DE10110635A1 - Verfahren zum automatischen Steuern einer Kristallziehanlage und Kristallziehanlage zur Durchführung dieses Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum automatischen Steuern einer Kristallziehanlage und Kristallziehanlage zur Durchführung dieses VerfahrensInfo
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Abstract
Eine Kristallziehanlage hat einen als CCD-Kamera ausgebildeten, optischen Sensor (13), der zur Gewinnung eines Sensorsignals bei Erreichen einer kurz oberhalb der Schmelze (3) befindlichen Position eines Impfkristalls (7) dient. Ein weiterer Sensor (14) ist zum Detektieren des Berührens der Schmelze (3) durch den Impfkristall (7) vorgesehen. Zum Kristallziehen wird der Impfkristall (7) zunächst abgesenkt, bis der optische Sensor (13) eine Position unmittelbar oberhalb der Schmelze (3) meldet. Dann schaltet man auf eine geringe Absenkgeschwindigkeit um. Das anschließende Berühren der Schmelze (3) durch den Impfkristall (7) meldet der weitere Sensor (14), so dass das Eintauchen und anschließende Kristallziehen vollautomatisch und mit hoher Zuverlässigkeit erfolgen kann.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum automatischen
Steuern einer Kristallziehanlage, bei dem zunächst ein
Impfkristall bis in eine sich in einem Tiegel befindliche
Schmelze abgesenkt und anschließend mit der Geschwindig
keit des Kristallwachstums zur Bildung eines Kristall
blockes aus der Schmelze herausgezogen wird und bei dem
zur Steuerung ein in das Innere der Kristallziehanlage
zur Schmelze hin gerichteter optischer Sensor dient. Wei
terhin betrifft die Erfindung eine Kristallziehanlage zur
Durchführung dieses Verfahrens.
Ein Verfahren und Kristallziehanlagen der vorstehenden
Art sind derzeit bekannt und gebräuchlich. Eine nach dem
weit verbreiteten und die vorgenannten Verfahrensmerkmale
aufweisenden Czochralski-Prozess arbeitende Kristallzieh
anlage ist beispielsweise in der DE 28 21 481 A1 be
schrieben. Diese Schrift erläutert, dass zu Beginn des
Kristallziehens zunächst ein Impfkristall bis in die
Schmelze abgesenkt und anschließend mit dem Ziehprozess
begonnen wird. Da das Kristallziehen mit Geschwindigkei
ten in der Größenordnung von einigen mm pro Stunde bis zu
einigen mm pro Minute erfolgt und die zu erzeugenden
Kristallböcke mehrere m lang sein können, dauert der ei
gentliche Ziehprozess relativ lange. Er erfolgt in der
Praxis automatisch, indem man mit einer CCD-Kamera den
Durchmesser des Kristallblockes überwacht und zur Erzie
lung eines gleichmäßigen Durchmessers des Kristallblockes
insbesondere die Ziehgeschwindigkeit und die Temperatur
der Schmelze in Abhängigkeit vom detektierten Kristall
blockdurchmesser überwacht.
Das Absenken des Impfkristalls zur Schmelze hin, das er
forderliche Aufwärmen des Impfkristalls durch Verweilen
des Impfkristalls in unmittelbarer Nähe der Schmelze und
das Absenken des Impfkristalls in die Schmelze hat man
bislang nicht automatisieren können und deshalb diesen
Teil des Kristallziehprozesses von Hand gesteuert, indem
über ein Schauglas der Vorgang des Absenkens und Eintau
chens beobachtet wurde. Der Grund für die fehlende Auto
matisierung dieses Prozessabschnittes liegt darin, dass
bisher eine Überwachung der Position des impfkristalls
mit der erforderlichen Genauigkeit nicht möglich war. Man
könnte zwar daran denken, die Höhe des Schmelzenspiegels
optisch zu ermitteln und nach Ermittlung der anfänglichen
Position des Impfkristalls den Absenkweg des Impfkris
talls numerisch zu steuern, jedoch hat sich eine solche
Überwachung und Steuerung als zu ungenau erwiesen. Das
liegt daran, dass infolge hoher Temperaturen in der An
lage, des erforderlichen relativ großen Hubes des Impf
kristalls und anlagebedingter Toleranzen zu große Unge
nauigkeiten auftreten, um das Eintauchen in die Schmelze
und das anschließende Herausziehen ausreichend genau zu
überwachen.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Verfahren
zum vollautomatischen Steuern einer Kristallziehanlage zu
entwickeln, welches auch den Vorgang des Vorwärmens und
Eintauchens des Impfkristalls in die Schmelze und damit
den Startvorgang des Kristallziehens einschließt. Weiter
hin soll eine Kristallziehanlage zur Durchführung dieses
Verfahrens geschaffen werden.
