DE10150950C1 - Kompakter vertikaler Hall-Sensor - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen
vertikalen Hall-Sensor, bei dem sich ein erstes
elektrisch leitfähiges Gebiet zur Bildung eines ersten
Hall-Sensorteils senkrecht zu einer Oberfläche eines
Substrates in das Substrat erstreckt und erste
Anschlussbereiche entlang einer an der Oberfläche
liegenden Seitenfläche aufweist, wie aus der EP 954085 A1
bekannt.
In vielen technischen Bereichen ist es erforder
lich, die Stellung von Schaltern oder Stellgliedern
berührungslos und damit verschleißfrei zu erfassen. Der
Einsatz und die räumliche Erfassung von Magnetfeldern
bietet in diesem Bereich Vorteile gegenüber einer
optischen Erfassung, da auf Magnetfeldern basierende
Techniken im Gegensatz zu optischen Verfahren
wesentlich unempfindlicher gegenüber Verschmutzungen
sind.
Für die räumliche Erfassung von Magnetfeldern
werden Magnetfeld-Sensoren wie bspw. Hall-Sensoren
eingesetzt. Derartige Sensoren lassen sich selbst
verständlich für andere Anwendungsbereiche, bspw. in
einem elektronischen Kompass ohne mechanische
Komponenten, verwenden.
Integrierte Magnetfeld-Sensoren auf Halbleiter-
Basis, die den Hall-Effekt nutzen, sind in der
Literatur und der Sensor-Industrie hinreichend bekannt.
Ein Hall-Sensor besteht in der Regel aus einem
elektrisch leitfähigen, plattenförmigen Gebiet, das
über vier Kontaktelektroden mit einer externen
Ansteuerschaltung verbunden ist. Von den vier Kontakt
elektroden eines Hall-Sensors werden zwei als
Steuerstrom-Kontaktelektroden zur Erzeugung eines
Stromflusses durch das elektrisch leitfähige Gebiet und
zwei als Mess-Kontaktelektroden zur Erfassung der Hall-
Spannung genutzt, die bei einem anliegenden Magnetfeld
senkrecht zur Richtung des Stromflusses in dem
elektrisch leitfähigen Gebiet entsteht.
Bei in CMOS-Technik realisierten Hall-Sensoren
besteht das elektrisch leitfähige Gebiet in der Regel
aus einem n-dotierten aktiven Halbleiterbereich auf
bzw. in einem p-dotierten Halbleitersubstrat.
Neben lateralen Hall-Sensoren, bei denen sich der
elektrisch leitfähige Bereich parallel zur Oberfläche
eines Halbleitersubstrates erstreckt und die sich zur
Messung von Magnetfeldkomponenten senkrecht zu dieser
Oberfläche eignen, werden zur räumlichen Erfassung
eines Magnetfeldes auch Sensoren benötigt, die für
Feld-Komponenten in den Raumrichtungen parallel zur
Substrat-Oberfläche empfindlich sind.
Für die Realisierung dieser so genannten
vertikalen Hall-Sensoren sind Lösungen bekannt, die den
Einsatz von Standard-Halbleitertechnologien zu deren
Herstellung ermöglichen. Ein Beispiel ist der von
Popovic und anderen vorgeschlagene vertikale Hall-
Sensor, wie er bspw. aus der Fig. 1 der EP 0954085 A1
bekannt ist. Diese Druckschrift zeigt weiterhin Hall-
Sensoren, die sich aus drei oder mehr in gleichmäßigem
Winkelabstand zueinander angeordneten Armabschnitten
zusammen setzen. Die mit derartigen Hall-Sensoren
erzeugbaren Hall-Spannungen können verstärkt und direkt
als Leistungssignal für einen Elektromotor Verwendung
finden.
Bei dem vertikalen Hall-Sensor der Fig. 1 der EP 09540085 A1,
der durch konforme Abbildung aus bekannten
Geometrien lateraler Hall-Sensoren erhalten wird,
erstreckt sich ein elektrisch leitfähiges Gebiet
annähernd senkrecht zur Oberfläche eines Substrates in
dieses hinein, wobei sämtliche Anschlussbereiche
entlang einer Seitenfläche des elektrisch leitfähigen
Gebietes an der Oberfläche des Substrates liegen. Fig.
1 der vorliegenden Patentanmeldung zeigt schematisch
den Aufbau dieses vertikalen Hall-Sensors.
