DE10102183A1

DE10102183A1 - Siebelektrode zur Anbindung an einen Nervenstumpf

Info

Publication number: DE10102183A1
Application number: DE10102183A
Authority: DE
Inventors: Thomas Sieglitz; Joerg-Uwe Meyer; Martin Schuettler; Thomas Brinker
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date: 2001-01-11
Filing date: 2001-01-18
Publication date: 2002-07-25
Anticipated expiration: 2021-01-19
Also published as: DE10102183B4

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Siebelektrode zur Anbindung an einen Nervenstumpf, die sich aus einem dünnen flexiblen Substrat mit einer Vielzahl von Durchgangsöffnungen für Nervenfasern, mehreren an Durchgangsöffnungen vorgesehenen Elektroden sowie zumindest einer Gegenelektrode zusammensetzt. Das Substrat weist am Rand hervorstehende Laschen zur Fixierung des Substrates an einer Stirnfläche des Nervenstumpfes auf, die gleichzeitig als Träger für die Gegenelektrode dienen. DOLLAR A Mit dieser Siebelektrode wird eine neurotechnologische Schnittstelle bereitgestellt, die eine schädigungsarme Kontaktierung des Nervenstumpfes bei einer maximal ausnutzbaren Fläche für Durchgangsöffnungen aufweist.

Description

Technische Adwendungsgebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Siebelektrode zur Anbindung an einen Nervenstumpf, die sich aus einem dünnen flexiblen Substrat mit einer Vielzahl von Durchgangsöffnungen für Nervenfasern und mehreren Elektroden, die an zumindest einigen der Durchgangsöffnungen auf dem Substrat angeordnet und über Leiterbahnen auf dem Substrat elektrisch kontaktierbar sind, sowie aus zumindest einer von den Durchgangsöffnungen beabstandeten Gegenelektrode zusammensetzt, wobei das Substrat am Rand hervor stehende Laschen zur Fixierung des Substrates an einer Stirnfläche des Nervenstumpfes aufweist.

Derartige Siebelektroden können insbesondere auf dem Gebiet der Neuroprothetik eingesetzt werden. Gegenstand der Neuroprothetik ist einerseits die Steuerung von Organen durch elektrische Stimulation von Nerven mittels technischer Vorrichtungen und anderer seits die Nutzung körpereigener Nervensignale zur Steuerung technischer Prothesen und anderer Hilfs mittel. Für die Realisierung dieser Aufgaben sind neurotechnologische Schnittstellen, d. h. Schnitt stellen zwischen körpereigenen Nerven und technischen Vorrichtungen, erforderlich, über die die Nerven stimuliert bzw. Nervensignale abgeleitet werden können. So kann mittels abgeleiteter Nervensignale beispiels weise eine technische Prothese in Form einer künstlichen Gliedmaße zur Ausführung einer Bewegung angesteuert werden oder der momentane technische Zustand der Prothese, beispielsweise über einen aktuellen Wert für einen ausgeübten Druck, eine ausgeübte Kraft, einen Stellweg und/oder einen Stellwinkel, über geeignete Stimulation der Nerven an den Patienten zurück gemeldet werden. Die Siebelektrode der vorliegenden Erfindung bildet eine neurotechno logische Schnittstelle für einen derartigen Einsatz.

