DE10118448A1 - Leuchtdiode und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Leuchtdiode und Verfahren zum Herstellen derselben

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Chih-Sung Chang
Tzer-Perng Chen
Kuang-Neng Yang
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    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiode (LED) und ein Verfahren zum Herstellen desselben. DOLLAR A Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Schicht aus einem elastischen, transparenten Haftmaterial zum Verbinden eines transparenten Substrates und einer Leuchtdioden-Epitaxialstruktur mit einem Licht-absorbierenden Substrat verwendet. Das Licht-absorbierende Substrat wird dann von der Leuchtdiode, die auf das transparente Substrat aufgebracht ist, entfernt. Durch die Verwendung des transparenten Substrates wird die Lichtleistung der Leuchtdiode signifikant gesteigert.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leuchtdiode und ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiode (LED) und insbesondere den Aufbau und das Verfahren zum Her­ stellen eines AlGaInP-LED-Chip.
Eine herkömmliche AlGaInP-LED, wie sie in Fig. 4 gezeigt ist, besitzt eine Doppel- Heterostruktur (DH), die aus einer unteren auf einem n-Typ GaAs-Supstrat 3 ausge­ bildeten (AlXGa1-X)0,5In0,5P Mantelschicht 4 mit einem Al-Anteil von etwa 70% bis 100%, einer aktiven (AlXGa1-X)0,5In0,5P Schicht 5, einer oberen p-Typ (AlXGa1- X)0,5In0,5P Mantelschicht 6 mit einem Al-Anteil von etwa 70% bis 100% und einer p- Typ stromführenden Schicht 7 aus GaAsP, InGaP, AlGaP, GaP oder AlGaAs mit ei­ ner hochenergetischen Bandlücke. Die ausgestrahlte Wellenlänge der herkömmli­ chen LED kann durch Einstellen der Zusammensetzung der aktiven Schicht verän­ dert werden, wobei die Wellenlänge von 650 nm (rot) bis 555 nm (reines grün) ver­ ändert werden kann. Ein Nachteil der herkömmlichen LED ist, dass wenn das von der aktiven Schicht erzeugte Licht nach unten durch das GaAs-Substrat abgestrahlt wird, das Licht durch das GaAs-Substrat absorbiert wird, da das GaAs-Substrat eine kleinere Bandlücke aufweist. Demgemäss ist die Lichtausgangsleistung dieser LED er­ heblich vermindert.
Es sind einige herkömmliche LED-Technologien veröffentlicht worden, um die Ab­ sorption von Licht im Substrat zu vermeiden. Diese herkömmlichen Technologien besitzen jedoch einige Nachteile und Beschränkungen. Z. B. hat Sugawara et al. ein Verfahren veröffentlicht, das in Appl. Phys Lett. Vol. 61, Seiten 1775-1777 (1992), veröffentlicht worden ist, und das einen verteilten Bragg-Reflektor (DBR) auf dem GaAs-Substrat vorsieht, und das nach unten auf das GaAs-Substrat emitierte Licht zu reflektieren und die Lichtabsorption durch das GaAs-Substrat zu vermindern. Je­ doch reflektiert die DBR-Schicht nur Licht das nahe der Normalen auf das GaAs- Substrat einfällt, so dass der Wirkungsgrad nicht sehr groß ist.
Kish et al. veröffentlichten eine (AlXGa1-X)0,5In0,5P/GaP-Leuchtdiode mit einem Wa­ fer-gebundenen transparenten Substrat (TS) [Appl. Phys. Lett. Vol. 64, Nr. 21, Seite 2839 (1994); Very high-efficiency semiconductor wafer-bonded transparent-substrate (AlXGa1-x)0,5In0,5P/GaP]. Diese TS AlGaInP-Leuchtdiode wurde durch Aufwachsen einer sehr dicken (ungefähr 50 µm) p-Typ-GaP-Fensterschicht unter Verwendung Hydrid-Dampfphasenepitaxi (HVPE) hergestellt. Vor dem Bonden wurde das n-Typ GaAs-Substrat selektiv mit chemomechanischen Polier- und Ätztechniken entfernt. Die freigelegten n-Typ (AlXGa1-X)0,5In0,5P-Mantelschichten werden danach mit einem 8-10 mil dicken n-Typ GaP-Substrat Wafer-gebunden. Diese TS-AlGaInP- Leuchtdiode weist eine zweifach verbesserte Lichtausgangsfeistung im Vergleich zu einer AlGaInP-Leuchtdiode mit einem absorbierenden Substrat (AS) auf. Jedoch ist das Herstellungsverfahren der TS-AlGaInP-Leuchtdiode äußerst kompliziert. Daher ist es äußerst schwierig diese TS-AlGaInP-Leuchtdioden mit einem hohen Durchsatz und geringen Kosten herzustellen.
