DE10038841C1 - SiO¶2¶-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe - Google Patents
SiO¶2¶-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer GasentladungslampeInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen SiO¶2¶-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung aus einem gasdichten Kompositmaterial, wobei das Kompositmaterial aus einem Edelmetall mit einem Schmelzpunkt > 1700 DEG C und aus SiO¶2¶ gebildet ist, und wobei das Kompositmaterial zumindest teilweise mit einer SiO¶2¶-Schicht bedeckt ist. Es stellt sich das Problem, eine gasdichte, korrosionsbeständige Stromdurchführung für einen SiO¶2¶-Glaskolben, vorzugsweise einer Entladungslampe, bereitzustellen, die eine hohe elektrische Leitfähigkeit besitzt und die einfach herzustellen und zu handhaben ist. Das Problem wird dadurch gelöst, dass das Edelmetall und das SiO¶2¶ homogen im Kompositmaterial verteilt sind, dass ein Edelmetallanteil im Kompositmaterial in einem Bereich von >= 10 Vol.-% bis 50 Vol.-% vorhanden ist und dass die SiO¶2¶-Schicht das Kompositmaterial zumindest im Bereich der Verbindung mit dem SiO¶2¶-Glaskolben bedeckt.
Description
Die Erfindung betrifft einen SiO2-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung aus ei
nem gasdichten Kompositmaterial, wobei das Kompositmaterial aus einem Edelmetall mit ei
nem Schmelzpunkt < 1700°C und aus SiO2, gebildet ist, und wobei das Kompositmaterial zu
mindest teilweise mit einer SiO2-Schicht bedeckt ist. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Hoch
leistungs-Entladungslampe sowie ein Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung
zwischen einem SiO2-Glaskolben und einer Stromdurchführung.
Stromdurchführungen aus Metall oder einem Kompositmaterial für SiO2-Glaskolben sind be
kannt. Dabei wird unter dem Begriff "Komposit" eine Kombination unterschiedlicher Werkstoff
gruppen verstanden. Hier ist speziell die Kombination zwischen einem Glaswerkstoff und einem
metallischen Werkstoff betroffen. Bei der Ausbildung einer gasdichten Verbindung zwischen
dem Material SiO2 und einer elektrisch leitenden, metallischen oder metallhaltigen Stromdurch
führung besteht grundsätzlich die Problematik, dass die Metallanteile der Stromdurchführung
einerseits durch zähflüssiges SiO2 nur schlecht benetzt werden. Andererseits erschwert der
niedrige thermische Ausdehnungskoeffizient von SiO2 im Verhältnis zu dem eines Metalls die
Ausbildung einer gasdichten Verbindung beträchtlich. Da beim Abkühlen nach dem Verschmel
zen die metallische oder metallhaltige Stromdurchführung stärker schrumpft als das SiO2 des
Glaskolbens, besteht die Neigung zur Bildung eines Spaltes an der Grenzfläche von Glaskolben
zu Stromdurchführung. Zwar kann diese Gefahr durch eine Minimierung der Dicke der Strom
durchführung vermindert werden, jedoch ist die Positionierung und Handhabung sehr dünner
Stromdurchführungen beispielsweise in Folienform schwierig. Um dennoch eine gasdichte Ver
bindung herstellen zu können, wurden bislang relativ aufwendige Lösungen vorgeschlagen.
So beschreibt die EP 0 938 126 A1 eine Stromdurchführung aus einem Kompositmaterial für
eine Lampe, insbesondere eine Entladungslampe, wobei das Kompositmaterial aus SiO2 und
Metall gebildet ist und wobei sich der Metall-Gehalt über die Länge der Stromdurchführung än
dert. Der Metall-Gehalt kann sich dabei von 0 bis 100% ändern. Die Seite mit dem niedrigen
Molybdängehalt wird in Richtung des Entladungsraumes der Lampe mit dem Lampenkolben
gasdicht verbunden. Dabei steht nur die Stirnseite der Stromdurchführung, die hauptsächlich
oder gänzlich aus SiO2 besteht, mit dem Gas im Entladungsraum in direktem Kontakt. In die
Stromdurchführung ist auf Seiten des niedrigen Metall-Gehalts eine metallische Elektrodenhal
terung eingesintert, wobei diese Halterung so weit in die Stromdurchführung eintaucht, dass ein
direkter Kontakt mit einem Komposit-Bereich hergestellt wird, in welchem der SiO2-Gehalt ≦
80% beträgt. So wird ein elektrischer Kontakt zwischen der Halterung und der Metall-reichen
Seite der Stromdurchführung hergestellt. Für das Kompositmaterial ist dabei ein Metallpulver
aus Molybdän mit einer mittleren Teilchengröße d50 von 1 µm und ein Glaspulver mit einer mitt
leren Teilchengröße d50 von 5,6 µm offenbart.