Das erstgenannte Problem wird erfindungsgemäß dadurch ge
löst, dass der optische Sensor beim Absenken des Impfkristalls
zur Gewinnung eines Sensorsignals zu einem sol
chen Zeitpunkt benutzt wird, an dem sich der Impfkristall
kurz oberhalb der Schmelze befindet, dass anschließend
der Impfkristall mit einer so stark verminderten Ge
schwindigkeit abgesenkt wird, dass sich der Impfkristall
bis zum Eintauchen in die Schmelze ausreichend erwärmt,
und dass mittels eines weiteren Sensors das Berührens der
Schmelze durch den Impfkristall detektiert und danach das
Eintauchen und der automatische Ziehvorgang gestartet
wird.
Durch diese Verfahrensweise erkennt die Steuerung der
Kristallziehanlage, dass sich der Impfkristall unabhängig
von anlagebedingter Toleranzen oder Wärmedehnungen seines
Vorschubantriebs unmittelbar vor dem Schmelzenspiegel be
findet. Die dann erfolgende Absenkung des Impfkristalls
mit stark verminderter Geschwindigkeit ermöglicht es dem
Impfkristall, aufgrund der geringen Nähe zur Schmelze und
der von der Schmelze abgegebenen Wärme sich ausreichend
zu erwärmen, um anschließend in die Schmelze eingetaucht
zu werden. Die Überwachung des Berührens des Schmelzen
spiegels durch den Impfkristall ermöglicht es, den Impf
kristall um einen exakten Betrag in die Schmelze einzu
tauchen und anschließend automatisch den Ziehvorgang zu
starten. Die durch die Erfindung mögliche Automatisierung
des Eintauchens und des Startens des Kristallziehens
führt zu einer höheren und zuverlässig reproduzierbaren
Qualität des erzeugten Kristallblockes und schließt Feh
ler aus, die bei einer manuellen Steuerung zu Beginn des
Prozesses eintreten können. Weiterhin arbeitet das erfin
dungsgemäße Verfahren durch die Erstreckung der Automati
sierung auch auf den anfänglichen Prozessverlauf wirt
schaftlicher als das bisherige manuelle Verfahren.
Eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens besteht
darin, dass als optischer Sensor eine CCD-Kamera benutzt
und zur Bildauswertung die Helligkeitsverteilung über
eine Messlinie ermittelt wird, die der Impfkristall kurz
oberhalb der Schmelze erreicht. Eine solche CCD-Kamera
als optischer Sensor hat gegenüber anderen optischen Sen
soren, beispielsweise Lichtschranken, den Vorteil, dass
die CCD-Kamera relativ weit von dem Schmelzenspiegel ent
fernt angeordnet werden kann und lediglich schräg auf die
Mitte des Schmelzenspiegels gerichtet sein muss. Deshalb
stört die relativ weit nach oben hin den Schmelzenspiegel
überragende Tiegelwandung und die den Tiegel zusätzlich
nach oben hin überragende, elektrische Beheizung des Tie
gels nicht den optischen Sensor. Weiterhin vermag eine
CCD-Kamera auch dann die Annäherung des Impfkristalls an
den Schmelzenspiegel ausreichend genau zu überwachen,
wenn der Schmelzenspiegel aufgrund von Prozessen in der
Schmelze relativ unruhig ist. Auch kann mittels einer
CCD-Kamera die Annäherung des Impfkristalls an den
Schmelzenspiegel problemlos auch dann überwacht werden,
wenn der Schmelzenspiegel verfahrensbedingt in unter
schiedlichen Höhenpositionen steht.