Horng et al. berichteten über ein Spiegel-Substrat (MS) einer AlGaInP/metal SiO2/Si- Leuchtdiode, die mit der sogenannten Wafer-Fused-Technologie hergestellt wird [Appl. Phys Lett. Vol. 75, Nr. 20, Seite 3054 (1999); AlGaInP-light-emitting diodes with mirror substrates fabricated by wafer bonding]. Sie verwendeten AuBe/Au als Haftmittel zum Binden des Si-Substrates und der LED-epi-Schichten. Jedoch ist die Leuchtintensität dieser MS-AlGaInP-Leuchtdioden bei einem Injektionsstrom von 20 mA 90 mcd und ist daher noch 40% geringer als die Lichtintensität von einer TS- AlGaInP-Leuchtdiode.
Wie es oben beschrieben ist, weisen herkömmliche Leuchtdioden viele Nachteile auf. Daher liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Leuchtdiode und ein Verfahren zum Herstellen derselben zu schaffen, die die Nachteile der herkömm­ lichen Leuchtdioden beseitigen.
Die vorliegende Erfindung sieht eine Leuchtdiode vor. Die Leuchtdiode umfasst eine LED-Epitaxial-Struktur mit einer mehrlagigen AlGaInP-Epitaxial-Struktur, die auf ei­ nem lichtabsorbierenden Material ausgebildet ist, ein transparentes Substrat und eine Schicht aus einem transparenten Haftmaterial zum Verbinden des transparenten Materials mit der mehrlagigen AlGaInP-Epitaxial-Struktur. Die aktive Schicht der Leuchtdiode kann aus einer einfachen Heterostruktur (SH), einer Doppel- Heterostruktur (DH), mehreren Potentialtöpfen (MQWs: Multi Quantum Wells) oder einer Potentialtopfheterostruktur (QWHs) ausgebildet sein. Es ist jeweils eine erste und zweite einen ohmschen Kontakt bildende Metallschicht mit einer ersten und zweiten leitenden Epitaxialschicht verbunden. Sowohl die erste und die zweite der einen ohmschen Kontakt bildende Metallschicht sind auf der gleichen Seite angeord­ net.
Die vorliegende Erfindung sieht ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiode vor, das folgende Schritte umfasst:
Vorsehen einer LED-Epitaxial-Struktur mit einer mehrlagigen AlGaInP-Epitaxial- Struktur, die auf einem lichtabsorbierenden Substrat ausgebildet wird;
Vorsehen eines transparenten Substrates und Verwenden einer Schicht aus transpa­ renten Haftmaterial, wie z. B. BCB-Harz (B-staged Bisbenzocyclobuten) oder Epoxy- Harz, zum Binden des transparenten Substrates und der mehrlagigen AlGaInP- Epitaxial-Struktur. Das lichtabsorbierende Substrat wird dann zum Freilegen der er­ sten leitenden Ätzstopschicht entfernt, so dass z. B. eine erste ohmsche Metallkon­ taktschicht ausgebildet wird. Der Ätzschritt legt auch die zweite leitende Epitaxial­ schicht zum Ausbilden einer zweiten ohmschen Kontaktschicht frei. Darüber hinaus sind sowohl die erste und zweite ohmsche Kontaktschicht auf der gleichen Seite an­ geordnet.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt im Vorsehen einer einfachen LED- Struktur, wobei der Haftvorgang der LED-Sruktur bei einer geringen Temperatur aus­ geführt werden kann, wodurch Probleme durch das Verdampfen von Gruppe-V Ele­ menten vermieden werden. Ferner kann durch die Verwendung des transparenten Substrates die Lichtabstrahlleistung der Leuchtdiode signifikant verbessert werden.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt im vereinfachten Verfahren, wo­ bei kostengünstiges Glas als Material für das transparente Substrat verwendet wer­ den kann. Demgemäss wird ein hoher Durchsatz bei geringen Kosten erreicht.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist die Verwendung der elastischen Eigenschaften des transparenten Haftmaterials zum Verbinden des transparenten Substrates und der mehrlagigen AlGaInP-Epitaxial-Struktur. Daher kann ein außer­ gewöhnliches Ergebnis beim Verbinden durch die Verwendung der elastischen transparenten Haftschicht erzielt werden, selbst wenn die Epitaxialstruktur eine raue Oberfläche aufweisen sollte.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielhaft anhand der Zeichnungen beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 bis 3 schematisch Schnittansichten der Struktur einer Leuchtdiode während des Herstellungsprozesses gemäß einem bevorzugten Ausführungsbei­ spiels der vorliegenden Erfindung,
Fig. 4 schematisch eine Schnittansicht des Aufbaus einer herkömmlichen Leuchtdiode, und
Fig. 5 bis 6 schematische Schnittansichten des Aufbaus einer Leuchtdiode gemäß der vorliegenden Erfindung.