Stand der Technik

Die Möglichkeit der Steuerung von künstlichen Gliedmaßen durch Signale von Nerven, die nach einer Amputationsverletzung übrig geblieben sind, wird seit längerer Zeit untersucht. Ziel dieser Untersuchungen ist es u. a., ein geeignetes Implantat bereitzustellen, das den Nervenstumpf kontaktiert sowie die Nerven signale erfasst und durch drahtlose Kommunikation an die künstliche Gliedmaße weiterleitet, so dass der Implantatträger über seine Nervensignale die Prothese steuern kann. Eine derartige Anwendung ist als Beispiel in Fig. 1 schematisch dargestellt. Die Figur zeigt im Körper eines Patienten einen Nerv 10, der aufgrund einer Amputation des Unterarmes abgetrennt wurde. Am proximalen Nervenstumpf ist eine Ankopplungs schnittstelle 9 fixiert, beispielsweise in Form einer Siebelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung, die mit einem weiteren Implantat 12 zur telemetrischen Signal- und Energieübertragung über ein Kabel verbunden ist. Dieses Implantat 12 ist mit einer Antenne ausgestattet und kommuniziert mit einem entsprechenden weiteren Implantat in der künstlichen Gliedmaße 13, die den Unterarm ersetzt. In der Gliedmaße 13 ist neben einer Energieversorgung und Antriebseinheiten eine Steuerung vorgesehen, die auf Basis der empfangenen Nervensignale die Antriebseinheiten zur Bewegung der Gliedmaße ansteuert. Ein Hauptproblem bei einer derartigen Anwendung stellt eine stabile, funktionale und schädigungsfreie Ankopplung einer technischen Struktur, wie die der Schnittstelle 9, an den Nervenstumpf der Amputationsstelle dar.

Aus dem Stand der Technik sind bereits Ausgestal tungsformen derartiger Schnittstellen, insbesondere in Manschettenform oder als Siebelektroden, bekannt. Ansätze zur Realisierung der neurotechnologischen Schnittstelle in Form einer Siebelektrode werden seit Anfang der 80er Jahre des letzten Jahrhunderts untersucht. Diese Siebelektroden bestehen aus einem Substrat mit einer Vielzahl von Durchgangslöchern, sog. Sieblöchern, durch die hindurch nach der Implantation dieses Siebes im Bereich des Nervenstumpfes die Nerven fasern (Axone) regenerieren. Die mikromechanisch realisierten Siebelektroden werden in der Regel aus Silizium oder Polyimid als Substratmaterial herge stellt. Ringförmige Einzelelektroden um die Sieblöcher dienen zur Ableitung von Nervensignalen oder zur elektrischen Stimulation der Nervenfasern.

Die Problematik der Kontaktierung der einzelnen Elektroden der Siebelektrode wurde inzwischen durch monolithische Integration von Leiterbahnen und Kabelzuführungen in die mikromechanisch hergestellte Struktur gelöst.

Ein Beispiel für eine Siebelektrode mit monolithisch integrierter Zuführung wird in T. Stieglitz et al., Sensors and Actuators A 60 (1997), Seiten 240-243, angeführt. Diese bekannte Sieb elektrode weist in üblicher Weise ein dünnes Substrat mit einer Vielzahl von Durchgangsöffnungen auf, von denen einige von auf dem Substrat integrierten Ring elektroden umschlossen sind. Die Ringelektroden sind über Leiterbahnen auf dem Substrat kontaktiert, die über eine einstückig mit dem Substrat ausgebildete Zuführung zu entfernten Anschlusspads verlaufen. Die Zuführung wird bei Implantation der Siebelektrode bis an die Körperoberfläche geführt, so dass die Anschluss pads und somit die einzelnen Elektroden von dort kontaktierbar sind. Die für die Funktion diese Systems erforderliche Gegenelektrode ist bei dieser bekannten Siebelektrode großflächig am äußeren Rand des Substrates ausgebildet und nimmt dabei eine Fläche ein, die einem mehrfachen der Gesamtfläche der Ring elektroden entspricht. Die Fixierung der Siebelektrode am Nervenstumpf erfolgt über einen fest mit dem Substrat verbundenen und senkrecht zur Substratfläche verlaufenden starren Führungskanal, der bei der Implantation über den Nervenstumpf geschoben und dort befestigt wird.

Eine derartige Ausgestaltung der Siebelektrode hat jedoch zum einen den Nachteil, dass der Führungskanal das Gewicht der gesamten Mikrostruktur erhöht und zudem zu einer mechanischen Schädigung der Nerven beitragen kann. Zum anderen nimmt die Gegenelektrode eine erhebliche Fläche auf dem Substrat ein, die nicht mehr für Durchgangsöffnungen zur Regeneration der Nerven fasern zur Verfügung steht. An der Stelle der Gegen elektrode ist keine Durchsprossung der Nervenfasern möglich.

