sind.
Das Halbleiterstück
kann als eine Einheit gebildet sein, d. h. nur aus einem Halbleitermaterial bestehen,
oder mehrere verbundene Schichten, die unterschiedlichen Materialen
aufweisen können,
umfassen.
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Das
erste und zweite Halbleiterstück
können die
gleiche Form und Größe aufweisen
oder unterschiedliche Formen und Größen aufweisen. Vorzugsweise
kann das erste und/oder zweite Halbleiterstück ein Wafer oder ein Chip
sein.
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Die
vorliegende Erfindung schafft somit bei einem Ausführungsbeispiel,
bei dem das erste und das zweite Halbleiterstück ein Wafer ist, eine elektrische
Verbindung zwischen zwei Wafern.
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Ferner
ist bei einem Ausführungsbeispiel
ein elektrisches Verbinden zwischen einem Wafer und einem Chip vorgesehen.
Dabei kann der Wafer entweder das erste Halbleiterstück sein,
das den Stift vor dem Verbinden aufweist, oder das zweite Halbleiterstück sein,
so dass in diesem Fall der Stift vor dem Verbinden in dem Chip angeordnet
ist. Bei diesen Ausführungsbeispielen
kann auch eine Mehrzahl von Chips mit dem Wafer verbunden werden.
Die Chips können
einzelne Chips sein, die zuvor aus einem Wafer beispielsweise durch
ein Sägen
vereinzelt wurden. Die Chips können
vor oder nach dem Vereinzeln gedünnt
werden. Das Verfahren umfaßt
vorzugsweise ein justiertes Plazieren der vereinzelten Chips auf dem
Wafer und ein Verbinden derselben mittels bekannter Techniken. Daraufhin
wird das elektrische Verbinden von Anschlußflächen der Chips mit zugeordneten
Anschlußflächen des
Halbleiterstücks
mittels der oben beschriebenen erfindungsgemäßen Druckausübung auf
den Stift durchgeführt,
so daß die Mehrzahl
von einzelnen Chips mit dem Wafer elektrisch verbunden sind. Mit
anderen Worten gesagt, werden bei diesem Ausführungsbeispiel anstatt eines
Top-Wafers viele einzelne Chips auf den Bottom-Wafer aufgesetzt
und verbunden
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
kann es auch vorgesehen sein, daß eine Vereinzelung in Chips
erst nach dem Aufsetzen und Verbinden mit dem Wafer erfolgt.
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Ferner
können
das erste und zweite Halbleiterstück auch jeweils ein Chip sein,
so daß mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren
ein Verbinden zwischen zwei Chips durchgeführt wird.
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Es
kann vorgesehen werden, daß der
elektrische Kontakt zwischen den leitfähigen Bereichen lediglich für eine bestimmte
Zeitdauer, d. h. während des
Zeitraums des Ausübens
des Drucks oder eine darüber
hinausgehende bestimmte Zeitdauer, vorliegt. Vorzugsweise wird durch
das Druckausüben eine
bleibende elektrische Verbindung zwischen den leitfähigen Bereichen
geschaffen. Dies kann beispielsweise durch eine plastische Verformung
des ersten und/oder zweiten leitfähigen Bereichs und/oder einer
Veränderung
der Haftfläche
zwischen denselben bewirkt werden.
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Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
wird eine Anschlußfläche des
ersten Halbleiterstücks
durch einen in dem ersten Halbleiterstück angeordneten Stift in eine
zweite Anschlußfläche des
zweiten Halbleiterstücks
gedrückt
wird. Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren
wird eine Ausnehmung, in der der Stift angeordnet ist, vor einem
Anordnen des ersten Halbleiterstücks
auf dem zweiten Halbleiterstück
gebildet, so daß nach
dem Verbinden der beiden Halbleiterstücke kein Ätzen von Durchführungskontaktierungsstrukturen
erforderlich ist. Durch das Kontaktieren der ersten Anschlußfläche mit
der zweiten Anschlußfläche mittels
einer Druckausübung
durch den Stift wird eine gute elektrischen Kontaktierung erreicht.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
wird zusätzlich
zum mechanischen Druck durch einen angelegten pneumatischen Druck
eine hohe mechanische Verankerung der ersten Anschlußfläche in der
zweiten Anschlußfläche erreicht.
Dadurch ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Prozesstoleranz vergrößert, was
zu einer hohen Prozeßsicherheit
und geringeren Herstellungskosten führt. Ein weiterer Vorteil des
Verfahrens liegt darin, daß der
ganze Prozeßablauf
auf einem Standard-Equipment,
das in der Halbleiterindustrie üblich
ist, durchgeführt
werden kann. Dadurch ergibt sich eine einfache Integration in bestehende
Prozeßabläufe und
geringe Herstellungskosten.
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Die
erste Anschlußfläche und
der Stift können
vor dem Druckausüben
voneinander beabstandet sein, so daß der Stift bei dem Anlegen
des Drucks auf die erste Anschlußfläche beschleunigt wird. Ferner
kann der Stift auch vor dem Ausüben
des Drucks mit der ersten Anschlußfläche mechanisch verbunden sein.
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Gemäß der Erfindung
liegen sich die erste und zweite Anschlußfläche vor dem Ausüben von Druck
gegenüber.
Das Gegenüberliegen
ist derart zu verstehen, daß zumindest
ein Teilbereich der ersten Anschlußfläche einem Teilbereich der zweiten
Anschlußfläche gegenüberliegt.
Vorzugsweise liegen sich die erste und zweite Anschlußfläche mindestens über den
Bereich, über
dem der Stift angeordnet ist, gegenüber, so daß ein Verbinden der ersten
und zweiten Anschlußfläche über den
vollen Bereich des Stifts erreicht werden kann. Dadurch ist eine
große Verbindungsfläche erreichbar.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
weist der Stift ein elektrisch leitfähiges Material auf, so daß derselbe
nach dem elektrischen Kontaktieren eine elektrische Verbindung mit
der zweiten Anschlußfläche aufweist.
Dadurch kann derselbe als elektrischer Durchgangsleiter verwendet
werden, um beispielsweise eine elektrische Durchkontaktierung zu
einer äußeren Oberfläche des
ersten Halbleiterstücks
zu erreichen. Bei einem Ausführungsbeispiel
kann dazu ferner auf der äußeren Oberfläche des
ersten Halbleiterstücks
ein Anschlussbereich vorgesehen sein, der mit dem elektrischen Stift
leitfähig
verbunden ist.
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Bei
einem bevorzugten Ausführungsbeispiel werden
das erste und zweite Halbleiterstück so übereinander angeordnet, daß sich die
erste und zweite Anschlußfläche vor
dem Druckerzeugen über
einen Zwischenraum gegenüberliegen.
Dies ermöglicht, daß bei dem
Ausüben
des Drucks auf den Stift die erste Anschlußfläche in Richtung der zweiten
Anschlußfläche bewegt
werden kann, so daß eine
gute Verbindung derselben erhalten wird.
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So
kann das Ausüben
des Drucks auf den Stift durch ein Anlegen eines äußeren pneumatischen
Umgebungsdrucks, beispielsweise eines Luftdrucks, unterstützt werden,
der allerdings deutlich unter 1000 bar liegen kann. Der Druck kann
statischer Art sein oder auf eine explosionsartige Weise erzeugt
werden. Dabei kann die gesamte Anordnung, die durch das erste und
zweite Halbleiterstück gebildet
ist, dem hohen Druck ausgesetzt werden, wodurch der Druck auf den
Stift auf eine einfache Art und Weise erzeugt wird. Ist zwischen
der ersten und zweiten Anschlußfläche ein
Zwischenraum ausgebildet, so ergibt sich der auf den Stift wirkende
Druck als Differenz des Umgebungsdrucks und des Drucks in dem Zwischenraum.