Die vorliegende Erfindung beschreibt eine LED-Struktur und ein Verfahren zum Her­ stellen derselben wird nachfolgend im Detail dargelegt.
Gemäß Fig. 1 ist die Epitaxialstruktur der Leuchtdiode der vorliegenden Erfindung aus einem n-Typ GaAs-Substrat 26, einer Ätzstopschicht 24, einer unteren n-Typ (AlXGa1-x)0,5In0,5P Mantelschicht 22 und einer aktiven (AlXGa1-x)0,5In0,5P Schicht 20, einer oberen p-Typ (AlXGa1-x)0,5In0,5P Mantelschicht 18 und einer ohmschen Kontakt- Epitaxialschicht 16 des p-Typs ausgebildet.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform kann das Material der ohmschen Kontakt-Epitaxialschicht des p-Typs AlGaAs, AlGaInP oder GaAsP sein, sofern die Bandlücke des Materials größer als die der aktiven Schicht ist und kein von der akti­ ven Schicht emitiertes Licht darin absorbiert wird.
Ferner weist die aktive Schicht einen Al-Anteil von etwa 0 ≦ x ≦ 0,45, die untere Mantel­ schicht einen Al-Anteil von etwa 0,5 ≦ x ≦ 1, die obere Mantelschicht einen Al-Anteil von etwa 0,5 ≦ x ≦ 1 auf. Falls x = 0 ist, dann ist die Zusammensetzung der aktiven Schicht Ga0,5In0,5P und die Wellenlänge λd der Leuchtdiode beträgt 635 nm.
Das oben beschriebene Verhältnis der Zusammensetzungen, wie z. B. (AlXGa1-X)0,5In0,5P ist ein bevorzugtes Beispiel, wobei die Erfindung auch auf jedes andere Verhältnis von III-V-Halbleiter angewandt werden kann. Ferner kann die Struktur der aktiven AlGaInP-Schicht 20 der Erfindung eine SH-Struktur, eine DH- Struktur eine mehrfach Potentialtopfstruktur (MQWs) oder eine Potentialtopfhete­ rostruktur (QWHs) sein. Die DH-Struktur umfasst die untere n-Typ (AlXGa1-X)0,5In0,5P Mantelschicht 22, eine aktive (AlXGa1-X)0,5In0,5P Schicht 20 und eine obere p-Typ (AlXGa1-X)0,5In0,5P Mantelschicht 18, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, wobei die bevorzugte Dicke der unteren Mantelschicht 22, der aktiven Schicht 20 und der oberen Mantel­ schicht 18 etwa 0,5 bis 3,0 µm, 0,5 bis 2,0 µm und 0,5 bis 3,0 µm betragen.
Das bevorzugte Material der Ätzstopschicht 24 der vorliegenden Erfindung kann ir­ gendein III-V-Halbleiter sein, der zum GaAs-Substrat 26 gitterangepasst oder git­ terunangepasst ist. Das Material der Ätzstopschicht 24 der Erfindung weist auch eine viel kleinere Ätzrate als die des GaAs-Substrates 26 auf. Z. B. sind InGaP oder Al- GaAs als Ätzstopschicht 24 sehr gut geeignet. Zusätzlich weist die untere n-Typ Al- GaInP-Mantelschicht eine viel kleinere Ätzrate als das GaAs-Substrat auf. Daher ist ein optionale Epitaxialschicht mit einer anderen Zusammensetzung, die als Ätz­ stopschicht verwendet wird, nicht notwendig, wenn die untere Mantelschicht ausrei­ chend dick ist.
