DE10131665A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers

Info

Publication number
DE10131665A1
DE10131665A1 DE2001131665 DE10131665A DE10131665A1 DE 10131665 A1 DE10131665 A1 DE 10131665A1 DE 2001131665 DE2001131665 DE 2001131665 DE 10131665 A DE10131665 A DE 10131665A DE 10131665 A1 DE10131665 A1 DE 10131665A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
damage
video camera
rotation
image processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2001131665
Other languages
English (en)
Other versions
DE10131665B4 (de
Inventor
Werner Kroeninger
Franco Mariani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Camtek Ltd
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7690091&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE10131665(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE2001131665 priority Critical patent/DE10131665B4/de
Publication of DE10131665A1 publication Critical patent/DE10131665A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10131665B4 publication Critical patent/DE10131665B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Revoked legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • G01N21/9503Wafer edge inspection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Durch eine automatische optische Abtastung des Randbereichs (3) eines Wafers, der auf eine um eine Drehachse (THETA) drehbare Haltevorrichtung (2) aufgelegt und zentriert ist, werden mittels einer Videokamera (5) und einer angeschlossenen Bildverarbeitung (10) Beschädigungen, wie Ausbrüche und Risse im Randbereich (3) festgestellt. In der automatischen Bildverarbeitung (10) sind Grenzwerte für Ausbrüche und Risse im Randbereich (3) vorgebbar. Die Ergebnisse sind dokumentierbar.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers.
  • Bei der Fertigung oder Prüfung von Halbleiterwafern wird deren Randbereich bis heute manuell und mit den Augen optisch inspiziert. Dieses manuelle optische Verfahren birgt Unsicherheiten und Fehlerquellen, selbst wenn die Waferkante mit einem Mikroskop in Augenschein genommen wird. Beschädigungen, wie Ausbrüche und Risse im Randbereich eines Wafers, sind unerwünscht und können zu Funktionsstörungen der auf dem Wafer integrierten Halbleiterschaltungen führen. Insbesondere beim Transport, unvorsichtiger Lagerung und während den den eigentlichen Integrationsprozessen folgenden Prozessen, wie zum Beispiel einer Rückseitenbearbeitung des Wafers können solche unerwünschten Beschädigungen auftreten.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Inspektion des Waferrandes so anzugeben, dass die bei der bisher üblichen manuellen und optischen Inspektion auftretenden Unsicherheiten und Fehler vermieden werden können.
  • Kern der Erfindung ist eine automatische optische Abtastung des Waferrandes und über eine Bildverarbeitung die automatische Erkennung von Ausbrüchen und Rissen. Des Weiteren ist es möglich, über die Bildverarbeitung Grenzwerte für die Beschädigungen zu definieren. Ein erfindungsgemäßes die obige Aufgabe lösendes Verfahren zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers, ist gekennzeichnet durch folgende Schritte: Auflegen und Ausrichten des Wafers auf einer Haltevorrichtung, mit der der Wafer in einer x-y-Ebene verfahrbar und um eine auf der x-y-Ebene senkrecht stehende Drehachse drehbar ist; Zentrieren des Wafers, so dass ein Abschnitt seines Randbereichs in ein Sichtfenster einer Videokamera fällt; Drehen des Wafers um die Drehachse, so dass der gesamte Randbereich von der Videokamera abgetastet wird; automatische Auswertung der von der Videokamera während der Drehung des Wafers aufgenommenen Bilder des Randbereichs des Wafers und daraus Erfassung von Beschädigungen, insbesondere von Rissen, Ausbrüchen und/oder Kratzern mit einer automatischen Bildverarbeitung; und Anzeige und/oder Protokollierung erfasster Beschädigungen.
