DE10137493A1 - Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden elektronenoptisch durchstrahlbaren Struktur und nach dem Verfahren hergestellte Struktur - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden elektronenoptisch durchstrahlbaren Struktur und nach dem Verfahren hergestellte Struktur

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Abstract

Die Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden elektronenoptisch durchstrahlbaren Struktur (6). Diese Struktur (6) ist gebildet aus Stegen (6.1) mit mehreren Lagen und aus Ausnehmungen (6.2), die zwischen den Stegen (6.1) liegen. Die Herstellung der Strukturen wird durch folgende Verfahrensschritte vorgenommen: DOLLAR A - Auf eine erste Schicht (1) wird eine zweite Schicht aufgetragen, DOLLAR A - ein Muster wird durch einen Belichtungs- oder Bestrahlungsprozess vorgegeben und aus der zweiten Schicht herausgeätzt, so dass Teilbereiche der ersten Schicht (1) freigelegt sind, DOLLAR A - die Lagen der Stege (6.1) werden auf die freigelegten Teilbereiche der ersten Schicht (1) galvanisch aufgebracht, und DOLLAR A - die Struktur (6) wird von der ersten Schicht (1) abgezogen. DOLLAR A Ebenso umfasst die Erfindung nach diesem Verfahren hergestellte selbsttragende Strukturen (6), die sich durch ihre gleichmäßigen Kanten und ihrem guten Absorptionsverhalten auszeichnen.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden elektronenoptisch durchstrahlbaren Struktur und eine nach dem Verfahren hergestellte Struktur selbst.
  • Derartige elektronenoptisch durchstrahlbare Strukturen finden beispielsweise Anwendung als Absorberstrukturen, häufig auch als Masken bezeichnet, für die Elektronenstrahl-Lithographie. Durch diese strahlenabsorptionsfähigen Strukturen werden beispielsweise periodisch wiederkehrende Muster ("Cell-Projection") oder Muster variabler Größe ("Variable Shaped Beam") auf entsprechende lichtempfindlich beschichtete Substrate projiziert, die dann letztlich als Vorlagen für Waferstepper in der Halbleiterindustrie oder als Maßverkörperungen Anwendung finden können. Dabei werden in Teilbereichen, etwa in Stegen der Struktur, ankommende Elektronenstrahlen von der Struktur absorbiert, während sich der Elektronenstrahl durch Ausnehmungen zwischen den Stegen möglichst ungehindert ausbreitet. Damit entsprechend feine Strichmuster abbildbar sind, werden Strukturen eingesetzt, die nicht selten Abstände zwischen den Stegen von weniger als 500 nm aufweisen, wobei die Stegbreiten selbst häufig unter 1 µm liegen. Darüber hinaus sollen zur Erreichung der notwendigen Abbildungsqualität beziehungsweise des erforderlichen Absorptionsgrades die Strukturen nicht zu dünn sein, so dass Steghöhen von 750 nm und mehr angestrebt werden müssen.
  • In der Auslegeschrift DE 15 21 476 wird ein Verfahren zur Herstellung von metallischen Folienblenden beschrieben, bei dem die Folienblenden zunächst auf eine Metallmatrize aufgedampft und anschließend von dieser Metallmatrize wieder abgezogen werden. Es ist bekannt, dass mit dem Aufdampfprozess mit vertretbarerem Zeitaufwand nur Folienblenden mit einer vergleichsweise geringen Dicke hergestellt werden können. Üblicherweise werden heutzutage unter anderem wegen der hohen Abscheidezeiten im Aufdampfprozess Schichtdicken von 500 nm nicht überschritten.
