DE10113143A1 - Sensoranordnung und Verfahren zur Analyse von Schweiß - Google Patents
Sensoranordnung und Verfahren zur Analyse von SchweißInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Sensoranordnung und ein Verfahren zur Analyse von Schweiß. Sie ist für die Anwendung in der Medizin, insbesondere für die Diagnostik und Therapiekontrolle der Mukoviszidose vorgesehen. Zur In-situ-Analyse des Schweißes wird eine Sonde, die einen elektrisch direkt beheizten Sensorchip enthält, auf die Haut aufgesetzt. Der infolge der Erwärmung des Sensorchips aus der Hautoberfläche austretende Schweiß wird in einer durch den Halbleiterchip und die Hautoberfläche begrenzten Messekammer mittels der auf dem Halbleiterchip vorhandenen Elektroden und Sensoren analysiert.
Description
Die Erfindung betrifft eine Sensoranordnung und ein Verfahren zur Analyse von Schweiß. Sie
ist für die Anwendung in der Medizin, insbesondere für die Diagnostik und Therapiekontrolle der
Mukoviszidose, vorgesehen.
Mukoviszidose, auch als cystrische Fibrose (CF) bezeichnet, ist eine häufig auftretende Erb
krankheit, die von einer Vielzahl körperlicher Beschwerden begleitet wird. Wichtig ist ihre mög
lichst frühzeitige Erkennung, wofür folgende Diagnoseverfahren angewendet werden: Schweiß
test, Immunreaktives Trypsin (IRT), Bestimmung des Albumins, transepitheliale Potentialdiffe
renz-Messung am respiratorischen Epithel der Nase, Elastasebestimmung sowie Nachweis des
Gendefektes [http:/ / www.meb.uni-bonn.de/mukoviszidose/diagn.html].
Da sich die Mukoviszidose in erhöhtem Natriumchloridgehalt im Schweiß äußert, beruht die
klassische, gegenwärtig überwiegend angewendete Methode zur Diagnosestellung und zur
Kontrolle von Behandlungsmaßnahmen bei dieser Erkrankung auf der Analyse des Schweißes,
insbesondere durch Messung der elektrolytischen Leitfähigkeit. Zur Schweißmessung existiert
zur Zeit auf dem Markt ein Schweißmessgerät der Fa. WESCOR, Inc. /USA. Bezüglich der
Schweißerzeugung bzw. -messung sind folgende, bereits von Anfang der achtziger Jahre
stammende, Patente bekannt: US 4 266 556 (Electrically Heated Sweat), U.S. 4 383 529 (Ion
tophoretic Electrode Device, Method and Gel Insert), U.S. 4 542 751 (Sweat-Collecting Device
and Method) sowie das Patent DE 33 09 273 A1 (Schweißsammelvorrichtung und Verfahren
zum Sammeln von Schweiß von der Haut einer Person für Versuchszwecke), das jedoch nur
das Sammeln von Schweiß von der Hautoberfläche in einem Schlauch betrifft und keine Aus
sage zur Analyse des gewonnenen Schweißes enthält.
Ein wesentlicher Nachteil der bekannten Messverfahren besteht darin, dass die Schweißpro
duktion und Schweißsammlung separat von der mit Hilfe eines anderen Gerätes durchzufüh
renden Leitfähigkeitsmessung im angesammelten Schweiß erfolgt. Außerdem wird durch die
Leitfähigkeitsmessung nicht spezifisch eine bestimmte Art von Ionen, sondern die Gesamtheit
aller in dem Schweiß vorhandenen Ladungsträger erfasst.
In seltenen Fällen, in denen der Schweißtest keine eindeutige Aussage liefert, kann durch Po
tentialdifferenzmessung an der Nasenschleimhaut sicher angezeigt werden, ob der Patient an
Mukoviszidose leidet [T. Hofmann et al.: Conventional and Modified Nasal Potential-difference
Measurement in Cystic Fibrosis. American Journal of Respiratory and Critical Care Medicine
155 (1997) 108-113]. Das Verfahren der Nasalepithelpotentialmessung ist allerdings bisher
nicht sehr verbreitet [http:/ / www.meb.uni-bonn.de/mukoviszidose/nas_pot.html]. Ungünstig für
die Patienten ist, insbesondere bei Untersuchungen an Säuglingen, dass die Messungen in der
Nase erfolgen und dass die Referenzelektrode in einen intravenösen Katheder in das Unter
hautfettgewebe eingeführt werden muss.