Die EP 0 930 639 A1 offenbart ebenfalls eine Stromdurchführung mit einem sich über deren
Länge ändernden Metall-Gehalt zusammen mit einem SiO2-Lampenkolben, wobei als geeig
nete Metalle für das Kompositmaterial neben Molybdän auch Wolfram, Platin, Nickel, Tantal
und Zirkon genannt sind. Zum Schutz des Metall-reichen Endes der Stromdurchführung vor
Oxidation ist eine Schutzschicht aus Glas, Metalloxid, Edelmetall oder Chrom vorgesehen, die
den aus dem Lampenkolben ragenden Teil der Stromdurchführung teilweise bedeckt. Die gas
dichte Verschmelzung zwischen Stromdurchführung und Lampenkolben ist in einem Bereich
der Stromdurchführung angeordnet, in welchem das Metall mit weniger als 2% im Komposit
material vorliegt.
Die Herstellung einer Stromdurchführung mit einer sich über die Länge der Stromdurchführung
ändernden Metallkonzentration ist jedoch apparativ aufwendig. Unterschiedliche Pulver müssen
hergestellt und in Lagen angeordnet werden. Zudem muss beim Einschmelzen einer Elektrode
in die Stromdurchführung auf die elektrische Leitfähigkeit der einzelnen Lagen und damit auf die
Eintauchtiefe der Elektrode in die Stromdurchführung geachtet werden, um einen durchgängi
gen elektrischen Kontakt zu erzeugen. Die Verschmelzung mit dem SiO2-Lampenkolben muss
in einem bestimmten Längenabschnitt der Stromdurchführung mit sehr niedriger Metallkonzent
ration erfolgen, um eine gasdichte Verbindung erreichen zu können. Bei hohen thermischen
Belastungen im Bereich der Stromdurchführung kann es zudem bei den nicht oxidationsbestän
digen Metallen wie zum Beispiel Molybdän zu Korrosion kommen.
Die EP 0 074 507 A2 beschreibt einen Werkstoff für elektrische Kontakte, insbesondere Schwach
stromkontakte, und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Der Werkstoff wird aus einem Edel
metall mit 1 bis 50 Vol.-% Glas gebildet, wobei vorzugsweise ein Edelmetallpulver mit einer
Teilchengröße von ≦ 250 µm und ein Glaspulver mit einer mittleren Teilchengröße von ≦ 50 µm
verwendet wird. Als Edelmetalle werden Gold, Silber, Palladium und deren Legierungen ver
wendet.
Es stellt sich das Problem, eine gasdichte, korrosionsbeständige Stromdurchführung für einen
SiO2-Glaskolben, vorzugsweise einer Entladungslampe, bereitzustellen, die eine hohe elektri
sche Leitfähigkeit besitzt und die einfach herzustellen und zu handhaben ist.
Das Problem wird dadurch gelöst, dass das Edelmetall und das SiO2 homogen im Komposit
material verteilt sind, dass ein Edelmetallanteil im Kompositmaterial in einem Bereich von
≧ 10 Vol.-% bis ≦ 50 Vol.-% vorhanden ist und dass die SiO2-Schicht das Kompositmaterial
zumindest im Bereich der Verbindung mit dem SiO2-Glaskolben bedeckt.
Dabei sollte das SiO2, welches für die Bildung des Kompositmaterials verwendet wird, eine
Reinheit von ≧ 97 Gew.-% aufweisen. Verunreinigungen im SiO2, die beispielsweise auf Alka
lien oder Erdalkalien zurückzuführen sind, sind demnach bis circa 3 Gew.-% tolerierbar.
Diese Stromdurchführung kann aufgrund der SiO2-Schicht auf ihrer gesamten Länge oder auch
nur in einem beliebigen Teilbereich gasdicht mit dem SiO2-Glaskolben verschmolzen werden.