  • Dieses Verfahren wird dadurch vorteilhaft weitergebildet, dass die automatische Bilderkennung Koordinaten und Größen erfasster Beschädigungen ermittelt und zur Anzeige und/oder Protokollierung bringt.
  • Vorteilhafterweise teilt die automatische Bildverarbeitung die Beschädigungen in Kategorien ein. Somit sind zum Beispiel Risse im Randbereich einer Kategorie und Ausbrüche im Randbereich einer anderen Kategorie zugeteilt.
  • Weiterhin kann die Bildverarbeitung dafür eingerichtet sein, dass vorab definierte Grenzwerte für jede Kategorie von Beschädigungen gespeichert werden und zwar vorteilhafterweise spezifisch für jede Kategorie der erfassten Beschädigungen.
  • Die Grenzwerte können die Ausdehnung in x-y-Ebene und ihre Tiefe in der auf der Waferebene senkrecht stehenden Richtung betreffen.
  • Dann kann weiterhin das erfindungsgemäße Verfahren vorteilhaft dazu ausgebildet sein, jede mit der automatischen Bildverarbeitung erfasste Beschädigung mit einem Kennmerkmal anzuzeigen und/oder zu protokollieren und mit einer Information zu versehen ob die Beschädigung einen entsprechenden Grenzwert einhält oder nicht.
  • Weiterhin vorteilhaft kann die Anzeige und/oder Protokollierung auch die Kategorie der Beschädigung umfassen.
  • Ein erfindungsgemäße Vorrichtung zur Inspektion eines Halbleiterwafers an seinem Randbereich, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung folgende Funktionseinheiten hat: eine Haltevorrichtung, zum Halten, Auflegen und Ausrichten des Halbleiterwafers und zum Verfahren desselben in einer x- y-Ebene und Drehung um eine auf der x-y-Ebene senkrecht stehende Drehachse, wobei der auf der Haltevorrichtung aufgelegte Wafer so ausricht- und zentrierbar ist, dass ein Abschnitt seines Randbereichs in ein Sichtfenster einer Videokamera fällt, eine Drehvorrichtung, um den Wafer um die Drehachse so zu drehen, dass der gesamte Randbereich von der Videokamera abtastbar ist und eine mit der Videokamera verbundene Auswerteeinheit, die eine automatische Bildverarbeitungseinheit aufweist zur automatischen Auswertung der von der Videokamera während der Drehung des Wafers aufgenommenen Bilder seines Randbereichs, um daraus Risse, Ausbrüche und/oder Kratzer im Randbereich zu erfassen und die erfassten Beschädigungen anzuzeigen und/oder zu protokollieren.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und die dazu eingerichtete Vorrichtung haben den Vorteil, dass die Randzoneninspektion des Wafers, abgesehen vom Auflegen des Wafers und eventuell seiner Ausrichtung, weitgehend automatisch ohne menschliches Zutun ablaufen kann und dass die beim bislang üblichen manuell/optischen Inspektionsverfahren auftretenden Unsicherheiten vermieden sind und dadurch die Prozesssicherheit erhöht ist. Weiterhin bieten das erfindungsgemäße Verfahren und die dafür eingerichtete Vorrichtung den Vorteil, dass die Inspektionsergebnisse dokumentierbar sind.
  • Anhand der beiliegenden Zeichnung beschreibt die nachfolgende Beschreibung ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens und einer zur Durchführung dieses Verfahrens eingerichteten Vorrichtung.
  • Die Figuren der Zeichnung zeigen im einzelnen:
  • Fig. 1 eine erfindungsgemäße Inspektionsvorrichtung im Aufriss mit aufgelegtem Halbleiterwafer und mit einer zur Inspektion verwendeten Videokamera mit angeschlossener Bildverarbeitung;
  • Fig. 2 eine Draufsicht auf den in Fig. 1 auf die Haltevorrichtung aufgelegten Wafer und vergrößert drei Kategorien von Beschädigungen des Randbereichs.