Der in Fig. 2 gezeigte Aufbau umfasst eine transparente Haftschicht 14, wie z. B. BCB-Harz (B-staged Bisbenzocyclobuten) und ein transparentes Substrat 10 (TS). Das Material der Haftschicht 14 ist nicht auf BCB beschränkt. Jedes Haftmaterial mit ähnlichen Eigenschaften wie z. B. Epoxy oder andere Materialen, kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung auch verwendet werden. Das transparente Substrat kann aus Glas, Saphir-Wafer, SiC-Wafer, GaP-Wafer, GaAsP-Wafer, ZnSe-Wafer, ZnS- Wafer oder ZnSSe-Wafer ausgebildet sein. Diese Materialien können als transpa­ rentes Substrat ausgewählt werden, sofern nur ein geringer Anteil des Lichtes absor­ biert wird. Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, dass das transparente Substrat kein Einkristall-Wafer sein muss. Das transparente Substrat wird zum Tra­ gen der LED-Epitaxialschicht verwendet, damit diese Epitaxialschicht nicht bricht, wobei kein Strom durch das transparente Substrat fließt. Somit kann sowohl polykri­ stallines als auch amorphes Material als Substrat verwendet werden. Demgemäss werden die Herstellungskosten signifikant vermindert.
Danach wird die Epitaxialschichtstruktur gemäß Fig. 1 mit dem transparenten Sub­ strat gemäß Fig. 2 verbunden bzw. gebondet. Der Haftvorgang kann bei einer Tem­ peratur von z. B. 250°C ausgeführt werden. Hierbei sind Druck und Wärme gemäß der vorliegenden Erfindung einzustellen. Auf der Oberfläche der LED- Epitaxialstruktur und der Oberfläche des transparenten Substrates kann eine Schicht eines Haftpromotors beispielsweise durch Ablagerung, Verdampfung oder Sputtern ausgebildet sein, um die Hafteigenschaften zwischen der LED-Epitaxialstruktur und dem transparenten Substrat zu verbessern. Danach wird eine BCB-Schicht aufgetra­ gen und dann wird eine Temperatur von z. B. 250°C und ein Druck für eine vorbe­ stimmte Zeitdauer angelegt, um die Haftverbindung zwischen der LED- Epitaxialstruktur und dem transparentem Substrat abzuschließen. Zur Erzielung einer sehr guten Haftung können die LED-Epitaxialstruktur und das durch die BCB-Schicht damit verbundene transparente Substrat bei einer niedrigen Temperatur von z. B. 60°C bis 100°C gehalten werden, um organische Lösungsmittel der BCB-Schicht zu entfernen, wobei dann die Temperatur zu dem Bereich zwischen 200°C und 600°C erhöht wird, so dass die Haftfestigkeit zwischen der LED-Epitaxialstruktur, dem transparenten Substrat und der BCB-Schicht hervorragend ist. Danach wird das opa­ ke n-Typ GaAs-Substrat durch Ätzen mit z. B. 5H3PO4 : 3H2O2 : 3H2O oder 1NH4OH : 35H2O2 entfernt. Jedoch absorbiert die Ätzstopschicht InGaP oder AlGaAs von der aktiven Schicht emitiertes Licht. Daher ist es notwendig, die Ätzstopschicht zu entfernen wobei nur ein Bereich der Ätzstopschicht verbleibt, der mit der ohm­ schen n-Typ Kontaktmetallschicht in Kontakt steht. Es wird dann ein Trockenätzver­ fahren, wie z. B. RIE, zum Entfernen der Bereiche der unteren n-Typ AlGaInP- Mantelschicht, der aktiven AlGaInP-Schicht und der oberen p-Typ AlGaInP- Mantelschicht angewandt, um die ohmsche p-Typ Kontakt-Epitaxialschicht freizule­ gen. Eine ohmsche p-Typ Kontaktmetallschicht 28 wird dann auf der ohmschen p- Typ Kontakt-Epitaxialschicht 16 ausgebildet. Eine ohmsche n-Typ Kontaktmetall­ schicht 30 wird dann auf der unteren n-Typ AlGaInP-Mantelschicht 22 ausgebildet, um eine LED-Struktur mit ohmschen p-Typ und n-Typ Kontaktmetallschichten auf jeweils der gleichen Seite auszubilden, wie es in Fig. 3 gezeigt ist.