Das Anlegen des Drucks bewirkt, daß die Haltekräfte des
Stifts, d. h. genauer gesagt die Haftreibungskräfte, die vorwiegend an den seitlichen
Wänden
desselben auftreten, überwunden werden,
so daß sich
derselbe löst
und eine Kraftwirkung auf die darunterliegende erste Anschlußfläche ausübt, wodurch
diese in die zweite Anschlußfläche gedrückt wird
oder auf dieselbe beschleunigt wird.
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Eine
Ausführung
der Erfindung ohne pneumatischen Druck wird allerdings aufgrund
der Einfachheit bevorzugt. So kann der Prägestempel pneumatisch bewegt
werden. Andere Bewegungsmechanismen, z. B. hier mechanisch, können ebenfalls
eingesetzt werden.
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Ferner
kann bei dem Ausüben
des Drucks der Stift vorzugsweise auf eine Temperatur von 200 bis
400°C erwärmt werden,
wodurch derselbe in einen Fließbahren
oder plastischen Zustand überführt wird.
Durch die Inkompressibilität
der plastischen Materialien kann dabei eine gute Druckübertragung
sichergestellt werden und ein Nachfließen von Material des Stifts
während
des Druckverbindens gewährleistet
werden.
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Der
Stift kann ein Metall, wie beispielsweise Aluminium, Wolfram oder
Kupfer, aufweisen, wodurch eine gute elektrische Leitfähigkeit
des Stifts erreicht wird.
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Der
Stift kann ferner vor dem Erzeugen des Drucks bereits mechanisch
mit der ersten Anschlußfläche verbunden
sein.
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Zur
Verbesserung des Gleitens des Stifts kann in der Ausnehmung, in
der der Stift angeordnet ist, eine Gleitschicht erzeugt werden,
um eine geringe Reibung des Stifts gegen das den Stift umgebende
Material zu erreichen, wenn der Stift während des Druckverbindens in
der Ausnehmung bewegt wird. Ferner kann in der Ausnehmung eine Diffusionssperrschicht
gebildet sein, um bei einem Erzeugen und Bewegen des Stifts in der
Ausnehmung eine Diffusion des Stift- Materials in angrenzende Bereiche des
ersten Halbleiterstücks
zu verhindern. Vorzugsweise kann die Gleitschicht und die Diffusionsschutzschicht
durch eine einzige Schicht gebildet sein, wobei diese vorzugsweise
TiN aufweist. Dadurch können
Herstellungsschritte eingespart werden und die Herstellung vereinfacht
werden.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
ist es vorgesehen, auf dem ersten Halbleiterstück Sollbruchstellen zu erzeugen,
die es ermöglichen,
daß bei
dem Ausüben
des Drucks das erste Halbleiterstück entlang der Sollbruchstellen
bricht, so daß mechanische Verspannungen
in dem ersten Halbleiterstück
verhindert werden.
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Zur
Justierung bei Strukturierungsprozessen, wie beispielsweise einem
Erzeugen eines Anschlußbereichs
auf einer äußeren Oberfläche, können in
dem ersten Halbleiterstück
Justiermarken vorgesehen sein, die vorzugsweise durch einen Dummy-Stift
ohne elektrische Funktion gebildet sein können.
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Vorzugsweise
wird das erste Halbleiterstück nach
dem Verbinden mit dem zweiten Halbleiterstück gedünnt, wodurch das Auftreten
mechanischer Verspannungen, die beispielsweise eine Verzerrung von Strukturen
bewirken können,
verhindert wird. Dadurch werden Fehlanpassungen zwischen dem oberen
und unteren Halbleiterstück,
beispielsweise zwischen dem Top- und Bottomwafer, die zu Ausbeuteverlusten
führen
können
oder über
eine entsprechende Gestaltung aufgefangen werden müssen, vermieden.
Dies ermöglicht
eine hohe Integrationsdichte, derart, daß viele Stifte hochintegriert
miteinander verbunden werden können.
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Alternativ
kann das Halbleiterstück
auch vor dem Verbinden gedünnt
werden, wobei derselbe auf einem Hilfsträger, beispielsweise einem Hilfswafer angeordnet
wird.
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Vorzugsweise
wird der erste Wafer bei dem Dünnungsschritt
auf eine Dicke von 5 bis 200 µm
gedünnt.
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Die
Ausnehmung, in der der Stift angeordnet ist, kann ein Loch mit einem
Durchmesser in einem Bereich von 2 bis 50 µm umfassen. Die Ausnehmung kann
ferner in der Tiefe eine Länge
aufweisen, die größer als
5 µm ist.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
kann zur elektrischen Isolierung des Stifts ein Graben in dem ersten
Halbleiterstück
vorgesehen sein, der den Stift umgibt. Der Graben kann selbst von
einer isolierten Schicht umgeben sein, so daß derselbe mit Metall gefüllt sein
kann, wobei derselbe dennoch eine elektrische Isolierung des Stifts
gewährleistet.
Dies bietet den Vorteil, daß bei
einer Anwendung von Wärme das
Material des Grabens fließbar
wird, so daß eine Übertragung
von mechanischen Spannungen über den
Bereich des Grabens hinaus verhindert wird.
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Ferner
ist bei einem Ausführungsbeispiel
ein Erzeugen von äußeren Anschlußbereichen
vorgesehen. Dazu wird zunächst
Material des ersten Halbleiterstücks
abgetragen und daraufhin eine isolierende Schicht auf der durch
das Abtragen erzeugten Oberfläche
des ersten Halbleiterstücks
aufgebracht. Anschließend
wird der Stift durch das Abtragen von Material der isolierenden
Schicht geöffnet
und der Anschlußbereich
durch das Aufbringen leitfähigen
Materials erzeugt wird.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
kann dabei das Abtragen von Material des ersten Halbleiterstücks derart
erfolgen, daß der
Stift und die durch das Abtragen erzeugte Oberfläche nach dem Abtragen auf einer
gleichen Ebene sind. Dadurch wird der Ätzvorgang einfach gehalten,
wodurch ein Erzeugen des Anschlußbereichs mit geringen Kosten
möglich
ist.
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Ferner
kann das Abtragen von Material des ersten Halbleiterstücks derart
erfolgen, daß der
Stift nach dem Abtragen noch von einer Schicht umgeben ist, was
vorzugsweise durch das Verwenden einer Stoppschicht und eines selektiven Ätzens erfolgt. Dies
kann beispielsweise durch ein naßchemisches Ätzen, das
vorzugsweise ein Spin-Ätzen
umfaßt,
erreicht werden. Alternativ kann auch ein trockener Prozeß, beispielsweise
ein Plasma-Prozeß,
verwendet werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann eine Kontamination
des ersten Halbleiterstücks
vermieden werden. Die Stoppschicht kann ferner eine isolierende
Schicht sein, die den Stift zur elektrischen Isolierung umgibt,
wodurch Prozessschritte eingespart werden können.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
kann eine Mehrzahl von Stiften vorgesehen sein, wobei sich die erste
Anschlußfläche ferner über die
Mehrzahl von Stiften erstreckt. Dies ermöglicht eine gleichmäßige Druckverteilung
und eine hohe Verbindungsfläche, so
daß eine
gute elektrische Verbindung erreicht wird.