Es ist nur ein einziges Kompositpulver zur Herstellung erforderlich. Da die Stromdurchführung
über ihre gesamte Länge eine gleichbleibend hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist, muss beim
Einschmelzen einer Elektrode in die Stromdurchführung nicht auf deren Eintauchtiefe in das
Kompositmaterial geachtet werden. Mit dem Anteil an Edelmetall in der Stromdurchführung
kann die Einstellung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der für die Stromdurchführung
vorzugsweise im Bereich von < 5 . 10-6 1/K gewählt wird, erfolgen. Als besonders vorteilhafte
Eigenschaft der Stromdurchführung wurde erkannt, dass das Kompositmaterial mit SiO2 und
dem Edelmetallanteil in Bereich von ≧ 10 Vol.-% bis ≦ 50 Vol.-% bei Temperaturen von größer
circa 1200°C leicht verformbar ist. Bei Temperaturen von größer circa 1600°C biegen sich bei
spielsweise als Stäbe ausgebildete Stromdurchführungen unter ihrem Eigengewicht rissfrei bis
zu einem Winkel von 90° ohne Beeinträchtigung der elektrischen Leitfähigkeit des Materials. Ein
Ausrichten beziehungsweise Begradigen einer solchen Stromdurchführung ist dadurch möglich.
Diese mechanischen Eigenschaften entsprechen zwar dem des reinen Quarzglases, jedoch
erstaunte, dass sie auch für das Kompositmaterial mit seiner hohen elektrischen Leitfähigkeit
und Stromübertragungsfähigkeit gelten. Eine gemessene Stromübertragungsfähigkeit von 20
Ampere bei einem Stab aus Kompositmaterial mit einem Durchmesser von 2 mm weist auf ein
zusammenhängendes Netzwerk der Edelmetallkomponente hin, das normalerweise steif und
kaum verformbar wäre. Diese Kombination von Eigenschaften des Kompositmaterials, die sich
aus Verformungseigenschaften des reinen Quarzglases und der Leitfähigkeit des Edelmetalls
bildet, ermöglicht eine präzise und sehr einfache Montage von Elektroden oder Kontaktstiften
an der Stromdurchführung. So kann beispielsweise an das Ende der Stromdurchführung, wel
ches in Richtung des Inneren des Glaskolbens zeigt, eine Wolframelektrode befestigt werden,
indem die Elektrode zusammen mit dem Pulvergemisch erhitzt wird. Auch ein Einsintern in be
reits gebildetes Kompositmaterial ist möglich. Zudem kann eine Elektrode auch in auf circa
1200°C erhitztes, zähflüssiges Kompositmaterial gesteckt werden. In allen drei Fällen wird in
einfacher Weise eine ausreichend leitfähige elektrische Verbindung erzeugt. Die Verbindung
eines Kontaktstiftes mit der Stromdurchführung auf deren dem Glaskolben abgewandten Ende
ist in gleicher Weise möglich. Das Ausrichten beziehungsweise Korrigieren der Position und
Lage der Elektrode beziehungsweise des Kontaktstiftes sowie ein Korrigieren der Geradheit der
Stromdurchführung selbst kann ebenfalls bei Temperaturen von circa 1200°C erfolgen.
Vorzugsweise ist das Kompositmaterial durch Erhitzen eines Pulvergemisches aus Edelmetall
pulver und SiO2-Glaspulver gebildet. Das Edelmetall kann dabei auch durch eine Edelmetall-
Legierung gebildet sein. Als besonders für das Kompositmaterial geeignet haben sich die Edel
metalle Platin, Rhodium, Ruthenium, Rhenium und Iridium erwiesen. Eine elektrische Leitfähig
keit der Stromdurchführung sollte vorzugsweise im Bereich von < 0,01 m/Ωmm2 gewählt werden.
Die Dicke der SiO2-Schicht sollte im Bereich von 5-25 µm, insbesondere aber im Bereich von
7-15 µm liegen. Besonders geeignet ist ein Edelmetallpulver, welches eine spezifische Ober
fläche nach BET (Brunauer-Emmett-Teller) im Bereich von 0,01 bis 10 m2/g aufweist. Von
Vorteil ist zudem, ein Edelmetallpulver mit einer mittleren Teilchengröße (d50) im Bereich von
3 bis 30 µm einzusetzen. Das SiO2-Glaspulver weist vorzugsweise eine spezifische Oberfläche
nach BET im Bereich von 10 bis 100 m2/g auf. Eine mittlere Teilchengröße (d50) für das SiO2-
Glaspulver im Bereich von 0,1 bis 10 µm hat sich bewährt. Besonders kostengünstig ist es,
wenn nur ein Edelmetallanteil im Kompositmaterial in einem Bereich von 10 Vol.-% bis 25 Vol.-
% vorhanden ist.
Der Einsatz des erfindungsgemäßen SiO2-Glaskolbens mit Stromdurchführung für Hoch
leistungs-Entladungslampen ist aufgrund der hohen Korrosionsbeständigkeit, Leitfähigkeit und
Gasdichtheit der Durchführung ideal.
