DE10042945A1 - Bauelement für Sensoren mit integrierter Elektronik und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Sensor mit integrierter Elektronik - Google Patents
Bauelement für Sensoren mit integrierter Elektronik und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Sensor mit integrierter ElektronikInfo
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Abstract
Ein Bauelement für integrierte Sensoren, insbesondere für IR-Sensoren, hat ein Substrat (1), in dem eine Schaltung bzw. Bauelemente der Ausleseelektronik integriert ist/sind. Auf dem Substrat (1) ist eine Hilfsschicht angeordnet, die mit ein oder mehreren abgeschlossenen oder evakuierten Hohlräumen (3a) versehen ist. Eine Membran (4) schließt die Hohlräume (3a) nach oben ab, so dass ein Sensorelement vertikal in Bezug auf die Ausleseelektronik angeordnet werden kann. In Stützstrukturen (5) aus Si-Oxid befinden sich Metallisierungen (7), die sich senkrecht durch den Hohlraum (3a) erstrecken, um die vertikal angeordneten Sensorelemente und Ausleseschaltungen elektrisch zu verbinden.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bauelement für Senso
ren mit integrierter Elektronik gemäß dem Oberbegriff von Pa
tentanspruch 1, einen Sensor mit integrierter Elektronik ge
mäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 11, sowie ein Verfah
ren zur Herstellung eines Bauelements für Sensoren mit integ
rierter Elektronik gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch
13.
Integrierte Sensoren und Sensorarrays werden in zunehmendem
Maße mit Techniken der Mikromechanik hergestellt. Derartige
Sensoren bzw. Sensorarrays umfassen z. B. mechanische Senso
ren oder thermische Sensoren, bei denen auf einem Halbleiter
tragkörper ein oder mehrere Sensorelemente ausgebildet sind,
wobei in dem Halbleitertragkörper eine elektronische Schal
tung zur Auslesung der Sensorelemente integriert ist.
Beispielsweise ist bei integrierten Infrarotsensoren bzw.
hochauflösenden Infrarot-Detektorarrays auf dem Halbleiter
tragkörper bzw. Chip ein Sensorelement zur Messung der Inten
sität einer Infrarotstrahlung ausgestaltet, z. B. in Form ei
nes pyroelektrischen Kondensators. Neben dem Sensorelement
bzw. der Sensorstruktur befindet sich auf dem Chip weiterhin
eine Ausleseelektronik, die zur Verarbeitung der von der Sen
sorstruktur erzeugten Signale dient. Dabei sind die Auslese
elektronik und die Sensorstruktur nebeneinander auf dem Chip
aufgebracht. Die Ausleseelektronik ist im Chip integriert.
Allgemeiner Stand der Technik zum Thema Infrarotsensor ist
der US 5 403 752, der US 5 684 302 und der US 5 939 722 zu
entnehmen.
Weitere Sensoren mit mikromechanisch hergestellten Strukturen
sind z. B. Drucksensoren, Beschleunigungssensoren und Kraft
sensoren. Auch bei derartigen Sensoren können Schaltungen
bzw. Ausleseelektroniken im Chip integriert sein.
Die bekannten Sensoren mit integrierter Elektronik haben je
doch den Nachteil eines großen Platzbedarfs, da die Elektro
nik und die Sensorstruktur bzw. das Sensorelement auf dem
Chip nebeneinander aufgebracht sind. Dies führt dazu, dass
auf einer vorgegebenen Fläche oder Detektorfläche bzw. bei
einer vorgegebenen Chipgröße in einem integrierten Sensorar
ray die Anzahl der Sensorelemente begrenzt ist. Dadurch kann
z. B. die Qualität der Messergebnisse beschränkt werden und
es ergibt sich insbesondere bei bildgebenden oder optischen
Sensoren eine verschlechterte Auflösung.
Ein weiterer Nachteil bekannter Sensorstrukturen ist die man
gelnde Stabilität gegenüber mechanischen Einflüssen von au
ßen, insbesondere bei Chips, die in ihrem Inneren Hohlräume
aufweisen und sehr dünn ausgestaltet sind. Darüber hinaus
sollen die Sensoren bzw. deren Bauelemente oder Sensorstruk
turen kostengünstig herstellbar sein.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Bau
element für Sensoren mit integrierter Elektronik zu schaffen,
das einen reduzierten Platzbedarf hat, so dass Sensoren mit
integrierter Elektronik kleiner hergestellt werden können.
