DE10164879B4 - Verdrahtungssubstrat - Google Patents

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wiring substrate
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Jun Nagaokakyo Urakawa
Mitsuyoshi Nagaokakyo Nishide
Isao Nagaokakyo Kato
Norio Nagaokakyo Yoshida
Tomonori Nagaokakyo Ito
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

Ein Verdrahtungssubstrat umfasst ein Substrat mit einem Verdrahtungsmuster und ein linienförmiges Isoliermuster, das auf dem Substrat derart gebildet ist, daß es das Verdrahtungsmuster schneidet und einen Teil des Verdrahtungsmusters für eine Anschlußbereichselektrode definiert. Das Isoliermuster umfasst eine Mehrzahl von linienförmigen Abschnitten, die miteinander verbunden sind, um eine rahmenartige Struktur zu bilden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verdrahtungssubstrat, wie beispielsweise ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat oder dergleichen.
  • Bei elektronischen Vorrichtungen, wie beispielsweise einem Mobilkommunikationsgerät, Computern usw., verbesserte sich das Verhalten zunehmend, wobei sich die Größen verkleinerten. Dieses wurde durch das verbesserte Verhalten von Halbleiterbauelementen, wie beispielsweise LSI-Bauelementen (Bauelementen mit einem hohen Integrationsgrad; LSI = large scale integration) oder dergleichen, und der Verdrahtung mit hoher Dichte von Verdrahtungssubstraten realisiert, an denen die Halbleiter befestigt sind. Insbesondere sind als solche Verdrahtungssubstrate die keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrate anwendbar, die eine dreidimensionale Verdrahtung ermöglichen und eine hohe Verläßlichkeit aufweisen.
  • Ferner wurde es durch die Verbesserung des Verhaltens und die Reduzierung der Größe von verschiedenen Typen von Halbleiterbauelementen bezüglich der keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrate zunehmend erforderlich, daß eine Verbindung über Mehrfachanschlüsse und mit einem kleinen Abstand ausgeführt werden kann, die Verdrahtungsdichte hoch ist, Hochfrequenzsignale verarbeitet werden können, usw. Insbesondere sind auf der Hauptfläche jedes keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats viele Fein-Anschlußbereichselektroden gebildet, um den Mehrfachanschluß und die Verbindung mit kleinem Abstand zu bewältigen.
  • Bezogen auf ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat, das eine Anschlußbereichselektrode als einen Lötanschlußbereich aufweist, ist eine Technik zum Verhindern, daß ein Lötmittel übermäßig benetzt und verbreitet wird und ausfließt, bekannt, bei dem ein Lötmittelresistmaterial, das eine niedrige Benetzbarkeit bezüglich des Lötmittels aufweist, gebildet ist, um ein Lötmittelresist in einem Bereich bzw. einer Fläche zu bilden, bei dem eine Haftung des Lötmittels unerwünscht ist.
  • Herkömmlicherweise ist das Lötmittelresist zum Definieren des Lötanschlußbereiches auf der ganzen oder annähernd auf der ganzen Fläche des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats, mit Ausnahme des Lötanschlusses bzw. Lötmittelanschlusses, gebildet. Die japanische ungeprüfte Patentanmeldung Nr. 10-107442 offenbart beispielsweise ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat, bei dem eine Überzugsschicht auf der ganzen Fläche des Substrats, mit der Ausnahme der Bereiche (Lötanschlußbereiche), die als Verbindungsanschlußbereiche (die Anschlußbereichselektroden entsprechen) und Anschlußelektroden wirken, gebildet ist. Die japanische ungeprüfte Patentanmeldung Nr. 11-251723 offenbart ferner ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat, bei dem eine Isolierschicht annähernd auf der ganzen Fläche des Substrats, mit der Ausnahme der Bereiche desselben, die sich in der Nähe der Unterseite eines Befestigungsteils befinden, zusätzlich zu Verbindungsanschlußflächen zum Befestigen eines Verbindungsteils, wie beispielsweise eines Kondensators, eines Oszillators oder dergleichen, gebildet ist.
  • Allgemein werden die Überzugsschicht oder die Isolierschicht zum Definieren der Lötmittelbildungsbereiche auf dem keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat durch ein Hinzufügen und Mischen eines Keramikpulvers oder Glaspulvers mit einem organischen Lösungsmittel und ein Durchführen eines Siebdruckens, der hergestellten Isolierpaste gebildet. Die Begriffe: „Überzugsschicht" und „Isolierschicht" bezeichen den gleichen Sachverhalt.
  • Eine Siebplatte, die bei dem Siebdruckvorgang verwendet wird, weist ein Gitter mit geknoteten dünnen Drähten und eine Emulsion zum Definieren eines Pastenverlaufsbereichs auf. Wenn die Isolationsschicht in einem breiten Bereich, mit der Ausnahme von Feinbereichen, gebildet ist, ist das Flächenverhältnis der Emulsion klein. In einem solchen Fall tendiert die Emulsion folglich dazu, auf der Siebplatte gebogen zu sein. In manchen Fällen dringt die Isolierpaste auf der unteren Seite der Emulsion ein, was die überzogene Isolierpaste verschmiert.
  • Insbesondere für den Zweck eines Befestigens von kleinen Halbleiterbauelementen mit hoher Qualität über Mehrfachanschlüsse und mit kleinen Abständen, ist es notwendig, viele Fein-Lötanschlußbereiche auf der Hauptfläche eines keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats zu bilden, wie es vorhergehend beschrieben wurde. Wenn die Isolierschicht und die Überzugsschicht mit der Ausnahme der Lötanschlußbereiche im wesentlichen auf der ganzen Hauptfläche gebildet sind, tendieren die Lötanschlußbereiche bei Siebdruckverfahren dazu, aufgrund eines Verschmierens der Isolierpaste verschmutzt zu sein. Folglich ist es schwierig, Fein-Lötanschlußbereiche mit einer hohen Genauigkeit zu bilden.
  • Die nicht vorveröffentlichte DE 199 45 914 C1 ein Verfahren zur Erzeugung von präzisen Lötflächen auf einem Schaltungsträger, insbesondere einem Dünnfilm-Substrat, bei dem zur Montage von Flip-Chips auf Dünnfilm-Schaltungen auf die vorgesehenen Lötflächen nicht leitende Schichten aus Nickel-Chrom oder aus Tantal-Stickstoff aufgebracht werden, aus denen mittels Photoätz-Technik die Lötflächen aufgenommen werden.