  • Fig. 1 zeigt schematisch eine Vorrichtung zur Inspektion eines Halbleiterwafers 1 von der Seite und Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf den Halbleiterwafer 1 der zur Inspektion so zentriert wurde, dass ein Abschnitt seines Randbereichs 3 in ein Sichtfenster 4 einer Videokamera zu liegen kommt.
  • In Fig. 1 ist der etwa kreisrunde Halbleiterwafer 1 auf eine Haltevorrichtung 2 aufgelegt und ausgerichtet. Mit einer nicht gezeigten motorischen Vorrichtung kann die Haltevorrichtung 2 in einer x-y-Ebene (vgl. Fig. 2) verstellt und mit einer Drehvorrichtung 6 um eine auf dieser x-y-Ebene senkrecht stehende Achse θ gedreht werden. Der Wafer 1 wird durch die Verstellung der Haltevorrichtung 2 in der x-y-Ebene so zentriert, dass ein Abschnitt seines Randbereichs 3 in ein Sichtfenster 4 einer Videokamera 5 zu liegen kommt. Anschließend wird die Haltevorrichtung 2 mit dem daraufliegenden Wafer 1 durch die Drehvorrichtung 6 um die Drehachse θ so gedreht, dass der gesamte oder ein interessierender Abschnitt des Randbereichs 3 von der Videokamera 5 abgetastet werden kann. Es ist zu bemerken, dass der Wafer 1 entweder mit seiner Rückseite nach unten auf die Haltevorrichtung 2 aufgelegt oder auch mit seiner Vorderseite auf die Haltevorrichtung 2 aufgelegt werden kann, wobei letztere Maßnahme insbesondere dann vorteilhaft ist, wenn der Wafer 1 zuvor einer Rückseitenbehandlung unterworfen worden ist. Bei einer solchen Rückseitenbehandlung können auch nach den eigentlichen Herstellungsprozessen der integrierten Halbleiterschaltungen auf dem Wafer 1 noch Risse 11, Ausbrüche 12 oder Kratzer 13 im Randbereich 3 des Wafers 1 auftreten.
  • Zur automatischen Erfassung derartiger Beschädigungen ist die Videokamera 5 mit einer Auswerteeinheit 10 verbunden, in der eine automatische Bildverarbeitung implementiert ist. Die während der Drehung des Wafers 1 um die Achse θ von der Videokamera 5 aufgenommenen Bilder des Randbereichs 3 des Wafers 1 werden mit Hilfe der in der Auswerteeinheit 10 implementierten Bildverarbeitung automatisch ausgewertet. Die Bildverarbeitung erfasst dabei alle im Randbereich 3 vorliegenden Risse 11, Ausbrüche 12 und Kratzer 13. Die Auswerteeinheit 10 umfasst eine nicht dargestellte Anzeige und/oder Protokolliervorrichtung, die die von der Bildverarbeitung erfassten Beschädigungen anzeigen und protokollieren kann.
  • Die automatische Bildverarbeitung kann zur Anzeige und/oder Protokollierung Koordinaten und Größe der Beschädigung ermitteln.
  • Für die automatische Bildverarbeitung können vorab die Beschädigungen in Kategorien eingeteilt werden. Beispielsweise bilden die Risse 11 eine Kategorie, die Ausbrüche 12 eine weitere Kategorie und die Kratzer 13 eine weitere dritte Kategorie.
  • Weiterhin sind vorab für die automatische Bildverarbeitung Grenzwerte für jede Kategorie von Beschädigungen festgelegt und in der Auswerteeinheit 10 abgespeichert. Dann ordnet die automatische Bildverarbeitung die eingespeicherten Grenzwerte spezifisch jeder Kategorie der Beschädigungen zu. Die Grenzwerte sind z. B. Parameter, die die Ausdehnung in der x-y-Ebene und die Tiefe der Beschädigungen betreffen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, dass jede mit der automatischen Bildverarbeitung erfasste Beschädigung mit einem Kennmerkmal angezeigt oder protokolliert werden kann, wobei ein solches Kennmerkmal angibt, ob die Beschädigung einen entsprechenden Grenzwert einhält oder nicht.
  • Weiterhin kann die Anzeige oder die Protokollierung der Beschädigungen auch die Kategorie der Beschädigung einbeziehen. Bezugszeichenliste 1 Wafer
    2 Haltevorrichtung
    3 Randbereich des Wafers
    4 Sichtfenster der Videokamera
    5 Videokamera
    6 Drehvorrichtung
    10 Auswerteeinheit mit automatischer Bildverarbeitung
    11 Riss
    12 Ausbruch
    13 Kratzer
    x, y Koordinatenrichtungen
    θ Drehachse