Aus dem Abschlussbericht "Neuronen-Mikrosonde", Teilprojekt "Nervenzellkultur", für das BMBF vom 02.09.1999 ist eine weitergebildete Siebelektrode bekannt, bei der das Substrat am Rand hervortretende Laschen aufweist, über die das Substrat am Nervenstumpf fixierbar ist. Diese Laschen können über darin vorgesehene Durchgangsöffnungen am Nervenstumpf angenäht werden, so dass der Einsatz von relativ starren Führungskanälen vermieden wird, die zu einer Schädigung der Nerven führen können.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Siebelektrode zur Anbindung an einem Nervenstumpf als neurotechnologische Schnittstelle bereitzustellen, die eine schädigungsarme Kontaktierung des Nervenstumpfes ermöglicht und eine große ausnutzbare Fläche für die Durchsprossung der Nervenfasern aufweist.

Darstellung der Erfindung

Die Aufgabe wird mit der Siebelektrode gemäß dem geltenden Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Siebelektrode sind Gegenstand der Unteransprüche.

Die vorliegende Siebelektrode zur Anbindung an einen Nervenstumpf setzt sich aus einem dünnen flexiblen Substrat mit einer Vielzahl von Durchgangs öffnungen für Nervenfasern und mehreren Elektroden, die an zumindest einigen der Durchgangsöffnungen auf dem Substrat angeordnet und über Leiterbahnen auf dem Substrat elektrisch kontaktierbar sind, sowie aus zumindest einer von den Durchgangsöffnungen beab standeten Gegenelektrode zusammen. Das Substrat weist hierbei am Rand hervorstehende Laschen zur Fixierung des Substrates an einer Stirnfläche des Nervenstumpfes auf. Die vorliegende Siebelektrode zeichnet sich dadurch aus, dass die zumindest eine Gegenelektrode nicht auf dem Substrat, sondern auf zumindest einer der Laschen aufgebracht ist.

Durch diese Ausgestaltung wird eine neuartige Siebelektrode zur elektrischen Ankopplung an Nerven endigungen bereitgestellt, die durch Amputations verletzungen von Gliedmaßen und/oder sonstigen Zerstörungen von Nerven ihren Kontakt zum Zielorgan verloren haben. Durch die am Substrat vorgesehenen Laschen, die erfindungsgemäß gleichzeitig als Träger für die Gegenelektrode(n) dienen, wird eine einfache Befestigungsmöglichkeit der Siebelektrode an dem oberhalb der Verletzungsstelle liegenden Nervenstumpf erreicht. Die Laschen erlauben aufgrund ihrer Flexibilität eine schädigungsarme Kontaktierung des Nervenstumpfes. Durch die Integration der Gegen elektrode(n) auf den Laschen steht die volle Substrat fläche für die Anordnung der Durchgangsöffnungen zur Verfügung, so dass gleichzeitig das Verhältnis der Öffnungsfläche der Durchgangsöffnungen zur Substrat fläche maximiert wird, da kein Raum für großflächige Gegenelektroden auf dem Substrat reserviert werden muss. Durch die Anordnung der Gegenelektroden auf den Laschen wird die elektrische Feldverteilung auf die unmittelbare Elektrodennähe fokussiert.

In einer bevorzugten Ausführungsform enthält diese durch die Siebelektrode bereitgestellte Schnittstelle neben den als Laschen ausgebildeten Befestigungs strukturen und sämtlichen Elektrodenstrukturen, d. h. den Ableit- bzw. Stimulationselektroden sowie den Gegenelektroden, auch die elektrischen Leitungen, die zur elektrischen Kontaktierung der Elektroden und damit der Nervenfasern einerseits und zur elektrischen Verbindung mit einer telemetrischen Energie- und Signalübertragungseinheit andererseits, wie sie beispielsweise in Fig. 1 schematisch dargestellt ist, oder mit einer Ansteuer- bzw. Auswerteeinheit außerhalb des Körpers erforderlich sind.

Durch die vorzugsweise monolithische Integration der Fixationslaschen, Elektroden, Gegenelektroden und der Zuführung mit den elektrischen Leitern in einer leichtgewichtigen, flexiblen Mikrostruktur wird eine schädigungsarme neurochirurgische Fixation am Epineurium des Nerven ermöglicht.