  • Die EP 0 516 402 A1 befasst sich mit einem Substrat, das mit elektrischen Leitungen versehen ist. Eine Öffnung wird in einen isolierenden Film gebildet, der eine elektrische Leitung, die auf dem Substrat gebildet ist, abdeckt, wobei ein Anschlussflächenverbindungsabschnitt der elektrischen Leitung freigelegt und eine Anschlussfläche implementiert wird.
  • Aus der JP 04 196 191 A ist eine Schaltungsplatine bekannt, bei der ein isolierender Abschnitt zwischen Elektroden von Schaltungsstrukturen dort vorgesehen ist, wo die Elektroden mit Lötmittel zum Anlöten von Anschlussdrähten einer elektronischen Komponente versehen sind, um einen Kurzschluss zwischen den Lötmitteln der Elektroden zu verhindern.
  • Die EP 0 843 365 B1 lehrt eine Lichtquelle, bei der eine lichtemittierende Diode auf einem Substrat angebracht ist, die an jeder Endfläche eine elektrisch leitfähige Schicht senkrecht zu dem Substrat aufweist, wobei zumindest eine der elektrisch leitfähigen Schichten eine Metallschicht aufweist, die auf einer reflektierenden Schicht aufgebracht ist. Die reflektierende Schicht weist zumindest ein Loch auf, um einen elektrischen Kontakt zwischen der Metallschicht und der lichtemittierenden Diode herzustellen.
  • Die WO 90/12695 A1 befaßt sich mit einer Lotmaskenzusammensetzung für thermoplastische Substrate.
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  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Konzept zu schaffen, das es ermöglicht, Anschlussbereichselektroden auf eine vorteilhafte Weise und mit hoher Präzision auf einem Substrat vorzusehen.
  • Diese Aufgabe wird durch Vorrichtungen gemäß Anspruch 1 gelöst.
  • Vorzugsweise ist auf dem Substrat ein weiteres Isoliermuster mit einer rahmenartigen Struktur gebildet, wobei das weitere Isoliermuster Seitenlinien aufweist, die parallel zu den Seitenlinien des ersten Isoliermusters sind.
  • Ferner sind vorzugsweise mehrere Verdrahtungsmuster auf dem Substrat gebildet, wobei das Isoliermuster derart gebildet ist, dass es sich über die mehreren Verdrahtungsmuster erstreckt.
  • Ferner ist vorzugsweise ein Befestigungsteil an zumindest einem der Hauptflächen des Substrats befestigt, wobei das Befestigungsteil elektrisch mit der Anschlußbereichselektrode verbunden ist.
  • Ferner ist das Isoliermuster vorzugsweise ein Lötmittelresistmuster, das die Anschlußbereichselektrode für einen Lötmittelbildungsbereich definiert.
  • Das Substrat ist ferner vorzugsweise ein Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat mit inneren Verdrahtungsmustern, das mehrere Schichten bildet.
  • Ferner ist das Substrat vorzugsweise ein keramisches Substrat, wobei das Isoliermuster Keramik als eine Hauptkomponente enthält.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ferner eine elektronische Vorrichtung geschaffen, die mit einem Verdrahtungssubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung versehen ist.
  • Da das linienförmige Isoliermuster derart gebildet ist, daß es das Verdrahtungsmuster auf dem Substrat schneidet und einen Teil des Verdrahtungsmusters für eine Anschlußbereichselektrode definiert, können bei dem Verdrahtungssubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung aufgrund des Isoliermusters Fein-Anschlußbereichselektroden mit hoher Präzision, insbesondere Anschlußbereichselektroden, die weniger verschmiert sind, gebildet werden. Für unterschiedliche Arten von Verdrahtungssubstraten kann eine Verdrahtung mit hoher Dichte und eine größenmäßige Reduktion erreicht werden.
  • Die elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist ferner mit einem Verdrahtungssubstrat mit einer Verdrahtung mit hoher Dichte und einer reduzierten Größe versehen. Folglich können für elektronische Vorrichtungen, wie beispielsweise Mobilkommunikationsvorrichtungen, Computer, usw., die größenmäßige Reduktion und eine Verbesserung des Verhaltens erreicht werden.
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  • Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine schematische Querschnittansicht eines keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel;
  • 2A eine schematische Draufsicht, die einen Herstellungsprozeß eines keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats gemäß 1 zeigt;
  • 2B eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-A in 2A;
  • 3 eine schematische Querschnittansicht eines keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel;
  • 4A eine schematische Draufsicht, die einen Herstellungsprozeß des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats gemäß 3 zeigt;
  • 4B eine Querschnittansicht entlang einer Linie B-B in 4A;
  • 5 eine schematische Draufsicht eines keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 6 eine teilweise schematische Draufsicht eines keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel;
  • Die vorliegende Erfindung wird hierin nachfolgend unter Bezugnahme auf ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • (Erstes Vergleichsbeispiel)
  • Ein Verdrahtungssubstrat gemäß einer Ausführung dieses Vergleichsbeispiels ist ein keramisches Mehrschichtmodul 13, das ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 1 als ein Substrat und ein Halbleiterbauelement 11 aufweist, das durch ein Lötmittel 10 auf einer Hauptfläche 9 des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 1 befestigt ist, wie es in 1 gezeigt ist.
  • Das keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 1 enthält Innen-Verdrahtungsmuster 2, die in demselben als ein Kondensator und eine Verdrahtung wirken. Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 sind auf der einen Hauptfläche 9 vorgesehen. Auf der anderen Hauptfläche des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 1 sind ferner Außenanschlüsse 5 derart gebildet, daß sich jede derselben teilweise auf die Seitenflächen des Verdrahtungssubstrats 1 erstreckt. Das keramische Mehrschichtmodul 13 ist über die Außenanschlüsse 5 mit einer nicht gezeigten Hauptplatine oder dergleichen verbunden. Ferner sind in dem keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 1 Durchführungslöcher 3 und 3a gebildet. Die Innenverdrahtungsmuster 2 sind miteinander verbunden, wobei ferner die Innenverdrahtungsmuster 2 und die Außenanschlüsse 5 mittels der Durchführungslöcher 3 jeweils miteinander verbunden sind. Die Innenverdrahtungsmuster 2 und die Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 sind mittels der Durchführungslöcher 3a jeweils miteinander verbunden.