  • Gemäß der US 5858576 sind Masken bekannt, die teilweise aus einer mehrschichtigen Metallstruktur bestehen. Allerdings wurden diese Schichten beispielsweise durch Sputtern durch den Ion-Focus-Beam-Prozess aufgetragen, was wiederum einen ungleichmäßigen Verlauf der Stegkanten der Maske bedingt. Darüber hinaus werden in dem Verfahren gemäß US 5858576 sämtliche Trägerschichten durch einen Ätzprozess entfernt. Das Ätzen dieser in Summe relativ dicken Trägerschichten bedingt aber, dass Ätzreste in dem funktionsbestimmenden Bereich der Maske, nämlich zwischen den Stegen zurückbleiben. Diese Rückstände können aufgrund der Feinheit der Strukturen kaum entfernt werden und beeinträchtigen im späteren Einsatz der Maske die Abbildungsqualität.
  • Schließlich wird in der Patenschrift DE 23 44 111 eine Blende gezeigt, die aus mehreren Metallschichten besteht. Dabei wird eine Edelmetallschicht auf eine Trägerschicht mittels Galvanisieren aufgebracht. Die beiden Schichten sind nach dem Galvanisieren untrennbar miteinander verbunden. Verfahrensbedingt sind auf diese Weise keine filigranen mehrschichtigen Strukturen herstellbar, weil die Trägerschicht zu Beginn des Prozesses, schon alleine aus Gründen der Handhabbarkeit, bereits eine ausreichende mechanische Festigkeit aufweisen muss.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden elektronenoptisch durchstrahlbaren Struktur bereitzustellen, bei dem insbesondere überaus filigrane und exakte Muster erreichbar sind. Die so erzeugten Strukturen unterscheiden sich von den bisher bekannten unter anderem durch ihre höhere Feinheit und durch deren gleichmäßigeren Verlauf der Stegkanten.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und durch eine Struktur gemäß Anspruch 9 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens beziehungsweise der erfindungsgemäßen Struktur ergeben sich aus den Maßnahmen in den von Anspruch 1 abhängigen Ansprüchen, beziehungsweise aus den von Anspruch 9 abhängigen Ansprüchen.
  • Die Erfindung beruht auf dem Gedanken, dass eine feine mehrschichtige Struktur zwischen Begrenzungswänden galvanisch auf eine elektrisch leitende Hilfsschicht aufgebracht wird, und dass die dünne Struktur von dieser Hilfsschicht zerstörungsfrei abgezogen werden kann. Durch das galvanische Aufbringen der Schichten der Struktur können relativ schnell und einfach Schichtdicken von weit über 500 nm erreicht werden, so dass Elektronen mit hoher Energie vollständig absorbiert werden können.
  • Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht darin, dass äußerst filigrane und gleichmäßige selbsttragende elektronenoptisch durchstrahlbare Strukturen herstellbar sind.
  • Gemäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung wird ein zweistufiger Ätzprozess zum Herausarbeiten des gewünschten Musters angewendet, wobei eine elektrisch leitende Schicht als Ätzstopp-Schicht verwendet wird. In einer bevorzugten Verfahrensvariante werden Plasma-Ätzprozesse angewendet. Es können aber auch andere Trockenätzprozesse oder Nassätzprozesse durchgeführt werden. Der Begriff Ätzen bezieht sich im Übrigen hier nicht nur auf das Lösen von Material in Säuren, sondern auch auf ein entsprechendes Verfahren unter Verwendung von Basen.
  • Unter galvanischem Prozess wird ein Verfahren verstanden, bei dem Schichtstoffe aus einem ionisierten Zustand heraus aufgetragen werden. Beispielsweise können so Metalle, wie Gold oder Nickel, aus einer bevorzugt wässrigen Lösung, elektrolytisch auf der entsprechenden Oberfläche abgeschieden werden. An der Kathode werden Metallionen entladen und abgeschieden. Durch die Einstellung des elektrischen Stromes und der Prozessdauer kann letztlich die gewünschte Schichtdicke aufgebaut werden.
  • Ein mögliches Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert.