Das Problem wird für ein Verfahren dadurch gelöst, dass das Pulvergemisch auf maximal 1200
-1600°C erhitzt wird, dass nach dem Erhitzen auf das gasdichte Kompositmaterial im Bereich
der Verbindung mit dem SiO2-Glaskolben die SiO2-Schicht aufgetragen wird, dass die Strom
durchführung in eine Öffnung des SiO2-Glaskolbens eingeführt wird und im Bereich der SiO2-
Schicht bei einer Temperatur < 1600°C gasdicht mit dem SiO2-Glaskolben verbunden wird.
Das Auftragen der SiO2-Schicht auf das Kompositmaterial erfolgt vorzugsweise in Form einer
Paste oder einer Suspension durch Sprühen oder Drucken oder Tauchen, wobei nachfolgend
die SiO2-Schicht auf dem Kompositmaterial eingebrannt werden sollte.
Der Auftrag der SiO2-Schicht auf das Kompositmaterial kann aber auch durch Aufdampfen,
Sputtern, chemische Abscheidung oder thermisches Spritzen erfolgen.
Das Problem wird für ein Verfahren bei Einsatz der Edelmetalle Ruthenium und/oder Rhenium
und/oder Iridium für das Komposit auch dadurch gelöst, dass das Pulvergemisch auf maximal
1200-1600°C erhitzt wird, dass das gasdichte Kompositmaterial nach dem Erhitzen zumindest
teilweise bei einer Temperatur 1600°C in Sauerstoff enthaltender Atmosphäre geglüht wird,
wodurch das Edelmetall an der Oberfläche des Kompositmaterials oxidiert und verdampft und
zumindest im Bereich der Verbindung mit dem SiO2-Glaskolben der Lampe die SiO2-Schicht
erzeugt wird, dass die Stromdurchführung in eine Öffnung des SiO2-Glaskolbens eingeführt
wird und im Bereich der SiO2-Schicht bei einer Temperatur < 1600°C gasdicht mit dem SiO2-
Glaskolben verbunden wird.
Dieses Verfahren nutzt die Erkenntnis, dass die Metalle Ruthenium, Rhenium und Iridium, wel
che flüchtige Oxide bilden, bei Erhitzen des Kompositmaterials auf eine Temperatur ≧ 1600°C in
Sauerstoff enthaltender Atmosphäre oberflächlich oxidieren und verdampfen. Es bildet sich
während des Glühens eine geschlossene dünne SiO2-Schicht um das Kompositmaterial aus,
die ein weiteres Abdampfen des Metalls verhindert und mit dem SiO2 der Glaskapsel einwand
frei und gasdicht verschmelzbar ist. Die Verschmelzung ist mechanisch so stabil, dass vermut
lich ein atomarer Verbund zwischen dem SiO2 der Glaskapsel, der durch Glühen erzeugten
SiO2-Schicht und dem SiO2 im Kompositmaterial gebildet wird.
Als Sauerstoff enthaltende Atmosphäre wird dabei vorzugsweise Luft verwendet, aber auch
reiner Sauerstoff oder weitere Gasgemische, die einen Sauerstoffanteil aufweisen, sind ver
wendbar.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Temperatur beim Erhitzen des Pulvergemisches stufen
weise auf maximal 1200-1600°C erhöht wird.
Kostengünstig ist ein Verfahren, bei welchem das Pulvergemisch vor dem Erhitzen geformt
wird. Bewährt hat sich, das Pulvergemisch vor dem Erhitzen formgebend zu pressen oder zu
extrudieren. Wird ein ungeformtes Pulvergemisch erhitzt, was selbstverständlich auch möglich
ist, so muss das daraus entstandene Kompositmaterial formgebend bearbeitet werden. Auf
grund der höheren Festigkeit des Kompositmaterials muss dies in der Regel durch wenig kos
tengünstige, spanabhebende Verfahren realisiert werden.
Folgende Beispiele 1 bis 6 sowie Fig. 1 sollen den Gegenstand der Erfindung beispielhaft er
läutern. So zeigt
Bsp. 1 ein Verfahren zur Herstellung einer Stromdurchführung mit Ruthenium,
Bsp. 2 ein weiteres Verfahren zur Herstellung einer Stromdurchführung mit Ruthenium,
Bsp. 3 eine Leitfähigkeitsmessung an einer Stromdurchführung mit Ruthenium,
Bsp. 4 eine Strombelastbarkeitsprüfung an einer Stromdurchführung mit Ruthenium,
Bsp. 5 eine mögliche Art der Montage einer Elektrode und eines Kontaktstiftes und
Bsp. 6 eine weitere mögliche Art der Montage einer Elektrode und eines Kontaktstiftes.