Claims (8)

1. Verfahren zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- Auflegen und Ausrichten des Wafers (1) auf einer Haltevorrichtung (2), mit der der Wafer (1) in einer x-y-Ebene verfahrbar und um eine auf der x-y-Ebene senkrecht stehende Drehachse (θ) drehbar ist;
- Zentrieren des Wafers (1), so dass ein Abschnitt seines Randbereichs (3) in ein Sichtfenster (4) einer Videokamera (5) fällt;
- Drehen des Wafers (1) um die Drehachse (θ), so dass der gesamte Randbereich von der Videokamera abgetastet wird;
- automatische Auswertung der von der Videokamera während der Drehung des Wafers (1) aufgenommenen Bilder des Randbereichs des Wafers und daraus Erfassung von Beschädigungen des Randes, insbesondere von Rissen (11), Ausbrüchen (12) und/oder Kratzern (13) mit einer automatischen Bildverarbeitung; und
- Anzeige und/oder Protokollierung erfasster Beschädigungen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die automatische Bildverarbeitung Koordinaten und Größen erfasster Beschädigungen ermittelt und zur Anzeige und/oder Protokollierung bringt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Art der Beschädigungen für die automatische Bildverarbeitung vorab in Kategorien eingeteilt wird und diese Kategorien gespeichert werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass vorab für die automatische Bildverarbeitung Grenzwerte für jede Kategorie von Beschädigungen festgelegt und gespeichert werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die festgelegten und abgespeicherten Grenzwerte die Ausdehnung der Beschädigungen in der x-y-Ebene und die Tiefe der Beschädigungen betreffen.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass jede mit der automatischen Bildverarbeitung erfasste Beschädigung mit einem Kennmerkmal angezeigt und/oder protokolliert wird, das angibt, ob sie einen entsprechenden Grenzwert einhält oder nicht.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzeige und/oder Protokollierung auch die Kategorie der Beschädigung umfasst.
8. Vorrichtung zur Inspektion eines Halbleiterwafers an seinem Randbereich, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung folgende Funktionseinheiten hat:
eine Haltevorrichtung (2), zum Halten, Auflegen und Ausrichten des Halbleiterwafers (1) und zum Verfahren desselben in einer x-y-Ebene und Drehung um eine auf der x-y- Ebene senkrecht stehende Drehachse (θ), wobei der auf der Haltevorrichtung (2) aufgelegte Wafer (1) so ausricht- und zentrierbar ist, dass ein Abschnitt seines Randbereichs (3) in ein Sichtfenster (4) einer Videokamera (5) fällt,
eine Drehvorrichtung (6), um den Wafer um die Drehachse so zu drehen, dass der gesamte Randbereich (3) von der Videokamera (5) abtastbar ist und
eine mit der Videokamera (5) verbundene Auswerteeinheit (10), die eine automatische Bildverarbeitungseinheit aufweist zur automatischen Auswertung der von der Videokamera (5) während der Drehung des Wafers (1) aufgenommenen Bilder seines Randbereichs (3), um aus den Bildern Beschädigungen im Randbereich zu erfassen und die erfassten Beschädigungen anzuzeigen und/oder zu protokollieren.
DE2001131665 2001-06-29 2001-06-29 Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers Revoked DE10131665B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2001131665 DE10131665B4 (de) 2001-06-29 2001-06-29 Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2001131665 DE10131665B4 (de) 2001-06-29 2001-06-29 Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10131665A1 true DE10131665A1 (de) 2003-01-30
DE10131665B4 DE10131665B4 (de) 2005-09-22

