DE10104324A1 - Verfahren zum Ätz-Strukturieren der Oberfläche eines Bauteils - Google Patents
Verfahren zum Ätz-Strukturieren der Oberfläche eines BauteilsInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ätz-Strukturieren der Oberfläche eines Bauteils. DOLLAR A Um mit einem solchen Ätz-Strukturieren kostengünstig Ausnehmungen (2, 3) mit unterschiedlicher Gestalt und Abmessung herstellen zu können, wird erfindungsgemäß auf die Oberfläche des Bauteils (1) eine erste Ätzmaske (4) mit mindestens einem Ätzfenster (5) aufgebracht und diese Ätzmaske (4) mit einer Passivierungsschicht (6) überzogen. Danach wird auf die Passivierungsschicht (4) eine zweite Ätzmaske (7) mit mindestens einer Ätzöffnung (8) aufgebracht, und es wird in einem ersten Ätz-Bearbeitungsvorgang die Oberfläche des Bauteils (1) im Bereich der mindestens einen Ätzöffnung (8) ätz-bearbeitet. Anschließend wird nach Entfernen der Passivierungsschicht (4) in den Bereichen von Ätzöffnung (8) und Ätzfenster (5) beider Ätzmasken (4, 7) die Oberfläche des Bauteils (1) ätzbearbeitet. DOLLAR A Bei einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird unter Verzicht auf eine Passivierungsschicht eine erste Ätzmaske (11) mit verdünntem Bereich (12) verwendet.
Description
Es ist allgemein bekannt, dass sich die Oberfläche eines Bau
teils durch Ätzen bearbeiten lässt, beispielsweise um Ausneh
mungen in einem Glas- oder Halbleiterteil vorzusehen. Dabei
wird sowohl ein isotropes als auch anisotropes Ätzen durchge
führt.
Abhängig vom jeweiligen Einsatzzweck des Bauteils werden
Ausnehmungen unterschiedlicher Gestaltung und unterschiedli
cher Abmessungen in ein und demselben Bauteil erforderlich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Ätz-Bearbeiten der Oberfläche eines Bauteils anzugeben, mit
dem sich Ausnehmungen in der Oberfläche eines Bauteils mit
unterschiedlicher Gestalt und unterschiedlichen Abmessungen,
wie z. B. unterschiedlicher Tiefe, fertigungstechnisch
günstig herstellen lassen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Ätz-
Bearbeiten der Oberfläche eines Bauteils erfindungsgemäß auf
der Oberfläche des Bauteils eine erste Ätzmaske mit min
destens einem Ätzfenster für einen nachgeordneten Ätz-Be
arbeitungsvorgang erzeugt, die erste Ätzmaske mit einer Pas
sivierungsschicht überzogen, auf die Passivierungsschicht
eine zweite Ätzmaske mit mindestens einer Ätzöffnung für ei
nen ersten Ätz-Bearbeitungsvorgang aufgebracht, in dem ersten
Ätz-Bearbeitungsvorgang die Oberfläche des Bauteils im Be
reich der mindestens einen Ätzöffnung der zweiten Ätzmaske
ätz-bearbeitet, und anschließend nach Entfernen der Passivie
rungsschicht in dem nachgeordneten Ätzvorgang in den Bereichen
von Ätzöffnung und Ätzfenster beider Ätzmasken die
Oberfläche des Bauteils ätz-bearbeitet.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird darin gesehen, dass aufgrund der Verwendung von zwei
Ätzmasken und einer Passivierungsschicht, die alle vor dem
eigentlichen Ätz-Bearbeiten auf das Bauteil aus beispiels
weise Glas oder Halbleitermaterial aufgebracht werden, ein
Verfahren geschaffen ist, mit dem das soweit mit den Ätz
masken und der Passivierungsschicht vorbereitete Bauteil in
einer einzigen Ätz-Abfolge fertig in seiner Oberfläche behan
delt werden kann. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren muss
also der Ätz-Ablauf nicht unterbrochen werden, um womöglich
eine zweite Ätzmaske aufzubringen, nachdem mit einer ersten
Ätzmaske eine erste Oberflächenkonfiguration des Bauteils
vorgenommen worden ist. Das erfindungsgemäße Verfahren lässt
sich daher vergleichsweise kostengünstig durchführen.