Fig. 1 eine Entladungslampe mit SiO2-Entladungsgefäß
Für das Pulvergemisch wird ein Edelmetallpulver aus Ruthenium mit einer spezifischen Ober
fläche nach BET von 0,96 m2/g und einer mittleren Teilchengröße d50 von 9,4 µm verwendet.
Das SiO2 wird mit einer spezifischen Oberfläche nach BET von 53 m2/g und einer mittleren Teil
chengröße d50 von 4,4 µm eingesetzt. 75 Vol.-% SiO2-Pulver und 25 Vol.-% Edelmetallpulver
werden unter Zugabe von destilliertem Wasser homogen gemischt und zu einer Paste verar
beitet. Diese Paste wird zu einem Strang mit einem Durchmesser von 2,5 mm extrudiert und an
Luft getrocknet. Der getrocknete Strang wird in inerter Atmosphäre, vorzugsweise in Argon, mit
einer Aufheizgeschwindigkeit von maximal 15°C/min auf 1500°C erhitzt, wobei eine stufenweise
Erhitzung durch ein Konstanthalten der Temperatur bei 500°C, 800°C und 1100°C über jeweils
30 min realisiert wird. Die Endtemperatur von 1500°C wird 2 h gehalten. Der abgekühlte Kom
positstrang mit einem Durchmesser von 1,9 mm wird gleichmäßig dünn mit einer Paste belegt,
die nur aus dem SiO2 mit einer spezifischen Oberfläche nach BET von 53 m2/g und einer mittle
ren Teilchengröße d50 von 4,4 µm unter Zumischung von destilliertem Wasser gebildet ist. Die
Paste wird an Luft getrocknet und bei 1550°C über 30 min auf dem Kompositstrang eingebrannt.
Der mit einer < 0,1 mm dicken SiO2-Schicht beschichtete Kompositstrang beziehungsweise die
Stromdurchführung wird auf eine Länge von 25 mm geschnitten und - gegebenenfalls nach
Montage einer Elektrode und eines Kontaktstiftes - in die rohrförmige Öffnung einer SiO2-
Glaskapsel eingeführt, wobei die rohrförmige Öffnung einen Innendurchmesser von 2 mm und
einen Außendurchmesser von 5,9 mm aufweist. Der Bereich der rohrförmigen Öffnung wird,
beispielsweise mit einer Wasserstoff-Flamme, lokal auf circa 1700°C erhitzt. Dadurch kollabiert
die rohrförmige Öffnung auf die Stromdurchführung und bildet einen gasdichten, mechanisch sta
bilen Verbund. Ein Schliffbild der Verbindungsstelle von Glaskapsel zu Stromdurchführung
zeigte keine Übergangslinien, die zum Beispiel durch Inhomogenitäten wie Poren, Risse oder
Gefügeunterschiede gebildet werden, zwischen Kompositmaterial und SiO2-Schicht bezie
hungsweise zwischen SiO2-Schicht und Glaskapsel mehr, sondern es war lediglich eine einheit
liche SiO2-Phase zu erkennen.
Gemäß Beispiel 1 wird ein Kompositstrang erzeugt, wobei eine Endtemperatur beim stufenwei
sen Erhitzen von 1300°C eingehalten wird. Der Kompositstrang wird bei 1620°C in Luft 30 min
lang geglüht. Zu Beginn des Glühprozesses ist kurzzeitig ein Abdampfen von Rutheniumoxid
festzustellen. Nach dem Abkühlen ist das Kompositmaterial allseitig mit einer dünnen SiO2-
Schicht überzogen und die Stromdurchführung kann gemäß Beispiel 1 in eine rohrförmige Öff
nung der Glaskapsel eingeschmolzen werden.
Für das Pulvergemisch wird ein Edelmetallpulver aus Ruthenium mit einer spezifischen Ober
fläche nach BET von 0,29 m2/g und einer mittleren Teilchengröße d50 von 5,0 µm verwendet.
Das SiO2 wird mit einer spezifischen Oberfläche nach BET von 53 m2/g und einer mittleren Teil
chengröße d50 von 4,4 µm eingesetzt. 88 Vol.-% SiO2-Pulver und 12 Vol.-% Edelmetallpulver
werden unter Zugabe von destilliertem Wasser homogen gemischt und zu einer Paste verarbeitet.