Der Erfindung liegt die technische Aufgabe zugrunde, die oben beschriebenen Nachteile des
Standes der Technik zu beheben und eine Sensoranordnung und ein Verfahren zu entwickeln,
mit denen für die Mukoviszidose charakteristische Parameter von Schweiß einfacher, zuverläs
siger und mit geringerem apparativem und zeitlichem Aufwand bestimmt werden können.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass ein elektrisch direkt beheizter Halblei
terchip, der Elektroden und Sensoren zur Bestimmung charakteristischer Parameter von
Schweiß und der Temperatur sowie Widerstandsbahnen für die elektrische Beheizung des
Chips enthält, in eine Sonde, die auf die Haut aufgesetzt wird, integriert ist und dass der infolge
der Erwärmung des Halbleiterchips aus der Hautoberfläche austretende Schweiß unmittelbar
mit den auf dem Halbleiterchip vorhandenen Elektroden und Sensoren in situ analysiert wird.
Die Vorteile des erfindungsgemäßen Sensorsystems bestehen vor allem darin, dass es als
Kernstück ein thermostatisierbares elektrochemisches Mikrosystem mit integriertem Schweißer
zeugermodul enthält. Da die Schweißerzeugung und -analyse in einer Einheit zusammenge
fasst sind, entsteht eine preiswerte Sensoranordnung und ein wesentlich vereinfachtes Verfah
ren zur Mukoviszidosediagnostik. Diese miniaturisierte Ausführungsform bietet den Vorteil, dass
eine geringere Menge an Schweiß als bei bekannten Systemen benötigt wird.
Durch die mikroelektronische Fertigungstechnologie ist es möglich, das Sensorsystem in plana
rer, miniaturisierter Ausführung sowie mit weitgehend variabler Gestaltung der Messelektroden
in großen Stückzahlen reproduzierbar und kostengünstig herzustellen. Auf dem Sensorchip
können außer Elektroden zur Messung der elektrolytischen Leitfähigkeit weitere Elektroden,
insbesondere zur Messung der Chloridkonzentration im Schweiß, präpariert werden.
Gegenwärtig wird bei einem beachtlichen Prozentsatz der Patienten die Diagnose zu spät ge
stellt. Ursache dafür ist, dass bisher keine einfache und preiswerte diagnostische Möglichkeit
zur Verfügung steht. Die erfindungsgemäße Lösung wird jedoch nicht nur klinisch diagnostische
Bedeutung in der Früherkennung der Krankheit haben, sondern bietet auch die Möglichkeit, die
Wirkung von therapeutischen Substanzen, die auf den Ionentransport Einfluss haben, zu er
kennen, besonders wirksame Medikamente gezielt auswählen zu können und eine qualitativ
bessere Betreuung Mukoviszidosekranker bei gleichzeitiger Kostenreduzierung zu erreichen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 11 angegeben.
Entsprechend Anspruch 1 enthält der Sensorchip Widerstandsbahnen für die direkte elektrische
Beheizung des Chips zur Schweißerzeugung. In Anspruch 2 wird vorgeschlagen, dass diese
Widerstandsbahnen für die elektrische Beheizung des Halbleiterchips aus Poly-Silicium beste
hen. Es besteht auch die Möglichkeit, auf den Halbleiterchip metallische Widerstandsbahnen,
beispielsweise aus Platin, aufzubringen oder die Widerstände durch gezieltes Dotieren des
Halbleitermaterials zu erzeugen.
In den Ansprüchen 3 bis 6 sind die im Hauptanspruch vorgesehenen Elektroden und Sensoren
zur Bestimmung charakteristischer Parameter von Schweiß näher spezifiziert. Außer Elektroden
zur Messung der elektrischen Leitfähigkeit des Schweißes, die bisher bevorzugt angewendet
wird, besteht auch die Möglichkeit, auf dem Halbleiterchip Elektroden zur Messung der Kon
zentration der Chloridionen, der Natriumionen und/oder anderer Ionen, die sich im Schweiß be
finden, sowie die für diese Elektroden erforderliche elektrochemische Referenzelektrode anzu
bringen.