Weiterhin soll ein Sensor mit integrierter Elektronik ge
schaffen werden, der eine geringe Baugröße aufweist. Darüber
hinaus soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem integ
rierte Sensoren und/oder deren Bauelemente bzw. Komponenten
klein und kostengünstig herstellbar sind.
Die Aufgabe wird gelöst durch das Bauelement gemäß Patentan
spruch 1, den Sensor gemäß Patentanspruch 11, und durch das
Verfahren zur Herstellung eines Bauelements für Sensoren mit
integrierter Elektronik gemäß Patentanspruch 13. Weitere vor
teilhafte Merkmale, Aspekte und Details der Erfindung ergeben
sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den
Zeichnungen.
Das erfindungsgemäße Bauelement für Sensoren mit integrierter
Elektronik umfasst ein Substrat zum Tragen eines Sensorele
ments, elektronische Bauelemente, die in das Substrat integ
riert sind, beispielsweise die Verschaltung der Bauelemente,
die in das Substrat integiret ist und damit auch eine Schal
tung zur Auslesung des zu tragenden Sensorelements, wobei ei
ne Hilfsschicht auf dem Substrat angeordnet und mit mindes
tens einem Hohlraum versehen ist, und wobei eine Membran den
Hohlraum nach oben begrenzt, um das Sensorelement in vertika
ler Anordnung zur elektronischen Schaltung zu tragen.
Insbesondere durch die vertikale Anordnung der beiden Teile
Ausleseelektronik und Sensorelement bzw. Hohlraumbauelement
wird die Fläche, die für intelligente Sensoren mit integrier
ter Elektronik benötigt wird, wesentlich verkleinert. Somit
können z. B. Sensoren in einem Array wesentlich dichter anein
ander angeordnet werden. Damit werden insbesondere mit CMOS-
kompatibler Mikromechanik z. B. hochauflösende IR-
Detektorarrays zugänglich bzw. herstellbar, die einen verrin
gerten Platzbedarf haben.
Bevorzugt ist der Hohlraum abgeschlossen und/oder evakuiert.
Dadurch erfolgt vor allem eine thermische Isolierung der ein
zelnen Sensorelemente, so dass diese noch dichter angeordnet
werden können. Insbesondere bei Infrarotsensoren oder allge
mein bei optischen oder bildgebenden Sensoren wird durch eine
gute thermische Isolierung die Qualität der Messergebnisse
und die Auflösung wesentlich verbessert.
Vorteilhafterweise sind unter dem Hohlraum elektronische Bau
elemente angeordnet, während oberhalb des Hohlraums eine Ver
drahtung der Bauelemente ausgebildet ist. Dadurch wird zu
sätzlicher Platz eingespart.
Bevorzugt dienen z. B. oberflächenmikromechanisch hergestellte
Stützstrukturen zum Abstützen der Membran. Dabei können die
Stützstrukturen eine Metallisierung umfassen und somit neben
ihrer Stützfunktion auch zur Kontaktierung der unterhalb des
Hohlraums gelegenen Bauelemente dienen. Insbesondere sind die
Stützstrukturen säulenartig ausgestaltet. Dadurch ergibt sich
eine verbesserte Tragfähigkeit bei kleinerer Ausgestaltung.
Durch die Stützstrukturen und den Hohlraum wird das Überspre
chen zwischen einzelnen Sensorelementen bzw. Pixeln vermin
dert und es erfolgt gleichzeitig eine Kontaktierung der Bau
elemente z. B. der Schaltung zu einer Metallisierung auf der
gegenüberliegenden Seite des Hohlraums.
Die Stützstrukturen sind z. B. aus Si-Oxid gefertigt, wobei
insbesondere ein elektrischer Kontakt in die Stützstrukturen
eingebettet ist. Dadurch wird auf besonders einfache und kos
tengünstige Weise eine sehr wirksame Abstützung und gleich
zeitige Durchkontaktierung erzielt.