Diese Paste wird zu einem Strang mit einem Durchmesser von 2,5 mm extrudiert und an
Luft getrocknet. Der getrocknete Strang wird in inerter Atmosphäre, vorzugsweise in Argon, mit
einer Aufheizgeschwindigkeit von maximal 15°C/min auf 1300°C erhitzt, wobei eine stufenweise
Erhitzung durch ein Konstanthalten der Temperatur bei 500°C, 800°C und 1100°C über jeweils
30 min realisiert wird. Die Endtemperatur von 1300°C wird 2 h gehalten. Der Kompositstrang
wird bei 1620°C in Luft 30 min lang geglüht. Zu Beginn des Glühprozesses ist kurzzeitig ein Ab
dampfen von Rutheniumoxid festzustellen. Nach dem Abkühlen ist das Kompositmaterial allsei
tig mit einer dünnen SiO2-Schicht überzogen.
Die so hergestellte Stromdurchführung wird an den Stirnseiten von der SiO2-Schicht befreit und
einer elektrischen Leitfähigkeitsprüfung unterzogen. Es ergab sich ein Leitfähigkeits-Wert von
0,047 m/Ωmm2.
Die Stromdurchführung aus Beispiel 2 mit einem Durchmesser von 1,9 mm wurde einer Strom
belastbarkeitsprüfung unterzogen. Dazu wurde die stabförmige Stromdurchführung zwischen
zwei Kupferklemmen eingespannt und an Luft mit Strom beaufschlagt. Der Strom konnte bis zu
einem Wert von 20 Ampere erhöht werden, wobei sich die Stromdurchführung auf circa 1700°C
aufheizte. Erst eine Erhöhung des Stromes auf 22 Ampere führte zum Durchschmelzen der
Stromdurchführung. Somit ergibt sich eine mögliche Stromdichte in Höhe beachtlicher
7,05 A/mm2 für die getestete Stromdurchführung.
Für das Pulvergemisch wird ein Edelmetallpulver aus Ruthenium mit einer spezifischen Ober
fläche nach BET von 0,96 m2/g und einer mittleren Teilchengröße d50 von 9,4 µm verwendet.
Das SiO2 wird mit einer spezifischen Oberfläche nach BET von 53 m2/g und einer mittleren Teil
chengröße d50 von 4,4 µm eingesetzt. 75 Vol.-% SiO2-Pulver und 25 Vol.-% Edelmetallpulver
werden unter Zugabe von destilliertem Wasser homogen gemischt und zu einer Paste verar
beitet. Diese Paste wird zu einem Strang mit einem Durchmesser von 2,5 mm extrudiert und an
Luft getrocknet. Der getrocknete Strang wird in inerter Atmosphäre, vorzugsweise in Argon, mit
einer Aufheizgeschwindigkeit von maximal 15°C/min auf 1300°C erhitzt, wobei eine stufenweise
Erhitzung durch ein Konstanthalten der Temperatur bei 500°C, 800°C und 1100°C über jeweils
30 min realisiert wird. Die Endtemperatur von 1300°C wird 2 h gehalten. Nach dem Abkühlen
wird die Stromdurchführung auf eine Länge von 15 mm geschnitten und in die Stirnseiten des
Kompositstranges jeweils ein Sackloch mit einer Tiefe von 3 mm und mit einem Durchmesser
von 1 mm gebohrt. In eines der Sacklöcher wird eine Wolframdrahtelektrode eingeführt und in
das andere ein Kontaktstift aus Molybdän. Die Oberfläche des Kompositstranges wird anschlie
ßend gleichmäßig dünn mit einer Paste belegt, die nur aus dem SiO2 mit einer spezifischen
Oberfläche nach BET von 53 m2/g und einer mittleren Teilchengröße d50 von 4,4 µm unter Zumi
schung von destilliertem Wasser gebildet ist. Die Paste wird an Luft getrocknet und bei 1550°C
über 30 min auf dem Kompositstrang, der die Elektrode und den Kontaktstift aufweist, einge
brannt.
Es entsteht eine stromleitende, mechanisch stabile Verbindung zwischen Kompositmaterial und
Elektrode sowie Kompositmaterial und Kontaktstift.
Für das Pulvergemisch wird ein Edelmetallpulver aus Ruthenium mit einer spezifischen Ober
fläche nach BET von 0,96 m2/g und einer mittleren Teilchengröße d50 von 9,4 µm verwendet.