  • Auf der einen Hauptfläche 9 des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 1 sind linienförmige Isoliermuster 8 gebildet, so daß dieselben die Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 jeweils schneiden. Die Isoliermuster 8 weisen die Eigenschaft einer niedrigen Lötmittelbenetzung auf und wirken als Lötmittelresists. Folglich definiert ein Teil der Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 Lötmittelbildungsbereiche, wobei die Bereiche als Lötanschlußbereichselektroden bzw. Lötmittelanschlußbereichselektroden 7 wirken. Das heißt, daß das Halbleiterbauelement 11, das ein Befestigungsteil ist, über das Lötmittel 10 elektrisch mit den Lötanschlußbereichselektroden 7 verbunden ist, die auf einer Hauptfläche 9 gebildet sind.
  • Das keramische Mehrschichtmodul 13 kann mit den folgenden Prozessen hergestellt werden.
  • Bezugnehmend auf ein Material zum Bilden des Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 1 wird einem Keramikpulver zuerst ein organisches Lösungsmittel oder ein wäßriges Lösungsmittel in einer geeigneten Menge hinzugefügt, das in der Lage ist, bei niedrigen Temperaturen gebrannt zu werden, und gemischt, um einen Schlamm bzw. Schlicker zum Bilden einer keramischen Grünschicht vorzubereiten. Mit einem Schabmesserverfahren oder dergleichen wird der Schlicker auf einem Trägerfilm ausgestrichen, so daß derselbe in einer Blattform gebildet ist, die getrocknet wird, um eine keramische Grünschicht zu bilden.
  • Das Keramikpulver, das in der Lage ist, bei einer niedrigen Temperatur gebrannt zu werden, kann bei einer Temperatur gebrannt werden, die geringer als der Schmelzpunkt (insbesondere geringer als 1000°C) eines Metallpulvers aus Ag, Cu, Au, Ni, Ag/Pd, Ag/Pt oder dergleichen ist.
  • Pulver eines Glasverbindungstyps, das beispielsweise durch ein Hinzufügen eines Glasbestandteils als ein Sinterhilfs mittel zu einem Keramikpulver, wie beispielsweise Aluminiumoxid oder dergleichen, hergestellt wird, ein Keramikpulver eines Typs eines kristallisierten Glases, das Cordierit, Anorthit, oder dergleichen abscheidet, oder ein Keramikpulver eines Nicht-Glas-Typs, das als ein Bestandteil Bariumoxid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid, Boroxid oder dergleichen enthält, kann verwendet werden.
  • Das organische Lösungsmittel weist Polyvinylalkohol, Etyhlzellulose, Acrylharz, Polyvinylbutyral, Methacrylat-Harz oder dergleichen als ein Bindemittel und Toluen, Terpineol, Butylcarbitolacetat, Alkohol oder dergleichen als ein Lösungsmittel auf. Verschiedene Arten von Dispersanten, Plastifiziermitteln, Aktiviermitteln oder dergleichen können nach Bedarf hinzugefügt werden.
  • Anschließend werden durch ein Stanzen oder dergleichen in der gebildeten keramischen Grünschicht nach Bedarf Löcher für die Durchführungslöcher gebildet. Daraufhin wird eine leitfähige Paste, die durch ein Hinzufügen und Mischen eines organischen Lösungsmittels mit einem metallischen Pulver aus Ag, Cu, Au, Ni, Ag/Pd, Ag, Pt, oder dergleichen hergestellt wird, in die Löcher für die Durchführungslöcher gefüllt, um die Durchführungslöcher 3 und 3a zu bilden. Ferner wird ein Siebdrucken einer leitfähigen Paste des gleichen Typs, wie es vorhergehend beschrieben wurde, auf eine vorbestimmte keramische Grünschicht durchgeführt, um leitfähige Muster zum Bilden der inneren Verdrahtungsmuster 2 und der Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 zu bilden.
  • Die Isoliermuster 8 werden daraufhin auf der keramischen Grünschicht auf der Seite der einen Hauptfläche 9 (der keramischen Grünschicht für die äußerste Schicht) gebildet. Jedes der Isoliermuster ist in einer Linienform so gebildet, daß es sich über die mehreren Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 erstreckt und dieselben schneidet. Die Isoliermuster 8 weisen eine Isoliereigenschaft auf und sind unter Verwendung einer Dickfilmverbindung gebildet, die ei ne niedrige Lötmittelbenetzbarkeit aufweist. Die Dickfilmverbindung wird beispielsweise durch ein Hinzufügen und Mischen eines organischen oder wäßrigen Lösungsmittels in einer geeigneten Menge zu verschiedenen Typen von Keramikpulvern, wie beispielsweise einem Keramikpulver eines Glasverbindungstyps, einem Keramikpulver eines Typs eines kristallisierten Glases, einem Keramikpulver eines Nicht-Glas-Typs oder dergleichen, vorbereitet.
  • Mehrere keramische Grünschichten, die bei den obigen Verfahren hergestellt sind, werden nacheinander laminiert, um ein ungebranntes Keramiklaminat 12, wie es in 2 gezeigt ist, zu bilden. Das heißt, daß das ungebrannte Keramiklaminat 12 auf einer Hauptoberfläche 9 desselben mehrere Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 aufweist, die mit den Durchführungslöchern 3a verbunden sind, und daß die linienförmigen Isoliermuster 8 derart gebildet sind, daß sie sich über die mehreren Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 erstrecken und dieselben schneiden.
  • Daraufhin wird das gesamte ungebrannte Keramiklaminat 12 einem Heiß-Druck-Verbinden unterworfen und in Luft oder in einer oxidierenden Atmosphäre oder einer reduzierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von 1000°C oder niedriger gebrannt, wodurch das in 1 gezeigte keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 1 gebildet wird. Da das gesamte Laminat 12 einschließlich der Isoliermuster einem Druck-Verbinden unterworfen wird, ist bei diesem Vergleichsbeispiel die Oberfläche des ungebrannten Keramiklaminats 12, das nach dem Laminiervorgang erhalten wird, flach, wobei ferner das keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat, das nach dem Brennvorgang erhalten wird, ebenso eine flache Oberfläche aufweist.
  • Nachdem das Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 einer Plattier- oder Überzieh-Verarbeitung oder dergleichen unterzogen wurde, können über das Lötmittel 10 nach Bedarf verschiedene Halbleiterbauelemente 11 mit den Lötanschlußbe reichselektroden 7 des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 1 elektrisch verbunden werden. Dadurch wird ein keramisches Mehrschichtmodul 13, wie es ferner in 1 gezeigt ist, fertiggestellt.
