DE10045427A1 - Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung - Google Patents

Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung

Info

Publication number
DE10045427A1
DE10045427A1 DE10045427A DE10045427A DE10045427A1 DE 10045427 A1 DE10045427 A1 DE 10045427A1 DE 10045427 A DE10045427 A DE 10045427A DE 10045427 A DE10045427 A DE 10045427A DE 10045427 A1 DE10045427 A1 DE 10045427A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
compound
formula
ceramic
hal
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10045427A
Other languages
English (en)
Inventor
Martin Jansen
Utz Mueller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Original Assignee
Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV filed Critical Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV
Priority to DE10045427A priority Critical patent/DE10045427A1/de
Priority to PCT/EP2001/010667 priority patent/WO2002022624A1/de
Priority to JP2002526875A priority patent/JP4669200B2/ja
Priority to DE50106404T priority patent/DE50106404D1/de
Priority to AU2001291864A priority patent/AU2001291864A1/en
Priority to EP01972062A priority patent/EP1317462B1/de
Publication of DE10045427A1 publication Critical patent/DE10045427A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0602Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with two or more other elements chosen from metals, silicon or boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/082Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
    • C01B21/087Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
    • C01B21/088Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms containing also one or more halogen atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/571Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/5805Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on borides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62222Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining ceramic coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62227Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres
    • C04B35/62272Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres based on non-oxide ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62227Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres
    • C04B35/62272Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres based on non-oxide ceramics
    • C04B35/62277Fibres based on carbides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62227Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres
    • C04B35/62272Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining fibres based on non-oxide ceramics
    • C04B35/62286Fibres based on nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/10Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817Carbides
    • C04B2235/3826Silicon carbides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/386Boron nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3873Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/48Organic compounds becoming part of a ceramic after heat treatment, e.g. carbonising phenol resins
    • C04B2235/486Boron containing organic compounds, e.g. borazine, borane or boranyl
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6022Injection moulding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft neue Alkylhalogensilylaminoborane, insbesondere Alkylchlorsilylaminoborane, die durch die Variation der Anzahl der reaktiven Zentren die Viskositätseinstellung von Polyborosilazanverbindungen ermöglichen, neue Borosilazanverbindungen, neue Oligo- oder Polyborosilazanverbindungen, die das Strukturmerkmal R·1·-Si-NH-B-R·2· aufweisen, wobei R·1· oder R·2· oder beide einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, insbesondere Alkyl-, Phenyl- oder Vinylgruppen, darstellen, Siliciumborcarbonitridkeramikpulver, keramisches Material auf der Basis SiC, SiN und BN, sowie Verfahren zur jeweiligen Herstellung und die Verwendung der Polyborosilazane und der keramischen Materialien.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft neue Alkylhalogensilylaminoborane, insbesondere Alkylchlorsilylaminoborane, die durch die Variation der Anzahl der reaktiven Zentren die Viskositätseinstellung von Polyborosilazan­ verbindungen ermöglichen, neue Borosilazanverbindungen, neue Oligo- oder Polyborosilazanverbindungen, die das Strukturmerkmal R1-Si-NH-B-R2 auf­ weisen, wobei R1 oder R2 oder beide einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, insbesondere Alkyl-, Phenyl- oder Vinylgruppen darstellen, Siliciumcarbonitridkeramikpulver, keramisches Material auf der Basis SiC, SiN und BN, sowie Verfahren zur jeweiligen Herstellung und die Ver­ wendung der Polyborosilazane und der keramischen Materialien.
Die Herstellung multinärer, nicht-oxidischer Keramiken über molekulare Einkomponentenvorläufer hat eine herausragende Bedeutung erlangt. Es ermöglicht den Zugang zu nitridischen, carbidischen und carbonitridischen Stoffsystemen, die über herkömmliche Festkörperreaktionen nicht zugänglich sind. Die Produkte zeichnen sich durch hohe Reinheit, homogene Elementverteilung und gleichmäßige Partikelgröße aus.
Werkstoffe, die aus Silicium (Si), Bor (B) und Stickstoff (N) und gegebenenfalls auch aus Kohlenstoff (C) bestehen und gleichzeitig keinen oder nur einen geringen Anteil an Sauerstoff enthalten, zeigen besondere Eigenschaften hinsichtlich der thermischen Stabilität und der Oxidationsbeständigkeit. Sie können als Bulkmaterialien, in Verbundwerkstoffen, für Beschichtungen oder als keramische Fasern technischen Einsatz finden. Die borhaltigen Materialien zeigen im Allgemeinen eine erhöhte Kristallisationshemmung, während kohlenstoffhaltige Materialien darüber hinaus eine höhere Zersetzungstemperatur als kohlenstofffreie Keramiken aufweisen. Auf Grund der hohen mechanischen Belastbarkeit, der Korrosionsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, der Thermoschockbeständigkeit und der Hoch­ temperaturfestigkeit solcher Werkstoffe können sie beispielsweise als Verstärkungsmaterialien für Hochtemperaturverbundstoffe eingesetzt werden und finden Verwendung in der Automobilindustrie und in der Luftfahrtindustrie, beispielsweise in Turboladern, Turbinen von Düsentriebwerken, sowie zur Auskleidung von Raketendüsen und Brennkammern.
Vielversprechend ist die Darstellung von Keramiken über anorganische Polymere. Durch Vernetzung molekularer Baueinheiten erhält man Polymere, die durch Pyrolyse zu Keramiken umgesetzt werden können. Dieser bereits von Chantrell und Popper, Special Ceramics (Hrsg.: E. P. Popper), Academic Press, New York (1964), 87-103 begangene Weg bietet insbesondere für carbidische und nitridische Keramiken der 3. und 4. Hauptgruppe neue Möglichkeiten.
Winter, Verbeek und Mansmann (Bayer AG) (1975), US 3892583, entwickelten die ersten spinnbaren anorganischen Polymere, die durch Aminolyse bzw. Ammonolyse von Methylchlorsilanen dargestellt wurden. Durch Pyrolyse konnten sie in Si/C/N-Fasern überführt werden. Die ersten Fasern mit kommerzieller Bedeutung gehen auf Yajima zurück, der Polycarbosilane in kohlenstoffreiche SiC-Fasern (Handelsname NICALON) S. Yajima, J. Hayashi, M. Omori (1978), US 4100233, überführte.
Die erste homogene Keramik im System Si/B/N/C der ungefähren Zusammensetzung SiBN3C wurde von Wagner, Jansen und Baldus, O. Wagner (1992), EP 502399, dargestellt. Die Fasern dieses Materials, das durch Aminolyse des Einkomponentenvorläufers Trichlorsilylaminodichlorboran (TADB) Cl3Si-(NH)-BCl2 dargestellt wird, weisen ein hervorragendes Eigenschaftsprofil auf, H. P. Baldus, M. Jansen, Dr. Sporn, Science (1999) 285, S. 699. Weiter verbesserte Hochtemperatureigen­ schaften zeigen Keramiken aus dem Vorläufer TSDE (Trichlorsilyl­ dichlorboryl-ethan, Cl3Si-[CH-CH3]-BCl2) M. Jansen, H. Jüngermann (Bayer AG) (1997), WO 98/45302 A1.
So scheint sich die Hochtemperaturstabilität der Keramiken mit steigendem Kohlenstoffgehalt zu verbessern. Dies zeigt z. B. der Gang der Zersetzungstemperaturen (unter Inertgasbedingungen) der Keramiken Si3B3N7, SiBN3C (= Si3B3N7.C2.4) und SiBN2.5C2 (= Si3B3N7.C6) die sich im Wesentlichen nur durch den Kohlenstoffgehalt unterscheiden. Die Temperaturstabilität steigt von 1750°C über 1900°C bis auf < 2000°C an.
Der Kohlenstoff- und/oder Stickstoffgehalt der Keramiken kann durch die Wahl der Vernetzungsreagenzien variiert werden, M. Jansen, H. Jüngermann (1997), US 5866705. So kann TADB neben Methylamin bzw. Ammoniak auch mit weiteren Aminen wie z. B. Guanidin zu Polymeren umgesetzt werden.