Bei der Anwendung der Sensoranordnung zur Erzeugung und Analyse von Schweiß unmittelbar
auf der Hautoberfläche ist es erforderlich, die Temperatur zu messen und mittels einer Re
geleinrichtung auf einen vorgegebenen Wert einzuregeln. Zu diesem Zwecke ist vorgesehen,
dass sich auf dem Halbleiterchip ein entweder auf dem Chip integrierter oder mit diesem ther
misch eng verbundener Temperaturfühler befindet. Darüber hinaus besteht die Möglichkeit,
dass die Sonde zusätzlich einen weiteren Temperaturfühler zur Kontrolle bzw. Regelung der
Temperatur enthält. Durch die Einstellung einer definierten, konstanten Temperatur des Sen
sorchips entfällt die Notwendigkeit, die bei den elektrochemischen Sensoren ansonsten erfor
derliche Kompensation des Temperatureinflusses auf die Sensorsignale vorzunehmen.
Die Messsonde ist nach den Ansprüchen 10 und 11 so ausgebildet, dass in der Sonde eine
durch den Halbleiterchip und die Hautoberfläche begrenzte Messkammer zur Aufnahme des
Schweißes vorhanden ist, innerhalb der sich die auf dem Halbleiterchip vorhandenen Elektro
den und Sensoren befinden. Zur Erzeugung und In-situ-Analyse des Schweißes wird die Sonde
direkt auf die Haut aufgesetzt und elektrisch beheizt. Der infolge der Erwärmung des Sensor
chips aus der Hautoberfläche austretende Schweiß füllt die Messkammer und wird in dieser mit
tels der in dieser vorhandenen Elektroden und Sensoren des Halbleiterchips in situ analysiert.
Um ein definiertes Volumen der Messkammer zu gewährleisten, wird in diese ein auswechsel
barer Spacer eingesetzt, der den zu analysierenden Schweiß aufnimmt.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 1 dargestellt und wird im Folgenden näher
beschrieben.
Auf dem Si-Halbleiterchip 1 befinden sich Widerstandsbahnen 2, für die im vorliegenden Bei
spiel Platin verwendet wurde. Zur Erwärmung der Sensoranordnung bzw. der Hautoberfläche
auf maximal ca. 40°C ist nur eine relativ geringe Heizleistung < 200 mW erforderlich, die durch
Anlegen einer ungefährlichen Spannung < 1,5 V erzeugt werden kann. Zur Isolation der Wider
standsbahnen wird auf diese in einem Halbleiterprozess eine dünne SiO2-Isolatorschicht 3 auf
gebracht. Auf dieser befinden sich zwei Elektrodenpaare 4, die für die Analyse des Schweißes
erforderlich sind. Das eine Elektrodenpaar besteht aus Platin und dient der Messung der elekt
rolytischen Leitfähigkeit. Für das andere Elektrodenpaar, mit dem die Konzentration der Chlorid
ionen im Schweiß bestimmt wird, wird auf Silber-Grundstrukturen durch Chlorieren eine AgCl-
Schicht aufgebracht oder Platin-Grundstrukturen werden zunächst versilbert und anschließend
chloriert. Während eine dieser Ag/AgCl-Elektroden, die Messelektrode, bei der Messung mit
dem Schweiß in direktem Kontakt steht, dient die andere Ag/AgCl-Elektrode als Bezugselektro
de. Die Bezugselektrode ist von einem gelartigen Elektrolyt bedeckt, der Chloridionen in einer
Konzentration im Bereich 5 bis 70 mmol/l enthält, die im Schweiß gesunder Menschen vorliegt.
Die elektrische Verbindung der Elektroden 4 sowie der Widerstandsbahnen 2 mit dem Substrat
5 wird über Bondverbindungen 6 hergestellt. Zur Isolation und zum mechanischen Schutz wird
das Substrat mit dem Sensorchip in Epoxidharz eingegossen und dabei in der Verkapselung 7
die Messkammer 8 ausgebildet, in der sich der beim Aufsetzen der Sonde auf die Hautoberflä
che bildende Schweiß sammelt und analysiert wird. Die Messkammer hat eine Querschnittsflä
che von ca. 100 mm2 und ist ca. 0,3 mm tief. Zur Aufnahme des Schweißes und zur Festlegung
eines definierten Messvolumens wird bei jeder Messung in die Messkammer ein auswechselba
rer, formstabiler scheibenförmiger Spacer 9 eingesetzt, der aus porösem, elektrisch nichtleiten
dem Material besteht. Über diesen Spacer 9 wird zugleich die erforderliche elektrolytische Ver
bindung zwischen dem Messmedium und der Bezugselektrode hergestellt.