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Das
Anordnen des ersten Halbleiterstücks auf
dem zweiten Halbleiterstück
kann vorzugsweise ein Verbinden derselben über OH-Gruppen sein, die auf
den jeweiligen Oberflächen
der Halbleiterstücke gebildet
werden, so daß die
Herstel lungskosten durch das Verwenden einer bekannten Technik gering
gehalten werden.
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Ferner
ermöglicht
das erfindungsgemäße Verbinden
ein Verbinden von Wafern, so dass zu einem Waferstapel weitere Ebenen
auf den Waferstapel ohne weiteres hinzugefügt und elektrisch verbunden
werden können,
was einen flexiblen Einsatz des Verfahrens für verschiedene Waferstapeltypen
erlaubt.
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Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf
die beiliegenden Zeichnungen erläutert. Es
zeigen:
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1 eine
schematische Querschnittdarstellung von zwei Wafern, zwischen denen
eine elektrische Kontaktierung erzeugt werden soll, vor einem Verbinden
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2 eine
Querschnittdarstellung der Wafer gemäß 1 nach einem
Verbinden derselben;
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3 eine
Querschnittdarstellung der Waferanordnung gemäß 2 nach einem
Erzeugen eines Anschlußbereichs
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4 eine
Querschnittdarstellung der Waferanordnung gemäß 2 nach einem
Erzeugen eines Anschlußbereichs
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5 eine
Querschnittdarstellung der Waferanordnung gemäß 3 nach einem
Ausüben
von Druck auf den Stift;
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6 eine
Querschnittdarstellung von zwei verbundenen Wafern, bei dem mehrere
Stifte vorgesehen sind;
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7 eine
Querschnittdarstellung der Waferanordnung gemäß 6 nach einem
Ausüben
von Druck;
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8 eine
Querschnittdarstellung von zwei verbundenen Wafern, bei dem ein
Graben zur elektrischen Isolation vorgesehen ist, und
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9 eine
Querschnittdarstellung der Waferanordnung samt Prägestempel
vor dem Ausüben
eines Drucks durch den Prägestempel
gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
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10 eine
Darstellung des Szenarios von 9, nachdem
der Prägestempel
in das erste Halbleiterstück
eingedrungen ist;
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11 eine
Querschnittsdarstellung von zwei verbundenen Wafern, jedoch noch
mit aufgesetztem Prägestempel;
und
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12 eine
Darstellung des Szenarios von 11, nachdem
der Prägestempel
in das erste Halbleiterstück
gepresst worden ist.
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Bevor
detailliert auf die erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele der 9 bis 12 eingegangen
wird, in denen das Ausüben
eines Druck auf die Stifte durch das mechanische Element vorgenommen
wird, wird nachfolgend anhand der 1 bis 8 die
Situation vor und nach dem Ausüben
eines Drucks allgemeiner Natur dargestellt. Bei der Beschreibung der 9 bis 12 wird
jedoch klar, dass sämtliche
Ausführungen
der 1 bis 8 auch für die vorliegende Erfindung
bedeutsam sind, wenn davon ausgegangen wird, dass der Druck auf die
Stifte durch ein mechanisches Element, das sich bezüglich des
ersten Halbleiterstücks
bewegt und von dem ersten Halbleiterstück getrennt ist, erzeugt wird.
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Im
folgenden wird unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 ein
Verfahrensprozeß zum
Erzeugen einer elektrischen Kontaktierung zwischen einem ersten
Wafer 100 und einem zweiten Wafer 102 als ein
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung erklärt.
In den verschiedenen Figuren sind dabei gleichartige Elemente und
Bereiche jeweils durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet.
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Gemäß 1 weist
der erste Wafer 100 ein Substrat 104 auf, auf
dem eine isolierende Schicht 106 gebildet ist. Der erste
Wafer 100 weist ferner ein oder mehrere elektrische Bauelemente 108 auf,
die bei diesem Ausführungsbeispiel
auf einer Oberfläche 104a des
Substrats 104 gebildet sind. Bei anderen Ausführungsbeispielen
können
die Bauelemente 108 jedoch in anderen Bereichen des Wafers 100 gebildet
sein, beispielsweise in tiefer liegenden Ebenen des Substrats 104.
Der erste Wafer 100 weist ferner eine Ausnehmung 110 auf,
die sich in dem Wafer in vertikaler Richtung (y-Achse) zu einer
Oberfläche 100a erstreckt.
In dem Wafer 100 wird ferner im Rahmen der Waferprozessierung
ein leitfähiger
Stift 112 erzeugt, der in der Ausnehmung 110 angeordnet
ist. Der Stift kann metallischer Natur sein, wie beispielsweise
Aluminium, Wolfram oder Kupfer, wobei diese jedoch nicht erforderlich
ist. Das Vorsehen von Metall ermöglicht
ein Verwenden des Stifts als Durchgangsleiter nach dem er findungsgemäßen Erzeugen
einer elektrischen Verbindung mittels Druckanwendung.
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Die
Ausnehmung 110 weist ferner eine isolierende Schicht 114 auf,
die entlang den Oberflächen der
Ausnehmung 110 angeordnet ist. Wie es weiter unten noch
genauer erklärt
wird, kann die isolierende Schicht bei einem Ausführungsbeispiel
ferner die Funktion einer Ätzstoppschicht
bei einem Erzeugen von äußeren Anschlußbereichen übernehmen.
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Der
Stift 112 kann bei einem Ausführungsbeispiel derart erzeugt
werden, daß in
den Wafer 110 ein tiefes Loch, beispielsweise mit einer
Tiefe größer als
5 µm,
anisotrop geätzt
wird und das Loch anschließend
mit SiO2 ausgekleidet wird und beispielsweise
mit einem Metall gefüllt
wird.
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Zwischen
der isolierenden Schicht 114 und dem Stift 112 ist
ferner bei diesem Ausführungsbeispiel
eine Schicht 116 angeordnet, die als eine Diffusionsbarriere
wirkt und/oder eine leichte Verschiebbarkeit des Stifts 112 in
der Ausnehmung 110 ermöglicht.
Zur Erreichung der obigen Eigenschaften wird als Material für die Schicht 116 vorzugsweise
TiN verwendet.
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Der
Wafer 100 weist ferner auf der Oberfläche 100a eine erste
Anschlußfläche 118 auf,
die über der
Ausnehmung 110 gebildet ist. Wie es zu erkennen ist, kann
sich die Anschlußfläche 118 über den Bereich
der Ausnehmung 110 hinaus erstrecken. Die Anschlußfläche 118 kann
beispielsweise derart gebildet werden, daß eine Metallisierung, beispielsweise durch
ein Sputtern von Aluminium, über
den Stift 112 gelegt wird. Der erste Wafer 100 weist
ferner auf der Oberfläche 100a eine
isolierende Schicht 120 auf, die die Anschlußfläche 118 umgibt
und sich ferner teilweise auf derselben erstrecken kann. Die isolierende Schicht 120 kann
beispielsweise erzeugt werden, indem SiO2 oder
ein anderes geeignetes Material, wie beispielsweise Polyimid, aufgebracht
wird und die Waferoberfläche
daraufhin planarisiert und die Metallflächen über dem Stift 112 geöffnet werden.
Dies ermöglicht,
daß die
Schicht 120 in vertikaler Richtung (y-Achse) über den
ersten Anschlußbereich 118 übersteht,
so daß bei
einem späteren
Verbinden des ersten Wafers 100 mit dem zweiten Wafer 102 sich ein
Hohlraum bilden kann.
