DE10118781A1 - Sensorchip mit Potentialflächen bzw. Verwendung von Potentialflächen auf einem Sensorchip bzw. Verfahren zur Vermeidung von Verschmutzungen auf einem Sensorchip - Google Patents
Sensorchip mit Potentialflächen bzw. Verwendung von Potentialflächen auf einem Sensorchip bzw. Verfahren zur Vermeidung von Verschmutzungen auf einem SensorchipInfo
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Abstract
Bei einem Sensorchip nach dem Stand der Technik kommt es aufgrund von Verschmutzungen in dem Medium, das an dem Sensorchip vorbeiströmt, zu Ablagerungen im Sensorbereich. DOLLAR A Ein erfindungsgemäßer Sensorchip (1) weist zumindest strömungsaufwärts des Sensorbereichs (17) zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) auf, die durch elektrische Wechselwirkung mit den Verschmutzungen im strömenden Medium, eine Abscheidung im Sensorbereich (17) verhindert.
Description
Die Erfindung geht aus von einem Sensorchip mit
Potentialflächen bzw. von einer Verwendung einer
Potentialfläche auf einem Sensorchip bzw. von einem
Verfahren zur Vermeidung von Verschmutzungen auf einem
Sensorchip nach der Gattung des Anspruchs 1 bzw. 13 bzw. 14
bzw. 15.
Aus der DE 196 01 791 A1 ist ein Sensorchip mit einem
Sensorbereich bekannt, der bspw. aus einem Rahmenelement,
einer Ausnehmung und einer Membran, die einen Sensorbereich
bildet, besteht. Es kann immer wieder aufgrund von
Kontaminationen, wie z. B. Öl, denen der Sensorchip
ausgesetzt ist, zu einer unerwünschten
Messsignalbeeinflussung des Sensorchips im Bereich des
Sensorbereichs kommen. Eine Verschmutzung des Sensorbereichs
oder im unmittelbaren Bereich um den Sensorbereich mit Öl
verändert den Wärmeleitwert an der Oberfläche des
Sensorchips und wirkt sich so verfälschend
auf das Messsignal aus. Hinzu kommt, dass das auf dem
Sensorchip niedergeschlagene Öl als Haftvermittler für in
einem strömenden Medium enthaltene Festkörperpartikel dient.
Diese eingefangenen Partikel verstärken wiederum den
ungünstigen Einfluss zusätzlich.
Die US-PS 5,705,745 zeigt einen Sensorchip mit einer
Membran, auf der Temperatur- und Heizwiderstände angeordnet
sind, wobei die Membran von einem Wärmeleitelement umgeben
ist, das auch eine U-Form haben kann. Das Wärmeleitelement
wird nicht beheizt, d. h. es hat kein Potential.
Die US-PS 4,888,988 zeigt einen Sensorchip mit einer
Membran, wobei um die Membran herum ein metallischer Leiter
angeordnet ist. Dieser Leiter ist der gemeinsame Nullleiter
einer Messanordnung auf dem Sensorchip für ein
Messverfahren.
Die DE 198 01 484 A1 zeigt einen Sensorchip mit einer
Membran, wobei um die Membran elektrische Leiter angeordnet
sind, durch die ein elektrischer Strom fliesst. Diese
Leiterbahnen sind Temperaturfühler, die für das
Messverfahren bzw. den Messvorgang benutzt werden.
Die DE 29 00 210 A1 bzw. US-PS 4,294,114 zeigt einen
Sensorchip, der einen temperaturabhängigen Widerstand auf
einem Träger aufweist, wobei auf dem Träger ein weiterer
Widerstand aufgebracht ist, der das Substrat aufheizt.
Die DE 42 19 454 A1 bzw. US-PS 5,404,753 zeigt einen
Sensorchip, der in einem Abstand von einem Sensorbereich
einen Referenztemperaturfühler aufweist.
Die DE 31 35 793 A1 bzw. US-PS 4,468,963 zeigt einen
Sensorchip, der strömungsaufwärts und/oder strömungsabwärts
des Sensorwiderstands einen weiteren Widerstand aufweist,
der aber das Messsignal beeinflusst.