Family

ID=7690091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2001131665 Revoked DE10131665B4 (de) 2001-06-29 2001-06-29 Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10131665B4 (de)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004104566A1 (de) * 2003-05-19 2004-12-02 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Verfahren und vorrichtung zur optischen qualitätsprüfung von objekten mit vor­zugsweise kreisförmig umlaufendem rand
DE102004029012A1 (de) * 2004-06-16 2006-01-12 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und System zur Inspektion eines Wafers
DE102008001173B3 (de) * 2008-04-14 2009-10-22 Nanophotonics Ag Klassifizierungseinrichtung und -verfahren für die Klassifizierung von Oberflächendefekten, insbesondere aus Waferoberflächen
US8175372B2 (en) 2006-07-11 2012-05-08 Rudolph Technologies, Inc. Wafer edge inspection and metrology
US8358831B2 (en) 2008-09-11 2013-01-22 Rudolph Technologies, Inc. Probe mark inspection
US8426223B2 (en) 2008-09-08 2013-04-23 Rudolph Technologies, Inc. Wafer edge inspection
US8492178B2 (en) 2007-02-23 2013-07-23 Rudolph Technologies, Inc. Method of monitoring fabrication processing including edge bead removal processing
US8729917B2 (en) 2010-04-23 2014-05-20 Rudolph Technologies, Inc. Inspection device with vertically moveable assembly
US9684052B2 (en) 2010-04-23 2017-06-20 Rudolph Technologies, Inc. Method of measuring and assessing a probe card with an inspection device
US10024804B2 (en) 2013-03-15 2018-07-17 Rudolph Technologies, Inc. System and method of characterizing micro-fabrication processes

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69800756T2 (de) * 1998-10-15 2001-08-09 Wacker Siltronic Gesellschaft Fuer Halbleitermaterialien Ag Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren, Überwachung und Charakterisierung von Kantendefekten in Halbleiterscheiben

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69800756T2 (de) * 1998-10-15 2001-08-09 Wacker Siltronic Gesellschaft Fuer Halbleitermaterialien Ag Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren, Überwachung und Charakterisierung von Kantendefekten in Halbleiterscheiben

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004104566A1 (de) * 2003-05-19 2004-12-02 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Verfahren und vorrichtung zur optischen qualitätsprüfung von objekten mit vor­zugsweise kreisförmig umlaufendem rand
US7576849B2 (en) 2003-05-19 2009-08-18 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Method and apparatus for optically controlling the quality of objects having a circular edge
DE102004029012A1 (de) * 2004-06-16 2006-01-12 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und System zur Inspektion eines Wafers
DE102004029012B4 (de) * 2004-06-16 2006-11-09 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
US8175372B2 (en) 2006-07-11 2012-05-08 Rudolph Technologies, Inc. Wafer edge inspection and metrology
US8818074B2 (en) 2006-07-11 2014-08-26 Rudolph Technologies, Inc. Wafer edge inspection and metrology
US8492178B2 (en) 2007-02-23 2013-07-23 Rudolph Technologies, Inc. Method of monitoring fabrication processing including edge bead removal processing
DE102008001173B9 (de) * 2008-04-14 2010-06-02 Nanophotonics Ag Klassifizierungseinrichtung und -verfahren für die Klassifizierung von Oberflächendefekten, insbesondere aus Waferoberflächen
DE102008001173B3 (de) * 2008-04-14 2009-10-22 Nanophotonics Ag Klassifizierungseinrichtung und -verfahren für die Klassifizierung von Oberflächendefekten, insbesondere aus Waferoberflächen
US8426223B2 (en) 2008-09-08 2013-04-23 Rudolph Technologies, Inc. Wafer edge inspection
US8358831B2 (en) 2008-09-11 2013-01-22 Rudolph Technologies, Inc. Probe mark inspection
US8729917B2 (en) 2010-04-23 2014-05-20 Rudolph Technologies, Inc. Inspection device with vertically moveable assembly
US9535089B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Rudolph Technologies, Inc. Inspection device with vertically moveable assembly
US9684052B2 (en) 2010-04-23 2017-06-20 Rudolph Technologies, Inc. Method of measuring and assessing a probe card with an inspection device
US10024804B2 (en) 2013-03-15 2018-07-17 Rudolph Technologies, Inc. System and method of characterizing micro-fabrication processes