Diese aus dem Stand der Technik bekannten
vertikalen Hall-Sensoren besitzen 5 entlang der
Seitenfläche des elektrisch leitfähigen Gebietes in
einer Reihe angeordnete Anschlussbereiche, von denen
die beiden äußeren durch eine Verbindung außerhalb des
Elementes zu einem gemeinsamen Anschluss zusammen
gefasst sind. Auf diese Weise werden wieder vier
Anschlüsse wie beim lateralen Hall-Sensor erhalten. Die
von Popovic und Baltes vorgeschlagene Ausgestaltung
dieses vertikalen Hall-Sensors lässt es jedoch zu, das
Element senkrecht zur Chip-Oberfläche zu integrieren
und alle Anschlüsse an der Oberfläche zu kontaktieren.
Auf der anderen Seite führt die vorgeschlagene Ausge
staltung jedoch zu langgestreckten Strukturen, die in
Längsrichtung viel Platz auf dem Chip beanspruchen.
In bestimmten Anwendungsfällen ist jedoch der
Raum, der für die Sensoren zur Verfügung steht, stark
eingeschränkt. Eine beliebige Verkleinerung der
Dimensionen, insbesondere der Länge des elektrisch
leitfähigen Gebietes, der Abstände der Anschluss
bereiche, usw., ist technologisch bedingt nicht
möglich.
Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht
daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin,
einen vertikalen Hall-Sensor anzugeben, der sich in
kompakter Bauweise realisieren lässt.
Die Aufgabe wird mit dem vertikalen Hall-Sensor
gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausge
staltungen dieses Hall-Sensors sind Gegenstand der
Unteransprüche.
Bei dem vorgeschlagenen vertikalen Hall-Sensor
erstreckt sich ein erstes elektrisch leitfähiges Gebiet
zur Bildung eines ersten Hall-Sensorteils senkrecht zu
einer Oberfläche eines Substrates in das Substrat und
weist erste Anschlussbereiche entlang einer an der
Oberfläche des Substrates liegenden Seitenfläche auf.
Parallel zum ersten Hall-Sensorteil ist ein zweiter
gleichartiger Hall-Sensorteil aus einem zweiten
elektrisch leitfähigen Gebiet mit zweiten Anschluss
bereichen im Substrat angeordnet, wobei ein an einem
Ende des ersten elektrisch leitfähigen Gebietes
liegender erster Anschlussbereich mit einem am diagonal
gegenüber liegenden Ende des zweiten elektrisch
leitfähigen Gebietes liegenden zweiten Anschlussbereich
elektrisch verbunden ist.
Ein derartiger vertikaler Hall-Sensor weist die
gleiche Funktion auf, wie ein aus einem einzigen
elektrisch leitfähigen Gebiet bestehender Hall-Sensor
mit einer um 1 oder 2 geringeren Anzahl von Anschluss
bereichen. Durch die vorliegende Aufteilung des
elektrisch leitfähigen Gebietes eines derartigen
bekannten vertikalen Hall-Sensors in zwei parallel zu
einander liegende kürzere elektrisch leitfähige Gebiete
mit der entsprechenden Verschaltung lässt sich eine
deutlich kompaktere Form des Hall-Sensors realisieren.
Diese kompaktere Bauweise bietet insbesondere dann
Vorteile, wenn der für die Länge der bekannten
vertikalen Hall-Sensoren verfügbare Raum auf dem
Substrat bzw. Chip beschränkt ist.
Auch wenn im Folgenden die bevorzugte Ausführungs
form des vorliegenden Hall-Sensors ausgehend von einem
vertikalen Hall-Sensor des Standes der Technik mit fünf
Anschlussbereichen und vier Anschlüssen beschrieben
wird, so lässt sich der vorliegende Hall-Sensor auch
mit einer größeren Anzahl von Anschlussbereichen bzw.
Anschlüssen realisieren, wobei der vorgeschlagene
vertikale Hall-Sensor gegenüber einem herkömmlichen
vertikalen Hall-Sensor mit einer ungeraden Anzahl von n
Anschlussbereichen und n - 1 Anschlüssen jeweils einen
Anschlussbereich mehr aufweist, um die gleiche Funktion
zu erfüllen. Ausgehend von einem vertikalen Hall-Sensor
mit einer geraden Anzahl von n Anschlussbereichen weist
der vorgeschlagene Hall-Sensor für die gleiche Funktion
jeweils zwei Anschlussbereiche mehr auf, die die
äußeren diagonal miteinander verbundenen Anschluss
bereiche bilden. Der vorgeschlagene Hall-Sensor hat
somit immer eine gerade Anzahl von Anschlussbereichen.