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Der
Stift 112 ist in dem ersten Wafer 100 vorzugsweise
derart angeordnet, daß er
auf jeweils zugeordnete Kontaktstellen bzw. eine Anschlußfläche 128 des
zweiten Wafers 102 paßt,
wenn die beiden Waferoberseiten aufeinander liegen.
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Der
zweite Wafer 102, der ein mit der üblichen Planartechnik gefertigter
Wafer ist, weist entsprechend zu dem ersten Wafer 100 ein
Substrat 122 auf, auf dem eine isolierende Schicht 124 gebildet
ist. Der zweite Wafer 102 wird als ein Bottom-Wafer bezeichnet,
da er im Gegensatz zu dem ersten Wafer 100, der als ein
Top-Wafer bezeichnet wird, bei der weiteren Bearbeitung nicht gedünnt wird
und damit der Basis- und Trägerwafer
für den
oder die auf ihn montierten dünnen
Wafer ist.
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Die
isolierende Schicht 124 kann, wie die isolierende Schicht 106 des
ersten Wafers 100, SiO2 oder ein
anderes geeignetes Material, beispielsweise Polyimid, aufweisen.
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Der
zweite Wafer 102 umfaßt
wie auch der erste Wafer 100 elektrische Bauelemente 126,
die beispielsweise aktive Bauelemente, wie beispielsweise Transistoren,
oder passive Bauelemente sein können.
Die Bauelemente 126 können
beispielsweise zu einer Schaltung integriert sein. Ferner können die
Bauelemente 126 auch mit den Bauelementen 108 eine
Schaltung bilden.
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Auf
einer Oberfläche 102a des
Wafers 102 ist ferner die Anschlußfläche 128 angeordnet,
die beispielsweise vorgesehen ist, um die Bauelemente 126 mit
elektrischer Spannung zu versorgen. Die Anschlußfläche 128 ist von einer
isolierenden Schicht 130 umgeben, die sich auch teilweise
auf der Anschlußfläche 128 erstrecken
kann.
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Die
Herstellung des Wafers erfolgt vorzugsweise derart, daß der Wafer 102 planarisiert
wird, indem ein isolierendes Material, beispielsweise SiO2, auf demselben abgeschieden wird und das
Material anschließend
mittels einer CMP-Behandlung
(CMP = Chemical Mechanical Polishing = chemisch mechanisches Polieren)
eingeebnet wird. Alternativ kann die Planarisierungsschicht auch
aus einem anderen Material, wie beispielsweise Kunststoff, bestehen.
In einem anschließenden
Schritt wird die zukünftige
Anschlußfläche bzw.
elektrische Kontaktfläche 128 geöffnet. Dazu
kann ein Standard-Lithographieschritt eingesetzt
werden, der sich aus einer Lithographie, einem Ätzen und einem Lackveraschen
zusammensetzt. Vorzugsweise wird die isolierende Schicht 130 und/oder
die isolierende Schicht 120 so gebildet, daß sich bei
einem Verbinden der Wafer 100 und 102 zwischen
den Anschlußflächen 128 und 118 ein
Hohlraum ausbildet. Daher wird die isolierende Schicht 120 und/oder
die isolierende Schicht 130 vorzugsweise nicht planar mit
den jeweils zugeordneten Anschlußflächen 118 bzw. 128 gebildet
sondern stehen in vertikaler Richtung, d. h. senkrecht zu der Waferebene, über dieselben
hinaus.
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Das
Verbinden der beiden Wafer 100 und 102 kann mittels
bekannter Verbindungsverfahren erfolgen. Vorzugsweise wird dazu
das bekannte und etablierte Verfahren über OH-Gruppen, die auf den zwei
Waferoberflächen
gebildet werden, verwendet. Dazu werden vor dem Verbinden der beiden
Wafer mittels eines geeigneten Prozeßschritts vorzugsweise Si-OH-Gruppen
oder C-OH-Gruppen auf zumindest einer der Waferoberflächen erzeugt.
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2 zeigt
die Wafer 100 und 102 nach dem Durchführen des
Verbindens.
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Die
Wafer 100 und 102 werden gemäß 2 so aufeinandergesetzt,
daß sich
eine Waferanordnung 132 ergibt, bei der sich die jeweiligen
Anschlußflächen 118 und 128 gegenüberliegen.
Zum Sicherstellen, daß sich
die Anschlußflächen 118 und 128 auf
die gewünschte
Weise gegenüberliegen,
kann bei dem Verbinden ein Justieren durchgeführt werden. Ferner können die
Wafer 100 und 102 jedoch auch auf eine selbstjustierende
Art und Weise verbunden werden, wodurch ein Vorsehen entsprechender
Justiermarken entfallen kann.
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Wie
es in 2 zu erkennen ist, liegen sich bei diesem Ausführungsbeispiel
die Anschlußflächen 118 und 128 über einen
Hohlraum bzw. Zwischenraum 132 gegenüber. Der Hohlraum 132 wird
durch die miteinander verbundenen Schichten 120 und 130 seitlich
begrenzt, die bei der Vorbereitung des ersten bzw. zweiten Wafers 100 und 102 jeweils
gegenüber den
Anschlußflächen 118 bzw. 128 erhöht gebildet wurden.
In vertikaler Richtung, d. h. senkrecht zu den Ebenen der Wafer 100 und 102,
ist der Hohlraum 132 durch die Anschlußflächen 118 und 128 begrenzt. Der
Hohlraum kann luftdicht abge schlossen sein und einen Umgebungsluftdruck
oder ein Vakuum aufweisen.
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In
einem anschließenden
Schritt wird der erste Wafer 100, d. h. der Top-Wafer,
gedünnt,
bis der Stift 112 oder die den Stift 112 umgebende
Schicht 114 frei liegt. Dazu wird auf einer Oberfläche 100b des
Wafers 100 Material abgetragen, wobei dies entweder so
erfolgen kann, daß die
Schicht 114, mit der die Ausnehmung 110 ausgekleidet
ist, erhalten bleibt oder derart, daß der Stift 112 so
geöffnet
wird, daß das
Material desselben, das vorzugsweise ein Metall ist, frei liegt.
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Welchen
der beiden oben genannten Vorgehensweisen der Vorzug zu geben ist,
hängt von
der folgenden Prozeßabfolge
ab. Dabei spielen Kontaminationsaspekte ebenso eine Rolle wie die
Herstellungskosten. Die zwei Vorgehensweisen sollen im folgenden
anhand der 3 und 4 näher erklärt werden.
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In
dem Fall, bei dem die isolierende Schicht 114 der Ausnehmung 110 erhalten
bleibt, wird der letzte Abtrag, bei dem der Stift 112 freigelegt
wird, vorzugsweise als ein naßchemischer
Schritt ausgeführt.
Beispielsweise ist für
diesen naßchemischen Schritt
ein sogenannter Spin-Ätzer
geeignet. Nach diesem Prozeßschritt
steht der Stift aus der Oberseite des Waferstapels heraus, wobei
der Stift 112 von der isolierenden Schicht 114 umgeben
ist, so daß derselbe
in das Material derselben, beispielsweise ein Oxid, gehüllt ist.
Darauf kann nun ein isolierendes Material, wie beispielsweise SiO2 oder Si3N4 abgeschieden werden, um gemäß 3 eine
isolierende Schicht 134 zu bilden. Die Dicke der isolierenden Schicht 134 ist
so zu wählen,
daß sich
das Ende des Stifts 112 noch über der Ebene der zuletzt abge schiedenen
Schicht befindet. Daraufhin wird der Stift durch ein Abtragen der
isolierenden Schicht 114 geöffnet, so daß das Material
des Stifts freigelegt ist. Das Öffnen
des Stifts kann beispielsweise mittels einer CMP-Behandlung erfolgen.