  • Das heißt, daß bei diesem Vergleichsbeispiel die linienförmigen Isoliermuster lediglich an den Orten gebildet werden, die zum Aufhalten eines Ausfließens des Lötmittels benötigt werden. Die Druckbereiche können folglich so klein wie möglich eingestellt werden. Aus diesem Grund ist ein Verschmieren der Verdrahtungsmuster reduziert, wodurch die Fein-Lötanschlußbereichselektroden gebildet werden können, obwohl das Lötmittel auf dem Teil vorgesehen ist, der unterschiedliche Höhen der Hauptfläche aufweist, die durch die Oberflächen-Verdrahtungsmuster verursacht werden.
  • Da die Oberflächen-Verdrahtungsmuster und die Isoliermuster vor dem Heiß-Druck-Verbindungs- und Brenn-Vorgang gebildet werden, erleiden die Isoliermuster insbesondere keine Abmessungsschwankungen, keine Abweichung, die durch ein Brennschrumpfen verursacht wird, oder dergleichen. Folglich können Fein-Lötanschlußbereichselektroden mit hoher Präzision gebildet werden.
  • Durch die linienförmigen Isoliermuster wird darüber hinaus verhindert, daß sich die Oberflächen-Verdrahtungsmuster von dem Substrat ablösen. Die Verbindungsfestigkeit der Oberflächen-Verdrahtungsmuster ist folglich verbessert. Zusätzlich können Unterschiede zwischen den Isolierschichtmaterialien und den Substratmaterialien bezüglich des Brennverhaltens, des thermischen Ausdehnungskoeffizients oder dergleichen reduziert werden. Das keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat, das eine geringere Verzierung und Verzerrung aufweist, kann geschaffen werden.
  • (Zweites Vergleichsbeispiel)
  • Ein Verdrahtungssubstrat dieses Vergleichsbeispiels stellt ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungsmodul 23 dar, das ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 21 als ein Substrat und das Halbleiterbauelement 11 aufweist, das gemäß 3 über das Lötmittel 10 auf einer Hauptfläche 29 des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 21 gebildet ist.
  • Das keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 21 enthält gleichartig zu dem ersten Vergleichsbeispiel die inneren Verdrahtungsmuster 2. Auf der einen Hauptfläche 29 sind die Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4, bei denen jeweils ein Ende als Lötanschlußbereichselektroden wirkt, vorgesehen. Auf der anderen Hauptfläche desselben sind die Außenanschlüsse 5 gebildet, so daß ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungsmodul 23 mit einer Hauptplatine oder dergleichen, die nicht gezeigt ist, verbunden werden kann. Ferner sind in dem keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 21 die Durchführungslöcher 3 und 3a gebildet. Mittels der Durchführungslöcher 3 sind die inneren Verdrahtungsmuster 2 miteinander und jeweils die inneren Verdrahtungsmuster 2 und die Außenanschlüsse 5 miteinander verbunden. Mittels der Durchführungslöcher 3a sind jeweils die inneren Verdrahtungsmuster 2 und die Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 miteinander verbunden.
  • Die zwei parallelen linienförmigen Isoliermuster 28a und 28b sind auf der Hauptfläche 29 des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 21 derart gebildet, daß dieselben die Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 schneiden. Diese Isoliermuster 28a und 28b wirken jeweils als ein Lötmittelresist. Das heißt, daß die zwei parallelen Isoliermuster 28a und 28b einen Teil des Oberflächen-Verdrahtungsmusters 4 für Lötmittelbildungsbereiche (Lötanschlußbereichselektroden 27) definieren. Das Halbleiterbauelement 11, das ein Befestigungsteil ist, ist über das Lötmittel 10 elektrisch mit den Lötanschlußbereichselektroden 27 verbunden.
  • Das keramische Mehrschicht-Verdrahtungsmodul 23 kann mit den folgenden Prozessen hergestellt werden.
  • Zuerst wird eine keramische Grünschicht gleichartig zu dem obig beschriebenen ersten Vergleichsbeispiel als Material zum Bilden des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 21 gebildet. Danach werden durch ein Ausstanzen oder dergleichen in der keramischen Grünschicht Löcher für Durchführungslöcher nach Bedarf gebildet. Eine leitfähige Paste wird jeweils in die Durchführungslöcher gefüllt, um die Durchführungslöcher 3 und 3a zu bilden. Daraufhin findet ein Siebdrucken der leitfähigen Paste auf eine vorbestimmte keramische Grünschicht statt, um leitfähige Muster zu bilden, die die inneren Verdrahtungsmuster 2 und die O-berflächen-Verdrahtungsmuster 4 werden.
  • Darüberhinaus werden auf einer keramischen Grünschicht, die die äußerste Schicht auf der Seite der Hauptfläche 29 bildet, die Isoliermuster 28a und 28b, die einen Teil des Oberflächen-Verdrahtungsmusters 4 für die Lötanschlußbereichselektroden 27 definieren, gebildet. Die Isoliermuster 28a und 28b werden hier durch das Durchführen eines Siebdruckens einer Dickfilmverbindung oder dergleichen gebildet.
  • Mehrere keramische Grünschichten, die in den obig beschriebenen Prozessen vorbereitet werden, werden nacheinander laminiert, um ein ungebranntes Keramiklaminat 22 zu erhalten, wie es in 4 gezeigt ist. Das heißt, daß die mehreren Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4, die mit den Durchführungslöchern 3a verbunden sind, auf der einen Hauptfläche 29 des ungebrannten keramischen Laminats 22 vorgesehen sind. Die linienförmigen Isoliermuster 28a sind derart gebildet, daß sie sich über die mehreren Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 erstrecken und dieselben schneiden. Ferner sind die linienförmigen Isoliermuster 28b, die parallel zu den Isoliermustern 28a sind, derart gebildet, daß sie sich über die mehreren Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 erstrecken und jeweils das eine Ende derselben abdecken. Das heißt, daß diese Isoliermuster 28a und 28b einen Teil der Oberflächen-Verdrahtungsmuster 4 für Lötmittelbildungsbereiche definieren, die jeweils als die Lötanschlußbereichselektroden 27 wirken, wie es oben beschrieben wurde.
