DE10133127C2 - Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske und Verfahren zum Optimieren eines Simulationsverfahrens - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske und Verfahren zum Optimieren eines Simulationsverfahrens

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005002529A1 (de) * 2005-01-14 2006-07-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
US7346885B2 (en) 2004-09-24 2008-03-18 Qimonda Ag Method for producing a mask layout avoiding imaging errors for a mask

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19747773A1 (de) * 1996-10-29 1998-04-30 Sony Corp Verfahren und Vorrichtung zum Korrigieren von Belichtungsmustern und eine Belichtungsmaske, Verfahren zur Belichtung und Halbleitervorrichtung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19747773A1 (de) * 1996-10-29 1998-04-30 Sony Corp Verfahren und Vorrichtung zum Korrigieren von Belichtungsmustern und eine Belichtungsmaske, Verfahren zur Belichtung und Halbleitervorrichtung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7346885B2 (en) 2004-09-24 2008-03-18 Qimonda Ag Method for producing a mask layout avoiding imaging errors for a mask
DE102005002529A1 (de) * 2005-01-14 2006-07-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske
DE102005002529B4 (de) * 2005-01-14 2008-12-04 Qimonda Ag Verfahren zum Erzeugen eines Abbildungsfehler vermeidenden Maskenlayouts für eine Maske

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