Vorzugsweise ist nicht nur auf einer der Laschen eine Metallisierungsfläche als Gegenelektrode angeordnet, sondern auf mehreren Laschen, insbesondere durch Anordnung je einer Gegenelektrode auf jeder der Laschen. In einer bevorzugten Ausführungsform sind diese mehreren über die Laschen verteilten Gegen elektroden zu einer einzigen Ringelektrode verschaltet, die sich somit um den gesamten Nerv herum erstreckt. Durch eine derartige Ausbildung wird ein Potential gradient in Richtung des Nerven zwischen den auf dem Sieb befindlichen Ringelektroden um die Durchgangs öffnungen bzw. Sieblöcher und dieser Ring-Gegen elektrode erzeugt. Durch die symmetrische Anordnung hinsichtlich des Nervenstumpfes werden bei der Ansteuerung der Nervenfasern bzw. der Abnahme der Nervensignale gute Ergebnisse erzielt.

Die Laschen als Träger für die Gegenelektroden und zur gleichzeitigen Fixierung der Siebelektrode am Nervenstumpf sind vorzugsweise einstückig mit dem Substrat ausgebildet, d. h. aus dem gleichen Substratkörper gebildet. Es versteht sich von selbst, dass diese Laschen für ihre bestimmungsgemäße Funktion der Fixierung gegenüber der Substratfläche abwinkelbar sein müssen. Vorzugsweise wird die Siebelektrode vor deren Implantation bereits mit abgewinkelten Laschen bereitgestellt, die sich beispielsweise annähernd senkrecht zur Substratfläche erstrecken können.

In der bevorzugten Ausführungsform ist das Substrat einstückig mit einer Zuführung verbunden, auf der die von den Elektroden und der Gegenelektrode ausgehenden Leiterbahnen bis an einen äußeren Anschluss fortgeführt werden. Die Zuführung ist vorzugsweise als dünnes schmales Band mit aufgebrachten Leiterbahnen ausgestaltet und in einer Ausführungsform der vorliegenden Siebelektrode gegenüber der Substratfläche abgewinkelt.

Die Elektroden auf dem Substrat sind vorzugsweise als Ringelektroden um die Durchgangsöffnungen herum ausgebildet, wie dies aus dem Stand der Technik bekannt ist. Selbstverständlich können diese auch in anderer Form z. B. als punktförmige Elektroden zwischen den Löchern angeordnet sein. Die Anzahl der gegebenenfalls als Ringelektroden ausgebildeten Elektroden ist von der jeweiligen Anwendung abhängig und kann von einigen wenigen bis zu einer Anzahl entsprechend der der Durchgangsöffnungen variieren. Das Substrat selbst sowie dessen Dimensionen und die Dimensionen der Zuführung können vergleichbar gewählt werden, wie dies aus der eingangs genannten Veröffentlichung von Stieglitz et al. bekannt ist. Das Gleiche gilt für die Dimensionen der Durchgangsöffnungen, die Dicke und das Material des Substrates und der Zuführung. Vorzugsweise sind die Durchgangsöffnungen auf der Substratfläche jedoch entsprechend einer hexagonalen Struktur angeordnet, da dies bei gegebenem Durchmesser und Abstand dieser Öffnungen zu einer maximalen Anzahl von Durchgangsöffnungen auf dem Substrat führt.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Figuren nochmals kurz erläutert. Hierbei zeigen:

Fig. 1 schematisch ein Beispiel für eine Anwendung einer neurotechnologischen Schnittstelle gemäß der vorliegenden Erfindung zur Kommunikation mit einer künstlichen Gliedmaße;

Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Siebelektrode in schematischer Darstellung; und

Fig. 3 eine beispielhafte Verschaltung der Elektroden der Siebelektrode der Fig. 2.

Wege zur Ausführung der Erfindung

Die Anordnung der Fig. 1, die eine mögliche Anwendung der flexiblen Siebelektrode gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, wurde bereits im Zusammenhang mit den Bestrebungen des Standes der Technik erläutert.

Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform der erfin dungsgemäßen Siebelektrode in schematischer Darstellung. In der Figur ist das dünne flexible Substrat 1 der Siebelektrode zu erkennen, das eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 2 für die Durch sprossung von Nervenfasern aufweist. Als Substrat material sowie zur Isolation der auf diesem Substrat 1 integrierten Leiterbahnen (nicht dargestellt) und Elektroden wird im vorliegenden Ausführungsbeispiel Polyimid eingesetzt. An einzelnen Durchgangsöffnungen 2 im Substrat 1 sind Ringelektroden 3 vorgesehen, die über die nicht dargestellten Leiterbahnen elektrisch kontaktierbar sind. An dem Substrat 1 sind annähernd rechtwinklig abgewinkelte Laschen 6 zur Fixation der gesamten Siebelektrode an einem Nervenstumpf 11 zu erkennen. In den Laschen befinden sich Löcher 8, die ein Durchführen von chirurgischem Nahtmaterial zum Annähen der Laschen 6 am Nervenstumpf 11 ermöglichen. In die Laschen 6 sind Gegenelektroden 4 integriert, die ebenfalls über nicht dargestellte Leiterbahnen in den Laschen 6 und dem Substrat 1 kontaktierbar sind.

Die Figur zeigt weiterhin eine einstückig mit dem Substrat 1 verbundene Zuleitung bzw. Zuführung 7, in der die zu den Elektroden 3 bzw. Gegenelektroden 4 führenden Leiterbahnen bis zu einem nicht dargestellten äußeren Anschluss weitergeführt werden. Diese Zuleitung 7 ist in diesem Beispiel in gleicher Weise wie die Laschen 6 gegenüber der Substratfläche um etwa 90° abgewinkelt und kann ebenfalls am Nervenstumpf 11 angenäht werden. Selbstverständlich kann diese Zuleitung 7 jedoch auch in einer anderen Richtung vom Substrat 1 weggeführt werden. Am Ende der Zuleitung sind Anschlussflächen oder ein Steckerkontakt zur externen Kontaktierung der Siebelektrode vorgesehen. Leiterbahnen 5 und Elektroden 3, 4 bestehen aus einer Dünnfilmmetallisierung, wobei die Leiterbahnen 5 und die nicht dargestellten Anschlusskontakte beispiels weise aus Gold, die Ring- 3 und Gegenelektroden 4 z. B. aus Platin oder Iridium (-oxid) bestehen können.

Die Ringelektroden 3 können gleichmäßig verteilt oder auch nur in bestimmten Bereichen auf der Siebfläche, d. h. der Oberfläche des Substrates 1, um die Durchgangsöffnungen 2 herum angeordnet sein.

Das Substrat 1, das in diesem Beispiel aus einer Polyimid-Folie gebildet ist, kann beispielsweise einen Durchmesser von ca. 2 mm sowie eine Dicke von etwa 10 µm aufweisen. Die Durchgangsöffnungen bzw. Durchgangs löcher können hierbei etwa 40 µn Durchmesser aufweisen. Das Aufbringen und Strukturieren der Metallschichten für die Elektroden und Leiterbahnen kann beispielsweise durch Sputtern und einen Lift-Off-Prozess erfolgen. Zum Freiätzen der Elektroden 3, zur Strukturierung der Löcher 2 und zur Separation der Gesamtstrukturen kann die Technik des reaktiven Ionenätzens (RIE) eingesetzt werden. Selbstverständlich sind dem Fachmann aus der Halbleitertechnologie auch andere Techniken zur Bereitstellung einer derartigen Struktur bekannt.

Zum Abwinkeln der Laschen 6, die einstückig mit dem Substrat 1 ausgebildet sind, kann das Substrat beispielsweise in ein dafür vorgesehenes Werkzeug eingeführt werden, das die Laschen 6 beim Schließen umbiegt. Im geschlossenem Zustand wird dieses System dann in einen Ofen eingebracht und dort für ca. 1 Stunde bei etwa 300°C getempert. Dadurch kommt es zu einer dauerhaften plastischen Verformung des Polyimids, aus dem das Substrat 1 und die Laschen 6 gebildet sind, so dass die Laschen nach Abkühlung in der gewünschten abgewinkelten Form verbleiben.

Fig. 3 zeigt schließlich stark schematisiert die gleiche Anordnung wie die der Fig. 2 mit einer möglichen Verschaltung der beispielhaft dargestellten sechs Ringelektroden 3 und vier Gegenelektroden 4. Selbstverständlich verlaufen die Leiterbahnen 5, 14 für diese Verschaltung jedoch auf dem Substrat 1 bzw. in den Laschen 6. Bei diesem Beispiel wird eine Verschaltung 14 der Gegenelektroden 4 zu einer einzelnen Ringelektrode gezeigt. Die Gegenelektroden 4 werden hierfür auf der Siebstruktur zusammengeschaltet und mit einem einzigen Kontakt über die Zuführung 7 herausgeführt. Sie können durch geeignete externe Ansteuerung über die Zuführung 7 bei der elektrischen Stimulation und/oder der Ableitung von Nervensignalen gegen einzelne Ringelektroden 3 oder auch gleichzeitig gegen mehrere Ringelektroden 3 verschaltet werden.

BEZUGSZEICHENLISTE

1

flexibles Substrat

2

Durchgangsöffnungen, Sieblöcher

3

Ableit- bzw. Ansteuerelektroden

4

Gegenelektroden

5

Leiterbahnen

6

flexible Laschen

7

flexible Zuführung

8

Durchgangsöffnungen an den Laschen

9

Ankopplungsschnittstelle am Nervenstumpf

10

Nerv

11

Nervenstumpf

12

Implantat mit telemetrischer Signal- und Energieübertragung

13

künstliche Gliedmaße

14

Verbindungsleitung

Claims

1. Siebelektrode zur Anbindung an einen Nervenstumpf, die sich aus einem dünnen flexiblen Substrat (1) mit einer Vielzahl von Durchgangsöffnungen (2) für Nervenfasern und mehreren Elektroden (3), die an zumindest einigen der Durchgangsöffnungen (2) auf dem Substrat (1) angeordnet und über Leiterbahnen (5) auf dem Substrat (1) elektrisch kontaktierbar sind, sowie aus zumindest einer von den Durch gangsöffnungen (2) beabstandeten Gegenelektrode (4) zusammen setzt, wobei das Substrat (1) am Rand hervorstehende Laschen (6) zur Fixierung des Substrates (1) an einer Stirnfläche des Nervenstumpfes aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Gegenelektrode (4) auf zumindest einer der Laschen (6) aufgebracht ist.

2. Siebelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf mehreren Laschen (6) Gegenelektroden (4) aufgebracht sind.

3. Siebelektrode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektroden (4) auf den Laschen (6) zu einer Ringelektrode verschaltet sind.

4. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als elektrische Zuleitungen zu den Gegenelektroden (4) Leiterbahnen (5) auf den Laschen (6) und dem Substrat (1) ausgebildet sind.

5. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Laschen (6) einstückig mit dem Substrat (1) ausgebildet sind.

6. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Laschen (6) gegenüber der Substratfläche abgewinkelt sind.

7. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) mit einer Zuführung (7) verbunden ist, über die eine elektrische Verbindung über die Leiterbahnen (5) zu den Elektroden (3) und der Gegenelektrode (4) hergestellt wird.

8. Siebelektrode nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuführung (7) aus einem dünnen Band mit Leiterbahnen besteht, das einstückig mit dem Substrat (1) ausgebildet ist.

9. Siebelektrode nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuführung (7) gegenüber der Substratfläche abgewinkelt ist.

10. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (3) als Ringelektroden um die Durchgangsöffnungen (2) ausgebildet sind.

11. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (3), Gegenelektroden (4) und Leiterbahnen (5) in das Substrat (1) bzw. die Laschen (6) integriert sind.

12. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Laschen (6) zumindest eine Durchgangs öffnung (8) aufweisen, über die die Laschen (6) an den Nervenstumpf angenäht werden können.

13. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) scheibenförmig ausgebildet ist.

14. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) eine Dicke von ca. 10 µm oder darunter aufweist.

15. Siebelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchgangsöffnungen (2) in einer hexagonalen Struktur im Substrat (1) angeordnet sind.