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Die
oben beschriebene Vorgehensweise weist den Vorteil auf, daß sichergestellt
wird, daß es zu
keiner Kontamination des Wafers, d. h. genauer zu keiner Kontamination
des Materials des Substrats 104, das beispielsweise Silizium
aufweisen kann, kommt. Eine derartige Kontamination kann beispielsweise
durch metallische Partikel während
des Freiätzens
des Stifts 112 erfolgen, wodurch sich Eigenschaften des
Substrats, beispielsweise eine Leitfähigkeit, ändern können.
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In
einem weiteren Prozeßschritt
wird ein Anschlußbereich 136 auf
dem freigelegten Stift 112 gebildet, wobei sich der Anschlußbereich 136 in
lateraler Richtung (x-Achse) über
den Stift 112 hinaus erstrecken kann. Das Bilden des Anschlußbereichs 136 kann
beispielsweise durch eine Abscheidung von Metall, wie beispielsweise
Aluminium, und einer anschließenden
Strukturierung erfolgen.
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3 zeigt
die Waferanordnung nach einem Durchführen der oben genannten Herstellungsschritte.
Wie es zu erkennen ist, ist auf dem Substrat 104 die isolierende
Schicht 134 gebildet, die den oberen Teil des Stifts 112 umgibt
und planar mit dem oberen Ende desselben abschließt. Auf
dem Stift 112 und der isolierenden Schicht 134 ist
der strukturierte Anschlußbereich 136 gebildet,
wobei derselbe bei diesem Ausführungsbeispiel
eine erste Schicht 138 und eine zweite Schicht 140 aufweist.
Die erste Schicht 138 ist vorgesehen, um eine gute elektrische
Verbindung zu dem Stift 112 herzustellen. Die zweite Schicht 140 ist
auf der ersten Schicht 138 gebildet und stellt vorzugsweise
eine gute Lötbarkeit
oder Bondbarkeit einer Anschlußverbindung
mit dem Anschlußbereich 136 sicher.
Die Schichten 138 und 140 können vorzugsweise ein Metall
umfassen.
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Unter
Bezugnahme auf 4 wird nachfolgend die oben
erwähnte
alternative Möglichkeit
des Öffnens
des Stifts 112 zum Aufbringen des Anschlußbereichs 136 auf
demselben beschrieben. In diesem Fall wird der Stift 112 gleich
beim Dünnen
des Wafers 100 geöffnet.
Es enden somit das Substrat 104 des Wafers 100,
die den Stift 112 umgebende Schicht 114 und der
Stift 112 auf der oberen Seite in der gleichen Ebene. Anschließend wird
auf diese obere Fläche eine
isolierende Schicht, die beispielsweise SiO2 und/oder
Si3N4 umfassen kann,
abgeschieden.
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Daraufhin
kann der Stift 112 durch einen justierten Lithographieschritt
geöffnet
werden. Der Lithographieschritt kann beispielsweise eine Lithographie, ein Ätzen und
ein Lackentfernen umfassen. Um die Justierung durchzuführen, können die
dazu benötigten
Justiermarken durch zusätzliche
Stifte in dem Wafer 100 bereitgestellt werden, die keine
elektrische Funktion von der Vorderseite auf die Rückseite des
Wafers übertragen.
In einem folgenden Schritt wird ein leitfähiges Material, beispielsweise
Aluminium, •auf
diese Ebene beispielsweise mittels eines Sputterns aufgebracht und
anschließend
strukturiert.
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4 zeigt
die Waferanordnung 132 von 2 nach dem
Durchführen
der obigen Prozeßschritte.
Wie es zu erkennen ist, ist auf dem Substrat 104 eine isolierende
Schicht 142 gebildet, die in dem Bereich des Stifts 112 eine
Ausnehmung aufweist. Auf der Schicht 142 sowie in der Ausnehmung
derselben ist ein Anschlußbereich 144 gebildet,
der elektrisch und mechanisch mit dem Stift 112 verbunden ist.
Entsprechend zu der unter Bezugnahme auf 3 beschriebenen
Möglichkeit
weist der Anschlußbereich 144 eine
erste und zweite Schicht 146 und 148 auf, wobei
die erste Schicht 146 zum Liefern einer guten elektrischen
Verbindung mit dem Stift 112 und die zweite Schicht 148 zum
Liefern einer guten Lötbarkeit
oder Bondbarkeit vorgesehen sind.
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Bei
den unter Bezugnahme auf die 3 und 4 dargestellten
Waferanordnungen wurde ein Dünnen
des Top-Wafers 100 nach einem Befestigen desselben an dem
Bottom-Wafer durchgeführt. Dies
ermöglicht,
im Gegensatz zu Verfahren, bei denen der Top-Wafer an einem Hilfssubstrat
bzw. Handlings-Substrat
gedünnt
wird, ein Einhalten der Maßhaltigkeit
des Wafers. Bei dem Dünnen
des Top-Wafers an einem Handlings-Substrat kann der Top-Wafer durch die
auftretenden mechanischen Verspannungen, die im Schichtaufbau und/oder
der Schichterzeugung liegen, verzerrt werden, so daß es zu Fehlanpassungen
zwischen dem Top- und Bottom-Wafer kommen kann. Diese Fehlanpassungen führen zu
Ausbeuteverlusten oder müssen über die Gestaltung
der elektrischen Kontaktierungen aufgefangen werden. Zu diesen unerwünschten
Effekten kann es bei dem oben beschriebenen Verfahren, bei dem die
beiden Wafer bei dem Dünnungsprozeß bereits
starr miteinander verbunden sind, nicht kommen. Es besteht folglich
die Möglichkeit
viele Stifte hochintegriert miteinander zu verbinden, um einen Durchführungskontakt
mit einer guten elektrischen Leitfähigkeit zu erreichen.
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Alternativ
zu der oben beschriebenen Vorgehensweise kann der Wafer 100 auch
vor dem Verbinden derselben durch ein Kleben auf ein Hilfssubstrat bzw.
Handlings-Substrat gedünnt
werden. Auch in diesem Fall wird der Stift 112 vorzugsweise
so plaziert, daß er
auf die zugeordnete Anschlußfläche 128 des
zweiten Wafers 102 trifft. Wenn keine dielektrische Schicht
auf das Substrat 104 aufgebracht wird, um für eine Isolation
des Stifts 112 zu sorgen, muß die Isolation über ein
Design des Stifts realisiert werden. Dazu kann beispielsweise ein
Graben, der als ein geschlossener Kreis in dem Substrat 104 vorgesehen
ist, verwendet werden, wobei derselbe isolierend ausgekleidet sein
kann. Ein solches Ausführungsbeispiel
wird weiter unten unter Bezugnahme auf 8 näher erklärt.
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Die
weitere Bearbeitung der gedünnten
Waferseite kann daraufhin wie bei den oben beschriebenen beiden
Möglichkeiten,
bei denen das Dünnen
in dem verbundenen Zustand durchgeführt wurde, erfolgen. Anschließend wird
der Stapel, d. h. der Wafer 100 und der an dem Wafer 100 befestigte
Hilfswafer, mit dem zweiten Wafer 102 verbunden und der
Hilfswafer entfernt. Daraufhin kann der im folgenden beschriebenen
Prozeßschritt
mit dem der elektrische Kontakt zwischen dem Wafer 100 und
dem Wafer 102 hergestellt wird, erfolgen.
