DE10033352A1 - Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe und elektronische Baugruppe - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe und elektronische BaugruppeInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe und eine elektronische Baugruppe, umfassend ein elektronisches Bauelement, einen Kühlkörper und ein Trägersubstrat, das eine erste Leiterbahn auf einer ersten Seite des Trägersubstrats und eine über thermische Durchkontaktierungen mit der ersten Leiterbahn verbundene zweite Leiterbahn auf einer zweiten Seite des Trägersubstrats aufweist, wobei der Kühlkörper oder das elektronische Bauelement auf die erste Leiterbahn des Trägersubstrats in einer Relow-Lötstation aufgelötet wird, die Leiterplatte anschließend gewendet wird und anschließend das noch fehlende Bauelement beziehungsweise der noch fehlende Kühlkörper auf die nunmehr oben liegende zweite Leiterbahn im Reflow-Lötverfahren aufgelötet wird. Es wird vorgeschlagen, daß die erste Leiterbahn wenigstens einen für die Aufbringung der ersten Lotschicht vorgesehenen Bestückungsabschnitt aufweisen, der nicht mit Durchkontaktierungen verbunden ist, daß wenigstens auf die erste Leiterbahn eine erste Lotstopp-Barriere aufgebracht wird, welche den Bestückungsabschnitt von dem restlichen mit den Durchkontaktierungen versehenen Bereich dieser Leiterbahn abgrenzt, und daß die erste Lotschicht auf den Bestückungsabschnitt der ersten Leiterbahn aufgebracht wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
elektronischen Baugruppe mit den Merkmalen des Oberbegriffs
des Anspruchs 1 und eine elektronische Baugruppe mit den
Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 6.
Aus der EP 0 871 352 A1 ist eine elektronische Baugruppe be
kannt, welche ein Trägersubstrat umfaßt, daß auf einer ersten
Seite mit Leiterbahnen versehen ist, welche über thermische
Durchkontaktierungen mit einer Leiterbahn auf der gegenüber
liegenden zweiten Seite des Trägersubstrats verbunden sind.
Auf die Leiterbahnen der ersten Seite ist ein elektronisches
Bauelement mit seinen Anschlüssen aufgelötet, auf die Leiter
bahn auf der Unterseite ist ein Kühlkörper aufgelötet. Im Be
trieb wird die von dem Bauelemente erzeugte Wärme über die
Durchkontaktierungen auf die zweite Seite des Trägersubstrats
abgeleitet und gelangt von dort auf den Kühlkörper.
Um den Herstellungsprozeß einer solchen Baugruppe möglichst
preiswert zu gestalten, ist bekannt, die elektronischen Bau
elemente und den Kühlkörper in Oberflächenmontage auf die
Leiterplatte aufbringen und im Reflow-Lötverfahren mit der
Leiterplatte zu verlöten. So ist zum Beispiel in der deut
schen Patentanmeldung DE 199 10 500 ein Verfahren zur Bestüc
kung einer Leiterplatte mit Bauelementen und Kühlkörpern be
schrieben worden, bei dem eine mit Durchkontaktierungen ver
sehene Leiterplatte auf Leiterbahnen der Oberseite mit je ei
ner Lotschicht versehen wird. Anschließend werden elektroni
sche Bauelemente auf die Lotpaste aufgesetzt und in einer Re
flow-Lötstation mit den zugeordneten Leiterbahnen verlötet.
Danach wird die Leiterplatte gewendet und mit nunmehr nach
oben weisender Unterseite auf den dort vorhandenen und mit
den Durchkontaktierungen verbundenen Leiterbahnen mit Lotpa
ste versehen, auf die Kühlkörperelemente bestückt werden. Die
Kühlkörperelemente werden schließlich durch nochmaliges Re
flow-Löten mit den Leiterbahnen auf der nach oben gewandten
Unterseite der Leiterplatte verlötet.