Das Berühren der Schmelze kann mit sehr hoher Genauigkeit
und ungestört von den für Sensoren ungünstigen Bedingun
gen unmittelbar oberhalb des Schmelzenspiegels erfasst
werden, wenn man gemäß einer anderen Weiterbildung des
Verfahrens den Tiegel und den Impfkristall elektrisch
voneinander trennt und jeweils an eine Stromquelle an
schließt und mittels eines Stromsensors den Stromfluss
zwischen dem Tiegel und dem Impfkristall überwacht.
Das zweitgenannte Problem, nämlich die Schaffung einer
Kristallziehanlage zur Durchführung des Verfahrens, wird
erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass der optische Sensor
zur Gewinnung eines Sensorsignals bei Erreichen einer
kurz oberhalb der Schmelze befindlichen Position des
Impfkristalls ausgebildet und ein weiterer Sensor zum Detektieren
des Berührens der Schmelze durch den Impfkris
tall vorgesehen ist. Eine solche Anlage ermöglicht es,
das Kristallziehen von Anfang an automatisch zu betrei
ben, so dass das Verfahren besonders wirtschaftlich wird
und sich eine besonders gleichmäßige Qualität des erzeug
ten Kristallblockes ergibt.
Vorteilhaft ist es, wenn gemäß einer Weiterbildung der
Erfindung der optische Sensor eine CCD-Kamera ist, der
eine elektronische Bildauswertung zur Bestimmung der Hel
ligkeitsverteilung über eine Messlinie zugeordnet ist,
die der Impfkristall kurz oberhalb der Schmelze erreicht.
Ein solcher optischer Sensor kann relativ weit von der
den Kristallblock bildenden Schmelze entfernt angeordnet
werden, so dass er durch die Bedingungen in der Kristall
ziehanlage, insbesondere die hohen Temperaturen, keinen
Schaden nimmt, aber dennoch in der Lage ist, den ge
wünschten Bereich unmittelbar oberhalb des Schmelzenspie
gels und damit die Annäherung des Impfkristalls an den
Schmelzenspiegel im entscheidenden Bereich zu überwachen.
Das Berühren des Schmelzenspiegels durch den Impfkristall
lässt sich besonders zuverlässig detektieren, wenn gemäß
einer anderen Weiterbildung der Erfindung der weitere
Sensor dadurch gebildet ist, dass der Tiegel und der
Impfkristall elektrisch voneinander getrennt angeordnet
sind und wenn eine elektrische Stromquelle einerseits
eine elektrische Leitung zu dem Tiegel, andererseits zu
einem mit dem Impfkristall elektrisch in Verbindung ste
henden Bauteil hat und in einer der Leitungen ein Strom
sensor zum Feststellen eines Stromflusses zwischen dem
Tiegel und dem Impfkristall angeordnet ist. Ein solcher
Sensor arbeitet sehr zuverlässig und wird durch die Pro
zessgegebenheiten, insbesondere die hohen Temperaturen
und die räumlichen Beschränkungen im Bereich des Tiegels
oberhalb des Schmelzenspiegels nicht beeinflusst.
Die Funktionsfähigkeit des Stromsensors als ein weiterer
Sensor, welcher das Berühren des Schmelzenspiegels durch
den Impfkristall detektiert, lässt sich auf einfache
Weise überprüfen, wenn die Stromquelle und der Stromsen
sor durch eine Nebenschlussleitung überbrückt sind, in
welcher ein elektrischer Widerstand und ein Prüfschalter
angeordnet sind.
Vor Beginn des Absenkens des Impfkristalls kann man auf
einfache Weise prüfen, ob die elektrische Isolation zwi
schen dem mit dem Impfkristall in Verbindung stehenden
Bauteil und dem Tiegel genügend und damit der Sensor für
das Detektieren der Berührung des Schmelzenspiegels aus
reichend empfindlich ist, wenn in einer der beiden elek
trischen Leitungen von der Stromquelle zu dem Bauteil
oder dem Tiegel ein die Verbindung trennender Schalter
angeordnet ist.