Also Published As

Publication number Publication date
DE10131665B4 (de) 2005-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010026351B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung einer Halbleiterscheibe
DE102017206400B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen wafer
DE60225354T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines referenzbildes bei einer prüfvorrichtung für glasflaschen
DE102007010225B4 (de) Verfahren zur Aufnahme von hochauflösenden Bildern von Defekten auf der Oberseite des Waferrandes
DE112016004547B4 (de) Vorrichtung zum inspizieren einer hinteren oberfläche eines epitaxialwafers und verfahren zum inspizieren einer hinteren oberfläche eines epitaxialwafers unter verwendung derselben
DE10237540A1 (de) Fehlerinspektionsvorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
DE102018202051B4 (de) Vorrichtung zum automatischen Prüfen von Linsen und Verfahren zum automatischen Prüfen einer Vielzahl von Linsen
DE112016004097T5 (de) Waferinspektionsverfahren und Waferinspektionsvorrichtung
DE102015219169A1 (de) Wafer-untersuchungsverfahren und wafer- untersuchungsvorrichtung
DE112008002816B4 (de) Prüfverfahren anhand von erfassten Bildern und Prüfvorrichtung
DE102012222867B4 (de) Defektuntersuchungsverfahren
DE10131665A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers
EP0938662B1 (de) Verfahren zum testen der zuverlässigkeit eines prüfgerätes, insbesondere eines leerflascheninspektors
DE102005014594A1 (de) Verfahren zur Erkennung unvollständiger Randentlackung eines scheibenförmigen Objekts
EP0678911B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Kontrolle von Halbleiterscheiben
DE102011086417A1 (de) Verfahren zum Erkennen eines Brückenverbindungsfehlers
DE112019003985T5 (de) Waferinspektionsverfahren und -inspektionsvorrichtung
WO2019015851A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum identifizieren von schäden in fahrzeugscheiben
DE102013108722B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erfassen von Defekten einer ebenen Oberfläche
EP2851677B1 (de) Mehrzeilen-Scantechnik
DE19838410A1 (de) Montageplattform für transparentes Substrat, Kratzerinspektionsvorrichtung für transparentes Substrat, Vorrichtung und Verfahren für die Abschrägungsinspektion eines transparenten Substrats und Verfahren zur Inspektion eines transparenten Substrats
DE4434475C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Qualitätskontrolle eines Gegenstandes, insbesondere einer Compact-Disc
DE102016012371B4 (de) Verfahren und Anlage zum Ermitteln der Defektfläche mindestens einer Fehlstelle auf mindestens einer Funktionsoberfläche eines Bauteils oder Prüfkörpers
DE69732331T2 (de) Entzerrungssystem und -verfahren zum Prüfen optischer Speicherplatten
DE112021004920T5 (de) Inspektionsvorrichtung und inspektionsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NANOPHOTONICS AG, 55129 MAINZ, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: CAMTEK LTD., MIGDAL HAEMEK, IL

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: TBK-PATENT, 80336 MUENCHEN

R008 Case pending at federal patent court
R082 Change of representative

Representative=s name: DF-MP DOERRIES FRANK-MOLNIA & POHLMAN PATENTAN, DE

Representative=s name: DF-MP, DE

Representative=s name: DF-MP, 80333 MUENCHEN, DE

R039 Revocation action filed

Effective date: 20110930

R042 Patent's revocation in full now final

Effective date: 20131030