Die Hilfsschicht kann ein oder mehrere durchgehende Kontakt
löcher aufweisen, die sich insbesondere senkrecht zur Hilfs
schicht durch diese erstrecken und z. B. mit einem Metall oder
Edelmetall, insbesondere Wolfram, gefüllt sind. Die Kontakt
löcher können dabei in Bereichen der Hilfsschicht ausgebildet
sein, die als Stützstrukturen zum Abstützen der Membran aus
gestaltet sind. Dadurch können bei der Herstellung Kosten ge
spart werden, wobei die Stützstrukturen dennoch in ihrer
Funktion eine hohe Güte aufweisen.
Bevorzugt ist eine Passivierung auf dem Substrat unterhalb
der Hilfsschicht ausgebildet. Dadurch werden die elektroni
schen Schaltungen bzw. Bauelemente geschützt. Die Passivie
rung bzw. Schutzschicht wird gegebenenfalls strukturiert. Sie
dient insbesondere auch als Ätzstop für die Hohlraumätzung
und beispielsweise als Gegenelektrode in einem Sensor.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Sensor mit
integrierter Elektronik bereitgestellt, der ein erfindungsge
mäßes Bauelement wie es oben beschrieben ist und nachfolgend
noch näher erläutert wird, umfasst, wobei auf dem Bauelement
ein Sensorelement in vertikaler Anordnung zur integrierten
elektronischen Schaltung angeordnet ist. Der Sensor kann sehr
klein ausgestaltet werden und dennoch sehr gute Messergebnis
se bzw. hohe Auflösungen liefern.
Der Sensor kann z. B. als Infrarotsensor ausgestaltet sein
und/oder ein IR-Detektorarray bilden. Dabei sind eine Viel
zahl derartiger Sensoren bevorzugt in einem einzigen Chip
ausgebildet.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Bauele
ments für Sensoren mit integrierter Elektronik umfasst die
Schritte: Bereitstellen eines Substrats, das mit Bauelementen
einer Ausleseelektronik versehen ist; Aufbringen einer Hilfs
schicht auf das Substrat, so dass die Bauelemente überdeckt
werden; Aufbringen einer Membranschicht auf die Hilfsschicht;
und Entfernen von Bereichen der Hilfsschicht, so dass mindes
tens ein Hohlraum gebildet wird, wobei Stützstrukturen aus
Material der Hilfsschicht bestehen bleiben, die sich von der
Membranschicht ausgehend vertikal nach unten zu den Bauele
menten hin erstrecken und in die ein elektrisch leitender
Kontakt eingebettet ist oder eingebettet wird. Mit dem Ver
fahren kann auf kostengünstige Weise ein erfindungsgemäßes
Bauelement bzw. ein erfindungsgemäßer integrierter Sensor
hergestellt werden.
Bevorzugt wird vor dem Aufbringen der Hilfsschicht eine Pas
sivierung auf das Substrat aufgebracht, welche die Bauelemen
te der Ausleseelektronik überdeckt. Dadurch werden die darun
ter liegenden Bauelemente geschützt.
Vorteilhaft werden in der Hilfsschicht ein oder mehrere senk
rechte Kontaktlöcher ausgebildet, die mit Metall gefüllt wer
den, insbesondere mit Wolfram.
Auf die Membranschicht wird bevorzugt eine Metallisierung
aufgebracht, um die Bauelemente untereinander und/oder mit
dem hergestellten Bauelement für Sensoren zu verschalten.
Vorteile, Merkmale und Details der Erfindung, die unter Be
zugnahme auf das Verfahren zur Herstellung des Bauelements
oder Sensors angegeben werden, gelten selbstverständlich auch
für das Bauelement bzw. den Sensor selbst, ebenso wie Vortei
le und Merkmale des Bauelements oder Sensors auch für das er
findungsgemäße Verfahren gelten.
Nachfolgend wird zunächst das Verfahren zur Herstellung des
Bauelements und anschließend das Bauelement selbst beispiel
haft anhand der Figur beschrieben. Dabei zeigt
Fig. 1A bis C eine bevorzugte Ausführungsform des erfin
dungsgemäßen Bauelements schematisch in verschiedenen
Phasen seiner Herstellung.