Eine weitere Lösung der oben angegebenen Aufgabe besteht er
findungsgemäß in einem Verfahren zum Ätz-Strukturieren der
Oberfläche eines Bauteils, bei dem auf der Oberfläche des
Bauteils eine erste Ätzmaske mit mindestens einem verdünntem
Bereich zum Bearbeiten in einem nachgeordneten Ätz-Bearbei
tungsvorgang erzeugt wird, auf die erste Ätzmaske eine zweite
Ätzmaske mit mindestens einer Ätzöffnung für einen ersten
Ätz-Bearbeitungsvorgang aufgebracht wird, in dem ersten Ätz-
Bearbeitungsvorgang die Oberfläche des Bauteils im Bereich
der mindestens einen Ätzöffnung der zweiten Ätzmaske ätz-be
arbeitet wird, die erste Ätzmaske (14) freigelegt und in ei
nem Zwischen-Ätzschritt so bearbeitet wird, dass in dem ver
dünnten Bereich ein Ätzfenster entsteht, und anschließend in
dem nachgeordneten Ätzvorgang in den Bereichen von Ätzöffnung
und Ätzfenster beider Ätzmasken die Oberfläche des Bauteils
ätz-bearbeitet wird.
Diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist
insofern besonders vorteilhaft, als sie nicht nur mit einer
ununterbrochenen Abfolge von Ätzschritten auskommt, sondern
nur zwei Ätzmasken ohne eine Passivierungsschicht benötigt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren in beiden Ausführungsfor
men können unterschiedliche Ätz-Bearbeitungsvorgänge durchge
führt werden. Beispielsweise kann es vorteilhaft sein, in
beiden Ätz-Bearbeitungsvorgängen ein isotropes Ätzen vorzu
nehmen, wenn von der Gestalt der in der Oberfläche des Bau
teils herzustellenden Ausnehmungen Übereinstimmung im Hin
blick auf den jeweiligen Einsatzfall des Bauteils gewünscht
wird.
Ein entsprechender Vorteil ergibt sich, wenn in beiden Ätz-
Bearbeitungsvorgängen ein anisotropes Ätzen durchgeführt
wird. Hierbei lassen sich in bekannter Weise anders struktu
rierte Ausnehmungen in der Oberfläche des Bauteils erzielen
als bei der Verwendung des isotropen Ätzens.
Das erfindungsgemäße Verfahren in beiden Ausführungsformen
lässt es in vorteilhafter Weise ferner zu, dass in dem ersten
Ätz-Bearbeitungsvorgang ein isotropes und in dem zweiten Ätz-
Bearbeitungsvorgang ein anisotropes Ätzen vorgenommen wird
oder umgekehrt. Bei dieser Variante der Verfahren lassen sich
von der Struktur ganz unterschiedliche Ausnehmungen in einem
Bauteil in einem Fertigungsdurchlauf erzielen, weil die Mög
lichkeiten des isotropen und anisotropen Ätzens hier kombi
niert nacheinander zum Einsatz gelangen.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung ist in
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren an seiner Oberfläche strukturiertes Bau
teil, in
Fig. 2 eine perspektivische Sicht auf dasselbe Bauteil, in
Fig. 3 anhand von Einzeldarstellungen a bis f (Schnitt
III-III gemäß Fig. 1) der Ablauf des Ätz-Bearbei
tens nach dem erfindungsgemäßen Verfahren in einer
ersten Ausführungsform zur Erzielung des in den
Fig. 1 und 2 dargestellten Bauteils gezeigt und
in
Fig. 4 anhand von Einzeldarstellungen g bis l (Schnitt
III-III) gemäß Fig. 1 der Verfahrensablauf nach
einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens zum Herstellen des Bauteils gemäß der
Fig. 1 und 2 gezeigt.
Wie die Fig. 1 und 2 zeigen, weist ein nach dem erfin
dungsgemäßen Verfahren hergestelltes Bauteil 1 eine erste
Rille 2 und eine zweite Rille 3 auf, die in dem dargestellten
Beispiel fluchtend ineinander übergehen. Die erste Rille 2
ist verhältnismäßig breit und tief ausgeführt, während die
zweite Rille 3 schmal und relativ flach ausgebildet ist.