Bei der Durchführung dieses Verfahrens tritt die Schwierig
keit auf, daß während des ersten Reflow-Lötverfahrens die
Lotschicht auf der nach oben gewandten ersten Seite der Lei
terplatte schmilzt und durch die Durchkontaktierungslöcher
der Leiterplatte nach unten abfließen kann. Dabei kann das
Lot bis zu der nach unten gewandten zweiten Seite der Leiter
platte vordringen und sich dort ablagern. Nach dem Erstarren
des Lotes ist dann die Unterseite der Leiterplatte für die
weitere Bestückung der Leiterplatte mit Kühlkörpern oder Bau
elementen nicht mehr geeignet. Aus diesem Grund sind Versuche
mit einer die Durchkontaktierungen auf der zweiten Seite ab
deckenden Deckschicht durchgeführt worden. Die Deckschicht
(peelable mask) wird noch vor dem ersten Reflowlötschritt auf
die zweite Seite aufgebracht und verhindert, daß während des
Reflow-Lötens der ersten Seite Lot durch die Durchkontaktie
rungen auf die zweite Seite der Leiterplatte gelangen kann.
Anschließend muß jedoch die Deckschicht in aufwendiger Weise
wieder entfernt werden, um die zweite Seite mit Lotpaste be
drucken und mit Bauelementen oder Kühlkörpern bestücken zu
können. Hierdurch werden nachteilig Herstellungsaufwand,
-dauer und -kosten vergrößert.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer
elektronischen Baugruppe, welche ein mit einem elektronischen
Bauelement und einem Kühlkörper bestücktes Trägersubstrat um
faßt, mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 wird
vorteilhaft erreicht, daß während der Durchführung des ersten
Reflow-Lötverfahrens kein geschmolzenes Lot von der nach oben
gewandten ersten Seite in die Durchkontaktierungen eindringen
kann und von dort auf die Leiterbahn der Unterseite gelangt.
Dies wird vorteilhaft durch Auftragen einer Lotstopp-Barriere
auf die erste Leiterbahn auf der ersten Seite der Leiterplat
te erreicht, welche wenigstens einen nicht mit Durchkontak
tierungen versehenen Bestückungsabschnitt dieser Leiterbahn
von einem mit den Durchkontaktierungen versehen Bereich ab
grenzt. Die erste Lotschicht wird nur auf den wenigstens ei
nen Bestückungsabschnitt der ersten Leiterbahn aufgetragen.
Anschließend wird ein elektronisches Bauelemente oder ein
Kühlkörper auf die Lotschicht bestückt. Beim Aufschmelzen der
Lotschicht während des ersten Reflow-Lötverfahrens verhindert
die wie ein Damm wirkende Lotstopp-Barriere vorteilhaft, daß
flüssiges Lot in die Durchkontaktierungen eindringen kann.
Die Lotstopp-Barriere auf der ersten Leiterbahn muß nicht
entfernt werden und verbleibt auf dem Trägersubstrat, wodurch
ein Prozeßschritt eingespart werden kann. Durch das erfin
dungsgemäße Verfahren kann die Zuverlässigkeit der Wär
meableitung erhöht, der Herstellungsaufwand verringert und
die Herstellungskosten gesenkt werden. Außerdem wird die Po
sitionierung des elektronischen Bauelementes beziehungsweise
des Kühlkörpers durch die Lotstopp-Barriere erleichtert, da
dieser auf der geschmolzenen Lotschicht nicht wegschwimmen
kann.
Vorteilhafte Ausführungsbeispiele und Weiterentwicklungen der
Erfindung werden durch die in den Unteransprüchen enthaltenen
Merkmale ermöglicht.
Vorteilhaft ist, wenn zusätzlich auf die zweite Leiterbahn
eine zweite Lotstopp-Barriere aufgebracht wird, welche we
nigstens einen Bestückungsabschnitt der zweiten Leiterbahn
von dem restlichen mit Durchkontaktierungen versehen Bereich
dieser Leiterbahn abgrenzt. Die zweite Lotschicht wird dann
auf den Bestückungsabschnitt der ersten Leiterbahn aufge
bracht. Die Funktion der zweiten Lotstopp-Barriere ist eine
andere als die der erste Lotstopp-Barriere. Bei der Durch
führung des zweiten Reflow-Lötverfahrens, bei dem ein elek
tronisches Bauelement beziehungsweise ein Kühlkörper auf die
dann nach oben gewandte zweite Seite der Leiterplatte aufge
lötet wird, ist es nicht mehr erforderlich, zu verhindern,
daß Lot auf die nach unten gewandte erste Seite der Leiter
platte vordringt, da diese ja bereits fertig bestückt ist.