Fig. 1A zeigt als Ausgangspunkt für die Herstellung eines
Bauelements 10 für integrierte Sensoren ein Substrat 1 in
Form eines Wafers, der beispielsweise mit Bauelementen einer
Ausleseelektronik bzw. einer elektronischen Schaltung oder
teilen davon versehen ist. Die Bauelemente der Ausleseelekt
ronik sind im Substrat 1 integriert bzw. enthalten und haben
Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung. Die Auslese
elektronik dient zur Auslesung und/oder Signalverarbeitung
eines Sensorelements, das später von dem Bauelement 10 getra
gen wird.
Auf dem Substrat 1 befindet sich eine Passivierung 2 in Form
einer Schutzschicht, die auf geeignete Weise je nach den An
forderungen des herzustellenden Sensors strukturiert ist. Die
Passivierung dient zum Schutz der darunter liegenden Bauele
mente der elektronischen Schaltung und dient gleichzeitig als
Ätzstop. Gegebenenfalls bildet diese Schicht eine Gegenelekt
rode in einem Sensor, der mit Hilfe des erfindungsgemäßen
Bauelements 10 hergestellt wird.
Über der Passivierung 2 bzw. Schutzschicht ist eine Hilfs
schicht 3 aufgebracht, die als Opferschicht für die spätere
Hohlraumätzung dient. Die Hilfsschicht 3 ist im vorliegenden
Fall beispielsweise eine 0,5 µm dicke Plasmaoxid- oder TEOS-
Schicht, die auf geeignete Weise planarisiert ist.
Auf der Oberseite der Passivierung 2 bzw. des Oxids wird eine
weitere Schicht 4 aufgebracht, die eine Membran bzw. Membran
schicht bildet. Die Membran ist beispielsweise aus Poly-Si
gefertigt.
Fig. 1B zeigt den Zustand des Bauelements 10 nach einem wei
teren Verfahrensschritt. Dabei werden Bereiche der Hilfs
schicht 3 zwischen der Passivierung 2 und der Membran 4 ent
fernt, so dass Hohlräume 3a in dem Bauelement 10 ausgebildet
werden, die durch die Passivierung 2, die Membran 4 und durch
das restliche Material der Hilfsschicht 3 begrenzt werden.
Das Bilden der Hohlräume erfolgt z. B. durch Ätzen. Hierzu
werden beispielsweise in die Membran 4 ein oder mehrere Lö
cher eingebracht, durch die die Hohlraumätzung erfolgt. An
schließend können die Löcher z. B. durch Aufbringen einer ge
eigneten Verschlussschicht wieder verschlossen werden.
Bei der Hohlraumätzung wird der Ätzprozess so geführt, dass
Säulen aus Si-Oxid stehen bleiben. Diese Säulen bilden
Stützstrukturen 5, welche die Membran 4 mit den später darauf
angeordneten Sensorelementen abstützen. Zumindest einige der
säulenartigen Stützstrukturen erstrecken sich oberhalb der
Kontaktierungen bzw. Kontaktflächen der integrierten Auswer
teelektronik durch den Hohlraum 3a senkrecht nach oben zur
Membran 4. In die Stützstrukturen werden später Kontakte bzw.
Leiterbahnen in Form von Metallisierungen eingebettet.
Je nach den Anforderungen des Sensors erfolgt das Verschlie
ßen der Hohlräume unter Vakuumbedingungen, so dass evakuierte
Hohlräume 3a im Bauelement 10 vorhanden sind, auf denen Sensor-
oder Pixelelemente ausgebildet werden können, um einen
integrierten Sensor zu bilden.
Fig. 1 C zeigt das Bauteil mit Metallisierungen 7, die sich
auf der Oberseite der Membran 4 und senkrecht durch das Bau
element 10 hindurch erstrecken. Die Metallisierungen 7 können
z. B. eine Standard-Mehrlagenmetallisierung sein. Sie dienen
zum Verschalten der elektronischen Bauelemente bzw. Logik-
Bauelemente untereinander und/oder mit dem Hohlraum-
Bauelement 10.
Die Metallisierungen 7 erstrecken sich im Inneren der Stütz
strukturen 5 aus Si-Oxid, so dass diese jeweils eine elektri
sche Leitung zur Kontaktierung der unterhalb des Hohlraums 3a
gelegenen Ausleseelektronik von oben her durch den Hohlraum
3a hindurch bilden.