In den genannten Keramiken sind Silicium und Bor ausschließlich von Stickstoff koordiniert. Die Realisation neuer Strukturmerkmale wie Si-C- oder B-C-Bindungen in Keramiken führt zu verbesserter mechanischer und thermischer Belastbarkeit einer Keramik.
Die Einstellung der Viskosität eines Polymeres für einen entsprechenden Verarbeitungsprozeß kann z. B. durch thermische Vorbehandlung geschehen. Die bekannten Polymere im System Si/B/N/C haben jedoch den Nachteil, daß die thermische Vernetzung im flüssigen d. h. geschmolzenen Zustand kontinuierlich zunimmt und die Viskosität so während der Verarbeitung nicht konstant bleibt. Dies verursacht erhebliche Probleme wie z. B. die Verstopfung der Düsen beim Faserziehen. Für einen möglichst hohen Verzug beim Faserziehen sind linear vernetzte Moleküle von Vorteil. Die genannten Einkomponentenvorläufer haben zu viele reaktive Zentren, die zu einer mehrdimensionalen Vernetzung führen. Vorteilhaft wäre jedoch ein vorwiegend aus Ketten bestehendes Polymer.
Eine Aufgabe dieser Erfindung ist deshalb die Bereitstellung neuartiger, in hohen Ausbeuten darstellbarer, metallorganischer Vorläuferverbindungen sowie ein Verfahren zur Herstellung nitridischer Keramiken aus diesen Vorläuferberbindungen, die aus Si, N, B und C bestehen und die die genannten Nachteile überwinden. Die monomeren Vorläufer sollen durch die Einstellung der Anzahl der reaktiven Zentren d. h. der Halogenatome eine Möglichkeit zur Viskositätseinstellung bei der Umsetzung zu Polyborosilazanen bieten. Insbesondere die Konstanz der Viskosität in flüssiger Form soll dadurch verbessert werden. Dieses Verfahren soll weiterhin die Darstellung von Keramiken mit hohen Kohlenstoffanteilen ermöglichen. In der Keramik soll Silicium teilweise von Kohlenstoff koordiniert sein.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch amorphe Keramiken bzw. Nanokomposite, deren Vorläuferverbindungen, den jeweiligen Verfahren zu deren Herstellung und der Verwendung der Polyborosilazane und der kera­ mischen Materialien, wie sie in den Patentansprüchen offenbart sind.
In einem ersten Aspekt betrifft die Erfindung eine Verbindung der allgemeinen Formel (I)
RxHal3-xSi-NH-BRyHal2-y (I)
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffest mit 1 bis 20 C- Atomen, vorzugsweise 1-10 C-Atomen, darstellt,
Hal jeweils unabhängig Cl, Br oder I bedeutet,
x = 1 oder x = 2 ist und
y = 0 oder y = 1 ist.
Bei den erfindungsgemäßen Verbindungen handelt es sich um Alkylhalogen­ silylaminoborane, welche mindestens einen an das Siliciumatom gebundenen Kohlenwasserstoffrest aufweisen. Solche Verbindungen weisen das Strukturmerkmal C-Si-N-B, C-Si-N-B-C oder/und Si-N-B-C auf und enthalten somit Kohlenstoff bereits im Grundgerüst. Mit solchen Verbindungen können Keramiken hergestellt werden, die auf Grund des erhöhten Kohlenstoffgehalts und der Realisation neuer Strukturmerkmale, wie Si-C- oder B-C-Bindungen eine verbesserte mechanische und thermische Belastbarkeit aufweisen. Die Substitution von Halogenresten in den erfindungsgemäßen Alkylhalogensilylaminoboranen durch Kohlenwasser­ stoffreste, und zwar sowohl am Si als auch am B, führt neben der vorteilhaften Einbringung von Kohlenstoff weiterhin zu einer gezielten Verringerung der Anzahl reaktiver Halogenatome. Dadurch kann die Viskosität der aus den erfindungsgemäßen Verbindungen gebildeten Oligomeren oder Polymeren variiert oder/und eingestellt werden. Besonders vorteilhaft sind Verbindungen, die drei Kohlenwasserstoffreste (x + y = 3) aufweisen, welche noch zwei zur Vernetzung fähige Halogenatome enthalten, wodurch eine mehrdimensionale Vernetzung begrenzt wird.
In der Formel I bedeutet der Rest R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, vorzugsweise mit 1 bis 10 C-Atomen. Ein Kohlenwasserstoffrest ist ein Rest, der aus den Elementen Kohlenstoff und Wasserstoff gebildet ist. Erfindungsgemäß kann der Kohlenwasserstoffrest verzweigt oder unverzweigt, gesättigt oder ungesättigt sein. Der Kohlenwasserstoffrest kann auch aromatische Gruppen enthalten, die wiederum mit Kohlenwasserstoffresten substituiert sein können. Beispiele für bevorzugt Kohlenwasserstoffreste sind z. B. unverzweigte gesättigte Kohlenwasserstoffreste, wie etwa C1 bis C20-Alkyl, insbesondere Methyl, Ethyl, n-Propyl, n-Butyl, n-Pentyl, n-Hexyl, n-Heptyl, n-Octyl, n-Nonyl und n-Decyl. Bei den Resten R kann es sich aber auch um verzweigte gesättigte Kohlenwasserstoffe, insbesondere verzweigte C1 bis C20-Alkyle handeln, wie etwa i-Propyl, i-Butyl, t-Butyl, sowie weitere verzweigte Alkylreste. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform umfasst der Rest R eine oder mehrere olefinisch ungesättigte Gruppen. Beispiele für solche Reste sind Vinyl, Allyl, Butenyl, Pentenyl, Hexenyl, Heptenyl, Octenyl, Nonenyl, Decenyl, Butadienyl, Pentadienyl, Hexadienyl, Heptadienyl, Octadienyl, Nonadeinyl und Decadienyl. Der Rest R kann auch eine Alkingruppe, also eine C∼C-Bindung enthalten. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform enthält mindestens ein Rest R und bevorzugt alle Reste R eine aromatische Gruppe, insbesondere einen aromatischen Rest mit fünf oder sechs C-Atomen, wie etwa eine Phenylgruppe oder eine mit einem Kohlenwasserstoff substituierte Phenylgruppe, wie etwa Methylphenyl, Dimethylphenyl, Trimethylphenyl, Ethylphenyl, oder Propylphenyl.
Besonders bevorzugt umfasst mindestens ein Rest R und insbesondere alle Reste R eine C1 bis C20-Alkylgruppe, eine Phenylgruppe, eine Vinylgruppe oder einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 3 C-Atomen, insbesondere Methyl, Ethyl oder Propyl und am meisten bevorzugt Methyl.
Der Rest Hal steht für ein Halogenatome und bedeutet insbesondere Cl, Br oder I, wobei es bevorzugt ist, dass mindestens ein Rest Hal und bevorzugt alle Reste Hal Cl bedeuten. Bei solchen Verbindungen handelt es sich um Alkylchlorsilylaminochlorborane.
Besonders bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind Verbindungen der Formel RHal2Si-NH-BHal2, wobei die Reste R und Hal die oben angegebenen Bedeutungen und insbesondere die oben als bevorzugt angegebenen Bedeutungen aufweisen. Diese Verbindungen enthalten das Strukturmerkmal C-Si-N-B und sie haben vier zur Oligomerisierung bzw. Polymerisierung reaktive Halogenatome. Ein besonders bevorzugtes Beispiel einer solchen Verbindung ist (Methyldichlorsilylamino)-dichlorboran (MADB).
Weiterhin bevorzugt sind Verbindungen der Formel R2HalSi-NH-BHal2. Solche Verbindungen enthalten zwei Kohlenwasserstoffreste am Si-Atom, wodurch der Kohlenstoffgehalt einer aus solchen Verbindungen hergestellten Kermik weiter erhöht werden kann. Weiterhin haben solche Verbindungen nur noch drei zur Oligomerisierung bzw. Polymerisierung reaktive Halogenatome, wodurch die Viskosität von daraus gebildeten Oligomeren bzw. Polymeren weiter variiert werden kann. Ein besonders bevorzugtes Beispiel für solche Verbindungen mit zwei Alkylresten und drei Halogenresten ist (Dimethylchlorsilylamino)-dichlorboran (DADB). Allgemein sind Verbindungen der Formel (I) mit dem Strukturelement BHal2 sehr bevorzugt.