Die Aufgabe der zweiten Lotstopp-Barriere besteht darin, zu
verhindern, daß das elektronische Bauelement oder der Kühl
körper, je nachdem welches der beiden Bauteile im zweiten
Reflow-Verfahren aufgelötet werden soll, während der Durch
führung des zweiten Lötverfahrens auf der verflüssigten Lot
schicht wegschwimmt und aus seiner vorgegebenen Position
verlagert wird.
In einem anderen Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, daß die
zweite Leiterbahn wenigstens einen für die Aufbringung der
zweiten Lotschicht vorgesehenen und mit den Durchkontaktie
rungen verbunden Bestückungsabschnitt aufweist, welcher über
die Durchkontaktierungen mit dem nicht als Bestückungsab
schnitt vorgesehenen Bereich der ersten Leiterbahn verbunden
ist und daß die zweite Lotschicht auf den Bestückungsab
schnitt der zweiten Leiterbahn aufgebracht wird. Auch in
diesem Fall ist das möglicherweise durch die Durchkontaktie
rungen teilweise auf die nach unten gewandte erste Seite ab
fließende Lot unkritisch, da der Kühlkörper oder das Bauele
ment auf der ersten Seite bereits verlötet worden ist.
Ein verbesserter Wärmeübergang von dem elektronischen Bau
element auf den Kühlkörper wird dadurch erreicht, daß der
Kühlkörper dem auf der anderen Seite des Trägersubstrats an
geordneten elektronischen Bauelement mit kürzestem Abstand
direkt gegenüberliegt.
Weiterhin ist vorteilhaft, bei dem ersten Ausführungsbei
spiel des erfindungsgemäßen Verfahrens nach dem ersten Ver
fahrensschritt auf den mit den Durchkontaktierungen verbun
denen Bereich der zweiten Leiterbahn zusätzlich eine dritte
Lotschicht aufzutragen, welche sich während des zweiten Re
flow-Lötverfahrens verflüssigt und in die Durchkontaktierun
gen eindringt. Hierdurch wird die Wärmeableitungen über die
Durchkontaktierungen verbessert. Das Eindringen des Lotes in
die Durchkontaktierungen ist nun unproblematisch, da der er
ste Reflow-Lötschritt bereits durchgeführt wurde.
Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in
den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden
Beschreibung erläutert. Es zeigen
Fig. 1 bis 8 verschiedene Stadien eines ersten Ausführungs
beispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung
einer elektronischen Baugruppe und
Fig. 9 und 10 zwei Stadien eines zweites Ausführungsbeispiels
des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Das erfindungsgemäße Verfahren beginnt mit der Bereitstellung
einer Leiterplatte, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist. Darge
stellt ist ein Querschnitt durch eine Leiterplatte 1, welche
als Trägersubstrat verwandt wird. Es ist aber auch möglich
ein anderes Trägersubstrat, beispielsweise ein Keramiksub
strat zu verwenden. Auf einer ersten Seite 2 der Leiterplatte
ist eine erste großflächige Leiterbahn 4 aus beispielsweise
Kupfer in der üblichen Weise aufgebracht. Auf der gegenüber
liegenden zweiten Seite 3 ist eine zweite großflächige Kup
ferleiterbahn 5 aufgebracht. Weiterhin sind Durchkontaktie
rungen 8 vorgesehen, welche die erste Leiterbahn 4 mit der
zweiten Leiterbahn 5 verbinden. Die Durchkontaktierungen 8
können hergestellt werden, indem zunächst Bohrungen in die
Leiterplatte 1 und die Leiterbahnen 2, 3 eingebracht werden,
deren Innenwandung anschließend chemisch oder galvanisch mit
einer Metallisierung 9, beispielsweise einer Zinnschicht,
überzogen werden. Es sind auch andere Verfahren zur Herstel
lung der Durchkontaktierungen möglich. Wichtig ist, daß die
Durchkontaktierungen 8 die erste Leiterbahn 4 nicht überall,
sondern nur in einem Teilbereich mit der Leiterbahn 5 verbin
den und daß wenigstens ein Bestückungsabschnitt 6 der ersten
Leiterbahn 4 nicht über Durchkontaktierungen und mit der
zweiten Leiterbahn 5 verbunden ist. In dem hier gezeigten
Ausführungsbeispiel wird der wenigstens eine Bestückungsab
schnitt 6 der ersten Leiterbahn durch den Zentralbereich der
ersten Leiterbahn 4 gebildet, während zwei Außenbereiche über
mehrere Reihen von Durchkontaktierungen 8 mit der zweiten
Leiterbahn 5 verbunden sind. Die zweite Leiterbahn 5 weist
ebenfalls einen nicht mit Durchkontaktierungen 8 versehenen
Zentralbereich auf, welcher als Bestückungsabschnitt 7 vorge
sehen ist.