Das SiO2 wird mit einer spezifischen Oberfläche nach BET von 53 m2/g und einer mittleren Teil
chengröße d50 von 4,4 µm eingesetzt. 75 Vol.-% SiO2-Pulver und 25 Vol.-% Edelmetallpulver
werden unter Zugabe von destilliertem Wasser homogen gemischt und zu einer Paste verar
beitet. Diese Paste wird zu einem Strang mit einem Durchmesser von 2,5 mm extrudiert und an
Luft getrocknet. Der getrocknete Strang wird in inerter Atmosphäre, vorzugsweise in Argon, mit
einer Aufheizgeschwindigkeit von maximal 15°C/min auf 1300°C erhitzt, wobei eine stufenweise
Erhitzung durch ein Konstanthalten der Temperatur bei 500°C, 800°C und 1100°C über jeweils
30 min realisiert wird. Die Endtemperatur von 1300°C wird 2 h gehalten. Der Kompositstrang
wird abgekühlt, auf eine Länge von 15 mm geschnitten und anschließend bei 1620°C in Luft
30 min lang geglüht. Zu Beginn des Glühprozesses ist kurzzeitig ein Abdampfen von Rutheni
umoxid festzustellen. Nach dem Abkühlen ist das Kompositmaterial allseitig mit einer dünnen
SiO2-Schicht überzogen. Die Stromdurchführung wird an einer Stirnseite auf 1500°C erhitzt und
eine Wolframdrahtelektrode circa 2 mm in das zähflüssige Kompositmaterial eingedrückt. In
gleicher Weise wird der Kontaktstift am anderen Ende der Stromdurchführung befestigt.
Es entsteht eine stromleitende, mechanisch stabile Verbindung zwischen Kompositmaterial und
Elektrode sowie Kompositmaterial und Kontaktstift.
Fig. 1 zeigt eine Entladungslampe im Sinne der erfinderischen Lösung, die eine Stromdurch
führung 1 und einen SiO2-Glaskolben in Form eines Entladungsgefäßes 2 aufweist. Das Entla
dungsgefäß 2 weist im Bereich der Stromdurchführung 1 einen rohrförmige Abschnitt 3 mit ei
ner Öffnung auf, in welche die Stromdurchführung 1 eingeschmolzen ist. Die Stromdurchfüh
rung 1 ist aus einem Kompositmaterial 1a gebildet, das von einer dünnen SiO2-Schicht 1b um
geben ist. Das Ende der Stromdurchführung 1, welches in den Entladungsraum des Entla
dungsgefäßes 2 hineinragt, weist eine Wolframelektrode 4 auf. Das Ende der Stromdurchfüh
rung 1, welches aus dem Entladungsgefäß 2 hinausragt, weist einen Kontaktstift 5 aus Molyb
dän auf.
Claims (22)
1. SiO2-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung aus einem gasdichten Kom
positmaterial, wobei das Kompositmaterial aus einem Edelmetall mit einem Schmelz
punkt < 1700°C und aus SiO2 gebildet ist und zumindest
teilweise mit einer SiO2-Schicht bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Edel
metall und das SiO2 homogen im Kompositmaterial verteilt sind, dass ein Edelmetallanteil
im Kompositmaterial in einem Bereich von ≧ 10 Vol% bis ≦ 50 Vol% vorhanden ist und
dass die SiO2-Schicht das Kompositmaterial zumindest im Bereich der Verbindung mit
dem SiO2-Glaskolben bedeckt.
2. SiO2-Glaskolben nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Kompositmaterial
durch Erhitzen eines Pulvergemisches aus Edelmetallpulver und SiO2-Glaspulver gebil
det ist.
3. SiO2-Glaskolben nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das
Edelmetall aus einer Edelmetall-Legierung gebildet ist.
4. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das
Edelmetall aus Platin und/oder Rhodium gebildet ist.
5. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das
Edelmetall aus Ruthenium und/oder Rhenium und/oder Iridium gebildet ist.
6. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die
Stromdurchführung eine elektrische Leitfähigkeit von < 0,01 m/Ωmm2 aufweist.
7. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die
SiO2-Schicht eine Dicke im Bereich von 5-25 µm aufweist.
8. SiO2-Glaskolben nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der SiO2-
Schicht 7-15 µm beträgt.
9. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das
Edelmetallpulver eine spezifische Oberfläche nach BET im Bereich von 0,01 bis 10 m2/g
aufweist.
10. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das
Edelmetallpulver eine mittlere Teilchengröße (d50) im Bereich von 3 bis 30 µm aufweist.
11. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass
das SiO2-Glaspulver eine spezifische Oberfläche nach BET im Bereich von 10 bis
100 m2/g aufweist.
12. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass
das SiO2-Glaspulver eine mittlere Teilchengröße (d50) im Bereich von 0,1 bis 10 µm
aufweist.
13. SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der
Edelmetallanteil im Kompositmaterial in einem Bereich von ≧ 10 Vol% bis 25 Vol%
liegt.
14. Hochleistungs-Entladungslampe mit einem SiO2-Glaskolben nach einem der Ansprüche
1 bis 13.