Weitere bevorzugte Verbindungen umfassen (Vinyldichlorsilylamino)- dichlorboran, (Divinylchlorsilylamino)-dichlorboran, (Phenyldichlorsilylamino)- dichlorboran, (Diphenylchlorsilylamino)-dichlorboran, (Ethyldichlorsilylamino)- dichlorboran und (Diethylchlorsilylamino)-dichlorboran.
Außerdem umfasst die Erfindung Verbindungen mit dem Strukturmerkmal -BRHal, in denen das Boratom an einen Kohlenwasserstoffrest und an ein Halogen gebunden ist. Solche Verbindungen weisen bevorzugt die Formel RHal2Si-NH-BRHal oder R2HalSi-NH-BRHal auf. Durch das Ersetzen eines Halogens am Bor durch einen Kohlenwasserstoffrest, können Vorläufer mit einem weiter erhöhten Kohlenstoffgehalt und einer weiter reduzierten Funktionalität im Hinblick auf eine Vernetzung gebildet werden. So weisen Verbindungen RHal2Si-NH-BRHal nur drei und Verbindungen R2HalSi-NH- BRHal sogar nur zwei zur Oligomerisierung bzw. Polymerisierung reaktive Halogenatome auf. Besonders bevorzugte Beispiele dieser Verbindungen sind (Methyldichlorsilylamino)-methylchlorboran, (Dimethylchlorsilylamino)- methylchlorboran, (Phenyldichlorsilylamino)-phenylchlorboran, (Diphenylchlorsilylamino)-phenylchlorboran, (Vinyldichlorsilylamino)- vinylchlorboran und (Divinylchlorsilylamino)-vinylchlorboran.
Die erfindungsgemäßen Verbindungen der allgemeinen Formel (I) können dadurch erhalten werden, dass man eine Verbindung der Formel (II)
RxHal3-xSi-NH-SiR3 (II)
mit einer Verbindung der Formel (III)
BRyHal3-y (III)
bei einer Temperatur zwischen -100°C und +25°C umsetzt.
Geeignete und bevorzugte Bedeutungen für R, Hal, x und y sind wie oben angegeben. Die Umsetzung kann in einem organischen Lösungsmittel, wie etwa n-Hexan oder Toluol durchgeführt werden, wobei beispielsweise die Verbindung der Formel (II) einer in einem organischen Lösungsmittel gelösten Verbindung der Formel (III) zugetropft wird. Bevorzugt wird allerdings ohne Lösemittel gearbeitet. Die Reaktionstemperaturen betragen bevorzugt mindestens -90°C und ganz besonders bevorzugt mindestens -80°C und bevorzugt höchstens 0°C, besonders bevorzugt höchstens -50°C. Besonders vorteilhafte Ergebnisse werden bei einer Reaktionsführung bei einer Temperatur von etwa -78°C erhalten.
Die erfindungsgemäßen Verbindungen der Formel (I) können auch dadurch hergestellt werden, dass man eine Verbindung der Formel (II)
RxHal3-xSi-NH-SiR3 (II),
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C- Atomen darstellt,
Hal jeweils unabhängig Cl, Br oder I bedeutet und
x 1 oder 2 ist,
mit einer Verbindung der Formel (III)
BRyHal3-y (III),
worin R und Hal die oben angegebenen Bedeutungen haben und
y 0 oder 1 ist,
in einem Molverhältnis von 1 : 1 bis 1 : 10 umsetzt. Bevorzugt werden die Verbindung der Formel (II) und die Verbindung der Formel (III) in einem Molverhältnis zwischen 1 : 1 und 1 : 5 umgesetzt. Besonders vorteilhafte Ergebnisse werden bei einem Verfahren erhalten, bei dem sowohl die hierin angegebenen Temperaturgrenzen als auch das Molverhältnis eingehalten werden.
Die bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Verbindung der Formel (I) eingesetzte Edukt-Verbindung der Formel (II) RxHal3-xSi-NH-SiR3, kann dadurch hergestellt werden, dass man RxSiHal4-x und R3Si-NH-SiR3 umsetzt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird dabei eine Verbindung der Formel (IIa) R2HalSi-NH-SiR3 als Edukt-Verbindung hergestellt, indem man R2SiHal2 und R3Si-NH-SiR3 in einem Molverhältnis von 1 : 1 bis 1,5 : 1, bevorzugt von 1,1 : 1 bis 1,4 : 1 und besonders bevorzugt von 1,2 : 1 bis 1,3 : 1 umsetzt. Besonders gute Ergebnisse werden erhalten, wenn man die beiden Verbindungen R2SiHal2 und R3Si-NH-SiR3 in einem Molverhältnis von etwa 5 : 4 einsetzt.
Die Edukt-Verbindung der Formel (IIa) R2HalSi-NH-SiR3 und insbesondere das Silan mit R=OH3 kann auch dadurch hergestellt werden, dass man R2SiHal2 und R3Si-NH-SiR3 bei einer Reaktionstemperatur von 40 bis 60°C umsetzt. Besonders hohe Ausbeuten an der Edukt-Verbindung von < 70%, bevorzugt < 80% können erhalten werden, wenn man die Reaktion unter Berücksichtigung sowohl der angegebenen Reaktionstemperatur als auch des angegebenen Molverhältnisses durchführt.
Die Herstellung der Edukt-Verbindungen sowie der Verbindungen der allgemeinen Formel (I) wird im folgenden anhand der Herstellung der beiden besonders bevorzugten Verbindungen MADB und DADB nochmals ausführlich erläutert.
Erstaunlicherweise gelang durch die Umsetzung von (1,1-Dichlortetra­ methyl)disilazan oder (Chlorpentamethyl)disilazan mit Bortrichlorid die Darstellung der beiden neuen Verbindungen (Methyldichlorsilyl­ amino)dichlorboran (MADB) und (Dimethylchlorsilylamino)dichlorboran (DADB). Diese Verbindungen enthalten beide das Strukturmerkmal C-Si-N-B. MADB hat vier zur Oligo- bzw. Polymerisierung reaktive Halogenatome, DADB nur drei. Somit kann durch die Wahl eines der Moleküle oder durch die Mischung beider Moleküle in einem beliebigen Verhältnis die Viskosität der darzustellenden Oligo- bzw. Polymere variiert werden. Beide Moleküle sind Gegenstand dieser Erfindung.
Die Herstellung des Eduktes (1,1-Dichlortetramethyl)disilazan gelingt mit einer Ausbeute von über 80% aus Hexamethyldisilazan und Methyltrichlorsilan durch Rühren bei Raumtemperatur. Die Herstellung des Eduktes (Chlorpentamethyl)disilazan gelingt durch die Umsetzung von Hexamethyldisilazan und Dimethyldichlorsilan.
Erfindungsgemäß gelingt die Darstellung von (Chlorpentamethyl)disilazan in einer Ausbeute von über 70%, wenn das Verhältnis der Reaktanden Me2SiCl2 und Hexamethyldisilazan bei 5 zu 4 liegt und die Reaktionstemperatur 40 bis 60°C beträgt.
Erfindungsgemäß entstehen die Verbindungen MADB und DADB in Aus­ beuten von 80% und 70% der Theorie durch Zutropfen der Edukte zu Bortrichlorid, das in einem organischen Lösungsmittel gelöst sein kann (z. B. n-Hexan, Toluol). Die Molverhältnisse von Bortrichlorid zu den Edukten liegen zwischen 5 : 1 und 1 : 1. Die Reaktionstemperaturen können zwischen -100°C und Raumtemperatur variieren, der bevorzugte Wert liegt bei -78°C.