Um ein in dieser Weise an seiner Oberfläche ätz-bearbeitetes
Bauteil 1 zu erzeugen, wird - wie die Darstellung a der Fig.
3 zeigt - auf das Bauteil 1 zunächst eine erste Ätzmaske 4
aufgebracht, in der ein Ätzfenster 5 an der Stelle erzeugt
wird, wo später die zweite Rille 3 erzeugt werden soll. Auf
die erste Ätzmaske 4 ist eine Passivierungsschicht 6 aufge
bracht, die aus einem anderen Material als die erste Ätzmaske
4 besteht; im Falle eines Bauteils aus Silizium kann die
erste Ätzmaske aus Siliziumoxid und die Passivierungsschicht
aus Si3N4 bestehen. Die Passivierungsschicht 6 überzieht so
wohl die erste Ätzmaske 4 als auch das Ätzfenster 5 dieser
Ätzmaske. Schließlich ist auf die Passivierungsschicht 6 eine
zweite Ätzmaske 7 aufgebracht, die beispielsweise aus einem
Lack bestehen kann. Diese zweite Ätzmaske 7 erhält eine
Ätzöffnung 8 an der Stelle, wo später in das Bauteil 1 die
erste Rille 2 mit vergleichsweise großen Abmessungen gebildet
werden soll. Ist das an seiner Oberfläche durch Ätzen zu
bearbeitende Bauteil 1 soweit mit Ätzmasken 4 und 7 und
Passivierungsschicht 6 versehen, wie es die Darstellung a der
Fig. 3 zeigt, dann werden - wie es die Darstellung b der
Fig. 3 wiedergibt - in einem ersten Ätz-Schritt die zweite
Ätzmaske 7 und die unterhalb der Ätzöffnung 8 dieser Ätzmaske
liegenden Bereiche der Passivierungsschicht 6 und der ersten
Ätzmaske 4 abgetragen, so dass das Bauteil 1 im Bereich
unterhalb der Ätzöffnung 8 für das Ätzmedium des nächsten
Ätzschrittes zugänglich ist. Das Ätzmedium kann dabei sowohl
ein Plasma (Trockenätzen) als auch eine Ätzflüssigkeit
(Nassätzen) sein.
Danach erfolgt - wie die Darstellung c zeigt - ein isotropes
Ätzen, wobei die erste Rille 2 teilweise gebildet wird.
Figur d lässt erkennen, dass danach die Passivierungsschicht
6 abgetragen wird, so dass nunmehr das Ätzfenster 5 der ers
ten Ätzmaske 4 frei zum Angriff für ein Ätzmedium liegt.
Durch ein weiteres anschließendes Ätzen wird - wie die Dar
stellung e der Fig. 3 wiedergibt - in dem Bauteil 1 die
zweite Rille 3 (teilweise) gebildet und dabei gleichzeitig
die erste Rille 2 vergrößert.
Wie die Figur f zeigt, wird das isotrope Ätzen solange fort
gesetzt, bis die beiden Rillen 2 und 3 ineinander übergehen,
wodurch ein Kanal aus zwei Rillen 2 und 3 mit unterschiedli
chen Abmessungen gebildet ist.
Werden zwei in dieser Weise hergestellte Bauteile 1, mit ih
ren bearbeiteten Oberflächen einander zugewandt, miteinander
beispielsweise durch Bonden verbunden, dann entsteht ein
Bauelement, das einen inneren Kanal aufweist, in dem durch
die erste Rille 2 im Vergleich zur zweiten Rille einen ver
größerten Durchmesser aufweist, so dass in die erste Rille 2
ein nicht gezeigtes äußeres Anschlussrohr eingebracht werden,
dessen Innendurchmesser in strömungstechnisch günstiger Weise
dem Durchmesser der zweiten Rille 3 entspricht.