  • Daraufhin wird das gesamte ungebrannte Keramiklaminat einem Druck-Verbinden unterzogen und bei einer Temperatur von 1000°C oder niedriger in Luft, in einer oxidierenden Atmosphäre oder in einer reduzierenden Atmosphäre gebrannt, wodurch das in 3 gezeigte keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 21 gebildet wird. Das Halbleiterbauelement 11 ist über das Lötmittel mit den Lötanschlußbereichselektroden 27 elektrisch verbunden, die auf der einen Hauptfläche 9 des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 1 gebildet sind, wodurch das keramische Mehrschicht-Verdrahtungsmodul 23, das ferner in 3 gezeigt ist, fertiggestellt ist.
  • Das heißt, da die Lötanschlußbereichselektroden jeweils durch die zwei parallelen linienförmigen Isoliermuster definiert sind, daß bei diesem Vergleichsbeispiel die Flächen der Lötanschlußbereichselektroden nicht wesentlich verändert sind, selbst wenn die Bildungspositionen der Isoliermuster abweichen. Aus diesem Grund können Lötanschlußbereichselektroden mit einem Feinbereich auf eine stabile Weise mit einer hohen Herstellungseffizienz hergestellt werden. Die Lötanschlußbereichselektroden sind ferner durch die zwei parallelen linienförmigen Isoliermuster definiert. Selbst wenn die Lötanschlußbereichselektroden etwas abweichend sind, was bei einem Drucken verursacht wird, kann die Abweichung folglich reduziert werden.
  • (Ausführungsbeispiel)
  • Ein Verdrahtungssubstrat dieses Ausführungsbeispiels ist ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 31, das Oberflächen-Verdrahtungsmuster 34, die mit Durchführungslöchern 33 verbunden sind, und Isoliermuster 35a und 35b enthält, die einen Teil der Oberflächen-Verdrahtungsmuster 34 für Lötanschlußbereichselektroden 37 definieren.
  • Die zwei parallelen Leitungsisoliermuster 35a und 35b sind in einer Linienform gebildet, so daß dieselben die mehreren Oberflächen-Verdrahtungsmuster 34 schneiden. Darüberhinaus sind die zwei parallelen Isoliermuster 35a und 35b in einer rechteckigen Form gebildet. Bezogen auf die rechteckigen Isoliermuster 35a bzw. 35b sind die Trennungsabschnitte 36a und 36b jeweils als ein Teil der Isoliermuster 35a und 35b gebildet, so daß Emulsionen auf einer Siebplatte verbunden werden können, um verstärkt zu sein, und ein Verschmieren, das durch eine Verzerrung der Emulsionen verursacht wird, reduziert werden kann.
  • Auf einer Hauptfläche 32 des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats 31 sind darüberhinaus Durchführungslöcher 33, die mit Innen-Verbindungs-Mustern, die nicht gezeigt sind, verbunden sind, in dem Substrat 31 ferner in dem Bereich, der durch die rechteckigen Isoliermuster 35a und 35b umgeben ist, angeordnet, wie es beispielsweise bei den Durchführungslöchern 33a zu sehen ist. Bezogen auf die Oberflächen-Verdrahtungsmuster 34 sind jeweils ein Muster, das eine unterschiedliche Verdrahtungsbreite als die anderen Oberflächen-Verdrahtungsmuster aufweist, wie es bei einem Oberflächen-Verdrahtungsmuster 34a zu sehen ist, ein Muster, das eine unterschiedliche Position einer Durchführungslochverbindung als die anderen Oberflächen-Verdrahtungsmuster aufweist, wie es bei einem Oberflächen-Verdrahtungsmuster 34b zu sehen ist, und ferner ein Muster gebildet, das die Isoliermuster 35a und 35b schräg schneidet, wie es bei einem Oberflächen-Verdrahtungsmuster 34c zu sehen ist.
  • Das heißt, daß bei diesem Ausführungsbeispiel die Entwurfsflexibilität der Bildungspositionen der Oberflächen- Verdrahtungsmuster 34 hoch ist. Folglich können die Durchführungslöcher 33, die mit den Oberflächen-Verdrahtungsmustern 34 verbunden sind, von einer optionalen Position entfernt werden. Folglich kann ein kleines keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat mit hoher Qualität realisiert werden. Die Nicht-Verbindungsabschnitte werden bei den Isoliermustern 35a und 35b nicht benötigt. Die Isoliermuster können in unterschiedlichen Formen zusätzlich zu der rechteckigen Form, wie beispielsweise einer Kreis-, Spiral- oder Meander-Form oder dergleichen, gebildet sein.
  • (Drittes Vergleichsbeispiel)
  • Ein Verdrahtungssubstrat dieses Vergleichsbeispiel ist ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 49, das Oberflächen-Verdrahtungsmuster 43a, die mit Durchführungslöchern 42a verbunden sind, Oberflächen-Verdrahtungsmuster 43b, die mit keinem Durchführungsloch verbunden sind, Oberflächen-Verdrahtungsmustern 43c, die mit den Durchführungslöchern 42b verbunden sind, und Isoliermuster 48a, 48b und 48c aufweist, die gebildet sind, um einen Teil des jeweiligen Oberflächen-Verdrahtungsmusters für Lötanschlußelektroden 44, 45, 46 und 47 zu definieren, wie es in 6 gezeigt ist.
  • Ein Teil der Oberflächen-Verdrahtungsmuster 43a, der durch das Isoliermuster 48a definiert ist, wirkt als die Lötanschlußbereichselektroden 44. Darüberhinaus wirkt ein Teil der Oberflächen-Verdrahtungsmuster 43c, der durch das Isoliermuster 48c definiert ist, als die Lötanschlußbereichselektroden 47. Die Oberflächen-Verdrahtungsmuster 43b, die durch die Isoliermuster 48b definiert sind, wirken als die Lötanschlußbereichselektroden 45 und 46.
  • Das heißt, daß bei dem keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 49, das eine solche Struktur wie oben beschrieben aufweist, Chipelektronikteile, wie beispiels weise ein Chipkondensator oder dergleichen, unter Verwendung der Oberflächen-Verdrahtungsmuster 43b elektrisch miteinander verbunden werden können. Ferner können Fein-Lötanschlußbereichselektroden gebildet werden. Folglich kann das keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat 49 eine Miniaturisierung dieser Chipelektronikteile befriedigend bewältigen.