Wie in Fig. 2 dargestellt ist, wird anschließend eine erste
Lotstopp-Barriere 10 aus einem hitzebeständigen Lötstopplack
auf die erste Leiterbahn 4 aufgebracht. Die Lotstopp-Barriere
10 kann wie eine Lötstoppmaske beispielsweise durch Siebdruc
ken aufgebracht werden. Wie in Fig. 2 zu erkennen ist, trennt
die Lotstopp-Barriere 10 den wenigstens einen Bestückungsab
schnitt 6 von dem mit den Durchkontaktierungen 8 versehenen
Bereich der ersten Leiterbahn 4. Die Lotstopp-Barriere 10 um
faßt in diesem Ausführungsbeispiel zwei Wälle, welche sich
über die gesamte Breite der ersten Leiterbahn erstrecken. Auf
die zweite Leiterbahn 5 auf der gegenüberliegenden zweiten
Seite 3 wird in gleicher Weise eine zweite Lotstopp-Barriere
11 aufgebracht, welche den zweiten Bestückungsabschnitt 7 von
dem mit den Durchkontaktierungen versehenen Bereich der zwei
ten Leiterbahn trennt.
Wie in Fig. 3 dargestellt, wird in einem weiteren Verfahrens
schritt eine erste Lotschicht 12 zwischen den beiden die Lot
stopp-Barriere 10 bildenden Wällen auf den Bestückungsab
schnitt 6 der ersten Leiterbahn 4 aufgebracht. Die erste Lot
schicht 12 schließt bündig mit der Lotstopp-Barriere 10 ab.
Die Lotschicht kann beispielsweise im Siebdruckverfahren auf
die Leiterplatte aufgetragen werden.
Wie in Fig. 4 dargestellt, wird schließlich ein Kühlkörper 13
mit einem SMD-Bestücker auf die erste Lotschicht 12 und die
Lotstopp-Barriere 10 aufgesetzt: In dem hier gezeigten Aus
führungsbeispiel ist vorgesehen, zuerst den Kühlkörper 13 auf
die erste Seite 2 der Leiterplatte aufzulöten und anschlie
ßend das elektronische Bauelement 16 auf die zweite Seite 3
der Leiterplatte aufzulöten. Natürlich ist es auch möglich,
während des ersten Reflow-Lötverfahrens zuerst das elektroni
sche Bauelement auf die erste Seite der Leiterplatte aufzulö
ten und im anschließenden zweiten Reflow-Lötverfahren den
Kühlkörper auf die zweite Seite aufzulöten.
Die mit dem Kühlkörper 13 bestückte Leiterplatte 1 wird an
schließend einer Reflow-Lötstation zugeführt, in welcher der
Kühlkörper mit der ersten Leiterbahn 4 verlötet wird, wie
dies in Fig. 5 dargestellt ist. Während des Reflow-Lötens
wird die Lotschicht 12 aufgeschmolzen. Die Lotstopp-Barriere
10 verhindert dabei vorteilhaft, daß das geschmolzene Lot
durch die Durchkontaktierungen 8 auf die zweite Leiterbahn 5
auf der nach unten gewandten zweiten Seite 3 der Leiterplatte
abfließt. Außerdem wird verhindert, daß der Kühlkörper 13 auf
der geschmolzenen Lotschicht seitlich wegschwimmt.