  • Es zeigen die
  • Fig. 1a bis 1k Teilquerschnitte durch Hilfsschichten und Strukturschichten nach verschiedenen Bearbeitungsschritten,
  • Fig. 2 eine Draufsicht auf eine entsprechende Struktur mit der die Struktur umgebende Metallfolie,
  • Fig. 3a einen Teilquerschnitt der Struktur mit schematisch dargestellten Elektronenstrahlen,
  • Fig. 3b Intensitätsverteilung der Elektronenstrahlung über dem Ort nach passieren der Struktur,
  • Fig. 4a und 4b Raster-Elektronen-Mikroskop-Aufnahmen von Strukturen im Teilquerschnitt.
  • In den Fig. 1a bis 1k ist der prinzipielle Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand eines Ausführungsbeispieles gezeigt. Die dargestellten Schichten sind dabei im allgemeinen nicht maßstäblich dargestellt. In dem gezeigten Beispiel wird eine Struktur 6 hergestellt, die 1000 parallele Stege 6.1 aufweist, welche 874 nm breit sind. Die Ausnehmungen 6.2 der Struktur 6 sind 150 nm breit. Somit ergibt sich eine Periode der Struktur 6 von 1024 nm.
  • Im Schritt S1 wird im Vakuum durch Sputtern zunächst eine etwa 100 nm dicke Hilfsschicht 1, bestehend aus einer Eisen-Nickel-Legierung (Permalloy), auf ein poliertes und gereinigtes Trägersubstrat 2 aus Glas aufgebracht, so dass ein Schichtaufbau gemäß Fig. 1a entsteht. Alternativ zu dem Werkstoff Glas kann auch beispielsweise ein entsprechender Glaskeramikwerkstoff oder auch Stahl verwendet werden.
  • Auf diese Hilfsschicht 1 wird im nächsten Bearbeitungsschritt S2 eine etwa 1,5 µm dicke ätzbare Schicht 3 aufgetragen, welche in diesem Beispiel aus Fotolack besteht (Fig. 1b). Als Verfahren für das Auftragen wird das Spinncoat-Verfahren angewendet. Dabei wird ein lichtempfindlicher Lack mittig auf die Hilfsschicht 1 gegeben und dann durch eine Lackschleuder verteilt, so dass die ätzbare Schicht 3 mit gleichmäßiger Dicke entsteht. Im Anschluss wird der Lack in einem Umlufttrockenschrank getrocknet. In diesem Beispiel besteht die ätzbare Schicht 3 aus einem Positivlack. Prinzipiell kann aber alternativ auch ein Negativlack verwendet werden. Im übrigen kann bei diesem Verfahren für die ätzbare Schicht 3 auch ein Material verwendet werden, welches nicht auf Strahlung reagiert und sich aber leicht durch Ätzen beziehungsweise Entwickeln entfernen lässt. In der Praxis hat es sich gezeigt, dass sich die bekannten Fotolacke gut als Material für die ätzbare Schicht 3 eignen.
  • Der darauffolgende Bearbeitungsschritt S3 besteht darin, dass eine etwa 30 nm dicke TiO2-Schicht 4 auf die ätzbare Schicht 3 durch Sputtern aufgetragen wird. Der so hergestellte Schichtaufbau ist in dem schematischen Teilquerschnitt gemäß Fig. 1c gezeigt. Alternativ zu dem Sputter-Prozess kann auch beispielsweise ein Bedampfungsverfahren gewählt werden. In diesem Beispiel wurde als Schichtmaterial TiO2 gewählt, weil dieser Werkstoff in den späteren Ätzprozessen unter Verwendung üblicher Ätzmedien kaum angegriffen wird. Entsprechend können aber als Ersatz für die TiO2- Schicht 4 auch Schichten aus Chrom oder SiO2, etc. verwendet werden.
  • Im Anschluss wird auf der TiO2-Schicht 4 im Bearbeitungsschritt S4 eine etwa 200 nm dicke Fotolackschicht 5 aufgetragen und ähnlich wie im Bearbeitungsschritt S2 durch ein Spinncoat-Verfahren gleichmäßig verteilt (Fig. 1d). Die Fotolackschicht 5 besteht in diesem Beispiel aus einem Positivlack, es kann aber auch hier alternativ ein Negativlack verwendet werden.