  • Bis hierher wurde ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. Bei dem ersten und zweiten Vergleichsbeispiel sind die linienförmigen Verdrahtungsmuster derart gebildet, daß dieselben die Verdrahtungsmuster schneiden, die auf der keramischen Grünschicht vorgesehen sind, wobei die keramische Grünschicht einem Druck-Verbinden zusammen mit den anderen keramischen Grünschichten unterzogen wird und daraufhin gebrannt wird. Dadurch können Isoliermuster mit weniger Verschmierungen oder dergleichen, die eine hohe Genauigkeit und eine hohe Festigkeit aufweisen, gebildet werden. Folglich können Verdrahtungssubstrate mit einer Verdrahtung mit hoher Dichte, die verkleinert sind und eine hohe Verläßlichkeit aufweisen, geschaffen werden.
  • Das Verdrahtungssubstrat der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die keramischen Mehrschichtmodule, die jeweils ein Halbleiterbauelement, das an demselben befestigt ist, aufweisen und die keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrate, wie es oben beschrieben wurde, begrenzt.
  • Insbesondere kann das Verdrahtungssubstrat der vorliegenden Erfindung eine Modulvorrichtung sein, die ein passives Teil, wie beispielsweise einen Chip-Kondensator, einen Chip-LC-Filter oder dergleichen, aufweist, die an demselben befestigt sind, und kann als Verdrahtungssubstrate für Mehrfach-Chip-Module, Hybrid-ICs oder dergleichen angewendet werden. Das Substrat ist nicht auf ein keramisches Substrat begrenzt und kann ein Harzsubstrat, wie beispielswei se ein gedrucktes Verdrahtungssubstrat, ein flexibles Substrat oder dergleichen, sein.
  • Ungeachtet, ob nun das keramische Verdrahtungssubstrat ein kermisches Einzelschicht-Verdrahtungssubstrat oder ein keramisches Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat ist, kann, insbesondere in dem Fall des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats, bei einer oder beiden Hauptflächen jedoch ein Hohlraum gebildet sein. Ferner kann ein passives Element, wie beispielsweise ein Kondensator, ein induktives Bauelement und eine Kombination derselben, enthalten sein. Die Herstellung des keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrats ist nicht auf das Grünschichtlaminierungsverfahren begrenzt. Das keramische Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat kann mit einem Dickfilmdruckverfahren hergestellt werden.
  • Die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Erfindung kann eine Mobilkommunikationsvorrichtung, ein Computer oder dergleichen sein, die mit dem oben beschriebenen keramischen Mehrschichtsubstrat oder dem keramischen Mehrschichtmodul versehen sind. Beispielsweise können das keramische Mehrschichtmodul 13 und das keramische Mehrschicht-Verdrahtungsmodul 23 für den Eingangs-Ausgangs-Signalverarbeitungsabschnitt oder dergleichen einer Mobilkommunikationsvorrichtung verwendet werden.
  • Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird auf jeder der keramischen Grünschichten vor dem Druck-Verbinden ein Dickfilmverbundstoff zum Bilden der Isoliermuster gebildet. Die Bildung des Dickfilmverbundstoffs kann nach dem Druck-Verbinden durchgeführt werden. In diesem Fall weist das keramische Laminat, das nach der Laminierung erhalten wird, eine hohe Flachheit auf. Folglich ist die Druckeigenschaft für den Dickfilmverbundstoff verbessert. In manchen Fällen verbleiben jedoch nach dem Siebdrucken Aushöhlungen und Ausbauchungen auf dem Laminat, die durch den Dickfilmverbundstoff verursacht sind. Wenn die Aushöhlungen und Ausbauchungen zum Befestigen von Teilen und zur Bildung von Höckern (Bumps) ungeeignet sind, ist es wünschenswert, daß der Druckprozeß angewendet wird, nachdem der Dickfilmverbundstoff einem Siebdrucken unterworfen wurde.
  • Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel stellen die Anschlußbereichselektroden, die durch einen Teil der Verdrahtungsmuster gebildet sind, die durch die linienförmigen Isoliermuster definiert sind, Lötanschlußbereichselektroden dar. Eine Einrichtung zum elektrischen Verbinden der Anschlußbereichselektroden mit einem Befestigungsteil ist ein Lötmittel. Die Anschlußbereichselektroden können Lötanschlußbereichselektroden und Gold-Höcker-Anschlußbereichselektroden sein, wobei die Verbindungseinrichtung ein Lötmittel, ein Gold-Höcker oder dergleichen sein kann.
  • Die vorliegende Erfindung ist ferner als ein Verdrahtungssubstrat zum Befestigen eines Flip-Chip oder dergleichen, was viele Fein-Anschlußbereichselektroden erfordert, geeignet. Wenn eine Anschlußbereichselektrode und ein Befestigungsteil, wie beispielsweise ein Halbleiterbauelement oder dergleichen, elektrisch miteinander verbunden sind, kann als eine Verbindungseinrichtung auf der Verdrahtungssubstratseite ein Höcker oder auf der Befestigungsteilseite ein Kugelgitterarray (BGA; BGA = ball grid array) oder dergleichen verwendet werden.
  • Bei der vorliegenden Erfindung sind die Dicke und die Breite der Isoliermuster nicht speziell begrenzt. Wünschenswerterweise weisen die Muster eine solche Breite und Dicke auf, daß das Lötmittel die Muster nicht überschreitet. Darüberhinaus weisen die Isoliermuster wünschenswerterweise eine niedrige Lötmittelbenetzbarkeit auf.
  • Die Dickfilmverbindung zum Bilden der Isoliermuster (Lötmittelresistmuster) auf dem keramischen Mehrschicht-Verdrahtungssubstrat wird nun beschrieben.
  • Die Dickfilmverbindung enthält wünschenswerterweise als eine Hauptkomponente ein Pulver des gleichen Verbindungstyps wie das Keramikpulver, das den ungebrannten keramischen Körper bildet, wobei die mittlere Partikelgröße des Keramikpulvers kleiner als diejenige des Keramikpulvers ist, das den ungebrannten keramischen Körper bildet. Dadurch können die Keramikpulver gleichzeitig gebrannt werden, während die hervorragenden elektrischen Eigenschaften und eine Formstabilität des gebrannten keramischen Körpers ausreichend sichergestellt sind.
  • Der obige Begriff „der gleiche Verbindungstyp" bedeutet, daß die Mischung des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung die gleiche wie diejenige von zumindest einer Art von Bestandteilen, die in dem Keramikpulver enthalten sind, das den ungebrannten keramischen Körper bildet. Wenn beispielsweise das Keramikpulver, das den ungebrannten keramischen Körper bildet, ein Keramikpulver eines BaO-Al2O3-SiO2-Typs ist, muß das Keramikpulver der Dickfilmverbindung zumindest ein Element aus der Gruppe, die BaO, Al2O3, und SiO2 umfaßt, enthalten.