Grundsätzlich lässt sich der vorliegende Hall-
Sensor hierbei gedanklich aus einem Hall-Sensor des
Standes der Technik dadurch bilden, dass das elektrisch
leitfähige Gebiet in der Mitte aufgetrennt und die
beiden Hälften gegeneinander verschoben und parallel
zueinander angeordnet werden. Die Verschaltung der
einzelnen bereits vorhandenen Anschlussbereiche wird
dabei nicht geändert. Bei einem bekannten Sensor mit
einer ungeraden Anzahl von Anschlussbereichen wird
dabei der mittlere Anschlussbereich in zwei Anschluss
bereiche aufgespalten, die nach der parallelen Anordung
an diagonal gegenüber liegenden Enden der beiden neu
gebildeten elektrisch leitfähigen Bereiche liegen und
elektrisch miteinander verbunden werden müssen. Bei
einem bekannten Sensor mit einer geraden Anzahl von
Anschlussbereichen wird auf beiden Seiten der
Auftrennung jeweils ein neuer Anschlussbereich
geschaffen, wobei die beiden neuen Anschlussbereiche
nach der parallelen Anordung an diagonal gegenüber
liegenden Enden der beiden neu gebildeten elektrisch
leitfähigen Bereiche liegen und ebenfalls elektrisch
miteinander verbunden werden müssen.
Vorzugsweise weist der vorliegende vertikale Hall-
Sensor an jedem der beiden elektrisch leitfähigen
Gebiete, die beispielsweise als Halbleiter-Schichten in
einem Halbleitersubstrat realisiert sind, jeweils drei
Anschlussbereiche auf, im Folgenden auch als Kontakte
bezeichnet. Diese Anschlussbereiche oder Kontakte sind
an den beiden elektrisch leitfähigen Gebieten bzw.
Schichten in einer Reihe angeordnet. Hierbei ist jedoch
nicht zwingend notwendig, dass die drei Anschluss
bereiche jeweils exakt auf einer geraden Linie liegen.
Selbstverständlich können sie von dieser Linie auch auf
beiden Seiten abweichen. Die beiden äußeren Kontakte
des ersten und des zweiten elektrisch leitfähigen
Gebietes sind über Kreuz miteinander verbunden. Dadurch
entsteht ein Hall-Sensor mit insgesamt vier
Anschlüssen, die wie bei einem herkömmlichen Hall-
Sensor geschaltet werden können, um die entsprechende
Hall-Spannung bei Anliegen eines magnetischen Feldes
abgreifen zu können. Auch der Betrieb mittels einer
Spinning-Current-Technik ist bei diesem Hall-Sensor,
der auf magnetische Felder parallel zur Substrat
oberfläche empfindlich ist, selbstverständlich möglich.
Die Spinning-Current-Technik besteht darin, die
Messrichtung am Hall-Sensor ständig mit einer
bestimmten Taktfrequenz um bspw. 90° zyklisch weiter zu
drehen und über alle Messsignale einer vollen Drehung
um 360° zu summieren. Bei einem Hall-Sensor mit vier
Kontakten, von denen sich jeweils zwei gegenüber
liegen, wird daher jeder der Kontakte je nach Spinning-
Current-Phase sowohl als Steuerstrom-Kontakt als auch
als Mess-Kontakt zur Abnahme des Hall-Signals genutzt.
So fließt in einer Phase bzw. einem Zyklus der
Steuerstrom von einem zum gegenüber liegenden Kontakt,
wobei die Hall-Spannung an den quer dazu liegenden
Kontakten abgegriffen wird. Beim nächsten Zyklus wird
dann die Messrichtung um 90° weiter gedreht, so dass
die Kontakte, die im vorangehenden Zyklus zur Abnahme
der Hall-Spannung eingesetzt wurden, nunmehr zur
Einspeisung des Steuerstroms dienen. Durch die
Summation über alle vier Zyklen bzw. Phasen heben sich
herstellungs- oder materialbedingte Offset-Spannungen
annähernd gegenseitig auf, so dass nur die tatsächlich
magnetfeldabhängigen Anteile des Signals übrig bleiben.
Die äußere Ansteuerbarkeit bzw. Beschaltung des
vorliegenden vertikalen Hall-Sensors entspricht der
eines bekannten Hall-Sensors des Standes der Technik
mit fünf entlang der Seitenfläche eines elektrisch
leitfähigen Gebietes an der Oberfläche eines Substrates
liegenden Kontakten. Gegenüber diesem bekannten
vertikalen Hall-Sensor ist der vorliegende Hall-Sensor
etwa um 40% kürzer. Allerdings wird durch die
vorliegende Ausgestaltung auch eine etwas ungünstigere
Steuerstromverteilung und somit ein größerer Offset
erzeugt. In der bevorzugten Ausgestaltung eignet sich
der vorliegende Hall-Sensor daher gerade in Anwendungen
mit geringeren Anforderungen an die elektrischen und
magnetischen Kenngrößen des Sensors, um zumindest in
einer Dimension Bauraum auf dem IC einsparen zu können.
Selbstverständlich lässt sich die gegenüber dem
bekannten Hall-Sensor ungünstigere Steuerstrom
verteilung auch durch entsprechende Gewichtung der
einzelnen Spinning-Current-Phasen bei einem Spinning-
Current-Betrieb ausgleichen. Weiterhin ist es möglich,
zumindest zwei der vorliegenden vertikalen Hall-
Sensoren derart miteinander zu verschalten, dass diese
wie ein einziger Hall-Sensor angesteuert werden und in
jeder Spinning-Current-Phase jeweils die gleiche
Kombination von Steuerstromverteilungen aufweisen.
Durch eine derartige Verschaltung lässt sich der Offset
deutlich verringern und macht eine zusätzliche
Gewichtung der einzelnen Spinning-Current-Phasen
überflüssig.
Der vorliegende vertikale Hall-Sensor ist
vorzugsweise in CMOS-Technik realisiert, wobei die
elektrisch leitfähigen Gebiete als n-dotierte
Halbleiterbereiche in einem p-dotierten Substrat
vorliegen können.
Der vorgeschlagene vertikale Hall-Sensor wird
nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels in
Verbindung mit den Zeichnungen nochmals kurz erläutert.
Hierbei zeigen:
Fig. 1 ein Beispiel für einen vertikalen Hall-
Sensor des Standes der Technik sowie der
zugehörigen Steuerstromverteilungen in
zwei Spinning-Current-Phasen;
Fig. 2 ein Beispiel für die Ausgestaltung des
vorliegenden vertikalen Hall-Sensors in
Draufsicht im Vergleich zu einem
bekannten vertikalen Hall-Sensor; und
Fig. 3 die Steuerstromverteilung in dem
vorliegenden vertikalen Hall-Sensor der
Fig. 2 in verschiedenen Spinning-
Current-Phasen.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel für den Aufbau eines
bekannten vertikalen Hall-Sensors, wie er von Popovic
und Baltes vorgeschlagen wurde. In Fig. 1a ist hierbei
im linken Teil eine Seitenansicht des Hall-Sensors
parallel zur Oberfläche des Halbleiter-Chips, in dem
der Sensor integriert ist, dargestellt. Die Figur zeigt
das elektrisch leitfähige Gebiet 2, das sich senkrecht
zur Oberfläche des Chips 1 in diesen Chip erstreckt.
Das elektrisch leitfähige Gebiet 2 ist plattenförmig
ausgebildet, so dass seine Länge und Tiefe, die im
linken Teil der Fig. 1a zu erkennen sind, deutlich
größer als seine im rechten Teil der Figur erkennbare
Breite sind. Dies entspricht der typischen Ausge
staltung des elektrisch leitfähigen Gebietes eines
Hall-Sensorelementes. Selbstverständlich kann die
Breite des elektrisch leitfähigen Gebietes eines Hall-
Sensors für dessen Funktion auch größer als die Länge
und Tiefe ausfallen.