  • Die Fotolackschicht 5 wird in einem darauffolgenden Bearbeitungsschritt S5 selektiv durch eine Lithographie-Maske lokal mit UV-Strahlung belichtet, so dass im Bereich der später zu bildenden Struktur 6 ein Muster mit geradlinigen parallelen Streifen entsteht. Alternativ zur Verwendung von UV- Strahlung kann auch eine andere Strahlungsart, die im Zusammenhang mit Lithographie-Verfahren bekannt ist angewendet werden. So kann hier auch die Belichtung mit Licht im sichtbaren Bereich vorgenommen werden.
  • Mit Hilfe eines Entwicklungsprozesses werden die belichteten Bereiche der Fotolackschicht 5 entfernt, so dass, wie in der Fig. 1e gezeigt, die TiO2- Schicht 4 in kleinen rechteckigen Bereichen freigelegt ist. Als Auswaschmedium für den Entwicklungsprozess wurde in diesem Beispiel ein Fotolackentwickler verwendet.
  • Im Bearbeitungsschritt S61 werden durch Plasmaätzen ("Reactive Ion Etching") mit einem fluorhaltigen Medium die oben genannten zuvor freigelegten Bereiche der TiO2-Schicht 4 entfernt. Mit anderen Worten wird also die TiO2-Schicht 4 lokal geöffnet (Fig. 1f). Es werden hier fluorhaltige Ätzmedien, etwa CHF3-, CF4-, CBrF3-, oder SF6-Gas verwendet. Ebenso können aber auch alternativ andere übliche Ätzmedien z. B. aus Chlorverbindungen bestehend zum Einsatz kommen, wie etwa SiCl4.
  • Der verbliebene Fotolack der Fotolackschicht 5 wird sodann im Bearbeitungsschritt S62 durch Veraschung mit Hilfe eines Sauerstoff-Plasma- Verfahrens entfernt (Fig. 1g).
  • Danach wird der zweite Teil des Plasmaätzverfahrens im Bearbeitungsschritt S63 vorgenommen, wobei die elektrisch nichtleitende TiO2-Schicht 4, gemäß der Fig. 1h, quasi als Ätzmaske dient.
  • Die Prozessparameter werden im Bearbeitungsschritt S63 so eingestellt, dass ein gewünschtes Verhältnis von Tiefenätzgeschwindigkeit zu Seitenätzgeschwindigkeit erreicht wird. Auf diese Weise wird eine in gewissem Umfang gewünschte Unterätzung erreicht, damit die später zu bildenden Stege 6.1 das für die elektronenoptische Funktion der Struktur 6 optimale Querschnittprofil aufweisen. Die Hilfsschicht 1, bestehend aus der Eisen- Nickel-Legierung, dient im Bearbeitungsschritt S63 auch als Ätzstopp- Schicht. Sobald die entsprechenden Flächen auf der Hilfsschicht 1 freigeätzt sind, wird das Ende der Plasmaätzprozesses signalisiert. Als Ätzmedium wird hier ein Sauerstoffplasma verwendet, das mit einem fluorhaltigem Gas versetzt ist.
  • Der zweistufige Plasmaätzprozess in Verbindung mit der Verwendung der TiO2-Schicht 4 als Ätzmaske hat den Vorteil, dass hohe Aspektverhältnisse in der ätzbaren Schicht 3 erzielt werden können. Unter Aspektverhältnis ist der Quotient aus Bearbeitungstiefe zur Breite der Ausnehmung 6.2 zu verstehen. In diesem Beispiel werden Aspektverhältnisse von etwa 1,5 µm/150 nm = 10 erreicht.
  • Die Fig. 1h zeigt, dass nach dem Abschluss der Ätzprozesse, auf der Hilfsschicht 1 nun noch die Reste der ätzbaren Schicht 3 verblieben sind, die jetzt als Begrenzung für die zu bildenden Stege 6.1 dienen. Als erste Maßnahme innerhalb des Bearbeitungsschrittes S7 wird in einem galvanischen Prozess eine etwa 540 nm dicke erste Gold-Schicht 6.11 aufgetragen. Als Kathode dient hier die Hilfsschicht 1, deren Oberfläche trotz des vorangegangenen Ätzprozesses im Bearbeitungsschritt S63 nicht oxidiert ist, so dass sie noch eine gute elektrische Leitfähigkeit für den Galvanisierungsstrom aufweist.
  • Im Anschluss daran wird ebenfalls galvanisch eine nur etwa 120 nm starke Nickel-Schicht 6.12 auf die erste Gold-Schicht 6.11 aufgebracht. Schließlich wird im darauffolgenden Schritt eine etwa 540 nm dicke zweite Gold-Schicht 6.13 auf der Nickel-Schicht 6.12 erzeugt. Durch die gewünschte abgeschrägte Form der Stege 6.1 ist die zweite Gold-Schicht 6.13 etwas breiter als die erste Gold-Schicht 6.11.
  • Durch diesen Schichtaufbau ist es möglich eine selbstragende Struktur 6 mit einer Steghöhe h von 1,2 µm zu bilden, die in der Lage ist Elektronenstrahlen 8 (siehe Fig. 3b) mit einer Energie von 20 keV vollständig zu absorbieren. Wichtig ist in diesem Zusammenhang der Schicht- bzw. Sandwichaufbau der Struktur 6. Durch die erste Gold-Schicht 6.11 und die zweite Gold- Schicht 6.13 werden die Elektronenstrahlen 8 in ausreichendem Maße absorbiert. Eine einschichtige Goldlage von circa 1 µm dicke wäre aber nicht formstabil bzw. selbstragend. Aus diesem Grund wurde in der Mitte der Struktur 6 zwischen der ersten Gold-Schicht 6.11 und der zweiten Gold- Schicht 6.13 zur mechanischen Stabilisierung der Struktur 6 die Nickel- Schicht 6.12 vorgesehen.
  • Nachdem der Schichtaufbau der mehrschichtigen Struktur 6 mit den Stegen 6.1 abgeschlossen ist, kann im Bearbeitungsschritt S8 das restliche Material der ätzbaren Schicht 3 entfernt werden, so dass ein Teilquerschnitt gemäß Fig. 1j entsteht. Im gezeigten Beispiel wird zu diesem Zweck wieder ein Entwicklungsprozess mit einer Lauge angewendet. Alternativ hierzu kann auch beispielsweise ein Sauerstoffplasma zur Entfernung des Fotolack- Materials verwendet werden.
  • Schließlich kann die Struktur 6 mit der Steghöhe h = 1,2 µm sicher von der Hilfsschicht 1 abgezogen werden, ohne dass in der Struktur 6 Risse entstehen (Fig. 1k). Für das zerstörungsfreie Ablösen der Struktur 6 von einer Hilfsschicht 1 ist es erforderlich, dass die Haftungskräfte zwischen der Struktur 6 und der Hilfsschicht 1 nicht zu groß sind. Diese Eigenschaft der Hilfsschicht 1 wird als Release-Eigenschaft bezeichnet. Es hat sich gezeigt, dass unter der Anwendung der Sputter-Technik im Bearbeitungsschritt S1 Oberflächenstrukturen auf der Hilfsschicht 1 ausgebildet werden, die speziell für das genannte Release-Verhalten vorteilhaft sind.
  • Obwohl in dem beschriebenen Beispiel ein zweistufiger Ätzprozess angewendet wurde, ist die Erfindung nicht auf diese Vorgehensweise eingeschränkt. Ebenso kann auch ein einstufiger Ätzprozess durchgeführt werden.