  • Wünschenswerterweise ist die mittlere Partikelgröße des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung mindestens 10% kleiner als diejenige des Keramikpulvers, das den ungebrannten keramischen Körper bildet. Wenn die mittlere Partikelgröße des Keramikpulvers in der Dickfilmverbindung in dem obigen Bereich liegt, kann die Dickfilmverbindung unter den Brennbedingungen des ungebrannten keramischen Körpers ausreichend gestrafft werden, selbst wenn keine Glaskomponente oder dergleichen zu der Mischung hinzugefügt ist. Wenn die mittlere Partikelgröße des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung den obigen Bereich überschreitet, wird die Dickfilmverbindung in manchen Fällen unter den Brennbedingungen des ungebrannten keramischen Körpers unzureichend gesintert. Die mittlere Partikelgröße des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung ist ferner wünschenswerterweise mindes tens 30% kleiner als diejenige des Keramikpulvers, das den ungebrannten keramischen Körper bildet.
  • Zusätzlich liegt die mittlere Partikelgröße des Keramikpulvers, das den ungebrannten keramischen Körper bildet, wünschenswerterweise in dem Bereich von 0,5 bis 10 μm, während die Partikelgröße des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung in dem Bereich von 0,45 bis 9 μm liegt. Wünschenswerterweise liegt ferner die mittlere Partikelgröße des Keramikpulvers, das den ungebrannten keramischen Körper bildet, in dem Bereich von 1 bis 5 μm, während die Partikelgröße des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung in dem Bereich von 0,7 bis 3 μm liegt. Wenn die mittleren Partikelgrößen der Keramikpulver jeweils in den obigen Bereichen liegen, kann ein Sintern des ungebrannten keramischen Körpers und der Dickfilmverbindung selbst bei einer relativ niedrigen Temperatur ausreichend erreicht werden. Die maximale Grobpartikelgröße des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung kann auf etwa 10 μm reduziert werden. Wenn die Dickfilmverbindung einem Siebdruck-Vorgang oder dergleichen unterworfen wird, weist dieselbe ferner eine gute Siebdurchgangseigenschaft auf und ergibt ein Muster mit einer hervorragenden Formungseigenschaft.
  • Es ist ferner wünschenswert, daß die Dickfilmverbindung im wesentlichen keine Glaskomponente enthält, da die Glaskomponente in den ungebrannten keramischen Körper diffundiert, was einen Einfluß auf die Sintereigenschaft ausübt, wenn das gleichzeitige Brennen durchgeführt wird. Folglich kann ein keramischer gesinterter Körper, der eine geringere Verziehung und Verzerrung und hervorragende elektrische Eigenschaften aufweist, geschaffen werden. Da ferner keine Glaskomponente enthalten ist, findet auf der Oberfläche des Leitermusters keine Absonderung statt. Folglich können gute Löt- und Plattier-Eigenschaften sichergestellt werden.
  • Für den Zweck eines Unterscheidens der Farben der Dickfilmverbindung und des ungebrannten keramischen Körpers vonein ander (oder eines Unterscheidens der Farben des Isoliermusters und des keramischen gesinterten Körpers) enthält die Dickfilmverbindung wünschenswerterweise organische oder inorganische Farbmittel. Das heißt, daß, wenn die Farben unterschieden werden können, bei einem Druckprozeß der Dickfilmverbindung, einem Befestigungsprozeß von verschiedenen Befestigungsteilen oder dergleichen eine Erfassung, eine Überprüfung oder dergleichen leicht durchgeführt werden kann.
  • Um die Farben zu unterscheiden kann beispielsweise ein organisches Pigment (beispielsweise Kupfer Phthalocyanin, ein Azo-Typ, ein Quinacridon, oder dergleichen) in der Menge von 0,1 bis 1,5 Gewichtsprozent des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung als ein organisches Farbmittel hinzugefügt werden. Die Dickfilmverbindung kann bis zu 3 Gewichtsprozent eines Oxid-Pulvers von zumindest einer Metallsorte enthalten, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Chrom, Kobalt, Kupfer, Nickel, Eisen und Titan besteht.
  • Wünschenswerterweise enthält die Dickfilmverbindung ferner ein inorganisches Füllmittel in einer Menge von bis zu 30 Gewichtsprozent auf der Basis des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung. Als das inorganische Füllmittel werden wünschenswerterweise vorzugsweise Materialien, die schwierig zu sintern sind und einen relativ hohen Schmelzpunkt aufweisen, wie beispielsweise Oxid-Keramik-Pulver aus Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Magnesiumoxid, Titanoxid oder dergleichen und Keramikpulver von Nicht-Oxid-Typen, wie beispielsweise Nitride, Karbide oder dergleichen verwendet. Durch ein Hinzufügen eines solchen inorganischen Füllmittels zu der Dickfilmverbindung können Schwankungen des Brennprofils und Schwankungen des Brennverhaltens, die durch eine Ungleichförmigkeit der mittleren Partikelgrößen der Keramikpulver hervorgerufen werden, reduziert werden. Folglich können Isoliermuster, die stabile Qualitäten aufweisen, gebildet werden. Ferner können die Festigkeit des Überzugsfilms und die Druckfähigkeit der Dickfilmverbindung und darüber hinaus die Festigkeit der Isoliermuster erhöht werden.
  • Das Keramikpulver, das den ungebrannten keramischen Körper bildet, ist wünschenswerterweise ein Oxid-Keramikpulver, das als Hauptkomponenten Bariumoxid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid und Boroxid aufweist. Die Dickfilmverbindung enthält wünschenswerterweise ferner Oxid-Keramikpulver aus Bariumoxid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid und Boroxid. Das Keramikpulver des oben beschriebenen Typs kann selbst in einer reduzierenden Umgebung gebrannt werden, wobei dasselbe gleichzeitig mit einem Metall mit einem niedrigen Schmelzpunkt, wie beispielsweise Cu, das einen niedrigen spezifischen Widerstand aufweist und günstig ist, gebrannt werden kann.