Die Erfindung lässt verschiedene Ausführungsformen zu.
Zur weiteren Verdeutlichung ihres Grundprinzips ist eine
davon schematisch in der Zeichnung dargestellt und wird
nachfolgend beschrieben. Die Zeichnung zeigt in
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Kristall
ziehanlage nach der Erfindung,
Fig. 2 ein von einer CCD-Kamera der Kristallziehan
lage aufgenommenes Bild,
Fig. 3 ein typischer Helligkeitsverlauf des Bildes
der CCD-Kamera entlang einer Maßlinie.
Die Fig. 1 zeigt von einer Kristallziehanlage eine Vaku
umkammer 1, in der ein Tiegel 2 mit einer Schmelze 3 an
geordnet ist, die einen Schmelzenspiegel 4 bildet. Der
Tiegel 2 wird von einer elektrischen Heizung 5 umschlos
sen.
Oberhalb des Schmelzenspiegels 4 erkennt man einen Impf
kristallhalter 6, der einen Impfkristall 7 trägt. Der
Impfkristallhalter 6 hängt an einem Seil 8, welches von
einer Seiltrommel 9 mehr oder minder weit abgewickelt
werden kann, so dass der Impfkristall 7 zur Schmelze 3
hin abgesenkt werden kann. Die Seiltrommel 9 wird von ei
nem Bauteil 10 gehalten, welches unter Zwischenschaltung
einer elektrischen Isolierung 11 auf die Vakuumkammer 1
aufgesetzt ist. Zum Antrieb der Seiltrommel 9 dient ein
Seilantrieb 12.
Wichtig für die Erfindung ist ein als CCD-Kamera ausge
bildeter, optischer Sensor 13, der so ausgerichtet ist,
dass er beim Absenken des Impfkristalls 7 diesen zu er
kennen vermag, sobald der Impfkristall 7 sich unmittelbar
oberhalb des Schmelzenspiegels 4 befindet. Ist das der
Fall, dann wird der Seilantrieb 12 von einem schnellen
Vorschub auf eine so geringe Vorschubgeschwindigkeit um
geschaltet, dass sich der Impfkristall 7 vor Erreichen
des Schmelzenspiegels 4 ausreichend erwärmen kann.
Zur weiteren Steuerung des Kristallziehprozesses dient
ein zweiter Sensor 14. Dieser hat eine elektrische Strom
quelle 15, von dem unter Zwischenschaltung eines Strom
sensors 16 und eines Schalters 17 eine elektrische Lei
tung 18 zu dem Bauteil 10 führt, so dass an dem Impfkris
tallhalter 6 und damit auch an dem Impfkristall 7 elek
trische Spannung anzustehen vermag. Der andere Pol der
Stromquelle 15 hat über eine Leitung 19 direkt oder indi
rekt mit dem Tiegel 2 Verbindung.
Die Stromquelle 15 und der Stromsensor 16 können über
eine Nebenschlussleitung 20, in welche ein elektrischer
Widerstand 21 und ein Prüfschalter 22 angeordnet sind,
überbrückt werden.
Die Fig. 2 zeigt den Impfkristall 7 unmittelbar vor Er
reichen des Schmelzenspiegels 4 der Schmelze 3. Einge
zeichnet wurden in Fig. 2 ein Messfenster 23, welches
von dem in Fig. 1 gezeigten optischen Sensor 13 über
wacht wird, und eine Messlinie 24, die der Impfkristall 7
in Fig. 2 gerade erreicht hat.
Die Fig. 3 zeigt den Helligkeitsverlauf entlang der
Messlinie 24 in dem Messfenster 23. Zu erkennen ist, dass
dieser Helligkeitsverlauf in einem engen Bereich sprung
artig abnimmt und anschließend entsprechend wieder auf
den alten Wert ansteigt. Dieser Helligkeitseinbruch wird
durch das in Fig. 2 gezeigte Eindringen des Impfkris
talls 7 in das Messfenster 23 verursacht.