Es ist ohne weiteres verständlich, dass mit dem erfindungs
gemäßen Verfahren nicht nur ein isotropes Ätzen vorgenommen
werden kann, sondern auch ein anisotropes Ätzen in Kombina
tion mit einem isotropen Ätzen. Dies ist beispielsweise dann
zweckmäßig, wenn die zweite Ätzmaske 7 zwei im Abstand von
einander angeordnete, fluchtend zueinanderliegende Ätzöffnun
gen entsprechend der Ätzöffnung 8 aufweist und dazwischen die
erste Ätzmaske 4 ein Ätzfenster entsprechend dem Ätzfenster 5
aufweist. Es können dann durch isotropes Ätzen zunächst zwei
gleich bemessene Rillen entsprechend der Rille 2 nach den
Fig. 1 und 2 gebildet werden und anschließend durch
anisotropes Ätzen durch das Ätzfenster der ersten Ätzmaske
eine schmale Verbindungsrinne erzeugt werden, die dann wie
derum eine Engstelle bildet, mit der eine Druckdifferenz zur
Messung des Durchflusses gebildet werden kann.
Die Darstellung g der Fig. 4 lässt erkennen, dass auf das
Bauteil 11 eine erste Ätzmaske 12 z. B. aus Siliziumoxid oder
Siliziumnitrid bei einem Bauteil aus Silizium aufgebracht
wird, in der ein verdünnter Bereich 13 an der Stelle erzeugt
wird, wo später die zweite Rille 3 gebildet werden soll. Auf
die erste Ätzmaske 12 ist eine zweite Ätzmaske 14, z. B. aus
Fotolack, aufgebracht. Diese zweite Ätzmaske 14 erhält eine
Ätzöffnung 18 an der Stelle, wo später in dem Bauteil 11 die
erste Rille 2 mit vergleichsweise großen Abmessungen gebildet
werden soll. Ist das an seiner Oberfläche durch Ätzen zu
strukturierende Bauteil 11 soweit mit den Ätzmasken 12 und 14
versehen, wie es die Darstellung g der Fig. 4 zeigt, dann
wird - wie es die Darstellung h der Fig. 4 wiedergibt - in
einem ersten Ätzschritt die zweite Ätzmaske 14 und die unter
halb der Ätzöffnung 18 dieser Ätzmaske liegenden Bereiche der
ersten Ätzmaske 12 abgetragen, so dass das Bauteil 11 im
Bereich unterhalb der Ätzöffnung 18 für das Ätzmedium des
nächsten Ätzschrittes zugänglich ist. Das Ätzmedium kann da
bei sowohl ein Plasma (Trockenätzen) als auch eine Ätzflüs
sigkeit (Nassätzen) sein.
Danach erfolgt - wie die Darstellung i zeigt - ein isotropes
Ätzen, wobei die erste Rille 2 teilweise gebildet wird.
Figur j lässt erkennen, dass danach die zweite Ätzmaske 14
abgetragen wird, so dass nunmehr der verdünnte Bereich 13 der
ersten Ätzmaske frei liegt; es wird die erste Ätzmaske 12 nun
in einem Ätz-Zwischenschritt soweit abgeätzt, bis das Mate
rial im verdünnten Bereich 13 vollkommen abgetragen ist und
dort nunmehr ein Ätzfenster 15 gebildet ist.
Die weiteren Verfahrensschritte gemäß den Darstellungen k
und l der Fig. 4 entsprechen den Schritten e und f nach
Fig. 3.
Claims (5)
1. Verfahren zum Ätz-Strukturieren der Oberfläche eines Bau
teils (1), bei dem
auf der Oberfläche des Bauteils (1) eine erste Ätzmaske (4) mit mindestens einem Ätzfenster (5) für einen nachge ordneten Ätz-Bearbeitungsvorgang erzeugt wird,
die erste Ätzmaske (4) mit einer Passivierungsschicht (6) überzogen wird,
auf die Passivierungsschicht (6) eine zweite Ätzmaske (7) mit mindestens einer Ätzöffnung (8) für einen ersten Ätz- Bearbeitungsvorgang aufgebracht wird,
in dem ersten Ätz-Bearbeitungsvorgang die Oberfläche des Bauteils (1) im Bereich der mindestens einen Ätzöffnung (8) der zweiten Ätzmaske (7) ätz-bearbeitet wird und
anschließend nach Entfernen der Passivierungsschicht (6) in dem nachgeordneten Ätzvorgang in den Bereichen von Ätz öffnung (8) und Ätzfenster (5) beider Ätzmasken (4, 7) die Oberfläche des Bauteils (1) ätz-bearbeitet wird.