In der Figur sind weiterhin die elektrischen
Anschlussbereiche 3 entlang der Seitenfläche des
elektrisch leitfähigen Gebietes 2 an der Oberfläche des
Chips 1 zu erkennen. Die beiden äußeren Anschluss
bereiche sind elektrisch leitend miteinander verbunden
und bilden einen gemeinsamen äußeren Anschluss D. Die
weiteren Anschlussbereiche bilden entsprechend ihrer
Reihenfolge die elektrischen Anschlüsse A, B und C. Der
gesamte Hall-Sensor, der sich nur aus einem einzelnen
Hall-Sensorteil zusammen setzt, ist im rechten Teil der
Fig. 1a nochmals in Draufsicht, d. h. senkrecht auf
die Chip-Oberfläche, zu erkennen. In dieser Darstellung
sind insbesondere die entlang der Seitenfläche des
elektrisch leitfähigen Gebietes 2 ausgebildeten
Anschlussbereiche 3 zu erkennen, die insgesamt zu den
vier Anschlüssen A-D des Hall-Sensors zusammengefasst
sind.
Beim Betrieb dieses bekannten vertikalen Hall-
Sensors mit einer Spinning-Current-Technik wird in
einer ersten Spinning-Current-Phase durch Anlegen einer
Steuerspannung zwischen den Anschlüssen D und B ein
Steuerstrom IS erzeugt, der in dem elektrisch leit
fähigen Gebiet 2 eine Steuerstromverteilung
entsprechend der schematischen Darstellung der Fig. 1a
ergibt. Hierbei fließt jeweils ein Steuerstrom der
Größe IS/2 vom Anschluss B zu den beiden Anschluss
bereichen des Anschlusses D. Bei Vorliegen eines
magnetischen Feldes B parallel zur Chip-Oberfläche, wie
dies ebenfalls in der Fig. 1a schematisch dargestellt
ist, entsteht eine Hall-Spannung UH zwischen den
Anschlüssen C und A, die mit dem Pfeil angedeutet ist.
Durch Abgreifen der beiden Anschlüsse A und C kann die
Hall-Spannung UH gemessen und daraus die Größe des
Magnetfeldes B berechnet werden.
In der nächsten Spinning-Current-Phase wird der
Steuerstrom zwischen den beiden Anschlüssen A und C
angelegt, wobei ein Steuerstrom IS zwischen diesen
beiden Anschlüssen durch das elektrisch leitfähige
Gebiet 2 fließt, wie dies im linken Teil der Fig. 1b
angedeutet ist. Die Fig. 1b zeigt die gleiche
Anordnung in Seitenansicht (links) und Draufsicht
(rechts) wie die Fig. 1a, jedoch beim Betrieb mit
einer anderen Spinning-Current-Phase. Die unter
schiedliche Steuerstromverteilung im elektrisch
leitfähigen Gebiet 2 in den beiden unterschiedlichen
Spinning-Current-Phasen ist aus den Fig. 1a und 1b
deutlich zu erkennen.
Die beiden verbleibenden Spinning-Current-Phasen
ergeben sich analog aus den beiden ersten Phasen durch
Umkehrung der Strom- und Spannungs-Richtungen.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel für den
vorliegenden vertikalen Hall-Sensor im Vergleich zu
einem vertikalen Hall-Sensor mit der gleichen Anzahl
von äußeren Anschlüssen A-D und der gleichen
Funktion, wie er bereits in Verbindung mit Fig. 1
erläutert wurde. Beide Hall-Sensoren sind hierbei in
Draufsicht auf die Chipoberfläche zu erkennen.
Bei dem bekannten vertikalen Hall-Sensor des
Standes der Technik (Fig. 2a) wird die Längserstreckung
durch die Länge des elektrisch leitfähigen Gebietes 2
mit den fünf in Reihe angeordneten Anschlussbereichen
3.1 bis 3.5 vorgegeben, von denen die beiden äußeren
3.1 und 3.5 elektrisch leitend verbunden und zu einem
einzelnen externen Kontakt D zusammengefügt sind. Die
weiteren Anschlussbereiche 3.2-3.4 bilden jeweils
getrennte Kontakte A-C. Der Betrieb eines derartigen
Sensors wurde bereits im Zusammenhang mit der Fig. 1
erläutert.
Fig. 2b zeigt ein Beispiel für die Ausgestaltung
eines vertikalen Hall-Sensors gemäß der vorliegenden
Erfindung, der die gleiche Anzahl von externen
Anschlüssen A-D aufweist und somit die gleichen
Betriebsweisen und die gleiche Funktionsweise wie der
Hall-Sensor der Fig. 1a ermöglicht. Dieser neuartige
vertikale Hall-Sensor wird aus dem Hall-Sensor des
Standes der Technik (Fig. 2a) dadurch abgeleitet, dass
der elektrisch leitfähige Bereich 2 in der Mitte des
Anschlussbereiches 3.3 aufgetrennt und die beiden
entstandenen Hälften parallel zueinander plaziert
werden. Durch kreuzweises Verbinden der dabei
entstandenen äußeren Anschlussbereiche 3.1 und 3.5 bzw.