  • Eine fertige Struktur 6 ist gemäß der Fig. 2 von einer Metallfolie 7 umgeben. Die Metallfolie 7 dient im Wesentlichen zu erleichterten Handhabung der Struktur 6, insbesondere für den Abziehvorgang und für die spätere bestimmungsgemäße Verwendung der Struktur 6. Die Struktur 6 und die Metallfolie 7 werden in einem Herstellungsverfahren produziert und weisen daher den gleichen Schichtaufbau auf. Die Struktur 6 ist also in diesem Beispiel nur ein spezieller Bereich der Metallfolie 7 mit den Ausnehmungen 6.2.
  • Der Schichtaufbau kann im Übrigen auch derart vorgenommen werden, dass zur Verbesserung der mechanischen Stabilität der Struktur 6 und der die Struktur 6 umgebenden Metallfolie 7 weitere Schichten aufgetragen werden, die beispielsweise eine netzartige Gestalt aufweisen.
  • In der Fig. 3a ist (nicht maßstäblich) eine Struktur 6 gezeigt, deren Stege 6.1 ein optimiertes Querschnittsprofil aufweisen. Das dazugehörige Diagramm, in dem die Strahlungsintensität über dem Ort x aufgetragen ist, ist in der Fig. 3b dargestellt.
  • Wichtige Vorteile der erfindungsgemäßen Struktur 6 sind an diesem Ausführungsbeispiel gut an der resultierenden Intensitätsverteilung zu sehen. Zum einen ist in relativ großen Bereichen im Schatten der Stege 6.1 praktisch keine Strahlung festzustellen, das heißt, dass die Stege 6.1 nahezu die gesamte Strahlung absorbieren. Dies liegt zum einen in der Materialauswahl der Schichten 6.11 und 6.13 (Gold), zum anderen aber auch an dem vergleichsweise dicken Schichtaufbau, wie er durch das galvanische Verfahren ermöglicht wird. Darüber hinaus spielt auch die Querschnittsform der Stege 6.1 eine wesentliche Rolle zur Erhaltung einer entsprechenden Intensitätsverteilung. Durch die hinterschnittenen Stege 6.1 wird vermieden, dass nennenswerte Reflexionen der Elektronenstrahlen 8 an der die Ausnehmungen 6.2 begrenzenden Wände der Stege 6.1 erzeugt werden.
  • Die oben genannten Gründe tragen unter anderem dazu bei, dass eine vergleichsweise scharfe Intensitätsverteilung der Strahlung erreicht wird. Derzeit übliche Strukturen weisen beispielsweise aufgrund ihrer unterschiedlichen Querschnittprofile, Stegkantenausbildungen und Schichtdicken eine viel flachere Intensitätsverteilung auf, das heißt, dass keine derartig ausgeprägten Intensitätsunterschiede am Übergang von einem Steg 6.1 zu einer Ausnehmung 6.2 festzustellen sind.
  • Hinzu kommt, dass bedingt durch das Herstellungsverfahren, sehr geradlinige und glatte Stegkanten 6.14 und 6.15 in Richtung senkrecht zur Zeichnungsebene erreicht werden. Im Vergleich hierzu wird beim Auftragen vergleichbarer Strukturen durch den Sputter-Prozess ein senkrecht zur Zeichenebene gewellter bzw. gezackter Kantenverlauf erzeugt. Dies ist darauf zurückzuführen, dass beim Sputtern stets ein erhöhter Schichtaufbau im Randbereich festzustellen ist, weil dort auch Material an den Begrenzungswänden abgelagert wird. Beim Entfernen der Begrenzungswände brechen diese Ablagerungen nach einem zufälligen Muster ab, so dass ein entsprechend unregelmäßiger Kantenverlauf in Längsrichtung entsteht.