Zur weiteren Verdeutlichung des erfindungsgemäßen Verfah
rens wird wieder auf Fig. 1 Bezug genommen. Zu Verfah
rensbeginn schließt man zunächst den Schalter 17. Wenn
dann nur ein kleiner Strom fließt, was am Stromsensor 16
zu erkennen ist, dann ist die elektrische Isolation zwi
schen dem elektrisch mit dem Impfkristall 7 in Verbindung
stehenden Bauteil 10 und dem Tiegel 2 in Ordnung. An
schließend schließt man den Prüfschalter 22 und kann da
durch erkennen, ob der Stromsensor 16 richtig arbeitet,
weil dann ein maximaler Strom durch den Stromsensor 16
fließen muss. Ist das der Fall, dann öffnet man wieder
den Prüfschalter 22. Wenn nun der optische Sensor 13 mel
det, dass die Schmelze 3 ausreichend hell und somit aus
reichend heiß ist, kann mit dem Absenken des Impfkris
talls 7 mit relativ großer Vorschubgeschwindigkeit be
gonnen werden.
Kommt es zu dem in Fig. 3 gezeigten Helligkeitseinbruch
in dem von dem optischen Sensor 13 überwachten Messfens
ter 23, dann muss sich der Impfkristall 7 sehr nahe ober
halb des Schmelzenspiegels 4 befinden. Man schaltet dann
auf eine geringere Absenkgeschwindigkeit um, so dass der
Impfkristall 7 ausreichend Zeit hat, sich genügend zu er
wärmen.
Berührt der Impfkristall 7 den Schmelzenspiegel 4, dann
kommt es zu einem Stromfluss innerhalb des Stromsensors
16, so dass diese Berührung zuverlässig feststellbar ist.
Der Impfkristall 7 wird anschließend durch weiteres Ab
senken definiert in die Schmelze 3 eingetaucht und sorg
fältig angeschmolzen. Dieser Anschmelzvorgang erfolgt so
lange, bis der Impfkristall 7 von der Schmelze 3 gut be
netzt ist und der Impfkristall 7 ringsherum von einem
hell leuchtenden Schmelz-Meniskus umgeben ist. Danach
wird mit der Kristallzüchtung begonnen, indem der Impf
kristall 7 unter Drehung langsam nach oben aus der
Schmelze 3 herausbewegt wird, wobei das geschmolzene Aus
gangsmaterial am kühleren Impfkristall 7 als Mono-Kris
tall auskristallisiert.
1
Vakuumkammer
2
Tiegel
3
Schmelze
4
Schmelzenspiegel
5
Heizung
6
Impfkristallhalter
7
Impfkristall
8
Seil
9
Seiltrommel
10
Hauteil
11
Isolierung
12
Seilantrieb
13
optischer Sensor
14
zweiter Sensor
15
Stromquelle
16
Stromsensor
17
Schalter
18
Leitung
19
Leitung
20
Nebenschlussleitung
21
Widerstand
22
Prüfschalter
23
Messfenster
24
Messlinie
Claims (8)
1. Verfahren zum automatischen Steuern einer Kristall
ziehanlage, bei dem zunächst ein Impfkristall bis in eine
sich in einem Tiegel befindlichen Schmelze abgesenkt und
anschließend mit der Geschwindigkeit des Kristallwachs
tums zur Bildung eines Kristallblockes aus der Schmelze
herausgezogen wird und bei dem zur Steuerung ein in das
Innere der Kristallziehanlage zur Schmelze hin gerichte
ter optischer Sensor dient, dadurch gekennzeichnet, dass
der optische Sensor beim Absenken des Impfkristalls zur
Gewinnung eines Sensorsignals zu einem solchen Zeitpunkt
benutzt wird, an dem sich der Impfkristall kurz oberhalb
der Schmelze befindet, dass anschließend der Impfkristall
mit einer so stark verminderten Geschwindigkeit abgesenkt
wird, dass sich der Impfkristall bis zum Eintauchen in
die Schmelze ausreichend erwärmt, und dass mittels eines
weiteren Sensors das Berührens der Schmelze durch den
Impfkristall detektiert und danach das Eintauchen und der
automatische Ziehvorgang gestartet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass als optischer Sensor eine CCD-Kamera benutzt und zur
Bildauswertung die Helligkeitsverteilung über eine Mess
linie ermittelt wird, die der Impfkristall kurz oberhalb
der Schmelze erreicht.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Berühren der Schmelze durch den
Impfkristall dadurch ermittelt wird, dass man den Tiegel
und den Impfkristall elektrisch voneinander trennt und
jeweils an eine Stromquelle anschließt und mittels eines
Stromsensors den Stromfluss zwischen dem Tiegel und dem
Impfkristall überwacht.