Aus den erfindungsgemäßen Verbindungen der allgemeinen Formel (I) lassen sich durch Reaktion mit primären oder sekundären Aminen monomere, oligomere oder polymere Borosilazanverbindungen herstellen. In solchen Borsilazanverbindungen sind die Halogenatome der Verbindung der Formel (I) ganz oder teilweise durch Aminogruppen substituiert. Die Erfindung betrifft deshalb weiterhin Borosilazanverbindungen der allgemeinen Formel (IV):
(R'R"N)qRxHal3-x-qSi-NH-BRyHal2-y-z(NR'R")z, (IV)
worin R' und R" jeweils unabhängig Wasserstoff oder einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellen,
R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt,
Hal jeweils unabhängig Cl, Br oder I bedeutet,
q = 0,1 oder 2 ist,
x = 1 oder 2 ist,
y = 0 oder 1 ist und
z = 0,1 oder 2 ist,
mit der Maßgabe, dass q + z ≧ 1, x + q ≦ 3 und y + z ≦ 2 ist.
Die erfindungsgemäßen Borosilazanverbindungen der Formel (IV) enthalten wenigstens einen Kohlenwasserstoffrest, der an das Si-Atom gebunden ist, so dass sie das Strukturmerkmal C-Si-N-B aufweisen. Verbindungen, bei denen die Halogenatome teilweise durch die Aminogruppen R'R"N substituiert sind, enthalten somit als Substituenten am Si bzw. B Kohlenwasserstoffreste, Halogen und Aminreste. Bevorzugt sind jedoch Borosilazanverbindungen der Formel (IV) in denen die Halogenatome vollständig durch Aminogruppen substituiert sind. Solche Verbindungen weisen die Formel (IVa) (R'R"N)qRxSi-NH-BRy(NR'R")z auf, worin q + x = 3 und y + z = 2.
Falls noch ein oder mehrere Halogenatome der Borosilazanverbindung vorliegen, ist es bevorzugt, dass Hal bei mindestens einem Auftreten und bevorzugt bei jeden Auftreten Cl darstellt.
Weiterhin bevorzugt sind Borosilazanverbindungen mit der Formel
(R'R"N) R HalSi-NH-B Hal2,
(R'R"N) R2 Si-NH-B Hal2,
(R'R"N)2 R Si-NH-B Hal2,
R2 Hal Si-NH-B Hal (NR'R"),
R2 Hal Si-NH-B R (NR'R"),
R2 Hal Si-NH-B (NR'R")2,
(R'R"N) R2 Si-NH-B Hal (NR'R"),
(R'R"N) R Hal Si-NH-B Hal (NR'R"),
(R'R"N)R Hal Si-NH-B R (NR'R"),
(R'R"N)R Hal Si-NH-B (NR'R")2,
(R'R"N)2 R Si-NH-B Hal (NR'R"),
(R'R"N) R Hal Si-NH-B R Hal,
(R'R"N) R2 Si-NH-B R Hal oder
(R'R"N)z R Si-NH-B R Hal.
Besonders bevorzugt sind auch Borosilazanverbindungen, in denen alle Halogenatome durch Aminogruppen ersetzt worden sind, die also nur noch Kohlenwasserstoffreste oder Aminogruppenreste aufweisen. Solche Verbindungen haben die Formeln
(R'R"N) R2 Si-NH-B (NR'R")2,
(R'R"N) R2 Si-NH-B R (NR'R"),
(R'R"N)2 R Si-NH-B R (NR'R") oder
(R'R"N)2 R Si-NH-B (NR'R")2.
In den oben genannten Formeln hat der Rest R bei jedem Auftreten die oben bei der Verbindung (I) angegebenen und insbesondere die dort als bevorzugt angegebenen Bedeutungen. Besonders bevorzugt handelt es sich bei R um einen Kohlenwasserstoffrest mit eins bis drei C-Atomen, insbesondere um einen Methyl-, Ethyl- oder Propylrest oder um einen Phenylrest oder einen Vinylrest.
Die Reste R' und R" stellen jeweils unabhängig Wasserstoff oder einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen, vorzugsweise mit 1 bis 10 C-Atomen, dar. Bevorzugt sind Verbindungen, in denen wenigstens einer der Rest R' und R" einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt. Besonders bevorzugt wird R' und R" ausgewählt aus C1 bis C20- Alkylgruppen, insbesondere C1 bis C3-Alkylgruppen, wie etwa Methyl, Ethyl, Propyl, sowie aus Phenyl- oder Vinylgruppen.
Besonders bevorzugt sind Verbindungen, in denen sowohl R als auch R' und R" bei jedem Auftreten Methyl darstellen. Die erfindungsgemäßen Borsilazanverbindungen können dadurch hergestellt werden, dass man eine Verbindung der Formel (I) mit mindestens je nach Molekül der vier- bis achtfachen (Anzahl der Halogenatome mal zwei), vorzugsweise mindestens der zehnfachen molaren Menge einer Verbindung der Formel (V) R'R"NH bei einer Temperatur von -80°C bis +300°C umsetzt. Auf diese Weise lassen sich aus den Verbindungen der Formel (I), wobei diese einzeln oder in beliebigen Mischungsverhältnissen eingesetzt werden können, durch Reaktion mit primären oder/und sekundären Aminen, monomere oder oligomere oder polymere Verbindungen der bevorzugten Formeln
(NR'R")2 R Si-NH-B (NR'R")2
(NR'R") R Si-NH-B (NR'R")2 oder
[-(NR'R") R Si-NH-B (NR'R")-]a, wobei a den Polymerisationsgrad angibt, herstellen. Auch andere monomere Borosilazane und Polyborosilazane sind möglich, insbesondere solche, die quervernetzte Strukturen aufweisen. Unter Verwendung der oben beispielhaft beschriebenen Verbindungen MADB und TADB können insbesondere Verbindungen der Formel (NRR')2(CH3)Si-NH-B(NRR')2 oder (NRR')(CH3)2Si-NH-B(NRR')2 oder [(NRR')(CH3)Si-NH-B(NRR')]a erhalten werden. Die monomeren oder oligomeren Einheiten zeichnen sind dadurch aus, dass die erste Koordinationssphäre jedes Siliciumatoms aus Kohlenstoff und Stick­ stoffatomen besteht. Die erfindungsgemäßen Borosilazanverbindungen der Formel (IV) werden bevorzugt dadurch hergestellt, dass man eine Verbindung der Formel (I) mit mindestens je nach Molekül der vier- bis achtfachen (Anzahl der Halogenatome mal zwei), vorzugsweise mindestens der zehnfachen molaren Menge, mehr bevorzugt mindestens der zwanzigfachen molaren Menge einer Verbindung der Formel (V)
R'R"NH (V)
bei einer Temperatur von -80°C bis + 300°C umsetzt.
Die monomeren oder oligomeren Einheiten können durch Temperaturbehandlung und/oder durch Vernetzung mit Ammoniak oder einem Amin zu Polymeren umgesetzt werden.
Die Erfindung betrifft deshalb weiterhin eine Oligo- oder Polyborosilazanverbindung, welche durch Umsetzen einer Verbindung der Formel (I) oder/und einer Verbindung der Formel (IV) mit einer Verbindung der Formel (V) oder durch Polymerisation einer Verbindung der Formel (I) oder der Formel (IV) erhältlich ist. Solche Oligo- oder Polyborosilazan­ verbindungen weisen das Strukturmerkmal C-Si-N-B oder/und Si-N-B-C auf. Bevorzugt besteht die erste Koordinationssphäre der Siliciumatome der erfindungsgemäßen Oligo- oder Polyborosilazenverbindungen sowohl aus Kohlenstoff als auch aus Stickstoff, wobei die Siliciumatome und/oder die Boratome einen Rest R und die Stickstoffatome einen Rest R' oder R" tragen.
Die Viskosität der erfindungsgemäßen Oligo- oder Polyborosilazan­ verbindungen lässt sich durch die Wahl der Reste R in der eingesetzten Verbindung der Formel (I), durch die Wahl der Rest R' und R" der eingesetzten Amine sowie gegebenenfalls durch die Art der Temperaturbehandlung variieren.
Erfindungsgemäß ist eine Variation der Viskosität bei gleichbleibender Temperaturbehandlung und Verwendung der gleichen Amine z. B. durch die Wahl des Monomers MADB oder DADB oder einer Mischung dieser Moleküle möglich. Auch die Methylgruppe(n) dieser Einkomponentenvorläufer können z. B. durch Alkyl-, Phenyl oder Vinylgruppen ganz oder teilweise ersetzt werden, um so einen höheren Kohlenstoffgehalt der Polymere zu liefern.