3.31 und 3.32 wird wieder ein magnetisch empfindlicher
Sensor erhalten, der - wie der Sensor der Fig. 2a -
vier externe Anschlüsse A-D aufweist und wie ein
herkömmlicher Hall-Sensor geschaltet und betrieben
werden kann.
Fig. 3 zeigt die Beschaltung und Stromverteilung
in einem derartigen Hall-Sensor in zwei Betriebsphasen
der Spinning-Current-Technik. Die beiden elektrisch
leitfähigen Bereiche (2) sind hierbei zur besseren
Darstellbarkeit übereinander in Seitenansicht
eingezeichnet, liegen jedoch tatsächlich parallel
nebeneinander im Substrat.
Fig. 3a zeigt hierbei eine erste Phase, bei der
die Steuerspannung zwischen den Anschlüssen B und D
angelegt und die Hall-Spannung zwischen den Anschlüssen
A und C abgegriffen wird. In dieser Phase ist die
Verteilung des Steuerstroms identisch der eines
herkömmlichen Hall-Elementes (vgl. Fig. 1a), wobei der
Steuerstrom von Anschluss B nach Anschluss D fließt.
Die Steuerstromverteilung unterscheidet sich
jedoch in der nächsten Phase des Spinning-Current-
Betriebs deutlich von der des herkömmlichen Elementes,
wie in Fig. 3b zu erkennen ist. Bei dieser Phase, bei
der die Steuerspannung zwischen den Anschlüssen A und C
des Hall-Sensors angelegt und die Hall-Spannung
zwischen den Anschlüssen B und D abgegriffen wird, wird
der Steuerstrom auf seinem Weg von A nach C über die
Kontakte B und D gezwungen. Dies führt jedoch dazu,
dass der Vorteil des kompakteren Elementes durch den
Nachteil einer ungleichmäßigeren Stromverteilung
erkauft wird. Diese ungleichmäßigere Stromverteilung
zwischen den einzelnen Phasen im Vergleich zu dem
bekannten vertikalen Hall-Element des Standes der
Technik, kann jedoch durch andere Maßnahmen, wie bspw.
eine Kalibrierung der Spinning-Current-Phasen
zueinander oder durch Parallelschaltung mehrerer
derartiger Hall-Sensoren kompensiert werden.
1
Substrat bzw. Chip
2
elektrisch leitfähiges Gebiet
3
Anschlussbereiche
3.1-3.5
einzelne Anschlussbereiche
4
erster Hall-Sensorteil
5
zweiter Hall-Sensorteil
A-D externe Anschlüsse
A-D externe Anschlüsse
Claims (3)
1. Vertikaler Hall-Sensor, bei dem sich ein erstes
elektrisch leitfähiges Gebiet (2) zur Bildung
eines ersten Hall-Sensorteils (4) senkrecht zu
einer Oberfläche eines Substrates (1) in das
Substrat (1) erstreckt und erste Anschlussbereiche
(3) entlang einer an der Oberfläche des Substrates
(1) liegenden Seitenfläche aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
dass ein zweiter gleichartiger Hall-Sensorteil (5)
aus einem zweiten elektrisch leitfähigen Gebiet
(2) mit zweiten Anschlussbereichen (3) parallel
zum ersten Hall-Sensorteil (4) im Substrat (1)
angeordnet ist, wobei ein an einem Ende des ersten
elektrisch leitfähigen Gebietes (2) liegender
erster Anschlussbereich (3.31) mit einem am
diagonal gegenüber liegenden Ende des zweiten
elektrisch leitfähigen Gebietes (2) liegenden
zweiten Anschlussbereich (3.32) elektrisch
verbunden ist.
2. Vertikaler Hall-Sensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der erste Hall-Sensorteil (4) drei erste und der
zweite Hall-Sensorteil (5) drei zweite Anschluss
bereiche (3) aufweist.
3. Vertikaler Hall-Sensor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Substrat (1) ein Halbleitersubstrat ist
und das erste und zweite elektrisch leitfähige
Gebiet durch dotierte Bereiche in dem
Halbleitersusbtrat (1) gebildet sind.
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