4. Kristallziehanlage mit einem zum Halten eines Impf
kristalls ausgebildeten Impfkristallhalter, welcher mit
tels eines Antriebs zu einer sich in einem Tiegel befind
lichen Schmelze abgesenkbar ist und die für die automati
sche Steuerung des Kristallziehvorgangs einen in das In
nere der Kristallziehanlage zur Schmelze hin gerichteten
optischen Sensor hat, dadurch gekennzeichnet, dass der
optische Sensor (13) zur Gewinnung eines Sensorsignals
bei Erreichen einer kurz oberhalb der Schmelze (3) be
findlichen Position des Impfkristalls (7) ausgebildet und
ein weiterer Sensor (14) zum Detektieren des Berührens
der Schmelze (3) durch den Impfkristall (7) vorgesehen
ist.
5. Kristallziehanlage nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass der optische Sensor (13) eine CCD-Kamera
ist, der eine elektronische Bildauswertung zur Bestimmung
der Helligkeitsverteilung über eine Messlinie (24) zuge
ordnet ist, die der Impfkristall (7) kurz oberhalb der
Schmelze (3) erreicht.
6. Kristallziehanlage nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass der weitere Sensor (14) dadurch gebildet
ist, dass der Tiegel (2) und der Impfkristall (7) elek
trisch voneinander getrennt angeordnet sind und dass eine
elektrische Stromquelle (15) einerseits eine elektrische
Leitung (18, 19) zu dem Tiegel (2), andererseits zu einem
mit dem Impfkristall (7) elektrisch in Verbindung stehen
den Bauteil (10) hat und in einer der Leitungen (18) ein
Stromsensor (16) zum Feststellen eines Stromflusses zwi
schen dem Tiegel (2) und dem Impfkristall (7) angeordnet
ist.
7. Kristallziehanlagen nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Stromquelle (15) und der Stromsensor
(16) durch eine Nebenschlussleitung (20) überbrückt sind,
in Welcher ein elektrischer Widerstand (21) und ein Prüf
schalter (22) angeordnet sind.
8. Kristallziehanlage nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, dass in einer der beiden elektrischen Leitungen
(18, 19) von der Stromquelle (15) zu dem Bauteil (10)
oder dem Tiegel (2) ein die Verbindung trennender Schal
ter (17) angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001110635 DE10110635A1 (de) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Verfahren zum automatischen Steuern einer Kristallziehanlage und Kristallziehanlage zur Durchführung dieses Verfahrens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001110635 DE10110635A1 (de) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Verfahren zum automatischen Steuern einer Kristallziehanlage und Kristallziehanlage zur Durchführung dieses Verfahrens |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10110635A1 true DE10110635A1 (de) | 2002-09-19 |
Family
ID=7676418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2001110635 Granted DE10110635A1 (de) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Verfahren zum automatischen Steuern einer Kristallziehanlage und Kristallziehanlage zur Durchführung dieses Verfahrens |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10110635A1 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD273459A1 (de) * | 1988-06-29 | 1989-11-15 | Steremat Veb | Verfahren und anordnung zur bestimmung von kristallradius, -querschnittsform und vertikaler kristallkeimposition beim kristallzuechtungsverfahren nach czochralski |
US5846318A (en) * | 1997-07-17 | 1998-12-08 | Memc Electric Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
US5888299A (en) * | 1995-12-27 | 1999-03-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for adjusting initial position of melt surface |
-
2001
- 2001-03-06 DE DE2001110635 patent/DE10110635A1/de active Granted
Patent Citations (3)
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---|---|---|---|
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