Die Umsetzung der Monomeren mit den genannten Aminen kann sowohl in offenen als auch in geschlossenen Systemen erfolgen. Die Reaktionstemperaturen liegen zwischen -78 und +500°C, die Reaktionsdauer zwischen 5 Minuten und 20 Tagen.
Zur Umsetzung geeignete Amine umfassen beispielsweise Methylamin, Ethylamin, Dimethylamin, Anilin oder Ammoniak. Die Reaktion kann sowohl in den reinen Komponenten als auch in einem aprotischen Lösungsmittel, wie etwa Hexan, Toluol, THF oder Methylenchlorid durchgeführt werden. Die Reaktionstemperatur beträgt bevorzugt mindestens -78°C, mehr bevorzugt mindestens -50°C und am meisten bevorzugt mindestens -30°C und bis zu bevorzugt höchstens 100°C, mehr bevorzugt bis zu höchstens 5°C.
Die Konsistenz der erfindungsgemäßen Polyborosilazane reicht in Abhängigkeit von den Resten R, R' und R" sowie vom Polymerisationsgrad von leicht viskos über harz- bzw. wachsartig bis hin zum festen amorphen oder kristallinen Zustand. Die thermische Vernetzung erfolgt durch Abspaltung eines Aminrestes unter Knüpfung von neuen Si-N oder B-N Bindungen. Die Vernetzung mittels Ammoniak erfolgt durch Substitution einer NR'R"-Gruppe durch eine NH2-Gruppe, die dann weiter vernetzt.
Aus den erfindungsgemäßen Polyborosilazanen können die gewünschten Siliciumborcarbonitridkeramiken hergestellt werden. Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist deshalb ein Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbobornitridkeramik, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass man eine monomere, oligomere oder polymere Borosilazanverbindung, wie hierin beschrieben, in einer inerten oder einer aminhaltigen, und, falls kohlenstofffreie Keramiken gewünscht werden, einer ammoniakhaltigen Atmosphäre bei Temperaturen zwischen 800°C und 2000°C, bevorzugt zwischen 1000°C und 1800°C, und am meisten bevorzugt bei 1350°C bis 1750°C tempert. Durch Aminolyse- bzw. Ammonolysereaktion und anschließende Pyrolyse werden die Borsilazane in ein Siliciumcarbo­ bornitridkeramikpulver überführt. Bevorzugt liegen in der Keramik C-Si-N-B- Struktureinheiten vor und die Elemente Si, N, B und C sind zu mehr als 93 Massen-%, mehr bevorzugt zu mehr als 97 Massen-%, enthalten. Die erfindungsgemäße Siliciumcarbobornitridkeramik zeichnet sich insbesondere durch ihren geringen Sauerstoffgehalt von bevorzugt < 7 Massen-%, mehr bevorzugt < 1 Massen-% und am meisten < 0,5 Massen-% aus. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbobornitridkeramik ist es möglich, Keramiken herzustellen, die praktisch frei von Sauerstoff sind. Für die Umsetzung der Borsilazanverbindungen mit Ammoniak kann man alle literaturbekannten Aminolyse- bzw. Ammonolyseverfahren von Tetrachlorsilan nutzen, beispielsweise die Umsetzung mit festem bzw. flüssigem Ammoniak bei tiefen Temperaturen (US-A-4196178), die Reaktion mit gasförmigem Ammoniak in einem organischen Lösungsmittel (US-A-3959446) oder die Umsetzung mit Ammoniak in einer Hochtemperaturreaktion unter Abspaltung von Chlorwasserstoff (US-A-4145224).
Die inerte Atmosphäre kann ausgewählt werden aus einer Edelgas­ atmosphäre, beispielsweise einer Argon- oder Heliumatmosphäre, einer Stickstoffatmosphäre oder einer Atmosphäre aus einem anderen Inertgas, welches unter den Reaktionsbedingungen zwischen 800°C und 2000°C nicht mit den Reaktionspartnern reagiert.
Die keramischen Ausbeuten bei der Pyrolyse betragen im Allgemeinen zwischen 65% und 80%. Das Pyrolyseprodukt ist ein keramisches Material, welches zu mehr als 93 Massen-%, bevorzugt zu mehr als 97 Massen-%, aus den Elementen Si, N, B und C besteht und die Struktureinheiten C-Si-N-B, Si-N-B-C oder Si-N-B enthält. Die erfindungsgemäße Siliciumborcarbonitridkeramik kann bei der Pyrolyse amorph oder zumindest teilweise kristallin anfallen. Bevorzugt handelt es sich um ein amorphes Siliciumborcarbonitrid. Die erfindungsgemäße Siliciumborcarbonitridkeramik zeichnet sich insbesondere durch eine hohe Temperaturbeständigkeit und eine Inertheit gegenüber Sauerstoff aus. Innerhalb der Keramik sind die enthaltenen Elemente nahezu vollständig homogen verteilt. Die Kristallisation des amorphen Materials zu einer Kompositkeramik aus SiC, Si3N4 und BN kann durch Auslagern bei einer Temperatur < 1700°C erfolgen. In einer solchen kristallinen Kompositkeramik sind SiC, Si3N4 und BN Kristallite, vorzugsweise im Nanometermaßstab, im Wesentlichen völlig homogen verteilt, liegen also in molekulardisperser Verteilung vor. Die erfindungsgemäßen Keramiken zeichnen sich insbesondere durch ihr hohe Temperaturbeständigkeit aus. Neben den amorphen Keramiken, kristallinen Keramiken und Verfahren zu deren Herstellung betrifft die vorliegende Erfindung auch die Verwendung der monomeren, oligomeren bzw. polymeren Borosilazanverbindungen sowie der amorphen und zumindest teilweise kristallinen keramischen Materialien zur Herstellung von keramischen Fasern, keramischen Beschichtungen, keramischen Formkörpern, keramischen Folien oder/und keramischen Mikrostrukturen.
Die Polyborosilazane können direkt oder gelöst in organischen Solventien zu Formkörpern, Fasern, Folien oder Beschichtungen verarbeitet werden. Die Viskosität der Polymere kann erfindungsgemäß durch die Wahl der eingesetzten Verbindungen der Formel (I), wie z. B. dem Verhältnis zwischen MADB oder DADB den Erfordernissen angepaßt werden.
Die geformten Polyborosilazane können einer Pyrolyse und/oder einer physikalischen oder chemischen Vorbehandlung, z. B. einer Härtung oder Vernetzung, unterzogen werden, um das Polymer unschmelzbar zu machen.
Eine geeignete Behandlung zur Herstellung unschmelzbarer Polyborosilazane ist beispielsweise in DE 195 30 390 A1 beschrieben, wobei dort unschmelzbare Verbindungen durch Umsetzung mit Boran-Amin-Adukten erhalten werden.
Die Mikrostrukturen können beispielsweise durch Spritzguß oder lithographische Verfahren erzeugt werden. Besonders bevorzugt werden die Keramiken in Form von Fasern hergestellt, aus denen beispielsweise Gewebe bzw. Geflechte angefertigt werden, die als Füllstoffe zur Erhöhung der Festigkeit oder Zähigkeit für andere Keramiken eingesetzt werden können.
Weiterhin können die erfindungsgemäßen Borsilazanverbindungen auch in einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) eingesetzt werden. Durch die Beschichtung von Substraten mittels CVD oder PVD können keramische Beschichtungen hergestellt werden. Die Gasphasenabscheidung kann dabei wie im Stand der Technik beschrieben, durchgeführt werden (siehe z. B. DE 196 35 848 C1).
Nachfolgend wird die Erfindung anhand einiger Beispiele erläutert, ohne daß darin eine Einschränkung zu sehen ist:
Beispiel 1 Die Synthese von (1,1-Dichlortetramethyl)disilazan
Me3
Si(NH)SiMe3
+ MeSiCl3
→ MeCl2
Si(NH)SiMe3
+ Me3
SiCl
In einem 250 ml Dreihalskolben mit Überdruckventil und Magnetrührer werden 178.8 g (1.20 mol, 141.2 ml) MeSiCl3 mit 64.4 g Hexamethyldisilazan (0.40 mol, 50.0 ml) zwei Tage bei Raumtemperatur gerührt.
Das überschüssige Methylchlorsilan und das gebildete Trimethylchlorsilan werden bei Raumtemperatur langsam bei kontinuierlich sinkendem Druck abdestilliert. Die Reinigung erfolgt durch fraktionierende Destillation über eine Vigreuxkolonne.
Der Siedepunkt ist 39°C bei p = 13 mbar, die Ausbeute 85% der Theorie.
Massenspektroskopie an (1,1-Dichlortetramethyl)disilazan:
m/z = 202 (M+), 187 (M+-CH3), 170 (M+-2CH3), 150 (M+-Cl-CH3).
NMR-Spektroskopie an (1,1-Dichlortetramethyl)disilazan:
1H NMR (C6D6): δ = 0.03 ppm (s, 9H); 0.47 ppm (s, 3H).
Beispiel 2 Die Synthese von (Chlorpentamethyl)disilazan
Me3
Si(NH)SiMe3
+ Me2
SiCl2
→ Me2
ClSi(NH)SiMe3
+ Me3
SiCl
In einem 250 ml Dreihalskolben mit Überdruckventil und Magnetrührer werden 51.6 g Me2SiCl2 (0.50 mol, 50.0 ml) mit 64.4 g (0.40 mol, 66.8 ml) Hexamethyldisilazan zwei Tage bei 50°C gerührt. Das überschüssige Methylchlorsilan und das gebildete Trimethylchlorsilan werden bei Raumtemperatur langsam bei kontinuierlich sinkendem Druck (Membranpumpe) abdestilliert. Die Reinigung erfolgt durch Destillation über eine Vigreuxkolonne. Der Siedepunkt ist 34°C bei p = 10 mbar, die Ausbeute: 70% der Theorie.
MS (EI): m/z = 182 (M+), 166 (M+-CH3), 150 (M+-2CH3), 146 (M+-Cl).
1H NMR (C6D6): δ = 0.07 (s, 9H); 0.29 (s, 6H).
Beispiel 3 Synthese von (Methyldichlorsilylamino)dichlorboran (MADB)
MeCl2
Si(NH)SiMe3
+ BCl3
→ MeCl2
Si(NH)BCl3
+ Me3
SiCl
In einem 250 ml Dreihalskolben mit Tropftrichter, Überdruckventil und Magnetrührer werden bei -78°C 23.4 g (0.20 mol, 16.36 ml) BCl3 vorgelegt. 21.2 g (0.10 mol) Methylchlordisilazan werden innerhalb 1 h unter Rühren zugetropft. Unter weiterem Rühren läßt man über Nacht aufwärmen.
Überschüssiges BCl3 und das gebildete Trimethylchlorsilan werden bei Raumtemperatur langsam bei kontinuierlich sinkendem Druck (Membranpumpe) abdestilliert. Das Produkt ist ein farbloses Öl. Gereinigt wird das Rohprodukt durch Destillation. Der Siedepunkt ist 38°C bei p = 13 mbar, die Ausbeute ca. 80% der Theorie.
MS (EI): m/z = 196 (M+-CH3), 174 (M+-HCl), 158 (M+-HCl-CH3), 138 (M+-2HCl).
1H-NMR (C6D6): 0.47 (Monomer), 0.49 (Dimer).
Beispiel 4 Synthese von (Dimethylchlorsifylamino)dichlorboran (DADB)
Me2
OlSi(NH)SiMe3
+ BCl3
→ Me2
ClSi(NH)BCl2
+ Me3
SiCl
In einem 250 ml Dreihalskolben mit Tropftrichter, Überdruckventil und Magnetrührer werden bei -78°C 29.8 ml (0.36 mol) BCl3 vorgelegt. 32.9 g (0.18 mol) Methylchlordisilazan werden innerhalb 1 h unter Rühren zugetropft. Unter weiterem Rühren läßt man über Nacht aufwärmen. Überschüssiges BCl3 und das gebildete Trimethylchlorsilan werden bei Raumtemperatur langsam bei kontinuierlich sinkendem Druck (Membranpumpe) abdestilliert. Das Produkt ist ein farbloses Öl. Gereinigt wird das Rohprodukt durch Destillation. Der Siedepunkt ist 28°C bei p = 0.1 mbar, die Ausbeute ca. 70% der Theorie.
MS (EI): m/z = 174 (M+-CH3), 154 (M+-Cl), 138 (M+-Cl-CH3).
1H-NMR (C6D6): 0.16 (Monomer), 0.32 (Dimer).
Beispiel 5 Ammonolyse von MADB
In einem 500 ml Dreihalskolben mit Tropftrichter, Überdruckventil und Magnetrührer werden bei -78°C 80 ml über Natrium getrocknetes Ammoniak vorgelegt. 15.6 g MADB in 100 ml Pentan gelöst werden innerhalb 2 h unter Rühren zugetropft. An der Eintropfstelle bildet sich ein weißer Niederschlag, der sich in dem großen Ammoniaküberschuß schnell wieder auflöst. Über Nacht läßt man das Reaktionsgemisch unter Rühren auf Raumtemperatur erwärmen. Dabei fallen farblose Hydrochloride aus. Das gebildete Polymer ist in organischen Lösemitteln unlöslich. Das als Nebenprodukt angefallene Ammoniumchlorid wird mit flüssigem Ammoniak extrahiert. Nach der Extraktion bleibt das Polymer als farbloses Pulver zurück.
IR (KBr): 3435: v(N-H), 2964: vas (C-H), 2903: vs (C-H), 1406: v (B-N), 1265: δs (CH3), 994: v (Si-N), 779: v (Si-C).
Beispiel 6 Ammonolyse von DADB
In einem 500 ml Dreihalskolben mit Tropftrichter, Überdruckventil und Magnetrührer wird bei -78°C 80 ml über Natrium getrocknetes Ammoniak vorgelegt. 12.6 g DADB in 100 ml Pentan gelöst werden innerhalb 2 h unter Rühren zugetropft. An der Eintropfstelle bildet sich ein weißer Niederschlag, der sich in dem großen Ammoniaküberschuß schnell wieder auflöst. Über Nacht läßt man das Reaktionsgemisch unter Rühren auf Raumtemperatur erwärmen. Dabei fallen farblose Hydrochloride aus. Das in Pentan löslichen Polymer wird vom ausgefallenen Ammoniumchlorid durch Filtration abgetrennt. Der Niederschlag wird dreimal mit je 20 ml Pentan ausgewaschen. Vom Filtrat wird das Pentan bei Raumtemperatur im Vakuum (10 mbar) abdestilliert. Es bleibt eine hochviskose farblose Flüssigkeit zurück.
IR (KBr): 3451: v (N-H), 2960: vas (C-H), 2900: vs (C-H), 1382: v (B-N), 1254 : δs (CH3), 939: v (Si-N), 783: (Si-C).
Beispiel 7 Aminolyse von MADB
In einem 500 ml Dreihalskolben mit Tropftrichter, Überdruckventil und Magnetrührer werden bei -78°C 130 ml über Molsieb (4 Å) getrocknetes Methylamin vorgelegt. 16.9 g MADB in 120 ml Pentan gelöst werden innerhalb 2 h unter Rühren zugetropft. An der Eintropfstelle bildet sich ein weißer Niederschlag, der sich in dem großen Methylaminüberschuß schnell wieder auflöst. Über Nacht läßt man das Reaktionsgemisch unter Rühren auf Raumtemperatur erwärmen. Dabei fallen farblose Hydrochloride aus. Das in Pentan löslichen Polymer wird vom ausgefallenen Methylammoniumchlorid durch Filtration abgetrennt. Der Niederschlag wird dreimal mit je 20 ml Pentan ausgewaschen. Vom Filtrat wird das Pentan bei Raumtemperatur im Vakuum (10 mbar) abdestilliert. Es bleibt eine hochviskose farblose Flüssigkeit zurück.
IR (KBr): 3475: v (N-H), 2955: vas (C-H), 2890: vs (C-H), 1381: v (B-N), 929: v (Si-N), 755: v (Si-C).
Beispiel 8 Aminolyse von DADB
In einem 500 ml Dreihalskolben mit Tropftrichter, Überdruckventil und Magnetrührer werden bei -78°C 130 ml über Molsieb (4 Å) getrocknetes Methylamin vorgelegt. 16.1 g MADB in 120 ml Pentan gelöst werden innerhalb 2 h unter Rühren zugetropft. An der Eintropfstelle bildet sich ein weißer Niederschlag, der sich in dem großen Methylaminüberschuß schnell wieder auflöst. Über Nacht läßt man das Reaktionsgemisch unter Rühren auf Raumtemperatur erwärmen. Dabei fallen farblose Hydrochloride aus. Das in Pentan löslichen Polymer wird vom ausgefallenen Methylammoniumchlorid durch Filtration abgetrennt. Der Niederschlag wird dreimal mit je 20 ml Pentan ausgewaschen. Vom Filtrat wird das Pentan bei Raumtemperatur im Vakuum (10 mbar) abdestilliert. Es bleibt eine hochviskose farblose Flüssigkeit zurück.
IR (KBr): 3455: v (N-H), 2961: vas (C-H), 2918: vs (C-H), 1383: v (B-N), 1261: δs (CH3); 825: v (Si-N), 778: v (Si-C).
Beispiel 9 Pyrolyse eines Polymers aus den Beispielen 5 bis 8 in ein amorphes Keramikpulver
Das Polymer wird in ein Bornitridschiffchen gefüllt. Zunächst wird es im Argonstrom mit 150 K/h bis 700°C aufgeheizt, 2 h bei 700°C gehalten und mit 150 K/h auf Raumtemperatur abgekühlt. Danach werden sie im Stickstoffstrom mit 300 K/h bis 1500°C aufgeheizt, 2 h bei 1400°C gehalten und mit 150 K/h auf Raumtemperatur abgekühlt.
Die resultierende Keramik bestehet aus grob- bis feinporigen schwarzen Bruchstücken. Die Röntgenpulverdiffraktogramme der vier neuen Netzwerke weisen nach, daß alle Proben nach der Pyrolyse röntgenamorph sind.
Elementaranalyse aus Beispiel 7 (Massenprozent): Si: 26.3, B: 8.9, N: 36.3, C: 18.7, O: 3.9.

Claims (31)

1. Verbindung der allgemeinen Formel (I)
RxHal3-xSi-NH-BRyHal2-y,
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt,
Hal jeweils unabhängig Cl, Br oder I bedeutet,
x = 1 oder 2 ist und
y = 0 oder 1 ist.
2. Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Hal bei jedem Auftreten Cl bedeutet.
3. Verbindung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass R bei jedem Auftreten unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 3 C-Atomen, eine C1-C20-Alkylgruppe, eine Phenylgruppe oder eine Vinylgruppe darstellt.
4. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass man eine Verbindung der Formel (II)
RxHal3-xSi-NH-SiR3,
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt,
Hal jeweils unabhängig Cl, Br oder I bedeutet und
x = 1 oder 2 ist,
mit einer Verbindung der Formel (III)
BRyHal3-y,
worin R und Hal die oben angegebenen Bedeutungen haben und
y = 0 oder 1 ist,
bei einer Temperatur zwischen -100°C und +25°C umsetzt.
5. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass man eine Verbindung der Formel (II)
RxHal3-xSi-NH-SiR3,
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt,
Hal jeweils unabhängig Cl, Br oder I bedeutet und
x = 1 oder 2 ist,
mit einer Verbindung der Formel (III)
BRyHal3-y,
worin R und Hal die oben angegebenen Bedeutungen haben und
y = 0 oder 1 ist,
in einem Molverhältnis von 1 : 1 bis 1 : 10 umsetzt.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass Hal bei jedem Auftreten Cl bedeutet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass R bei jedem Auftreten unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 3 C-Atomen, eine C1-C20-Alkylgruppe, eine Phenylgruppe oder eine Vinylgruppe darstellt.
8. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung der Formel (II)
RxHal3-xSi-NH-SiR3,
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt und
Hal Cl, Br oder I bedeutet
und x = 1 oder 2 ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass man RxSiHal4-4 und R3Si-NH-SiR3 umsetzt.
9. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung der Formel (II)
R2HalSi-NH-SiR3,
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt und
Hal Cl, Br oder I bedeutet,
dadurch gekennzeichnet,
dass man R2SiHal2 und R3Si-NH-SiR3 in einem Molverhältnis von 1 : 1 bis 1, 5 : 1 umsetzt.
10. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung der Formel (IIa)
R2HalSi-NH-SiR3,
worin R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellt und
Hal Cl, Br oder I bedeutet,
dadurch gekennzeichnet,
dass man R2SiHal2 und
R3Si-NH-SiR3 bei einer Reaktionstemperatur von 40°C bis 60°C umsetzt.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass Hal Cl bedeutet.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass R bei jedem Auftreten einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 3 C-Atomen, eine C1-C20-Alkylgruppe, eine Phenylgruppe oder eine Vinylgruppe darstellt.
13. Borosilazan-Verbindung der allgemeinen Formel (IV)
(R'R"N)qRxHal3-x-qSi-NH-BRyHal2-y-Z(NR'R")z,
worin R' und R" jeweils unabhängig Wasserstoff oder einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C-Atomen darstellen,
R jeweils unabhängig einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 20 C- Atomen darstellt,
Hal jeweils unabhängig Cl, Br oder I bedeutet,
q = 0,1 oder 2 ist,
x = 1 oder 2 ist,
y = 0 oder 1 ist und
z = 0,1 oder 2 ist,
mit der Maßgabe, dass
q + z ≧ 1, x + q ≦ 3 und y + z ≦ 2 ist.
14. Borosilazanverbindung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass Hal bei jedem Auftreten Cl bedeutet.
15. Borosilazanverbindung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass R bei jedem Auftreten einen Kohlenwasserstoffrest mit 1 bis 3 C-Atomen, eine C1-C20-Alkylgruppe, eine Phenylgruppe oder eine Vinylgruppe darstellt.
16. Borosilazanverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass R', R" jeweils unabhängig ausgewählt werden aus C1-C3-Alkyl, C3-Alkenyl, insbesondere Vinyl, und Phenyl.
17. Verfahren zur Herstellung einer Borosilazanverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass man eine Verbindung der Formel (I), die wie in einem der Ansprüche 1-3 definiert ist, mit mindestens der 4 bis 8-fachen molaren Menge einer Verbindung der Formel (V) R'R"NH bei einer Temperatur von -80°C bis +300°C umsetzt.
18. Oligo- oder Polyborosilazanverbindung, erhältlich durch Umsetzen einer Verbindung der Formel (I), wie in einem der Ansprüche 1 bis 3 definiert, oder/und einer Verbindung der Formel (IV), wie in einem der Ansprüche 13 bis 16 definiert, mit einer Verbindung der Formel (V) R'R"NH, oder durch Polymerisation einer Verbindung der Formel (I) oder der Formel (IV), dadurch gekennzeichnet, dass sie das Strukturmerkmal C-Si-N-B, Si-N-B-C oder/und C-Si-N-B-C aufweist.
19. Verfahren zur Herstellung einer Oligo- oder Polyborosilazanverbindung, dadurch gekennzeichnet, dass man eine Verbindung der Formel (I), wie in einem der Ansprüche 1 bis 3 definiert, oder/und eine Verbindung der Formel (IV), wie in einem der Ansprüche 13 bis 16 definiert, polymerisiert oder mit einer Verbindung der Formel (V) R'R"NH umsetzt.
20. Verfahren zur Herstellung einer Siliciumcarbobornitridkeramik, dadurch gekennzeichnet, dass man eine Borsilazanverbindung der Formel (IV) gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16 oder eine Oligo- oder Polyborosilazanverbindung gemäß Anspruch 18 in einer inerten oder einer Amin- oder/und NH3- haltigen Atmosphäre bei Temperaturen zwischen 800°C und 1700°C tempert.
21. Siliciumcarbobornitridkeramik, erhältlich durch ein Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass in der Keramik C-Si-N-B, Si-N-B-C oder/und C-Si-N-B-C Struktur­ einheiten vorliegen und die Elemente Si, N, B und C zu mehr als 93 Massen-% enthalten sind.
22. Siliciumcarbobornitridkeramik, erhältlich durch ein Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass in der Keramik Si-N-B-Struktureinheiten vorliegen und die Elemente Si, N, B und C zu mehr als 93 Massen-%, insbesondere zu mehr als 97 Massen-%, enthalten sind, mit der Maßgabe, dass C ≧ 3 Massen-%.
23. Siliciumcarbobornitridkeramik nach einem der Ansprüche 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass es sich um ein amorphes Siliciumcarbobornitridkeramikpulver handelt.
24. Verfahren zur Herstellung einer Kompositkeramik aus SiC, Si3N4 und BN, dadurch gekennzeichnet, dass man eine Siliciumcarbobornitridkeramik nach einem der Ansprüche 21 bis 23 bei Temperaturen < 1700°C auslagert.
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass eine zumindest teilweise kristalline Kompositkeramik hergestellt wird.
26. Kompositkeramik, erhältlich nach einem Verfahren gemäß Anspruch 24 oder 25 durch Kristallisation einer Siliciumcarbobornitridkeramik nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass SiC, Si3N4 und BN in molekulardiperser Verteilung vorliegen.
27. Verwendung einer Borsilazanverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 16 oder einer Oligo- oder Polyborosilazanverbindung nach Anspruch 18 zur Herstellung von keramischen Fasern, keramischen Beschichtungen, keramischen Formkörpern, keramischen Folien oder/und keramischen Mikrostrukturen.
28. Verwendung von keramischen Materialien nach einem der Ansprüche 21 bis 23 oder 26 zur Herstellung von keramischen Formkörpern, keramischen Fasern, keramischen Beschichtungen oder keramischen Mikrostrukturen.
29. Verwendung nach Anspruch 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, dass Mikrostrukturen durch Spritzguss oder lithografische Verfahren erzeugt werden.
30. Verwendung nach Anspruch 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, dass aus den keramischen Fasern Gewebe oder Geflechte angefertigt werden.
31. Verwendung einer Borsilazanverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 16 in einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD).
DE10045427A 2000-09-14 2000-09-14 Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung Withdrawn DE10045427A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10045427A DE10045427A1 (de) 2000-09-14 2000-09-14 Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung
PCT/EP2001/010667 WO2002022624A1 (de) 2000-09-14 2001-09-14 Siliciumborcarbonitridkeramiken und vorläuferverbindungen, verfahren zu deren herstellung und verwendung
JP2002526875A JP4669200B2 (ja) 2000-09-14 2001-09-14 炭窒化ケイ素ホウ素セラミック及び先駆化合物、それらの製造方法及び使用
DE50106404T DE50106404D1 (de) 2000-09-14 2001-09-14 Siliciumborkarbonitridkeramiken und vorlaeuferverbindungen, verfahren zu deren herstellung und verwendung
AU2001291864A AU2001291864A1 (en) 2000-09-14 2001-09-14 Silicoboroncarbonitride ceramics and precursor compounds, method for the production and use thereof
EP01972062A EP1317462B1 (de) 2000-09-14 2001-09-14 Siliciumborkarbonitridkeramiken und vorlaeuferverbindungen, verfahren zu deren herstellung und verwendung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10045427A DE10045427A1 (de) 2000-09-14 2000-09-14 Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10045427A1 true DE10045427A1 (de) 2002-03-28

Family

ID=7656155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10045427A Withdrawn DE10045427A1 (de) 2000-09-14 2000-09-14 Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10045427A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006063798A1 (de) * 2004-12-13 2006-06-22 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Kontinuierliches verfahren für silazanspaltungen
WO2006082069A1 (de) 2005-02-05 2006-08-10 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur kontinuierlichen herstellung kohlenstoffhaltiger mono-, oliqo- und/oder polvborosilazane
EP2623506A1 (de) * 2012-01-31 2013-08-07 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Nebenproduktreduktion in einem Silazan-Spaltungsverfahren
CN114105662A (zh) * 2021-10-29 2022-03-01 航天材料及工艺研究所 一种多层界面涂层、制备方法及陶瓷基复合材料制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS ERMITTELT *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006063798A1 (de) * 2004-12-13 2006-06-22 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Kontinuierliches verfahren für silazanspaltungen
CN101061126B (zh) * 2004-12-13 2011-04-13 马普科技促进协会 硅氮烷裂解的连续方法
WO2006082069A1 (de) 2005-02-05 2006-08-10 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur kontinuierlichen herstellung kohlenstoffhaltiger mono-, oliqo- und/oder polvborosilazane
EP2623506A1 (de) * 2012-01-31 2013-08-07 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Nebenproduktreduktion in einem Silazan-Spaltungsverfahren
CN114105662A (zh) * 2021-10-29 2022-03-01 航天材料及工艺研究所 一种多层界面涂层、制备方法及陶瓷基复合材料制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0502399B1 (de) Siliciumbornitridkeramik und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
DE69022454T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Polyborosilazanes.
DE3853602T2 (de) Modifiziertes Polysilazan und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE68911261T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Bor und Stickstoff enthaltenden Polymeren, die Bornitridvorläufer sind und die erhaltenen Produkte.
EP2507295A1 (de) Verfahren zum herstellen von polysilan-polycarbosilanen mit reduziertem kohlenstoffgehalt sowie aus diesen hergestellte fasern
EP1324961B1 (de) Silicium-bor-kohlenstoff-stickstoff-keramiken und vorläuferverbindungen, verfahren zu deren herstellung sowie deren verwendung
WO2007110183A1 (de) Siliciumborcarbonitridkeramiken aus polycyclischen vorläuferverbindungen, verfahren zu deren herstellung und verwendung
EP1317463B1 (de) Hochtemperaturstabile siliciumborcarbidnitridkeramiken aus silylalkylborazinen, verfahren zu deren herstellung sowie deren verwendung
EP0659806B1 (de) Präkeramische Polyborosilazane, Verfahren zu deren Herstellung sowie daraus erhältliches keramisches Material
WO2009124725A1 (de) Silicium-bor-kohlenstoff-stickstoff-keramiken und vorläuferverbindungen, verfahren zur salzfreien polymerisation von rnhal3-nsi - x - brmhal2-m
EP1317462B1 (de) Siliciumborkarbonitridkeramiken und vorlaeuferverbindungen, verfahren zu deren herstellung und verwendung
DE10045427A1 (de) Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung
EP0973781B1 (de) Silylalkylborane, oligo oder polyborocarbosilazane, und silicium carbonitridkeramiken
US5071935A (en) Boron/nitrogen preceramic polymers and boron nitride ceramic materials produced therefrom
EP0511568B1 (de) Organische Silazanpolymere, Verfahren zu ihrer Herstellung, sowie ein Verfahren zur Herstellung von Keramikmaterialien
DE4241287A1 (de) Siliciumaluminiumnitridkeramik und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Verwendung
DE10104536A1 (de) Siliciumborcarbonitridkeramiken und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung
WO1998045303A1 (de) Borhaltige carbosilane, borhaltige oligo- oder polycarbosilazane und siliciumborcarbonitridkeramiken
US7297649B2 (en) Silicoboroncarbonitride ceramics and precursor compounds, method for the production and use thereof
DE19817680A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Siliciumbornitridkeramikpulvers
DE4320783A1 (de) Borhaltige Polysilazane, Verfahren zu ihrer Herstellung, aus ihnen herstellbare Bor und Silicium enthaltende keramische Materialien, sowie deren Herstellung
DE4320784A1 (de) Copolymere Borsilazane, Verfahren zu ihrer Herstellung, aus ihnen herstellbare Bor und Silicium enthaltende keramische Materialien, sowie deren Herstellung
DE10108069A1 (de) Hochtemperaturstabile Siliciumborcarbidnitridkeramiken aus Silylalkylborazinen, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
DE4001246A1 (de) Polymere polysilazane, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
DE3840776A1 (de) Oligomere silazane und verfahren zu ihrer herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee