DE1008416B - Verfahren zur Herstellung von Flaechentransistoren - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Flaechentransistoren

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DE1008416B
DE1008416B DEW13173A DEW0013173A DE1008416B DE 1008416 B DE1008416 B DE 1008416B DE W13173 A DEW13173 A DE W13173A DE W0013173 A DEW0013173 A DE W0013173A DE 1008416 B DE1008416 B DE 1008416B
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DE
Germany
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layer
semiconductor
crystal
germanium
thickness
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Pending
Application number
DEW13173A
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German (de)
English (en)
Inventor
Richard Leon Longini
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Westinghouse Electric Corp
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1104074B (de) * 1957-07-30 1961-04-06 Telefunken Gmbh Verfahren zum Zerschneiden eines Halbleiter-Einkristalles, z. B. aus Germanium, fuer Halbleiter-anordnungen in duenne Scheiben, deren Schnittflaechen senkrecht zu einer gewuenschten Kristallachse liegen
DE1131326B (de) * 1958-04-24 1962-06-14 Siemens Edison Swan Ltd Verfahren zum Herstellen von pnpn- bzw. npnp-Halbleiteranordnungen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1104074B (de) * 1957-07-30 1961-04-06 Telefunken Gmbh Verfahren zum Zerschneiden eines Halbleiter-Einkristalles, z. B. aus Germanium, fuer Halbleiter-anordnungen in duenne Scheiben, deren Schnittflaechen senkrecht zu einer gewuenschten Kristallachse liegen
DE1131326B (de) * 1958-04-24 1962-06-14 Siemens Edison Swan Ltd Verfahren zum Herstellen von pnpn- bzw. npnp-Halbleiteranordnungen

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