Nach der Durchführung des ersten Reflow-Lötverfahrens wird
die Leiterplatte gewendet, so daß nun die zweite Seite 3 oben
liegt, wie in Fig. 6 gezeigt ist. Auf die zweite Seite der
Leiterplatte wird nun die zweite Lotschicht 15 zwischen den
beiden Wällen der zweiten Lotstopp-Barriere 11 auf den Be
stückungsabschnitt 7 der zweiten Leiterbahn 5 aufgedruckt.
Zusätzlich kann eine dritte Lotschicht 14 jenseits der Gren
zen der Lotstopp-Barriere 11 auf den mit den Durchkontaktie
rungen 8 versehenen Bereich der zweiten Leiterbahn 5 aufge
bracht werden.
Fig. 7 zeigt die Bestückung des elektronischen Bauelementes
16, welches als SMD-Bauelement (Surface mounted device) auf
die zweite Lotschicht 15 aufgesetzt wird. Die Unterseite des
Bauelementes ist mit einer Metallisierung 17 versehen. Das
elektronische Bauelement 16 kann beispielsweise ein Wärme er
zeugender Leistungstransistor oder ein integrierter Schalt
keis sein. Die geometrischen Abmessungen des von der zweiten
Lotstopp-Barriere 11 begrenzten Bestückungsabschnitts stimmen
vorteilhaft mit der Flächenausdehnung des Bauelementes 16
überein.
Anschließend wird, wie in Fig. 8 gezeigt, die Leiterplatte
erneut einer Reflow-Lötstation zugeführt. Durch Wärmezufuhr
wird die zweite Lotschicht 15 und die dritte Lotschicht 14
aufgeschmolzen. Die Lotstopp-Barriere 11 verhindert, daß das
Bauelement 16 seitlich wegschwimmt. Trotz der relativ groß
flächigen Leiterbahn 5, welche deutlich größer als die Monta
gefläche des Bauelementes 16 ist, kann so erreicht werden,
daß das Bauelement 16 genau auf der Leiterplatte positioniert
wird. Während des zweiten Reflow-Lötverfahrens gelangt das
Lot der verflüssigten dritten Lotschicht 14 in die Öffnungen
der Durchkontaktierungen 8 und gegebenen falls auch auf die
nun unten liegende erste Leiterbahn 4. Dies ist aber unpro
blematisch, da dort der Kühlkörper bereits montiert ist. Dar
über hinaus wird durch das Auffüllen der Durchkontaktierungen
mit Lot vorteilhaft eine Verbesserung der thermischen Leitfä
higkeit der Durchkontaktierungen erreicht. Während der Durch
führung des zweiten Reflow-Lötverfahrens können auch die
nicht dargestellten Anschlußelemente des Bauelementes 16 mit
weiteren nicht dargestellten Leiterbahnen auf der zweiten
Seite 3 der Leiterplatte 1 verlötet werden. Durch Wahl des
Schmelzpunktes der ersten Lotschicht 12 oder durch eine ge
eignete Haltevorrichtung kann verhindert werden, daß der
Kühlkörper 13 während der Durchführung des zweiten Reflow-
Lötverfahrens von der nach unten gewandten ersten Seite der
Leiterplatte abfällt. Während der Abkühlung der Leiterplatte
reduzieren die Lotstopp-Barrieren 10 und 11 das Risiko, daß
durch das unterschiedliche Ausdehnungsverhalten von Bauelement
und Kühlkörper, Lotschichten und Leiterplattenmaterial Scher
kräfte zu einer Ablösung des Bauelementes oder des Kühlkör
pers von der Leiterplatte führen. Die schließlich herstellte
elektronische Baugruppe des ersten Ausführungsbeispiels ist
in Fig. 8 gezeigt. Wie zu erkennen ist verbleibt die Lot
stopp-Barriere 10 und die Lotstopp-Barriere 11 auf dem Trä
gersubstrat und muß nicht entfernt werden.