auf der Oberfläche des Bauteils (1) eine erste Ätzmaske (4) mit mindestens einem Ätzfenster (5) für einen nachge ordneten Ätz-Bearbeitungsvorgang erzeugt wird,
die erste Ätzmaske (4) mit einer Passivierungsschicht (6) überzogen wird,
auf die Passivierungsschicht (6) eine zweite Ätzmaske (7) mit mindestens einer Ätzöffnung (8) für einen ersten Ätz- Bearbeitungsvorgang aufgebracht wird,
in dem ersten Ätz-Bearbeitungsvorgang die Oberfläche des Bauteils (1) im Bereich der mindestens einen Ätzöffnung (8) der zweiten Ätzmaske (7) ätz-bearbeitet wird und
anschließend nach Entfernen der Passivierungsschicht (6) in dem nachgeordneten Ätzvorgang in den Bereichen von Ätz öffnung (8) und Ätzfenster (5) beider Ätzmasken (4, 7) die Oberfläche des Bauteils (1) ätz-bearbeitet wird.
2. Verfahren zum Ätz-Strukturieren der Oberfläche eines Bau
teils (1), bei dem
auf der Oberfläche des Bauteils (11) eine erste Ätzmaske (12) mit mindestens einem verdünnten Bereich (13) zum Be arbeiten in einem nachgeordneten Ätz-Bearbeitungsvorgang erzeugt wird,
auf die erste Ätzmaske (12) eine zweite Ätzmaske (14) mit mindestens einer Ätzöffnung (18) für einen ersten Ätz-Be arbeitungsvorgang aufgebracht wird,
in dem ersten Ätz-Bearbeitungsvorgang die Oberfläche des Bauteils (11) im Bereich der mindestens einen Ätzöffnung (18) der zweiten Ätzmaske (14) ätz-bearbeitet wird,
die erste Ätzmaske (12) freigelegt und in einem Zwischen- Ätzschritt soweit abgedünnt wird, dass in dem verdünnten Bereich ein Ätzfenster (15) entsteht, und
anschließend in dem nachgeordneten Ätzvorgang in den Be reichen von Ätzöffnung (18) und Ätzfenster (15) beider Ätzmasken (14, 17) die Oberfläche des Bauteils (11) ätz- bearbeitet wird.
auf der Oberfläche des Bauteils (11) eine erste Ätzmaske (12) mit mindestens einem verdünnten Bereich (13) zum Be arbeiten in einem nachgeordneten Ätz-Bearbeitungsvorgang erzeugt wird,
auf die erste Ätzmaske (12) eine zweite Ätzmaske (14) mit mindestens einer Ätzöffnung (18) für einen ersten Ätz-Be arbeitungsvorgang aufgebracht wird,
in dem ersten Ätz-Bearbeitungsvorgang die Oberfläche des Bauteils (11) im Bereich der mindestens einen Ätzöffnung (18) der zweiten Ätzmaske (14) ätz-bearbeitet wird,
die erste Ätzmaske (12) freigelegt und in einem Zwischen- Ätzschritt soweit abgedünnt wird, dass in dem verdünnten Bereich ein Ätzfenster (15) entsteht, und
anschließend in dem nachgeordneten Ätzvorgang in den Be reichen von Ätzöffnung (18) und Ätzfenster (15) beider Ätzmasken (14, 17) die Oberfläche des Bauteils (11) ätz- bearbeitet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
in beiden Ätz-Bearbeitungsvorgängen ein isotropes Ätzen
vorgenommen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
in beiden Ätz-Bearbeitungsvorgängen ein anisotropes Ätzen
durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
in dem ersten Ätz-Bearbeitungsvorgang ein isotropes und in
dem zweiten Ätz-Bearbeitungsvorgang ein anisotropes Ätzen
vorgenommen wird oder umgekehrt.
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Citations (3)
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JPS579663A (en) * | 1980-05-30 | 1982-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | Reeled roll diameter arithmetic unit |
JPS57100733A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Fujitsu Ltd | Etching method for semiconductor substrate |
EP0418423A1 (de) * | 1989-09-22 | 1991-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silizium |
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2001
- 2001-01-24 DE DE2001104324 patent/DE10104324A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
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