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Im
folgenden wird unter Bezugnahme auf 5 der erfindungsgemäße Schritt
zum Erzeugen des elektrischen Kontakts zwischen den beiden Wafern
beschrieben. 5 zeigt dabei den unter Bezugnahme
auf 3 beschriebenen Waferstapel, wobei jedoch der
erfindungsgemäße Verbindungsschritt
auf die gleiche Weise auch für
den unter Bezugnahme auf 4 beschriebenen Waferstapel
sowie auf einen Waferstapel, der durch ein Dünnen des Wafers 100 vor
dem Verbinden gebildet wird, durchgeführt werden kann.
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Bei
dem Verbindungsschritt kann bei einem Ausführungsbeispiel der Wafer 100 auf
eine hohe Temperatur von etwa 400°C
erhitzt werden, wobei gleichzeitig durch ein mechanisches Element
(nicht gezeigt) ein hoher Druck erzeugt wird.
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Durch
die Kombination dieser Prozeßparameter
oder allein durch den mechanischen Druck ohne Erhitzen wird der
Stift 112 in der Ausnehmung 110 durch den darüberliegenden
metallischen Anschlußbereich
auf die Seite des niedrigeren Drucks geschoben. Der niedrigere Druck
befindet sich im Hohlraum 132 unter dem Stift 112 zwischen
den verbundenen Wafern 100 und 102. Der Stift 112 und
die Anschlußfläche 118 bewegen
sich in das Material der Anschlußfläche 128 des Bottom-Wafers 102,
bis sich ein Kräftegleichgewicht
eingestellt hat oder das mechanische Element keine vorbestimmte
maximale Eindringtiefe erreicht hat. Da bei diesem Ausführungsbeispiel
der Wafer 100 auf eine hohe Temperatur erwärmt ist,
weist das Material des Stifts 112 einen Fließbahren
Zustand auf, der ein Nachfließen
ermöglicht.
Dadurch kann während
der Bewegung des Stifts 112 Material von der Oberseite
des Waferstapels nachfließen,
was dafür
sorgt, daß der
Stift 112 auch nach oben weiterhin eine elektrische leitende Verbindung
aufweist. Ferner ermöglicht
das fließbare Material
des Stifts 112 eine Übertragung
des Drucks, da ein fließbares
bzw. flüssiges
Material inkompressibel ist. Ein weiterer Vorteil dieses Verfahrens
besteht darin, daß durch
das Erwärmen
des Stifts 112 Hohlräume
oder andere schlecht leitende Bereiche desselben, die sich während der
Erzeugung des Stifts 112 in dem Vorbereitungsschritt bilden
können, aufgelöst werden,
wodurch der Stift durch den fließbaren Zustand und die hohen
anliegenden Drücke nach
dem Durchführen
der oben beschriebenen elektrischen Verbin dung eine sehr kompakte
Masse mit geringen Hohlräumen
aufweist.
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5 zeigt
die Waferanordnung von 3 nach dem Durchführen der
oben beschriebenen Schritte.
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In 5 ist
zu erkennen, daß durch
das oben beschriebene Verfahren der Stift 112 in der Ausnehmung
im Vergleich zu der Anordnung von 3 nach unten,
d. h. in Richtung der Anschlußfläche 128 des
zweiten Wafers 102 verschoben ist. Auf entsprechende Weise
ist die Anschlußfläche 118 in dem
Bereich des Stifts 112 nach unten verschoben und in das
Material der Anschlußfläche 128 des
zweiten Wafers 102 gedrückt.
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Die
Bewegung des Stifts 112 führt somit zu einer Verformung
der Anschlußfläche 118,
so daß der zwischen
den Anschlußflächen 118 und 128 gebildete
Hohlraum 132a nunmehr lediglich seitlich der Anschlußfläche 118 mit
einem geringeren Volumen gebildet ist. Dadurch kann in dem Hohlraum 132a ein höherer Druck
als zu Beginn des Druckverbindens auftreten, wenn derselbe in dem
Vorbereitungsschritt luftdicht gebildet ist. Alternativ kann das
Verbinden der Wafer 100 und 102 auch in einer
Vakuumumgebung erfolgen, so daß der
Hohlraum keinen Luftdruck aufweist, wodurch ein Anstieg des Drucks
in dem Hohlraum 132a vermieden wird.
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Wie
es in 5 ferner zu erkennen ist, führt der oben beschriebene Verbindungsschritt
ebenso zu einer Verformung des Anschlußbereichs 136 in dem
Bereich des Stifts 112 und daran angrenzenden Bereichen
desselben. Der Anschlußbereich 136 kann
in einem anschließenden
Schritt mittels einer Standardprozessierung strukturiert werden.
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Bei
dem beschriebenen Ausführungsbeispiel,
bei dem der Stift 112 ein leitfähiges Material aus Metall aufweist,
wird eine elektrische Verbindung von der Anschlußfläche 128 über die
Anschlußfläche 118 und
den Stift 118 zu dem Anschlußbereich 136 hergestellt.
Dadurch kann eine elektrische Durchkontaktierung der Anschlußfläche 128 erreicht
werden. Bei anderen Ausführungsbeispielen
kann es vorgesehen sein, lediglich eine elektrische Verbindung der beiden
Anschlußflächen 118 und 128 zu
erreichen. Beispielsweise kann die Anschlußfläche 128 mit einer
durch die Bauelemente 126 gebildeten Schaltung verbunden
sein, während
die Anschlußfläche 118 mit einer
durch die Bauelemente 108 gebildeten Schaltung verbunden
ist, so daß durch
das elektrische Verbinden der Anschlußflächen 118 und 128 die
beiden in den Wafern 100 und 102 angeordneten
Schaltungen miteinander elektrisch verbunden werden, wobei der Stift 112 ein
elektrisch isolierendes Material aufweisen kann.
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Bei
dem erfindungsgemäßen Verbinden durch
Druckanlegen wird der Top-Wafer 100 vorzugsweise nur lokal
einer hohen mechanischen Belastung ausgesetzt sein. Daher kann bei
einem Ausführungsbeispiel
ein geeignetes Design des Stifts 112 vorgesehen sein, um
eine unzulässige
Schädigung
zu verhindern. Dazu kann beispielsweise der Stift 112 so
erzeugt werden, daß sich
in seinem Bereich Sollbruchstellen befinden, die eine undefinierte Schädigung des
Substrats des Top-Wafers 100 verhindern.
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6 zeigt
ein Ausführungsbeispiel,
bei dem eine Mehrzahl von Stiften 112 in dem Top-Wafer 100 gebildet
sind, vor dem Durchführen
des erfindungsgemäßen Druckverbindens.
Die Mehrzahl von Stiften 112 sind jeweils mit einer einzigen Anschlußfläche 118 und
einem oberen Anschlußbereich 136 verbunden.
Bei dem Anlegen des Drucks wird der Bereich, in dem der Druck wirksam
wird, durch die Ausdehnung des Hohlraums 132 in lateraler
Richtung definiert. Bei dem unter Bezugnahme auf 6 gezeigten
Ausführungsbeispiel
erstreckt sich der Hohlraum 132 jenseits des Bereichs,
in dem die Mehrzahl von Stiften 112 gebildet ist, so daß in dem gesamten
Bereich des Hohlraums 132 der hohe Druck auftritt, was
zu einer hohen mechanischen Verspannung in dem Substrat 104 führen kann.
Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist daher im Bereich der äußeren Stifte
eine Sollbruchstelle 150 vorgesehen, die zwischen dem Stift 112 und
der Gleitschicht 116 angeordnet ist.
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7 zeigt
die Waferanordnung von 6 nach dem Durchführen des
erfindungsgemäßen Druckverbindens.
Wie es in 7 zu erkennen ist, führt die
Sollbruchstelle 150 dazu, daß nach dem Durchführen des
elektrischen Verbindungsschritts durch hohes Druckanlegen ein Teilbereich 152 des Substrats 104 verschoben
ist, so daß dadurch
das Auftreten von mechanischen Verspannungen in dem Wafer 100 verhindert
werden kann. Dadurch kann die Anschlußfläche 128 über eine
Mehrzahl von Stiften 112 mit dem Anschlußbereich 136 verbunden
werden, ohne daß in
dem Wafer 100 mechanische Verspannungen auftreten.
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Unter
Bezugnahme auf die 8 wird im folgenden ein weiteres
Ausführungsbeispiel
beschrieben, bei dem eine elektrische Isolierung des Stifts 112 gegen
das Substrat 104 mittels eines Grabens 152 erreicht
wird, der um den Stift 112 angeordnet ist.
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8 zeigt
eine Waferanordnung vor dem Druckverbinden, wobei bei derselben
der leitfähig ausgebildete
Stift 112 lateral von dem geschlossen isolierten Graben 152 umgeben
ist, der die Isolation des Stifts 112 gegen das Substrat
realisiert. Der Graben 152 kann vollständig mit einem isolierenden
Material gefüllt
sein. Ferner kann der Graben 152 gemäß 8 mit einer
isolierenden Schicht 154 ausgekleidet werden, so daß derselbe
mit einem leitfähigen Material 156 gefüllt sein
kann. Dies weist den Vorteil auf, daß bei dem Anlegen der hohen
Drücke
auf den Stift 112 und einem gleichzeitigen Erwärmen des
ersten Wafers 100 ein Übertragen
von mechanischen Verspannungen auf das Substrat 104 verringert
wird, da sich das Metall 156 des Grabens 152 in
einem fließbaren
Zustand befindet, so daß ein Übertragen der
mechanischen Spannungen von dem Bereich, in dem der Stift 112 angeordnet
ist, auf einen Bereich des Substrats 104 außerhalb
des Grabens 152 verringert bzw. verhindert wird.
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9 zeigt
ein zu 4 ähnliches
Szenario, jedoch nunmehr mit eingezeichnetem mechanischen Element 200,
das bei dem in 10 gezeigten Ausführungsbeispiel
als Prägestempel
implementiert ist.
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Allgemein
wird durch das mechanische Element 200 im Schritt des Ausübens eines
Drucks ein Druck auf dieses mechanische Element 200 ausgeführt. Das
mechanische Element 200 ist von dem ersten Halbleiterstück 100 getrennt.
Ferner ist das mechanische Element 200 so bezüglich des
Stifts 112 angeordnet, dass es sich, wenn auf dasselbe
ein Druck ausgeübt
wird, bezüglich
des ersten Halbleiterstücks
bewegt, und zwar in Richtung des ersten Halbleiterstücks bewegt,
so dass die elektrische Verbindung zwischen der ersten An schlussfläche 118 und
der zweiten Anschlussfläche 128 hergestellt wird.
Diese Situation ist in 10 gezeigt, die 5 ähnelt, jedoch
nunmehr um das eingezeichnete mechanische Element 200 ergänzt ist.
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Bei
dem in 9 gezeigten Ausführungsbeispiel ist das mechanische
Element 200 als Prägestempel
ausgeführt,
der eine Anschlagfläche 202 aufweist,
sowie ein an der Anschlagfläche 202 angebrachtes
vorstehendes Element 204, das eine vorbestimmte Länge aufweist,
die durch einen Doppelpfeil 206 angedeutet ist. Insbesondere
zeigt die Länge 206 an,
wie tief letztendlich das Element 204 in das erste Halbleiterstück 100 eindringen
wird. Die Länge 206 wird
sich dann, wie es in 10 gezeigt ist, identisch oder
typischerweise etwas reduziert aufgrund der elastischen Eigenschaften
der gedrückten
Materialien in eine Bewegung des Stifts 112 übertragen.
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Bei
dem in dem in 9 und 10 gezeigten
Ausführungsbeispiel
ist ferner gezeigt, dass die Dimensionierungen des mechanischen
Elements insbesondere des Abschnitts beispielsweise des vorstehendend
Stücks
des Prägestempels
so ist, dass die Abmessungen des vorstehenden Elements den Abmessungen
des Stifts innerhalb eines Toleranzbereichs entsprechen. So sollte
der Bereich des mechanischen Elements, der tatsächlich in das erste Halbleiterstück eindringt,
bezüglich
seiner Querschnittsfläche
nicht unbedingt größer als
50% bezüglich
der Querschnittsfläche
des Stifts sein. Bevorzugt werden noch genauere Toleranzen wie beispielsweise höchstens
10% größer, damit
der Bereich des Halbleiterstücks 100,
der sich um den Stift 112 herum erstreckt, nicht oder nicht
so stark beschädigt
wird. Eher unkritisch ist dagegen, wenn das in das erste Halbleiterstück eindrin gende
mechanische Element im Hinblick auf seine Querschnittsfläche kleiner
als der Stift dimensioniert ist. Grenzen werden hier in der mechanischen
Stabilität
des vorstehenden Elements 204 sowie in der Herstellbarkeit
liegen. So sollte die Querschnittsfläche des eindringenden Elements 204 wenigstens
10% der Querschnittsfläche
des Stifts betragen und vorzugsweise sogar wenigstens 90% betragen.
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9 zeigt
somit einen Einzel-Pin mit Prägestempel,
während 10 den
Einzel-Pin nach Einsatz des Prägestempels
mit erzeugter elektrischer Verbindung zwischen den Aluminiumebenen 118 und 128 darstellt.
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11 und 12 zeigen
eine zu 6 und 7 ähnliche
Situation, nun jedoch ebenfalls mit dem Prägestempel 200, der
nun jedoch nicht nur einen einzigen Stift 112 unter Druck
setzen soll, sondern eine Mehrzahl von Stiften, die nahe beieinander angeordnet
sind. Im einzelnen zeigt 11 einen
Pin mit Isolationsring und aufgesetztem Prägestempel, wobei der Prägestempel
jedoch noch nicht so in das erste Halbleiterstück eingedrückt ist, dass es bereits zu
einer Kontaktierung der Ebenen 118 und 128 gekommen
ist. Diese Situation zeigt 12, wobei
in 12 der Kontakt zwischen den Aluminiumebenen 118 und 128 durch
Eindrücken
des Prägestempels
in das erste Halbleiterstück
erreicht worden ist. Aus 12 ist
genauso wie aus 10 zu sehen, wie die Anschlagfläche 202 Eingriff
mit der oberen Oberfläche
des ersten Halbleiterstücks
nimmt, wodurch der Tiefenanschlag realisiert ist.
-
Ferner
ist aus 12 anhand der Begrenzungslinie 108 dargestellt,
dass der Prägestempel
zu einer Absenkung, die typischerweise rechteckförmig oder kreisförmig sein
wird, in dem ersten Halbleiterstück
führt,
wobei auf sämtliche
Stifte, die im Bereich dieser Absenkung sind, Kräfte ausgeübt werden, wenn der Prägestempel
eingedrückt
ist, während
auf Stifte, die außerhalb
des Absenkungsbereich angeordnet sind, der durch die Begrenzungslinie 208 dargestellt
ist, keine Kräfte
ausgeübt
werden.