In Fig. 9 und 10 sind zwei Verfahrensschritte eines alterna
tiven Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäße Verfahren ge
zeigt. Der in Fig. 9 gezeigte Verfahrensschritt entspricht
dabei dem in Fig. 4 für das erste Ausführungsbeispiel gezeig
ten Verfahrensschritt, der in Fig. 10 gezeigte Schritt ent
spricht dem Verfahrensschritt des ersten Ausführungsbeispiels
aus Fig. 7.
Bei dem in Fig. 9 gezeigten Trägersubstrat 1 ist der zentrale
Bereich der ersten Leiterbahn 4 auf der ersten Seite 2 der
Leiterplatte 1 über Durchkontaktierungen 8 mit der zweiten
Leiterbahn 5 auf der zweiten Seite 3 verbunden. Zwei Außenbe
reiche der ersten Leiterbahn 4 sind als Bestückungsabschnitte
6 vorgesehen und durch die Lötstopp-Barriere 10, welche wie
der zwei Wälle umfaßt, die sich über die ganze Breite der er
sten Leiterbahn 4 erstrecken, von dem mit den Durchkontaktie
rungen 8 versehenen Zentralbereich getrennt. Die Lotschicht
12 wird in diesem Ausführungsbeispiel zweiteilig auf die bei
den Bestückungsabschnitte 6 aufgebracht. Nach dem Bestücken
mit dem Kühlkörper 13 und dem Verlöten wird die Leiterplatte
gewendet, wie in Fig. 10 dargestellt. Die zweite Leiterbahn 5
umfaßt in diesem Ausführungsbeispiel nur einen mit den Durch
kontaktierungen 8 versehenen Bestückungsabschnitt für das
elektronische Bauelement 16. Die Lötstopp-Barriere 11 wird
nur auf die äußeren Ränder der zweiten Leiterbahn 5 aufgetra
gen. Anschließend wird die zweite Lotschicht 15 über den
Durchkontaktierungen 8 auf die zweite Leiterbahn 5 aufgetra
gen und ein elektronisches Bauelemente 16 mit der metalli
sierten Unterseite 17 auf die Lotschicht 15 aufgebracht und
im Reflow-Lötverfahren mit der zweiten Leiterbahn verlötet.
Geschmolzenes Lot kann dabei durch die Durchkontaktierungen 8
auf die nach unten gewandte erste Seite 2 der Leiterbahn vor
dringen, wo der Kühlkörper bereits aufgelötet worden ist.
Fig. 10 zeigt das schließlich fertig hergestellte zweite Aus
führungsbeispiel der elektronischen Baugruppe.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe,
welche wenigstens ein mit einem elektronischen Bauelement
(16) und wenigstens einem Kühlkörper (13) bestücktes Träger
substrat (1) umfaßt, das eine erste Leiterbahn (4) auf einer
ersten Seite (2) des Trägersubstrats (1) und eine über ther
mische Durchkontaktierungen (8) mit der ersten Leiterbahn
(4) verbundene zweite Leiterbahn (5) auf einer zweiten Seite
(3) des Trägersubstrats (1) aufweist, wobei in einem ersten
Verfahrensschritt der Kühlkörper (13) oder das elektronische
Bauelement (16) auf die nach oben gewandte erste Leiterbahn
(4) des Trägersubstrats mittels einer ersten Lotschicht (12)
in einer Reflow-Lötstation aufgelötet wird, die Leiterplatte
anschließend gewendet wird und in einem zweiten Verfahrens
schritt das noch fehlende elektronische Bauelement (16) be
ziehungsweise der noch fehlende Kühlkörper (13) auf die nun
mehr oben liegende zweite Leiterbahn (5) mittels einer zwei
ten Lotschicht (15) in einer Reflow-Lötstation aufgelötet
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leiterbahn (4)
wenigstens einen für die Aufbringung der ersten Lotschicht
(12) vorgesehenen Bestückungsabschnitt (6) aufweist, der
nicht mit Durchkontaktierungen (8) verbunden ist, daß wenig
stens auf die erste Leiterbahn (4) eine erste Lötstopp-
Barriere (10) aufgebracht wird, welche den wenigstens einen
Bestückungsabschnitt (6) der ersten Leiterbahn (4) von dem
restlichen mit den Durchkontaktierungen (8) versehen Bereich
dieser Leiterbahn abgrenzt, und daß die erste Lotschicht
(12) auf den wenigstens einen Bestückungsabschnitt (6) der
ersten Leiterbahn (4) aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die zweite Leiterbahn (5) wenigstens einen für die Aufbrin
gung der zweiten Lotschicht (15) vorgesehenen Bestückungsab
schnitt (7) aufweist, der nicht mit Durchkontaktierungen (8)
verbunden ist, und daß zusätzlich auf die zweite Leiterbahn
(5) eine zweite Lotstopp-Barriere (11) aufgebracht wird,
welche den Bestückungsabschnitt (7) der zweiten Leiterbahn
(5) von dem restlichen mit den Durchkontaktierungen (8) ver
sehen Bereich dieser Leiterbahn abgrenzt und daß die zweite
Lotschicht (15) auf den Bestückungsabschnitt (7) der zweiten
Leiterbahn (5) aufgebracht wird (Fig. 1 bis Fig. 8).