Zur Bildung dieser Leitungen werden Kontaktlöcher 3b in die
Stützstrukturen 5 geätzt, die anschließend mit Wolfram aufge
füllt werden. Alternativ dazu ist es auch möglich, die Kon
taktlöcher 3b mit den eingebrachten Metallisierungen 7 vor
der Hohlraumätzung zu füllen. Auch können die Metallisierun
gen 7 auf der Membran 4 vor der Herstellung der Hohlräume 3a
aufgebracht werden.
Das in Fig. 1C gezeigte Bauelement 10 dient als Struktur zur
Bildung von Sensoren, wobei die elektronischen Bauelemente
der Schaltung zur Auslesung des vom Bauelement 10 zu tragen
den Sensorelements im Substrat 1 integriert ist. In der
Hilfsschicht 3 oberhalb des Substrats 1 bzw. oberhalb der
Schaltung ist der Hohlraum 3a ausgebildet, der nach oben hin
von der Membran 4 begrenzt ist bzw. durch die Membran 4 abge
schlossen ist. Die Membran 4 ist so ausgestaltet, dass sie
das aufzubringende Sensorelement in vertikaler Anordnung in
Bezug auf die elektronische Schaltung trägt.
Die Stützstrukturen S mit den integrierten Metallisierungen 7
verbinden die unterhalb des Hohlraums 3a gelegenen Bauelemen
te bzw. Schaltungen mit der Oberfläche der Membran 4, so dass
eine vertikale Kontaktierung von Anschlüssen 6 der Auslese
elektronik senkrecht zur Waferebene durch den Hohlraum 3a
hindurch erfolgt.
Zur Bildung eines erfindungsgemäßen Sensors wird auf dem Bau
element 10 vertikal über der Ausleseelektronik und über dem
jeweils zugehörigen Hohlraum 3a ein Sensorelement ausgebil
det, das je nach den Erfordernissen der zu detektierenden
bzw. zu messenden Größe ausgestaltet ist. Das Sensorelement
ist beispielsweise ein integrierter IR-Detektor. In diesem
Fall kann das Sensorelement z. B. durch einen pyroelektrischen
Kondensator gebildet sein, der aus zwei Elektroden mit einer
dazwischen liegenden PZT-Schicht (Bleizirkonattitanat-
Schicht) besteht.
Das Sensorelement kann aber auch zur Messung anderer Größen
ausgestaltet sein, beispielsweise zur Messung von Kräften o
der Beschleunigungen, wobei die konkrete Ausgestaltung mit
Techniken der Mikromechanik erfolgt.
Das Bauelement 10 kann eine Struktur zum Tragen einer Viel
zahl von Sensorelementen sein, so dass sich bei aufgebrachten
Sensorelementen ein Sensorarray ergibt, insbesondere in Form
eines IR-Detektorarrays.
Claims (16)
1. Bauelement für Sensoren mit integrierter Elektronik, mit
einem Substrat (1) zum Tragen eines Sensorelements, und
mit elektronischen Bauelementen, die in das Substrat (1)
integriert sind und zur Auslesung des zu tragenden Sen
sorelements dienen,
gekennzeichnet durch
eine Hilfsschicht (3), die auf dem Substrat (1) angeord net und mit mindestens einem Hohlraum (3a) versehen ist, und
eine Membran (4), die den Hohlraum (3a) nach oben be grenzt, um das Sensorelement in vertikaler Anordnung zur elektronischen Schaltung zu tragen.
eine Hilfsschicht (3), die auf dem Substrat (1) angeord net und mit mindestens einem Hohlraum (3a) versehen ist, und
eine Membran (4), die den Hohlraum (3a) nach oben be grenzt, um das Sensorelement in vertikaler Anordnung zur elektronischen Schaltung zu tragen.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass der Hohlraum (3a) ab
geschlossen und/oder evakuiert ist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass unter dem Hohlraum
(3a) elektronische Bauelemente angeordnet sind, während
oberhalb des Hohlraums (3a) eine Verdrahtung der Bauele
mente ausgebildet ist.
4. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch oberflächenmikromecha
nisch hergestellte Stützstrukturen (5) zum Abstützen der
Membran (4).