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Im
Hinblick auf die Herstellung des mechanischen Elements sei darauf
hingewiesen, dass dieses vorzugsweise ebenfalls als Wafer ausgeführt wird, der
z. B. eine flache Rückseite
hat, und auf dessen Vorderseite die vorstehenden Elemente 204 an
Stellen realisiert sind, an denen im ersten Halbleiterstück 100 Stifte 112 zu
betätigen
sind. Damit kann genauso wie im Fall des pneumatischen Drucks ein
Wafer insgesamt durch einmaliges Pressen des „Prägestempelwafers" insgesamt bearbeitet
werden. Voraussetzung hierfür
ist jedoch, dass die Vorderseite des Prägestempelwafers entsprechend
bearbeitet wird, dass also z. B. durch Nassätzen oder Trockenätzen an
den Stellen, an denen eine Auflagefläche sein soll, oder an denen
kein Druck auf das erste Halbleiterstück 100 ausgeübt werden
soll, Material abgetragen wird. Ferner hat sich herausgestellt,
dass Si-Wafer sehr gut geeignet für die Prägestemepel sind, da Silizium eine
ausreichende strukturelle Stabilität hat, so dass das mechanische
Element 204 auch tatsächlich
in den oberen Chip eindringt und nicht etwa abbricht.
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Das
erfindungsgemäße Konzept
des mechanischen Betätigens
der Stifte hat ferner den Vorteil, dass verschiedene Stifte innerhalb
eines Halbleiterstücks
individuell bedient werden können.
Dies bedeutet, dass vielleicht für
einen Stift ein tieferes Eindringen erforderlich ist als für einen
anderen Stift. Während
bei der Druckbetätigung
keine Differenzie rung bzw. nur eine komplizierte Differenzierung
hinsichtlich der Reibungskoeffizienten möglich war, ist beim erfindungsgemäßen Konzept
dieses einfach realisierbar, wenn nämlich einfach der vorstehende
Abschnitt 204 für
einen Stift, der stärker
zu betätigen
ist, länger
gemacht wird als für
einen Stift, der nur weniger zu betätigen ist.
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Damit
kann auch berücksichtigt
werden, dass in Bereichen des ersten Halbleiterstücks, in
denen viele Stifte zwar individuell bedient werden, jedoch relativ
nahe beieinander liegen, diese Stifte auch insgesamt mit kürzeren Eindringelementen
bedient werden, um ein insgesamtes zu starkes Beschädigen des
ersten Halbleiterstücks
in einem solchen Bereich mit vielen Stiften zu vermeiden, während in
Bereichen, in denen nur sehr wenig Stifte sind, mit geringeren Bedenken
längere
Stifte eingesetzt werden können,
um dort sicher einen elektrischen Kontakt zu erzeugen.
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Ferner
können
die Eindringelemente 204 auch strukturiert werden, um z.
B. in dem Fall von 12 hier mehr Druck auf das Material über den seitlichen
Stiften 112 auszuüben,
während
eher weniger Druck auf das Material über dem mittleren Stift 112 ausgeübt wird,
so dass der effektive Druck auf jeweils einen der Stifte insgesamt
unter den Stiften annähernd
gleich ist. Dies könnte
dadurch erreicht werden, dass das Eindringelement 204 in
dem Bereich des mittleren Stifts etwas zurückgenommen wird, also eine
kleine Ausnehmung erhält.
An dieser Stelle sei noch einmal darauf hingewiesen, dass aufgrund der
Tatsache, dass das mechanische Element mittels typischer Halbleiterfertigungstechniken
hergestellt werden kann, beliebige, auch noch so komplizierte Formgebungen
ohne Probleme durch Lithographietechniken etc. erreicht werden können. Außerdem sei
noch darauf hingewiesen, dass natürlich ein Prägewafer,
sofern er bei einer Betätigung
der Stifte eines Halbleiterstücks
nicht beschädigt
worden ist, wiederverwendet werden kann, wodurch zum einen Kosten
gespart werden, und zum anderen natürlich reproduzierbare Schaltungen
verschiedener Arbeitsgänge
erzeugt werden können.
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Unter
Bezugnahme auf die 1 bis 12 wurden
Ausführungsbeispiele
beschrieben, bei denen ein erster Wafer 100 und ein zweiter
Wafer 102 elektrisch miteinander verbunden wurden. Bei
anderen Ausführungsbeispielen
kann jedoch ein elektrisches Verbinden zwischen einem Chip und einem Wafer
durchgeführt
werden. Dabei gelten die auf die 1 bis 8 bezogenen
obigen Erklärungen
in entsprechender Weise und sind analog auf das Verbinden eines
Wafers mit einem Chip übertragbar.
Bei einem Ausführungsbeispiel
ist der Stift in dem Wafer angeordnet, so daß bei diesem Chip-Wafer-Verbinden der Wafer
dieses Ausführungsbeispiels
dem oben beschriebenen ersten Wafer 100 und der Chip dieses
Ausführungsbeispiels
dem zweiten Wafer 102 entspricht. Ferner kann auch der
Stift in dem Chip angeordnet sein, so daß der Chip dieses Ausführungsbeispiels
dem oben beschriebenen ersten Wafer 100 und der Wafer dieses
Ausführungsbeispiels
dem zweiten Wafer 102 entspricht.
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Jedes
dieser Ausführungsbeispiele
kann auch das erfindungsgemäße elektrische
Verbinden einer Mehrzahl von Chips mit einem Wafer umfassen. Die
Mehrzahl von Chips kann durch ein vorheriges Vereinzeln der Chips,
beispielsweise mittels eines Sägens
oder eines Ätzens,
erhalten werden. Die Chips können
nach dem Vereinzeln von dem Wafer gedünnt werden, oder es kann vor
dem Vereinzeln ein Dünnen
derselben, vorzugsweise auf eine Dicke von 5 bis 200 µm erfolgen.
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Die
obigen Verfahren umfassen vorzugsweise ein justiertes Plazieren
des oder der vereinzelten Chips auf dem Wafer und ein Verbinden
mittels bekannter Techniken, beispielsweise über an den Oberflächen angelagerten
OH-Gruppen. Daraufhin wird das elektrische Verbinden von Anschlußflächen der Chips
mit zugeordneten Anschlußflächen des
Wafers mittels der oben beschriebenen erfindungsgemäßen Druckausübung auf
den Stift durchgeführt,
so daß die Mehrzahl
von einzelnen Chips mit dem Wafer elektrisch verbunden sind.
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Alternativ
kann auch ein Verbinden von zwei Chips durchgeführt werden, wobei die obigen
Erklärungen
entsprechend gelten.
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Obwohl
bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen
lediglich eine Anordnung beschrieben wurde, bei der die elektrische
Verbindung der zweiten Anschlußfläche über eine
erste Anschlußfläche 118 erfolgt,
kann die vorliegende Erfindung auch ein Druckverbinden umfassen,
bei dem eine Stiftanordnung mit einem leitfähigen Ende, beispielsweise
ein Stift, der an einem der zweiten Anschlußfläche 128 gegenüberliegenden
Ende einen leitfähigen
Bereich aufweist, vorbereitet wird, wobei das leitfähige Ende durch
das Ausüben
von Druck auf die Stiftanordnung in eine elektrische Verbindung
mit der zweiten Anschlußfläche 128 gebracht
wird. Ferner kann auch lediglich ein leitfähiger Stift vorgesehen sein,
der durch das Ausüben
von Druck auf denselben eine elektrische Verbindung mit der zweiten
Anschlußfläche 128 herstellt.