  • Die Erfindung ist nicht auf die im Ausführungsbeispiel gezeigte dreischichtige Struktur 6 beschränkt, sondern umfasst auch Strukturen 6 mit zwei, vier oder mehr Schichten mit unterschiedlichsten Werkstoffen und Schichtreihenfolgen. Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung ist eine Struktur 6 mit symmetrischem Schichtaufbau, wobei in diesem Zusammenhang die Symmetrie im Hinblick auf die Werkstoffauswahl (im gezeigten Beispiel: Au-Ni- Au) und/oder auf die Schichtdicken (im gezeigten Beispiel: 540 nm-120 nm- 540 nm) zu beziehen ist.
  • In der Fig. 4a ist ein Raster-Elektronen-Mikroskop-Foto gezeigt, in dem ein Teilquerschnitt durch die Stege 6.1, durch die begrenzenden Schichten der ätzbaren Schicht 3, sowie durch die Hilfsschicht 1 und durch das Trägersubstrat 2 dargestellt ist. Die Abbildung entspricht der Fig. 1i.
  • Die Fig. 4b zeigt einen Teilquerschnitt durch die Stege 6.1 nach dem Ablösen von der Hilfsschicht 1.

Claims (11)

1. Verfahren zur Herstellung einer selbsttragenden elektronenoptisch durchstrahlbaren Struktur (6), gebildet aus Stegen (6.1) mit mehreren Lagen (6.11; 6.12; 6.13) und aus Ausnehmungen (6.2), die zwischen den Stegen (6.1) liegen, wobei
auf eine erste Schicht (1) eine zweite Schicht (3) aufgetragen wird,
ein Muster durch einen Belichtungs- oder Bestrahlungsprozess vorgegeben und aus der zweiten Schicht (3) herausgeätzt wird, so dass Teilbereiche der ersten Schicht (1) freigelegt sind,
die Lagen (6.11; 6.12; 6.13) der Stege (6.1) auf die freigelegten Teilbereiche der ersten Schicht (1) galvanisch aufgebracht werden und
die Struktur (6) von der ersten Schicht (1) abgezogen wird.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei nach dem Auftragen der ersten Schicht (1) auf die zweite Schicht (3), und vor dem Herausätzen des vorgegebenen Musters aus der zweiten Schicht (3),
auf die zweite Schicht (3) eine dritte Schicht (4) aufgetragen wird,
die dritte Schicht (4) mit einer Fotolackschicht (5) überzogen wird,
gemäß dem Muster die Fotolackschicht (5) belichtet oder bestrahlt wird
die Fotolackschicht (5) sowie die dritte Schicht (4) zumindest partiell durch Ätzen entfernt werden.
3. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Abziehen der Struktur (6) von der ersten Schicht (1) die zweite Schicht (3) entfernt wird.
4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Schicht (1) auf einem Trägersubstrat (2) aufgebracht wird.
5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Stege (6.1) mindestens eine Gold-Schicht (6.11; 6.13) aufweisen.
6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Stege (6.1) mindestens eine Nickel- und/oder mindestens eine Kupfer- Schicht (6.12) aufweisen.
7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Schicht (1) aus einer Eisen-Nickel-Legierung besteht.
8. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Schicht (1) durch ein Sputter-Verfahren auf einem Trägersubstrat (2) aufgebracht wird.
9. Selbsttragende elektronenoptisch durchstrahlbare Struktur (6), gebildet aus Stegen (6.1) mit mehrschichtigem Aufbau und aus Ausnehmungen (6.2), die zwischen den Stegen (6.1) liegen, wobei die Struktur (6) nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1 hergestellt ist.
10. Selbsttragende elektronenoptisch durchstrahlbare Struktur (6) gemäß Anspruch 9, wobei die Stege (6.1) aus mindestens einer Nickel- und/oder mindestens einer Kupfer-Schicht (6.12) und mindestens einer Gold-Schicht (6.11; 6.13) bestehen.
11. Selbsttragende elektronenoptisch durchstrahlbare Struktur (6) gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei die Breite der Stege (6.1) in Richtung der Steghöhe (h) veränderlich ist.
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