Der erfindungsgemässe Sensorchip mit den Potentialflächen
bzw. die erfindungsgemässe Verwendung von Potentialflächen
auf einem Sensorchip bzw. das erfindungsgemässe Verfahren
zur Vermeidung von Verschmutzungen auf einem Sensorchip mit
den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. 13 bzw.
14 bzw. 15 hat demgegenüber den Vorteil, dass auf einfache
Art und Weise eine Verschmutzung des Sensorbereichs des
Sensorchips reduziert oder verhindert wird.
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten
Massnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und
Verbesserungen des im Anspruch 1 genannten Sensorchips
möglich.
Strömungsabwärts des Sensorbereichs sind vorteilhafterweise
auch Potentialflächen angeordnet, die den Sensorbereich
bspw. bei Rückströmungen schützen.
Ein vorteilhaftes Potentialgefälle erreicht man durch ein
positives Potential auf einer ersten Potentialfläche und ein
negatives Potential auf einer folgenden Potentialfläche.
Die Potentialflächen haben vorteilhafterweise eine U-Form,
die in vorteilhafter Weise den Sensorbereich umschliesst.
Die Potentialflächen sind vorteilhafterweise wie die
Heizwiderstände als Leiterbahn ausgebildet, da dies ein
bekanntes und einfaches Herstellungsverfahren ist.
Der Sensorbereich wird vorteilhafterweise unabhängig von den
Potentialflächen betrieben, d. h. die Messung, oder das
Messsignal, das der Sensorbereich liefert ist nicht
beeinflusst vom Betrieb des Potentialflächen und umgekehrt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
vereinfacht dargestellt und in der nachfolgenden
Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 einen Sensorchip nach dem Stand der Technik,
Fig. 2a ein erstes, Fig. 2b ein zweites und Fig. 2c ein
drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemässen
Sensorchips.
Fig. 1 zeigt einen Sensorchip nach dem Stand der Technik,
der erfindungsgemäss entsprechend den Ausführungen zu den
Fig. 2a bis 2c verbessert wird. Das Herstellungsverfahren
und die Anwendung eines solchen Sensorchips ist in der DE 196 01 791 A1
näher beschrieben, deren Inhalt ausdrücklich
Teil dieser Offenbarung sein soll.
Der Sensorchip hat ein Rahmenelement 3, das bspw. aus
Silizium besteht. Das Rahmenelement 3 hat eine Ausnehmung 5.
Auf dem Rahmenelement ist bspw. eine dielektrische Schicht
21, bspw. aus SiO2, aufgebracht. Die Schicht 21 kann sich
über das ganze Rahmenelement 3 erstrecken, aber auch nur
über einen Bereich der Ausnehmung 5. Dieser Bereich bildet
eine Membran 33, die die Ausnehmung 5 auf einer Seite
teilweise oder ganz begrenzt. Auf der der Ausnehmung 5
abgewandten Seite der Membran 33 sind zumindest ein, bspw.
drei Metallbahnen 19 aufgebracht. Die Metallbahnen 19 bilden
bspw. elektrische Heizer und/oder Messwiderstände und bilden
mit der Membran 33 einen Sensorbereich 17. Wenigstens der
Sensorbereich 17 ist vorzugsweise mit einer Schutzschicht 23
überzogen. Die Schutzschicht 23 kann sich auch nur über die
Metallbahnen 19 erstrecken.
Der Sensorchip hat eine Oberfläche 27, die im direkten
Kontakt mit einem strömenden Medium steht.
Fig. 2a zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines
erfindungsgemäss ausgebildeten Sensorchips 1 in einer
Draufsicht.
Auf dem Sensorbereich 17 sind bspw. Metallbahnen, die bspw.
zumindest einen elektrischen Heizwiderstand 35 und zumindest
einen Temperaturfühler 37 bilden, angeordnet. Der
Temperaturfühler 37 ist bspw. auch ein elektrischer
Widerstand. In diesem Fall sind es ein Heizwiderstand 35 und
zwei Temperaturfühler 37, die überwiegend parallel
zueinander angeordnet sind, wobei die Temperaturfühler 37
links und rechts des Heizwiderstands 35 verlaufen. Die
Metallbahnen sind zum grössten Teil in dem Sensorbereich 17
angeordnet und sind Voraussetzung für ein Messverfahren zur
Bestimmung des zumindest einen Parameters, wie z. B. der
Temperatur und/oder Durchflussmenge, des strömenden Mediums.
Der Sensorbereich 17 ist daher an eine nicht dargestellte
bekannte Kontroll- und Regelschaltung angeschlossen. Der
Sensorbereich 17 kann bspw. durch die oben beschriebene
Membran 33 gebildet sein.
Der Sensorchip 1 ist in einem strömenden Medium zur
Bestimmung zumindest eines Parameters angeordnet, wobei das
strömende Medium in einer Hauptströmungsrichtung 42 an dem
bzw. über dem Sensorchip 1 bzw. der Oberfläche 27
vorbeiströmt. Das strömende Medium kann Verunreinigungen
beinhalten, die zur Verschmutzung des Sensorchips 1 führen
können. Dies sind z. B. Öl oder in Wasser gelöste Salze.
Um eine Verschmutzung zu vermeiden oder zu reduzieren sind
in der Hauptströmungsrichtung 42 vor dem Sensorbereich 17
eine erste 44 und eine zweite 47 Potentialfläche angeordnet.
Die erste Potentialfläche 44 weist beispielsweise ein
positives Potential von 1 Volt auf, das bspw. von einer von
der Kontroll- und Regelschaltung unabhängigen
Spannungsquelle stammt. Die zweite Potentialfläche 47 weist
kein oder ein negatives Potential auf. Das Potentialgefälle
kann jede Grösse haben und auch umgekehrt ausgebildet sein.
Durch die elektrische Wechselwirkung der Potentialflächen
mit den Flüssigkeits- bzw. Schmutzteilchen, die in dem
strömenden Medium enthalten sind, wird eine Verhinderung der
Abscheidung im Sensorbereich 17 bewirkt, weil die
Schmutzteilchen durch das elektrische Feld der angelegten
Spannung abgestossen werden und so um den Sensorbereich 17
umgelenkt werden. Dies geschieht, wenn das Potential der
Potentialflächen und die Ladung der Flüssigkeits- bzw.
Schmutzteilchen gleichsinnig, also entweder beide positiv
oder beide negativ, geladen sind.
Wenn das Potential der Potentialflächen und die Ladung der
Flüssigkeits- bzw. Schmutzteilchen gegensinnig ist, also das
das Potential positiv und die Flüssigkeits- bzw.
Schmutzteilchen negativ oder umgekehrt, werden die
Flüssigkeits- bzw. Schmutzteilchen zur Oberfläche 27
angezogen und lagern sich gewollt im Bereich der
Potentialflächen, aber nicht im Sensorbereich 17 an.
Vorzugsweise verwendet man elektrostatische Felder. Es
können aber auch Wechselfelder angelegt werden.
Fig. 2b zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines
erfindungsgemäss ausgebildeten Sensorchips 1. Der Sensorchip
1 weist zusätzlich strömungsabwärts im Sensorbereich 17 eine
dritte 50 und eine vierte 53 Potentialfläche auf. Die erste
Potentialfläche 44 liegt bspw. auf dem gleichen Potential
wie die vierte Potentialfläche 53 und die zweite 47 und die
dritte 50 Potentialfläche weisen beispielsweise ebenfalls
das gleiche Potential auf. So werden auch für vorhandene
Rückströmungen, beispielsweise durch Pulsationen,
Verschmutzungen im Sensorbereich 17 vermieden, die entgegen
der Hauptströmungsrichtung 42 erfolgen können. Die
Potentialflächen 44, 47, 50, 53 strömungsaufwärts und
strömungsabwärts des Sensorbereichs 17 müssen nicht
notwendigerweise einen gleichen Potentialunterschied
aufweisen.
Fig. 2c zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel eines
erfindungsgemäss ausgebildeten Sensorchips 1.
Die Potentialflächen 44, 47, 50, 53 bilden Teile je einer U-
Form, die den Sensorbereich 17 zumindest teilweise
umschliessen. Ausgehend von Fig. 2b sind also die zweite
und die dritte Potentialfläche 47, 50 miteinander verbunden,
sowie die erste Potentialfläche 44 mit der vierten
Potentialfläche 53, die dann eine Potentialfläche bilden.
Für alle Ausführungsbeispiele gilt ausserdem, was im
folgenden beschrieben ist.
Der Sensorchip 1 ist beispielsweise plättchenförmig
ausgebildet und hat die Oberfläche 27, an der das strömende
Medium vorbeiströmt. Der Sensorbereich 17 und die
Potentialflächen 44, 47, 50, 53 sind dabei bspw. zusammen
auf der Oberfläche 27 angeordnet.
Die Potentialflächen 44, 47, 50, 53 sind bspw. so
ausgebildet, dass sie zumindest strömungsaufwärts oder
strömungsabwärts des Sensorbereichs 17 eine Länge aufweisen,
die länger als eine Länge 1 des Sensorbereichs 17, senkrecht
zur Hauptströmungsrichtung 42, ist. Dadurch wird der
Sensorbereich 17 über seine gesamte Länge 1 vor
Verschmutzungen geschützt.
Die Widerstände 35, 37 und/oder die Potentialflächen 44, 47,
50, 53 sind vorzugsweise als Leiterbahnen ausgebildet.
Die Potentialflächen 44, 47, 50, 53 können ganz oder
teilweise auf dem Sensorbereich 17, direkt angrenzend an den
Sensorbereich 17 oder im Abstand vom Sensorbereich 17
angeordnet sein.
Der Sensorbereich 17 kann unabhängig von den
Potentialflächen 44, 47, 50, 53 betrieben werden, d. h. die
Messung, oder das Messsignal, das der Sensorbereich 17
liefert, ist nicht beeinflusst vom Betrieb der
Potentialflächen 44, 47, 50, 53. Die Kontroll- und
Regelschaltung des Sensorbereichs 17 kann zwar Signale an
die Potentialflächen 44, 47, 50, 53 schicken, wie z. B. eine
bestimmte Spannung anlegen oder eine Spannung ausschalten,
aber die Potentialflächen 44, 47, 50, 53 sind kein Teil der
Mess- oder Regelstrecke des Sensorbereichs 17. Die Höhe der
angelegten Spannung kann variiert werden.
Das Potential der Potentialflächen 44, 47, 50, 53 kann auch
schon bei der Konstruktion festgelegt sein, so dass keine
Steuerungsschaltung für diese notwendig ist, um ein
bestimmtes Potential einzustellen, das dann für die gesamte
Lebensdauer des Sensorchips festgelegt ist.
Claims (15)
1. Sensorchip zur Messung zumindest eines Parameters eines
strömenden Mediums,
der einen Sensorbereich für zumindest ein Messverfahren hat, wobei das Medium eine Hauptströmungsrichtung (42) aufweist,
dadurch gekennzeichnet, dass
dass zumindest teilweise strömungsaufwärts vor dem Sensorbereich (17) auf dem Sensorchip (1) zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) angeordnet ist.
der einen Sensorbereich für zumindest ein Messverfahren hat, wobei das Medium eine Hauptströmungsrichtung (42) aufweist,
dadurch gekennzeichnet, dass
dass zumindest teilweise strömungsaufwärts vor dem Sensorbereich (17) auf dem Sensorchip (1) zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) angeordnet ist.
2. Sensorchip nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
strömungsabwärts hinter dem Sensorbereich (17) auf dem
Sensorchip (1) zumindest eine weitere Potentialfläche
(44, 47, 50, 53) angeordnet ist.
3. Sensorchip nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) im Abstand zu
dem Sensorbereich (17) angeordnet ist.
4. Sensorchip nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) ein positives elektrisches Potential aufweist und eine andere direkt benachbarte Potentialfläche (44, 47, 50, 53) kein oder ein negatives Potential aufweist,
wobei beide Potentialflächen (44, 47, 50, 53) in Hauptströmungsrichtung (42) vor oder hinter dem Sensorbereich (17) angeordnet sind.
eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) ein positives elektrisches Potential aufweist und eine andere direkt benachbarte Potentialfläche (44, 47, 50, 53) kein oder ein negatives Potential aufweist,
wobei beide Potentialflächen (44, 47, 50, 53) in Hauptströmungsrichtung (42) vor oder hinter dem Sensorbereich (17) angeordnet sind.
5. Sensorchip nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Potentialfläche (44, 47, 50, 53) eine U-Form hat.
6. Sensorchip nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Sensorbereich (17) eine Membran (33) aufweist.
7. Sensorchip nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
in dem Sensorbereich (17) zumindest ein Heizwiderstand (35)
und zumindest ein Temperaturfühler (37) angeordnet sind, die
(35, 37) grösstenteils in dem Sensorbereich (17) angeordnet
sind.
8. Sensorchip nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Sensorbereich (17) quer zur Hauptströmungsrichtung (42) eine Länge (1) hat, und
dass die Potentialfläche (44, 47, 50, 53) quer zur Hauptströmungsrichtung (42) angeordnet und länger als die Länge (1) ist.
der Sensorbereich (17) quer zur Hauptströmungsrichtung (42) eine Länge (1) hat, und
dass die Potentialfläche (44, 47, 50, 53) quer zur Hauptströmungsrichtung (42) angeordnet und länger als die Länge (1) ist.
9. Sensorchip nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Widerstände (35) oder der Temperaturfühler (37) als
Leiterbahnen ausgebildet sind.
10. Sensorchip nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Potentialfläche (44, 47, 50, 53) als Leiterbahn ausgebildet
ist.
11. Sensorchip nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Sensorchip (1) zumindest eine Oberfläche (27) hat, an der das strömende Medium vorbeiströmt, und
dass der Sensorbereich (17) und die Potentialfläche (44, 47, 50, 53) zusammen auf einer Oberfläche (27) angeordnet sind.
dass der Sensorchip (1) zumindest eine Oberfläche (27) hat, an der das strömende Medium vorbeiströmt, und
dass der Sensorbereich (17) und die Potentialfläche (44, 47, 50, 53) zusammen auf einer Oberfläche (27) angeordnet sind.
12. Sensorchip nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Sensorbereich (17) unabhängig von den Potentialflächen
(44, 47, 50, 53) elektrisch betrieben ist.
13. Verwendung zumindest einer Potentialfläche (44, 47, 50, 53)
zur Ablenkung von mitgeführten Teilchen eines strömenden
Mediums in der Umgebung des Sensorbereichs (17) mittels
elektrischer Felder,
wobei die Potentialfläche (44, 47, 50, 53) auf einem Sensorchip
(1) angeordnet ist, der zur Bestimmung zumindest eines
Parameters des strömenden Mediums dient.
14. Verfahren zur Vermeidung von Verschmutzungen auf einem
Sensorchip (1),
der einen Sensorbereich (17) hat und in einem strömenden Medium angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) durch eine angelegte elektrische Spannung ein elektrisches Feld erzeugt, das mitgeführte Teilchen des Mediums um den Sensorbereich (17) lenkt.
der einen Sensorbereich (17) hat und in einem strömenden Medium angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) durch eine angelegte elektrische Spannung ein elektrisches Feld erzeugt, das mitgeführte Teilchen des Mediums um den Sensorbereich (17) lenkt.
15. Verfahren zur Vermeidung von Verschmutzungen auf einem
Sensorchip (1),
der einen Sensorbereich (17) hat und in einem strömenden Medium angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) durch eine angelegte elektrische Spannung ein elektrisches Feld erzeugt, das mitgeführte Teilchen des Mediums vor oder hinter den Sensorbereich (17) im Bereich der Potentialflächen (44, 47, 50, 53) anzieht.
der einen Sensorbereich (17) hat und in einem strömenden Medium angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
zumindest eine Potentialfläche (44, 47, 50, 53) durch eine angelegte elektrische Spannung ein elektrisches Feld erzeugt, das mitgeführte Teilchen des Mediums vor oder hinter den Sensorbereich (17) im Bereich der Potentialflächen (44, 47, 50, 53) anzieht.
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