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die zweite Leiterbahn (5) wenigstens einen für die Aufbrin
gung der zweiten Lotschicht (15) vorgesehenen und mit den
Durchkontaktierungen (8) verbunden Bestückungsabschnitt (7)
aufweist, welcher über die Durchkonktaktierungen (8) mit dem
nicht als Bestückungsabschnitt vorgesehenen Bereich der er
sten Leiterbahn (4) verbunden ist und daß die zweite Lot
schicht (15) auf den Bestückungsabschnitt (7) der zweiten
Leiterbahn (5) aufgebracht wird (Fig. 9 und Fig. 10).
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der Kühlkörper (13) dem auf der anderen Seite des Trä
gersubstrats (1) angeordneten elektronischen Bauelement (16)
mit kürzestem Abstand direkt gegenüberliegt.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
nach dem ersten Verfahrensschritt auf den mit den Durchkon
taktierungen (8) verbundenen Bereich der zweiten Leiterbahn
(5) zusätzlich eine dritte Lotschicht (14) aufgebracht wird,
welche sich während des zweiten Reflow-Lötverfahrens ver
flüssigt und in die Durchkontaktierungen eindringt (Fig. 6).
6. Elektronische Baugruppe, welche wenigstens ein mit einem
elektronischen Bauelement (16) und wenigstens einem Kühlkör
per (13) bestücktes Trägersubstrat (1) umfaßt, das eine er
ste Leiterbahn (4) auf einer ersten Seite (2) des Trägersub
strats (1) und eine über thermische Durchkontaktierungen (8)
mit der ersten Leiterbahn (4) verbundene zweite Leiterbahn
(5) auf einer zweiten Seite (3) des Trägersubstrats (1) auf
weist, wobei der Kühlkörper (13) oder das elektronische Bau
element (16) auf die erste Leiterbahn (4) des Trägersub
strats mittels einer ersten Lotschicht (12) aufgelötet ist,
und das elektronische Bauelement (16) beziehungsweise der
Kühlkörper (13) auf die zweite Leiterbahn (5) mittels einer
zweiten Lotschicht (15) aufgelötet ist, dadurch gekennzeich
net, daß die erste Leiterbahn (4) wenigstens einen für die
Aufbringung der ersten Lotschicht (12) vorgesehenen Bestück
ungsabschnitt (6) aufweist, der nicht mit Durchkontaktie
rungen (8) verbunden ist, daß wenigstens auf die erste Lei
terbahn (4) eine erste Lotstopp-Barriere (10) aufgebracht
ist, welche den wenigstens einen Bestückungsabschnitt (6)
der ersten Leiterbahn (4) von dem restlichen mit den Durch
kontaktierungen (8) versehen Bereich dieser Leiterbahn ab
grenzt, und daß die erste Lotschicht (12) auf den wenigstens
einen Bestückungsabschnitt (6) der ersten Leiterbahn (4)
aufgebracht ist.
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