5. Bauelement nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, dass die Stützstrukturen
(5) eine Metallisierung umfassen und zur Kontaktierung
der unterhalb des Hohlraums (3a) gelegenen Bauelemente
dienen.
6. Bauelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, dass die Stützstrukturen
(5) säulenartig ausgestaltet sind.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, dass die
Stützstrukturen (5) aus Si-Oxid gefertigt sind, wobei
ein elektrischer Kontakt in die Stützstrukturen (5) ein
gebettet ist.
8. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die
Hilfsschicht (3) ein oder mehrere durchgehende Kontakt
löcher (3b) aufweist, die sich senkrecht zur Hilfs
schicht (3) durch diese erstrecken und mit einem Metall
oder Edelmetall, insbesondere Wolfram, gefüllt sind.
9. Bauelement nach Anspruch 8, dadurch
gekennzeichnet, dass die Kontaktlöcher (3b)
in Bereichen der Hilfsschicht (3) ausgebildet sind, die
als Stützstrukturen (5) zum Abstützen der Membran (4)
ausgestaltet sind.
10. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch eine Passivierung (2),
die auf dem Substrat (1) unterhalb der Hilfsschicht (3)
ausgebildet ist.
11. Sensor mit integrierter Elektronik,
gekennzeichnet durch ein Bauelement (10)
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, auf dem ein
Sensorelement in vertikaler Anordnung zur integrierten
elektronischen Schaltung angeordnet ist.
12. Sensor nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, dass er als Infrarotsensor
ausgestaltet ist und/oder ein IR-Detektorarray bildet.
13. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements für Sensoren
mit integrierter Elektronik, gekennzeichnet
durch die Schritte:
Bereitstellen eines Substrats (1), das mit Bauelementen einer Ausleseelektronik versehen ist;
Aufbringen einer Hilfsschicht (3) auf das Substrat (1), so dass die Bauelemente überdeckt werden;
Aufbringen einer Membranschicht (4) auf die Hilfs schicht(3);
Entfernen von Bereichen der Hilfsschicht (3), so dass mindestens ein Hohlraum gebildet wird,
wobei Stützstrukturen aus Material der Hilfsschicht (3) bestehen bleiben, die sich von der Membranschicht (4) ausgehend vertikal nach unten zu den Bauelementen hin erstrecken und in die ein elektrisch leitender Kontakt eingebettet ist oder eingebettet wird.
Bereitstellen eines Substrats (1), das mit Bauelementen einer Ausleseelektronik versehen ist;
Aufbringen einer Hilfsschicht (3) auf das Substrat (1), so dass die Bauelemente überdeckt werden;
Aufbringen einer Membranschicht (4) auf die Hilfs schicht(3);
Entfernen von Bereichen der Hilfsschicht (3), so dass mindestens ein Hohlraum gebildet wird,
wobei Stützstrukturen aus Material der Hilfsschicht (3) bestehen bleiben, die sich von der Membranschicht (4) ausgehend vertikal nach unten zu den Bauelementen hin erstrecken und in die ein elektrisch leitender Kontakt eingebettet ist oder eingebettet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der
Hilfsschicht (3) eine Passivierung (2) auf das Substrat
(1) aufgebracht wird, die die Bauelemente der Auslese
elektronik überdeckt.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch
gekennzeichnet, dass in der Hilfsschicht
(3) ein oder mehrere senkrechte Kontaktlöcher (3b) aus
gebildet werden, die mit Metall gefüllt werden, insbe
sondere mit Wolfram.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, dass auf die
Membranschicht (4) eine Metallisierung (7) aufgebracht
wird, um die Bauelemente untereinander und/oder mit dem
hergestellten Bauelement für Sensoren zu verschalten.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000142945 DE10042945A1 (de) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | Bauelement für Sensoren mit integrierter Elektronik und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Sensor mit integrierter Elektronik |
DE50108836T DE50108836D1 (de) | 2000-08-31 | 2001-07-20 | Bauelement für Sensoren mit intergrierter Elektronik und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Sensor mit intergrierter Elektronik |
EP20010117577 EP1184335B1 (de) | 2000-08-31 | 2001-07-20 | Bauelement für Sensoren mit intergrierter Elektronik und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie Sensor mit intergrierter Elektronik |
Applications Claiming Priority (1)
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