Die Lichtausgangsleistung der AlGaInP-Leuchtdiode der vorliegenden Erfindung be­ trägt mehr als 4 mW bei einer Wellenlänge von 635 nm und einem Injektionsstrom von 20 mA und ist um das zweifache größer als die Lichtausgangsleistung herkömm­ licher AlGaInP-Leuchtdioden mit einem absorbierenden Substrat.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf AlGaInP-Leuchtdioden mit einer intensiven Helligkeit beschränkt, sondern sie ist auch für andere Leuchtdioden, wie z. B. rote oder infrarote AlGaAs-Leuchtdioden geeignet. Die in Fig. 5 gezeigte Epitaxialstruktur ist eine Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles der vorliegenden Erfin­ dung. Die rote AlGaAs-Leuchtdiode (650 nm) umfasst eine gestapelte Struktur eines n-Typ GaAs-Substrates 51, einer unteren n-Typ AlGaAs-Mantelschicht 52 mit einem Al-Anteil von etwa 70% bis 80% und eine Dicke von 0,5 µm bis 2 µm, aktiven Al- GaAs-Schicht 53 mit einem Aluminium-Anteil von etwa 35% und einer Dicke von etwa 0,5 µm bis 2 µm und einer oberen p-Typ AlGaAs-Mantelschicht 54 mit einem Al- Anteil von etwa 70% bis 80% und einer Dicke von 0,5 µm bis 2 µm. Die "rote" Al- GaAs-Leuchtdiodenstruktur wird dann mit einem transparenten Substrat 56, wie z. B. Saphir mittels BCB 55 verbunden. Die Epitaxialstruktur wird dann mit einem Ätzmittel, wie z. B. NH4OH : H2O2 = 1,7 : 1 zum Entfernen des opaken n-Typ GaAs-Substrates ge­ ätzt. Danach wird ein Nassätzen oder Trockenätzen zum Entfernen von Bereichen der unteren n-Typ AlGaAs-Mantelschicht und der aktiven AlGaAs Schicht und zum weiteren Freisetzen der oberen p-Typ AlGaAs-Mantelschicht verwendet. Eine ohm­ sche p-Typ Kontaktmetallschicht 57 wird dann auf der oberen p-Typ AlGaAs- Mantelschicht 54 ausgebildet. Eine ohmsche n-Typ Kontaktmetallschicht 58 wird dann auf der unteren n-Typ AlGaAs-Mantelschicht 52 zum Erzeugen einer LED- Struktur mit ohmschen p-Typ und n-Typ Kontaktmetallschichten ausgebildet, die an der selben Seite vorgesehen sind.
Die Lichtausgangsleistung der AlGaAs-Leuchtdiode der vorliegende Erfindung ist um das zweifache größer als die Lichtausgangsleistung einer herkömmlichen AlGaAs- Leuchtdiode mit einem absorbierenden Substrat. Die AlGaAs-Leuchtdiode gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist eine Wellenlänge von 650 nm auf. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Wellenlänge beschränkt.
Die Leuchtdiode weist ein transparentes Substrat auf und sowohl die ohmsche p-Typ als auch n-Typ Metallschicht sind auf der gleichen Seite des transparenten Substra­ tes ausgebildet, weshalb ein Flip-Chip-Gehäuse verwendet werden kann und das herkömmliche Drahtbonden nicht mehr notwendig ist. Daher weist die mit dem Ver­ fahren gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildete Leuchtdiode eine höhere Zu­ verlässigkeit auf. Ferner wird kein Licht im transparenten Substrat absorbiert. Daher ist die Helligkeit der Leuchtdiode verbessert. Ferner kann das Substrat aus Saphir, Glas oder SiC mit einer hohen Härte ausgebildet sein, wodurch die Dicke des Sub­ strates auf bis zu 100 µm ohne zu brechen verringert werden kann, so dass eine LED-Struktur mit einer geringen Dicke und einer kleinen Größe hergestellt wird.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der Verwendung der elastischen Ei­ genschaften des transparenten Haftmaterials zum Verbinden des transparenten Substrates und der mehrlagigen AlGaInP-Epitaxialstruktur. Daher kann eine hervor­ ragende Verbindung durch die Verwendung dieser elastischen Eigenschaften des transparenten Haftmaterials erzielt werden, selbst wenn die Epitaxialstruktur eine raue Oberfläche aufweist.
Die Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Im Rahmen der Erfindung können auch unterschiedlichste Abwandlungen und Ände­ rungen vorgenommen werden.

Claims (30)

1. Leuchtdiode umfassend
eine Leuchtdiodenepitaxial-Struktur mit einer auf einem Licht-absorbierenden Substrat (26, 51) ausgebildeten mehrschichtigen AlGaInP-Epitaxialstruktur,
ein transparentes Substrat (10, 56) und
ein elastisches, transparentes Haftmittel (14, 55) zum Verbinden des transpa­ renten Substrates (10, 56) und der mehrschichtigen AlGaInP-Epitaxialstruktur.
2. Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Licht-absorbierende Substrat (26, 51) aus GaAs ausgebildet ist.
3. Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Epitaxialstruktur eine AlGaInP-Homostruktur aufweist.
4. Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Epitaxialstruktur eine AlGaInP-Heterostruktur aufweist.
5. Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdiodenepitaxial-Struktur eine AlGaInP-Doppel-Heterostruktur auf­ weist.
6. Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Epitaxialstruktur eine AlGaInP-Potentialtopf aufweist.
7. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das elastische, transparente Haftmaterial BCB-Harz (B-staged Bisbenzocyclo­ buten) ist.
8. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das elastische, transparente Haftmaterial Epoxyharz ist.
9. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 8, hergestellt durch Entfernen des Licht-absorbierenden Substrates (26, 51) nach dem Verbinden des transparenten Substrates (10, 56) mit der Leuchtdioden-Epitaxialstruktur.
10. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus Saphir ausgebildet ist.
11. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus Glas ausgebildet ist.
12. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus GaP oder GaAsP ausgebildet ist.
13. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus ZnSe, ZnS oder ZnSSe ausgebildet ist.
14. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, das das transparente Substrat aus SiC ausgebildet ist.
15. Leuchtdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei das transparente Sub­ strat (10, 51) und die mehrschichtige AlGaInP-Epitaxialstruktur durch folgende Schritte miteinander verbunden sind:
  • - Durchführen eines Heiz- und Druckschrittes bei einer Temperatur zwischen 60°C und 100°C (1. Schritt), und
  • - Durchführen eines Heiz- und Druckschrittes bei einer Temperatur zwischen 200°C und 600°C (2. Schritt).
16. Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiode umfassend
Vorsehen einer Leuchtdioden-Epitaxialstruktur mit auf Licht-absorbierenden Substrat (26, 51) ausgebildeten mehrschichtigen AlGaAs-Epitaxialstruktur,
Vorsehen eines transparenten Substrates (10, 51), und
Verwenden eines elastischen, transparenten Haftmaterials (14, 55) zum Ver­ binden des transparenten Substrates (10, 56) und der mehrschichtigen Al- GaAs-Epitaxialstruktur.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Licht-absorbierende Substrat (26, 51) aus GaAs ausgebildet ist.
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Epitaxialstruktur aus einer AlGaAs-Homostruktur ausgebildet wird.
19. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Epitaxialstruktur aus einer AlGaAs-Heterostruktur ausgebildet wird.
20. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Epitaxialstruktur aus einer AlGaAs-Doppel-Heterostruktur ausgebildet wird.
21. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Epitaxialstruktur aus einem AlGaAs-Potentialtopf ausgebildet wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass als elastisches, transparentes Haftmaterial BCB-Harz (B-staged Bisbenzocyclo­ buten) verwendet wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass als elastisches, transparentes Epoxyharz verwendet wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 23, gekennzeichnet durch den Schritt des Entfernens des Licht-absorbierenden Substrates (26, 51) nach dem Verbinden des transparenten Substrates (10, 56) mit der Leuchtdioden- Epitaxialstruktur.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus Saphir ausgebildet wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus Glas ausgebildet wird.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus GaP oder GaAsP ausgebildet wird.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus ZnSe, ZnS oder ZnSSe ausgebildet wird.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus SiC ausgebildet wird.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass das Verbinden des transparenten Substrates (10, 56) mit der mehrschichtigen AlGaAs-Epitaxialstruktur in folgenden Schritten ausgeführt wird:
  • - Durchführen eines Heiz- und Druckschrittes bei einer Temperatur zwischen 60°C und 100°C (1. Schritt), und
  • - Durchführen eines Heiz- und Druckschrittes bei einer Temperatur zwischen 200°C und 600°C (2. Schritt).
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