Es besteht weiterhin die Möglichkeit, auf dem Substrat 5 außer dem Sensorchip 1 zusätzliche
Elektroden zur iontophoretischen Schweißstimulation mittels Pilocarpin entsprechend dem oben
erwähnten Patent (Iontophoretic Electrode Device, Method and Gel Insert) aufzubringen und
diese in die Verkapselung 7 so einzugießen, so dass sie mit der Oberfläche der Messsonde, die
auf die Haut aufgesetzt wird, in einer Ebene liegen.
1
Halbleiterchip
2
Widerstandsbahnen
3
Isolator
4
Elektroden
5
Substrat
6
Bondverbindungen
7
Verkapselung
8
Messkammer
9
Spacer
Claims (11)
1. Sensoranordnung und Verfahren zur Analyse von Schweiß, dadurch gekennzeichnet,
dass ein elektrisch direkt beheizter Halbleiterchip, der Elektroden und Sensoren zur
Bestimmung charakteristischer Parameter von Schweiß und der Temperatur sowie
Widerstandsbahnen für die elektrische Beheizung des Chips enthält, in eine Sonde, die
auf die Haut aufgesetzt wird, integriert ist und dass der infolge der Erwärmung des
Halbleiterchips aus der Hautoberfläche austretende Schweiß unmittelbar mit den auf dem
Halbleiterchip vorhandenen Elektroden und Sensoren analysiert wird.
2. Sensoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Widerstandsbahnen für die elektrische Beheizung des Halbleiterchips aus Poly-Silicium
bestehen.
3. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass sich
auf dem Halbleiterchip Elektroden zur Messung der elektrischen Leitfähigkeit des
Schweißes befinden.
4. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich
auf dem Halbleiterchip Elektroden zur Messung der Konzentration der Chloridionen im
Schweiß befinden.
5. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass sich
auf dem Halbleiterchip Elektroden zur Messung der Konzentration der Natriumionen
und/oder anderer Kationen im Schweiß befinden.
6. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass sich
auf dem Halbleiterchip eine elektrochemische Referenzelektrode befindet.
7. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sich
auf dem Halbleiterchip ein Temperaturfühler befindet.
8. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die
Sonde zusätzlich einen weiteren Temperaturfühler enthält.
9. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine
Regeleinrichtung vorhanden ist, die die Temperatur des Halbleiterchips auf einen
vorgegebenen Wert einregelt.
10. Sensoranordnung nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass in der
Sonde eine durch den Halbleiterchip und die Hautoberfläche begrenzte Messkammer zur
Aufnahme des Schweißes vorhanden ist, innerhalb der sich die auf dem Halbleiterchip
vorhandenen Elektroden und Sensoren befinden.
11. Sensoranordnung und Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, dass die Sonde zur In-situ-Analyse des Schweißes auf die Haut
aufgesetzt wird und dass der infolge der Erwärmung des Sensorchips aus der
Hautoberfläche austretende Schweiß die Messkammer ausfüllt und die Elektroden und
Sensoren des Halbleiterchips bedeckt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001113143 DE10113143A1 (de) | 2001-03-17 | 2001-03-17 | Sensoranordnung und Verfahren zur Analyse von Schweiß |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001113143 DE10113143A1 (de) | 2001-03-17 | 2001-03-17 | Sensoranordnung und Verfahren zur Analyse von Schweiß |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10113143A1 true DE10113143A1 (de) | 2002-12-05 |
Family
ID=7678001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE2001113143 Withdrawn DE10113143A1 (de) | 2001-03-17 | 2001-03-17 | Sensoranordnung und Verfahren zur Analyse von Schweiß |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10113143A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3685745A1 (de) * | 2019-01-22 | 2020-07-29 | Nokia Technologies Oy | Vorrichtung zum erfassen biometrischer parameter |
-
2001
- 2001-03-17 DE DE2001113143 patent/DE10113143A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3685745A1 (de) * | 2019-01-22 | 2020-07-29 | Nokia Technologies Oy | Vorrichtung zum erfassen biometrischer parameter |
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