  • In dem Fall, bei dem das Keramikpulver, das den ungebrannten keramischen Körper bildet, den oben erwähnten Typ aufweist, enthält das Keramikpulver der Dickfilmverbindung wünschenswerterweise 20 bis 50 Gewichtsprozent Bariumoxid auf der BaO-Umwandlungsbasis, 40 bis 70 Gewichtsprozent Siliziumoxid auf der SiO2-Umwandlungsbasis, 2 bis 10 Gewichtsprozent Aluminiumoxid auf der Al2O3_Basis und 1 bis 3 Gewichtsprozent Boroxid auf der B2O3-Umwandlungsbasis. Die Dickfilmverbindung, die das Keramikpulver mit den oben erwähnten Gewichtsverhältnissen enthält, kann in einer reduzierenden Umgebung bei einer Temperatur bis zu 1000°C gebrannt werden, wobei dieselbe eine kristallisierte Substanz, wie beispielsweise Celsian oder dergleichen, bilden kann. Folglich kann ein Isoliermuster, das eine hervorragende Hochfrequenzcharakteristik mit einem niedrigen ε und einem hohen Q, eine niedrige Streukapazität, keinen Fluß bei einem Brennprozeß und eine hohe Filmfestigkeit aufweist, gebildet werden.
  • Bezugnehmend auf das Keramikpulver der Dickfilmverbindung tendiert die Brenntemperatur dazu, höher als die oben erwähnte Temperatur zu sein, wenn die Menge von Bariumoxid geringer als 20 Gewichtsprozent auf einer BaO-Umwandlungbasis beträgt. Wenn andererseits die Menge 50 Gewichtsprozent überschreitet, verschlechtert sich die Verläßlichkeit des Benetzungswiderstands des Isoliermusters oder dergleichen in manchen Fällen.
  • Wenn die Menge von Siliziumoxid geringer als 40 Gewichtsprozent auf einer SiO2-Umwandlungsbasis beträgt, nimmt das ε zu und kann die elektrischen Eigenschaften beeinflussen. Andererseits, wenn der Betrag 70 Gewichtsprozent überschreitet, kann die Brenntemperatur höher als die oben erwähnte Temperatur werden. Wenn die Menge von Aluminiumoxid geringer als 2 Gewichtsprozent auf einer Al2O3-Basis beträgt, kann die Festigkeit des Isoliermusters reduziert sein. Andererseits, wenn die Menge 10 Gewichtsprozent überschreitet, tendiert die Brenntemperatur dazu, höher als die oben erwähnte Temperatur zu sein. Wenn die Menge von Boroxid geringer als 1 Gewichtsprozent auf einer B2O3-Umwandlungsbasis ist, kann die Brenntemperatur gleichartig dazu tendieren, höher zu werden. Andererseits, wenn die Menge 3 Gewichtsprozent überschreitet, kann die Verläßlichkeit des Benetzungswiderstands oder dergleichen reduziert sein.
  • In diesem Fall enthält die Dickfilmverbindung wünschenswerterweise ein Oxid eines Erd-Alkali-Metalls, wie beispielsweise CaO, SrO, MgO oder dergleichen, in einer Menge von bis zu 3 Gewichtsprozent auf der Basis des Keramikpulvers der Dickfilmverbindung. Diese Oxide eines Erd-Alkali-Metalls werden bei dem oben erwähnten Bariumoxid für Ba substituiert, und weisen eine Funktion eines Erhöhens der Verläßlichkeit eines Benetzungswiderstands oder dergleichen auf. Wenn jedoch die Hinzufügungsmenge eines Oxids eines Erd-Alkali-Metalls 3 Gewichtsprozent überschreitet, kann die Brenntemperatur zunehmen, wodurch sich die elektrischen Charakteristika, wie beispielsweise eine Dielektrizitätskonstante, der Q-Wert oder dergleichen verschlechtern können.
  • (Beispiel)
  • Bei dem Verdrahtungssubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung sind die linienförmigen Isoliermuster so gebildet, daß sie die Verdrahtungsmuster auf dem Substrat schneiden, wobei Fein-Anschlußbereichselektroden mit hoher Präzision, insbesondere Lötmittelbildungsbereiche, die nicht verschmiert sind, aufgrund der Isoliermuster gebildet werden können. Für unterschiedliche Arten von Verdrahtungssubstraten können eine Verdrahtung mit hoher Dichte und eine grössenmäßige Reduktion erreicht werden.
  • Das Verfahren zum Herstellen des Verdrahtungssubstrats weist die Schritte eines Bildens von Verdrahtungsmustern auf einem Substrat und eines Bildens von Isoliermustern auf dem Substrat auf, so daß dieselben die Verdrahtungsmuster auf dem Substrat schneiden. Daher können Fein-Anschlußbereichselektroden mit hoher Präzision, insbesondere Anschlußbereichselektroden, die weniger verschmiert sind, gebildet werden. Folglich können Verdrahtungssubstrate, die eine Verdrahtung mit hoher Dichte aufweisen und größenmäßig reduziert sind, mit einer hohen Reproduzierbarkeit hergestellt werden.
  • Darüberhinaus ist die elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung mit dem Verdrahtungssubstrat versehen, das eine Verdrahtung mit hoher Dichte aufweist und größenmäßig reduziert ist. Folglich können für elektronische Vorrichtungen, wie beispielsweise Mobilkommunikationsvorrichtungen, Computer usw. die größenmäßige Reduktion und eine Verbesserung eines Verhaltens erreicht werden.

Claims (5)

  1. Verdrahtungssubstrat, das ein Substrat (31) mit einem Verdrahtungsmuster (34) und ein linienförmiges Isoliermuster (35a) aufweist, das auf dem Substrat derart gebildet ist, daß es das Verdrahtungsmuster (34) schneidet und einen Teil des Verdrahtungsmusters (39) für eine Anschlußbereichselektrode (37) definiert, dadurch gekennzeichnet, dass das Isoliermuster (35a) eine Mehrzahl von linienförmigen Abschnitten aufweist, die miteinander verbunden sind, um eine rahmenartige Struktur zu bilden.
  2. Verdrahtungssubstrat gemäß Anspruch 1, bei dem die rahmenartige Struktur durch eine Öffnung unterbrochen ist.
  3. Verdrahtungssubstrat gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das linienförmige Isoliermuster eine Mehrzahl von Leitern eines Leitermusters schneidet.
  4. Verdrahtungssubstrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, das ein weiteres linienförmiges Isoliermuster (35b) aufweist, wobei das weitere Isoliermuster (35b) eine rahmenartige Struktur und Seitenlinien aufweist, die parallel zu Seitenlinien des linienförmigen Isoliermusters (35a) sind.
  5. Verdrahtungssubstrat gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, das aus einer Mehrzahl von Keramikschichten gebildet ist.
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