15. Verfahren zu Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen einem SiO2-Glaskolben
und einer Stromdurchführung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Pulvergemisch auf maximal 1200-1600°C erhitzt wird, dass nach
dem Erhitzen auf das gasdichte Kompositmaterial im Bereich der Verbindung mit dem
SiO2-Glaskolben die SiO2-Schicht aufgetragen wird, dass die Stromdurchführung in eine
Öffnung des SiO2-Glaskolbens eingeführt wird und im Bereich der SiO2-Schicht bei einer
Temperatur < 1600°C gasdicht mit dem SiO2-Glaskolben verbunden wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftragen der SiO2-
Schicht auf das Kompositmaterial in Form einer Paste oder einer Suspension durch
Sprühen oder Drucken oder Tauchen erfolgt und dass die SiO2-Schicht auf dem Kompo
sitmaterial eingebrannt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftragen der SiO2-
Schicht auf das Kompositmaterial durch Aufdampfer, Sputtern, chemische Ab
scheidung oder thermisches Spritzen erfolgt.
18. Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen einem SiO2-Glaskolben
und einer Stromdurchführung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Pul
vergemisch auf maximal 1200-1600°C erhitzt wird, dass das gasdichte Kompositmateri
al nach dem Erhitzen zumindest teilweise bei einer Temperatur ≧ 1600°C in Sauerstoff
enthaltender Atmosphäre geglüht wird, wodurch das Edelmetall an der Oberfläche des
Kompositmaterials oxidiert und verdampft und zumindest im Bereich der Verbindung mit
dem SiO2-Glaskolben der Lampe die SiO2-Schicht erzeugt wird, dass die Stromdurch
führung in eine Öffnung des SiO2-Glaskolbens eingeführt wird und im Bereich der SiO2-
Schicht bei einer Temperatur < 1600°C gasdicht mit dem SiO2-Glaskolben verbunden
wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass als Sauerstoff enthaltende
Atmosphäre Luft verwendet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Tem
peratur beim Erhitzen stufenweise auf maximal 1200-1600°C erhöht wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Pul
vergemisch vor dem Erhitzen geformt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Pulvergemisch vor dem
Erhitzen gepresst oder extrudiert wird.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10038841A DE10038841C1 (de) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | SiO¶2¶-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe |
DE50101463T DE50101463D1 (de) | 2000-08-04 | 2001-07-10 | SiO2-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe |
EP01116803A EP1178519B1 (de) | 2000-08-04 | 2001-07-10 | SiO2-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe |
US09/919,018 US6525475B2 (en) | 2000-08-04 | 2001-07-31 | SiO2-glass bulb with at least one current lead-in, process for producing a gas-tight connection between them, and their use in a gas-discharge lamp |
JP2001234103A JP3523617B2 (ja) | 2000-08-04 | 2001-08-01 | 少なくとも1つの電流導入部を有するSiO2ガラス球、該ガラス球を有する高出力の放電ランプならびに該ガラス球とソケットとの間に気密な結合を製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10038841A DE10038841C1 (de) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | SiO¶2¶-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10038841C1 true DE10038841C1 (de) | 2001-12-20 |
Family
ID=7651832
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10038841A Expired - Fee Related DE10038841C1 (de) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | SiO¶2¶-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe |
DE50101463T Expired - Lifetime DE50101463D1 (de) | 2000-08-04 | 2001-07-10 | SiO2-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50101463T Expired - Lifetime DE50101463D1 (de) | 2000-08-04 | 2001-07-10 | SiO2-Glaskolben mit mindestens einer Stromdurchführung, Verfahren zur Herstellung einer gasdichten Verbindung zwischen beiden sowie ihre Verwendung in einer Gasentladungslampe |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6525475B2 (de) |
EP (1) | EP1178519B1 (de) |
JP (1) | JP3523617B2 (de) |
DE (2) | DE10038841C1 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4613408B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2011-01-19 | 日本碍子株式会社 | 高圧放電灯用発光管の製造方法 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2000
- 2000-08-04 DE DE10038841A patent/DE10038841C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-10 EP EP01116803A patent/EP1178519B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-10 DE DE50101463T patent/DE50101463D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-31 US US09/919,018 patent/US6525475B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-01 JP JP2001234103A patent/JP3523617B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Title |
---|
Patent abstracts of Japan, JP 09-115484A * |
Also Published As
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---|---|
US20020030446A1 (en) | 2002-03-14 |
US6525475B2 (en) | 2003-02-25 |
EP1178519A1 (de) | 2002-02-06 |
EP1178519B1 (de) | 2004-02-11 |
JP2002117809A (ja) | 2002-04-19 |
DE50101463D1 (de) | 2004-03-18 |
JP3523617B2 (ja) | 2004-04-26 |
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8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |