DE10021585C1 - Verfahren und Vorrichtung zum Einschmelzen und Erstarren von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille - Google Patents

Abstract

Bei einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Einschmelzen von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille (6) und zum gerichteten Erstarren der Schmelze (15) in dieser Kokille (6), die einen Boden (7a) besitzt, unter dem zur Zufuhr der Schmelzwärme eine Bodenheizeinrichtung (8) und zur Abfuhr der Erstarrungswärme bei der gerichteten Erstarrung eine Kühleinrichtung (19) angeordnet sind, wobei als Bodenheizeinrichtung (8) unter dem Boden (7a) der Kokille (6) eine mit Zwischenräumen versehene Widerstandsheizeinrichtung verwendet wird, wird zur Erzielung eines kompakten Aufbaus und eines intensiveren Wärmeaustauschs in Richtung zum Boden (7a) der Kokille (6) und in umgekehrter Richtung die Kühleinrichtung (19) mit einem freien Abstand unterhalb der Bodenheizeinrichtung (8) angeordnet. Ferner wird während der Schmelzperiode bei eingeschalteter Bodenheizeinrichtung (8) zwischen dieser und der Kühleinrichtung (19) ein Isolierschieber (18) in waagrechter Richtung eingebracht, durch den eine Sichtverbindung zwischen der Bodenheizeinrichtung (8) und der Kühleinrichtung (19) unterbrochen wird, und schließlich wird während mindestens eines Teils der Erstarrungsphase der Isolierschieber (18) in waagrechter Richtung entfernt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einschmelzen von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille und zum gerichteten Erstarren der Schmelze in dieser Kokille, die einen Boden besitzt, unter dem zur Zufuhr der Schmelzwärme eine Bodenheizeinrichtung und zur Abfuhr der Erstar­ rungswärme bei der gerichteten Erstarrung eine Kühleinrichtung angeord­ net sind, wobei als Bodenheizeinrichtung unter dem Boden der Kokille eine mit Zwischenräumen versehene Widerstandsheizeinrichtung verwen­ det wird.

Gußblöcke und Formgußteile mit gerichteter Erstarrung, d. h. gezieltem Kristallwachstum, gewinnen wegen ihrer verbesserten Eigenschaften zunehmend an Bedeutung. Die reproduzierbare Herstellung in großtechni­ schem Maßstab ist jedoch schwierig. Auf dem Gebiet der Photovoltaik, d. h. bei der Herstellung von Ausgangsmaterial (Wafern) für Solarzelten, hängt deren elektrischer Wirkungsgrad entscheidend von der Größe der Kristalle ab, die parallel zueinander verlaufen und einen möglichst großen Querschnitt haben sollten.

Dieser parallele Verlauf der Kristalle (Dendriten) setzt jedoch voraus, daß eine möglichst ebene Phasengrenze festflüssig allmählich von unten nach oben durch den Ingot wandert, die Verunreinigungen vor sich her schiebt und unter sich einen Einkristall oder großkristallinen Polykristall aufbaut. Eine ebene Phasengrenze fordert jedoch ein möglichst großes Verhältnis von vertikalen zu horizontalen Temperaturgradienten.

Beim Zonenschmelzen nach Czochralski wird ein polykristalliner Ingot aus Silizium senkrecht aufgehängt, und eine den Ingot umgebend Heizspule wird achsparallel von unten nach oben bewegt, so daß die Phasengrenze festflüssig der relativen Spulenbewegung folgt. Der Ingotquerschnitt ist jedoch begrenzt, und das Verfahren läuft nur langsam ab, so daß eine Steigerung der Produktionsmenge eine Vielzahl derartiger Vorrichtungen erforderlich macht.

Durch die EP 0 021 385 A1 ist es auch bekannt, Siliziumstäbe im Strang­ gußverfahren dadurch herzustellen, daß man den Ingot mittels einer angetriebenen Kühlplatte kontinuierlich aus einer unten offenen, beheizten Stranggußkokille abzieht und von oben aus einem Schmelzbehälter mit einem Bodenauslauf geregelt flüssiges Silizium nachchargiert. Die Bauhöhe ist jedoch beträchtlich, und der Ingot muß zur Vermeidung einer Reaktion mit dem Kokillenwerkstoff von einer Schutzschmelze umgeben sein, die mit Silizium nicht mischbar ist und beispielhaft aus Erdalkali­ fluoriden besteht.

Bei diesem Verfahren ändert sich jedoch laufend das Verhältnis von vertikalem zu horizontalem Temperaturgradienten, weil der Einfluß der Bodenkühlung mit wachsender Blocklänge abnimmt und der Wärmeverlust durch radiale Strahlung von der freigegebenen Blockoberfläche immer mehr zunimmt. Selbst eine anfänglich ebene Phasengrenze wird dadurch allmählich zu einer paraboloidförmigen Phasengrenze, und da das Kristall­ wachstum stets senkrecht zur Phasengrenze verläuft, haben die Kristalle schließlich eine radial konvergierende Richtung und nehmen an Größe ab.

Außerdem ist die Regelung eines solchen Verfahrens aufwendig und die Produktivität gleichfalls gering. Schließlich leidet das Verfahren unter der Gefahr einer Störung des Kristallisationsprozesses durch Erschütterungen des Bewegungsmechanismus.

Zur Erhöhung der Produktivität ist es durch die US 3 601 179 A weiterhin bekannt, eine fahrbare Schmelzkammer mit einem Kipptiegel zwischen zwei Reihen von Kristallisationskammern mit Standkokillen zu verfahren, die von Heizspulen umgeben sind und auf Kühlplatten stehen. Zum Abgießen der Siliziumschmelze wird die Schmelzkammer mit jeweils einer der Kristallisationskammern durch ein Schleusensystem von Vakuumschie­ bern verbunden, um den Abguß und die Kristallisation unter Vakuum oder einem Schutzgas durchführen zu können. Um die Standkokille entnehmen zu können, muß zunächst die Heizspule mittels eines Hydraulikantriebs um mehr als das Höhenmaß der Kokille angehoben werden, was zunächst einmal mindestens die doppelte Bauhöhe der Kristallisationskammern erforderlich macht, außerdem besitzt jede Kristallisationskammer eine eigene seitliche Tür für die Entnahme der Standkokille. Die Anlage ist dadurch sehr aufwendig und bei den häufigen Inspektionen und eventu­ ellen Reparaturen an der Schmelzkammer nicht betriebsbereit.

Durch die DE 33 23 896 C2 ist es ferner bekannt, einen Tiegel bzw. eine Kokille mit ihrer Boden-Kühleinrichtung ortsfest in einer gemeinsamen Wärmedämmung unterzubringen, die im Bereich der Kokille außen von einer Induktionsspule umgeben ist. Mit dieser wird auch das Aufschmel­ zen der zunächst festen Charge bewirkt. Zur Erzeugung einer ebenen Phasengrenze wird das Verhältnis von Wandheizung zu Bodenkühlung der Kokille laufend verändert. Bei einem der Ausführungsbeispiele stehen mehrere Kokillen auf einer Grafitplatte, die mit Kühlkanälen versehen ist und unter der eine Widerstandsheizeinrichtung angeordnet ist. Deren Heizleistung muß also bei abgeschalteter Kühlung durch die Grafitplatte auf die Kokillen übertragen werden. Da Grafit ein relativ schlechter Wärmeleiter ist, kann dies nur mit erheblicher Zeitverzögerung und mit einem erheblichen Temperaturgradienten erfolgen. Zum gerichteten Erstarren wird die Heizung abgeschaltet und die Kühlung der Grafitplatte eingeschaltet. Auch dieser Vorgang ist mit erheblicher Zeitverzögerung und mit einem erheblichen Temperaturgradienten verbunden. Auch hierbei ist die Produktivität gering.

Die EP 218 088 B1 offenbart gleichfalls den Einfluß einer zeitlichen Verän­ derung des Wärmehaushalts auf die gerichtete, bzw. kolumnare Erstar­ rung von Schmelzen, die zuvor in eine Kokille eingegossen wurden. Dies geschieht durch eine spezielle Ausbildung der Kokillenheizung, die auf dem Umfang geteilt ausgebildet sein kann, wobei für rechteckige Kokillen eine vierteilige und für runde Kokillen eine halbschalige Ausführung der Kokillenheizeinrichtung empfohlen wird. Über die Ausbildung der übrigen Teile der Vorrichtung schweigt sich die Schrift jedoch aus.

Durch die US 2 970 075 ist es bekannt, weichmagnetische Werkstoffe aus Siliziumeisen mit mindesten 92% Eisen und maximal 5% Silizium dadurch gerichtet erstarren zu lassen, daß man auf den Boden einer Kokille ein Paket aus Streifen aus gewalztem Siliziumeisen mit einer Vorzugsrichtung der Kristallorientierung als Keimkörper legt und den Rest des Kokillen­ hohlraums mit einer extern erzeugten Schmelze auffüllt. Zur Vorheizung der Seitenwände der Kokille auf etwa 1400°C vor dem Abguß ist angege­ ben, daß man im Kokillenhohlraum eine elektrische Widerstandsheizung oder eine andere Heizquelle vorsieht, die natürlich vor dem Abguß nach oben entfernt werden muß. Zur Durchführung einer gerichteten Erstarrung durch einen vertikalen Temperaturgradienten werden zwei Möglichkeiten angegeben, nämlich erstens ein stationärer Kühlkasten unter dem Kokillen­ boden und zweitens eine Düsenbatterie, mit der Kühlwasser gegen den Kokillenboden gesprüht werden kann. Ein schnelles Umschalten von Heizung auf Kühlung ist damit nicht möglich.

Durch die US 3 204 301 sind drei Verfahren und Vorrichtungen bekannt, Stahl dadurch gerichtet erstarren zu lassen, daß man eine extern erzeugte Stahlschmelze auf eine stationäre Bodenplatte aufgießt, die aus Kupfer besteht und mit Kühlwasseranschlüssen versehen ist. Die Schmelze läßt man anschließend durch einen vertikalen Temperaturgradienten gerichtet erstarren. In einem ersten Fall wird eine radiale Wärmezufuhr durch eine exotherme Reaktion eines Thermitgemischs aus Eisenoxid, Aluminium und einem Bindemittel erzeugt, das den Stahlblock konzentrisch umgibt. In den beiden übrigen Fällen ruht auf dem Rand der gekühlten Bodenplatte ein Hohlzylinder aus einem wärmedämmenden Feuerfestwerkstoff. In dem zweiten Fall wird die Heizenergie durch ringförmige Gasbrenner erzeugt, die den Hohlzylinder konzentrisch umgeben und zwischen sich alternie­ rend ringförmige Kühlkörper für Luftstrahlen einschließen. Durch sequen­ tielle Umschaltung kann ein zusätzlicher Temperaturgradient erzeugt werden, der jedoch starke radiale Komponenten hat. In dem dritten Fall ist der Hohlzylinder konzentrisch von mehrerer Induktionspulen umgeben, die als Kühlwasserrohre ausgebildet sind. Durch Abschalten des Spulen­ stromes kann von Heizen auf Kühlen umgeschaltet werden. Ein schnelles Umschalten ist damit jedoch auch nicht möglich.

Durch die GB 1 414 087 ist es bekannt, Einkristalle aus pulverförmigen Ausgangsstoffen dadurch zu erzeugen, daß man eine langgestreckte Kokille in einer etwa halbzylindrischen Heizkörperanordnung aus einzelnen elektrischen Heizkörpern mit mäanderförmigen Heizwiderständen unter­ bringt, die einzeln zu- und abschaltbar sind. Durch sequentielle Steuerung dieser Heizkörper läßt sich nach Art des Zonenschmelzens eine Phasen­ grenze festflüssig in horizontaler Richtung durch den Kokilleninhalt bewe­ gen, die zu dem gewünschten Einkristall, beispielsweise aus Halbleiter­ material, führt. Kühleinrichtungen für eine Zwangskühlung sind nicht vorgesehen.

Eine Autorengruppe des ACCESS e. V. in Aachen und der BAYER AG in Krefeld-Ürdingen berichtete anläßlich der ersten WCPEC vom 5. bis 9. Dezember 1994 unter dem Titel "A VIRTUAL CRYSTALLIZATION FURNACE FOR SOLAR SILICON" über das Prinzip der gerichteten Erstarrung und ein Rechenmodell für die Auslegung einer Kristallisationsanlage. Über die Ausbildung der Vorrichtung schweigt sich das Vortragsmanuskript jedoch aus.

Durch die DE 198 55 061 A1 ist es bekannt, das Einschmelzen und Erstarrenlassen von Silizium in einem Tiegel durchzuführen, unter dessen Boden eine Bodenheizung angeordnet ist, die zur Erhöhung des Wärme­ verlustes des Tiegels nach dem Einschmelzen wegbewegbar ist. Die Wirkung ist jedoch begrenzt. Alternativ kann eine bewegliche Kühlplatte vorgesehen sein, die zwischen die Bodenheizung und den Tiegelboden einschiebbar und aus dieser Position zurückziehbar ist. Beide Maßnahmen setzen jedoch bewegliche Anschlüsse voraus, nämlich für die Boden­ heizung flexible Stromkabel und für die Kühlplatte flexible Wasserleitun­ gen. Der konstruktive Aufwand ist beträchtlich, da die besagten Leitungen nicht an Einbauteilen scheuern dürfen. Außerdem verursachen bewegte Massen stets Erschütterungen, die für eine gerichtete Erstarrung kontra­ produktiv sind.

Durch die DE 198 31 388 A1 ist es auch bekannt, unter dem Kokillenboden zunächst eine wärmeleitende Tragplatte, danach eine Struktur von Heiz­ körpern mit Zwischenräumen und darunter wiederum eine Wärmedämm­ platte anzuordnen. Sowohl in der Tragplatte als auch in der Wärmedämm­ platte und ggf. im Kokillenboden ist eine Vielzahl senkrechter jeweils fluchtender Ausnehmungen angeordnet, durch die platten- oder stiftför­ mige Kühlkörper einer heb- und senkbaren, wassergekühlten Kühlplatte bis in unmittelbare Nähe des Kokillenbodens angehoben werden können, um eine möglichst waagrechte Phasengrenze und ein senkrechtes Wachs­ tum der Stengelkristalle zu erzeugen. Die Heizeinrichtung ist dabei so ausgebildet und angeordnet, daß die Kühlfinger auch durch die Heizkör­ per hindurch in die darüber liegenden Ausnehmungen angehoben werden können. Dies setzt einen erheblichen Bauaufwand und eine große Präzi­ sion in der Fertigung und Montage voraus. Die Übertragung von Strah­ lungs- und/oder Kontaktwärme kann nur auf die Stirnseiten der Kühlkörper und auf deren obere Enden bzw. Längenanteile erfolgen, soweit diese in die Ausnehmungen eintauchen. Die Flächensumme aller Kühlkörper relativ zur Querschnittsfläche der Kokille ist gering, was einerseits die Wärmever­ luste an die Kühlkörper während der Heiz- und Schmelzphase zwar gering hält, aber auch nicht ausschließt, andererseits während der Kühl- und Kristallisationsphase aber auch die Kühlleistung reduziert. Mit der Kühl­ platte müssen auch die beweglichen Kühlwasseranschlüsse angehoben und abgesenkt werden. Durch den notwendigen Hub von Kühlplatte und Kühlkörpern - insbesondere bedingt durch die Höhe der Kühlkörper - werden ein erheblicher Freiraum unter der Wärmedämmplatte und damit eine beträchtliche Bauhöhe und ein zusätzliches Volumen der Kristallisa­ tionskammer bzw. der gesamten Vorrichtung erforderlich. Es ist zwar angegeben, daß die Wärmeübertragung durch Erhöhung des Gasdrucks verbessert werden kann, dies steht aber wiederum einem Betrieb der Vorrichtung unter Vakuum entgegen.

Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Gattung zu schaffen, die einfach und kompakt im Aufbau ist und eine erschütterungsfreie und reproduzierbare Produktion von gerichtet erstarrten Blöcken mit großen Querschnitten der Blöcke selbst und der Kristalle in industriellem Maßstab und mit kurzen Zeiten für die Chargierung und Dechargierung erlaubt. Insbesondere sollen dabei auch das Aufschmelzen der Charge in der Kokille selbst und die anschließende Erstarrung beschleunigt werden, und es soll die Wanderung einer möglichst weitgehend ebenen Phasengrenze ermöglicht werden.

Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei dem eingangs angegebenen Verfahren erfindungsgemäß dadurch, daß die Kühleinrichtung mit einem freien Abstand unterhalb der Bodenheizeinrichtung angeordnet wird und daß während der Schmelzperiode bei eingeschalteter Bodenheizeinrich­ tung zwischen dieser und der Kühleinrichtung ein Isolierschieber in waag­ rechter Richtung eingebracht wird, durch den eine Sichtverbindung zwi­ schen der Bodenheizeinrichtung und der Kühleinrichtung unterbrochen wird, und daß während mindestens eines Teils der Erstarrungsphase der Isolierschieber in waagrechter Richtung herausgezogen wird.

Durch diese Maßnahme wird die gestellte Aufgabe in vollem Umfange gelöst. Insbesondere werden ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Gattung geschaffen, die mittels eines einfachen und kompakten Aufbaus eine erschütterungsfreie und reproduzierbare Produktion von gerichtet erstarrten Blöcken mit großen Querschnitten der Blöcke selbst und der Kristalle in industriellem Maßstab und mit kurzen Zeiten für die Chargierung und Dechargierung erlauben. Insbesondere erfolgt dabei auch das beschleunigte Aufschmelzen der Charge in der Kokille selbst, und in der anschließenden Erstarrungsphase wird die Wanderung einer weitgehend ebenen Phasengrenze ermöglicht.

Es ist dabei im Zuge weiterer Ausgestaltungen des Verfahrens besonders vorteilhaft, wenn - entweder einzeln oder in Kombination - :

• - die Bodenheizeinrichtung während mindestens eines Teils der Erstar­ rungsphase abgeschaltet wird,
• - nach dem Aufschmelzen einer Erstcharge mindestens eine Folge­ charge nachchargiert wird, um das Volumen der Kokille zumindest weitgehend aufzufüllen, und/oder wenn
• - die mindestens eine Folgecharge durch Abwärme der Kokille vorge­ heizt wird.

Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung mit einer Kristallisationskam­ mer zum Einschmelzen von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille und zum gerichteten Erstarren der Schmelze in dieser Kokille, die einen Boden besitzt, unter dem zur Zufuhr der Schmelzwärme eine mit Zwischenräumen versehene Bodenheizeinrichtung und zur Abfuhr der Erstarrungswärme bei der gerichteten Erstarrung eine Kühleinrichtung angeordnet sind.

Zur Lösung der gleichen Aufgabe ist eine solche Vorrichtung erfindungs­ gemäß dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung mit einem solchen Abstand unterhalb der Bodenheizeinrichtung angeordnet ist, daß zwischen dieser und der Kühleinrichtung verschiebbar ein Isolierschieber waagrecht verschiebbar angeordnet ist, durch den eine Sichtverbindung zwischen der Bodenheizeinrichtung und der Kühleinrichtung wahlweise unterbrechbar ist.

Es ist dabei im Zuge weiterer Ausgestaltungen der Vorrichtung besonders vorteilhaft, wenn - entweder einzeln oder in Kombination - :

• - die Bodenheizeinrichtung zu mindestens 50%, insbesondere zu mindestens 80%, ihrer Flächenausdehnung in Richtung auf die Kühleinrichtung strahlungsdurchlässig ist,
• - die Kühleinrichtung ortsfest angeordnet ist,
• - als Bodenheizeinrichtung ein waagrechtes Gitter von Heizstäben vorgesehen ist, durch deren spaltförmige Zwischenräume die Wärmestrahlung bei herausgezogenem Isolierschieber in Richtung auf die Kühleinrichtung hindurchtreten kann,
• - der Isolierschieber eine Platte aus Grafitfolien ist,
• - die Oberfläche des Isolierschiebers in Richtung auf den Boden der Kokille Wärme reflektierende Eigenschaften aufweist,
• - der Isolierschieber in einer waagrechten Linearführung gelagert ist,
• - der Isolierschieber in einen Schieberkasten zurückziehbar ist, der seitlich an der Kristallisationskammer angeordnet ist,
• - die Heizstäbe beidendig in Isolierleisten gelagert sind, die zur Abstützung der Kokille dienen,
• - die Kokille seitlich und oben von einer Wärmedämmeinrichtung umge­ ben ist, die eine Zarge und einen abnehmbaren Deckel mit einer Zarge besitzt, in der eine Deckenheizeinrichtung gelagert ist,
• - die Deckenheizeinrichtung aus einem Gitter aus Heizstäben besteht,
• - die Kühleinrichtung aus einer mit Kühlkanälen versehenen Kühlplatte besteht,
• - die Kühlplatte von einem Bodenrahmen aus Isolierstoff umgeben ist,
• - die Heizstäbe des Gitters einen Durchmesser zwischen 10 und 50 mm aufweisen,
• - die Heizstäbe des Gitters in einem lichten Abstand zwischen 10 und 50 mm angeordnet sind,
• - in der Kristallisationskammer eine Chargiereinrichtung angeordnet ist.
• - die Chargiereinrichtung oberhalb des Deckels angeordnet ist, und/ oder, wenn
• - die Chargiereinrichtung durch Abwärme des Deckels beheizbar ist.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 5 näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 einen Vertikalschnitt durch eine geschlossene Kristallisations­ kammer im Betriebszustand,

Fig. 2 die wesentlichen Teile des Gegenstandes nach Fig. 1 in einer schematisierten perspektivischen Explosionsdarstellung.

Fig. 3 eine schematisierte Draufsicht auf die Bodenheizeinrichtung,

Fig. 4 die Wärmestrahlungsverhältnisse während der Schmelzphase bei eingeschobenem Isolierschieber in einem Vertikalschnitt in schematischer Darstellung und

Fig. 5 die Wärmestrahlungsverhältnisse während der Erstarrungs­ phase bei herausgezogenem Isolierschieber in schematischer Darstellung analog Fig. 4.

In Fig. 1 ist eine gasdichte, doppelwandige und kühlbare Kristallisations­ kammer 1 dargestellt, die mittels eines Saugstutzens 1a an einen nicht dargestellten Vakuumpumpsatz angeschlossen ist. Die Kristallisations­ kammer 1 hat die Form eines hohlen Quaders und besteht aus einem Kammerunterteil 2 und einem Kammeroberteil 3, die an einer waagrechten Trennfuge 4 mit Dichtflanschen 4a und 4b aneinanderstoßen. Die Trenn­ fuge 4 muß nicht genau waagrecht liegen; sie muß es beim öffnen der Kristallisationskammer 1 nur ermöglichen, daß die Kristallisationseinrich­ tung 5 aus mindestens einer Richtung zugänglich und aus der Kristallisa­ tionskammer 1 entnehmbar ist.

In der Kristallisationskammer 1 befindet sich eine Kristallisationseinrich­ tung 5, zu der eine quaderförmige Kokille 6 gehört, die eine obenliegende Kokillenöffnung 6a, innere Wände und einen Boden aus Siliziumdioxid (Quarz) sowie einen Behälter 7 aus Grafit mit einem Boden 7a besitzt. Die Kokille 6 ruht auf einer gut wärmeleitenden Stützplatte 6b. Unter dem Boden 7a bzw. der Stützplatte 6b ist eine Bodenheizeinrichtung 8 ange­ ordnet, die aus einzelnen Heizstäben 8a bis 8f etc. besteht, die an beiden Enden in Isolierleisten 8g und 8h gelagert sind, die sich durch Seitenteile 8i und 8j zu einem Rahmen ergänzen. Die Heizstäbe bestehen aus Grafit und haben Durchmesser "d" zwischen 5 und 10 mm und lichte Abstände "s" zwischen 10 und 50 mm voneinander. Dadurch wird ein durchsichtiges Gitter gebildet, was aus den Fig. 2 und 3 deutlicher erkennbar ist. Auf den Isolierleisten 8g und 8h und ggf. auf den Seitenteilen 8i und 8j ruht auch die Stützplatte 6b mit der Kokille 6.

Die Anordnung aus Kokille 6 und Bodenheizeinrichtung 8 ist oben und an den Seiten von einer strahlungsdichten Wärmedämmeinrichtung 9 umge­ ben, die aus einem Bodenrahmen 10, einer Zarge 11 und einem abnehm­ baren Deckel 12 besteht, in dessen Zarge 12a eine gleichfalls gitterför­ mige Deckenheizeinrichtung 13 aus einer Reihe von analogen Heizstäben angeordnet ist, deren Kontakte 14 zum Abnehmen des Deckels 12 trenn­ bar sind.

Durch die Heizeinrichtungen 8 und 13 läßt sich aus einchargiertem festem Siliziumgranulat eine Siliziumschmelze 15 erzeugen, in der nach dem Aufschmelzen eine zumindest nahezu isotherme Temperaturverteilung vorliegt. Unterhalb der Bodenheizeinrichtung 8 befindet sich ein flacher, quaderförmigen Hohlraum 16, in den von der Seite her mittels einer waag­ rechten Linearführung 17 ein Isolierschieber 18 in Richtung des Pfeils 18a (Fig. 2) mittels eines nicht dargestellten Antriebs einschiebbar ist. Die Linearführung 17 setzt sich zur rechten Seite hin in einen Schieberkasten 17a fort, der vakuumdicht an die Kristallisationskammer 1 angeflanscht ist.

Unterhalb der Kokille 6 und der Linearführung 17 ist als unterer Abschluß des Hohlraums 16 ortsfest eine rechteckige und in etwa dem waagrechten Umriß der Kokille 6 entsprechende als flache Kühlplatte 20 ausgebildete metallene Kühleinrichtung 19 mit Kühlkanälen 20a angeordnet, die über Anschlüsse 21 und 22 mit einem Kühlmedium versorgt werden können (Fig. 2).

Durch das Einschieben des Isolierschiebers 18, der eine wärmereflektie­ rende Oberfläche 18b besitzt, wird erreicht, daß die Wirkung der Kühl­ einrichtung 19 aufgehoben wird und die Wärmestrahlung der eingeschalte­ ten Bodenheizeinrichtung 8, verstärkt durch die Wärmereflexion des Isolierschiebers 18, auf die Stützplatte 6b und den Kokillenboden 7a einwirkt und den zunächst festen Kokilleninhalt aufschmilzt. Die Sicht­ verbindung zur Kühleinrichtung 19 ist während dieser Zeit aufgehoben.

Durch die Abschaltung der Bodenheizeinrichtung 8 und das Herausziehen des Isolierschiebers 18 in die in Fig. 1 gezeigte Stellung wird die Sichtverbindung der Stützplatte 6b mit der Kühleinrichtung 19 hergestellt und die bis dahin isotherme Temperaturverteilung in der Schmelze 15 so verändert, daß in der Schmelze 15 eine nahezu waagrechte Phasengrenze von unten nach oben wandert, die eine gerichtete Erstarrung der Schmelze zu einem Siliziumblock ermöglicht.

Aus Fig. 2 geht ergänzend folgendes hervor: Oberhalb der Mitte der Kokillenöffnung 6a ist ein Chargierbehälter 23 angeordnet, in dem eine weitere Charge aus granulatförmigem Silizium angeordnet ist. An der Unterseite des Chargierbehälters befindet sich eine Chargieröffnung 24 mit einem nicht gezeigten, steuerbaren Verschluß. Damit hat es folgende Bewandnis: Wenn der Chargierbehälter innerhalb der Kristallisationskam­ mer 1 angeordnet ist - was in Fig. 1 nicht dargestellt ist - gibt der Deckel 12 gibt nach oben hin erhebliche Energiemengen durch Strahlung ab, die den Chargierbehälter 23 mit seinem Inhalt aufheizen. In diesem Bereich können Temperaturen von etwa 400°C herrschen. Dadurch wird das Granulat sehr wirksam entgast und insbesondere von Wasser und/oder Wasserdampf befreit.

Das Volumen des in der Kokille 6 zunächst befindlichen Siliziumgranulats, das erhebliche Hohlräume enthält, ist durch den Aufschmelzprozeß auf etwa die Hälfte bis zwei Drittel geschrumpft, so daß die Kokille 6 nur teilweise gefüllt ist, was zu einer entsprechend geringeren Produktivität der Anlage führt. Durch Freigabe der Chargieröffnung 24 und Nachchar­ gieren der vorgewärmten, getrockneten und/oder entgasten und sehr rieselfähigen Charge wird das verfügbare Restvolumen der Kokille 6 aufgefüllt, wodurch die Produktivität entsprechend erhöht und bis nahezu verdoppelt wird. Außerdem wird das ansonsten erfolgende Spritzen der Schmelze durch Gasfreisetzung aus der neuen Charge in der Schmelze verhindert. Erst danach wird die Bodenheizeinrichtung 8 abgeschaltet, der Isolierschieber 18 herausgezogen (Fig. 1) und der Kristallisationsprozeß eingeleitet, der alsdann ungestört wie oben beschrieben abläuft.

Wie aus Fig. 3 hervorgeht, sind die Maße "d" und "s" in gewissen Gren­ zen optimierbar, um die beschriebene Strahlungsdurchlässigkeit und Sichtverbindung herzustellen. Die Verhältnisse von "d" und "s" bestimmen eben diese Strahlungsdurchlässigkeit, d. h. die Heizstäbe 8a bis 8f etc. sollen einerseits relativ dicht zueinander angeordnet sein, um eine gleich­ mäßige Beheizung des Kokillenbodens bzw. der Stützplatte 6b zu errei­ chen, andererseits sollten die lichten Abstände "s" bzw. der durch deren Flächensumme gebildete freie Querschnitt relativ groß sein, um die Strah­ lungsdurchlässigkeit bzw. die "Sichtverbindung" möglichst wenig zu behindern. Außerdem müssen die Heizstäbe aus Festigkeitsgründen und wegen der zu erzeugenden elektrischen Heizleistung einen ausreichenden Durchmesser besitzen. Diese Forderungen stehen einander teilweise ent­ gegen, weshalb es einiger Überlegungen zur Optimierung der Verhältnisse bedarf. Die Innenmaße "L" (Länge) und "B" (Breite) des aus den Isolier­ leisten 8g und 8h und den Seitenteilen 8i und 8j gebildeten Rahmens können beispielsweise jeweils 700 mm oder mehr betragen, wobei diese Maße sich nach der Grundfläche bzw. der Größe der Kokille 6 richten.

Fig. 4 zeigt die von den Heizstäben 8a bis 8f etc. (schraffierte Kreise) ausgehenden Wärmestrahlungsverhältnisse während der Schmelzphase bei eingeschobenem Isolierschieber 18. Die direkte Beheizung der Stützplatte 6b und deren indirekte Beheizung durch Reflexion von der Oberfläche des Isolierschiebers 18 sind durch Pfeile angedeutet.

Fig. 5 zeigt die Wärmestrahlungsverhältnisse während der Erstarrungs­ phase bei herausgezogenem Isolierschieber. In diesem Falle ist der Wärmestrom umgekehrt, d. h. die von der Stützplatte 6b der Kokille 6 ausgehende Wärmestrahlung (gleichfalls durch Pfeile angedeutet) trifft, durch die Heizstäbe 8a bis 8f etc. (schraffierte Kreise) nahezu unbehindert auf die Kühlplatte auf, wird in dieser an das Kühlwasser abgegeben und durch dieses abgeführt, was durch die Pfeile 25 angedeutet ist.

Wie aus den vorgehenden Ausführungen hervorgeht, sind vor allem wich­ tig die Nähe zur und der ständige "Sichtkontakt" der Bodenheizeinrichtung 8 mit der Stützplatte 6b der Kokille 6 sowie die metallene und vorzugs­ weise ortsfeste Kühleinrichtung 19 und deren unterbrechbarer "Sichtkon­ takt" mit der Stützplatte 6b der Kokille 6. Das einzige bewegliche Teil zum praktisch trägheitslosen Umschalten von Schmelzen auf Erstarren ist der Isolierschieber 18 in Verbindung mit einem Aus- oder Einschalten der praktisch trägheitslosen Bodenheizung 8.

Nach dem Herausziehen des Isolierschiebers 18 wird die Sichtverbindung der Stützplatte 6b mit der Kühleinrichtung 19 hergestellt, und die Wärme­ strahlung der Stützplatte 6b kann unter fortgesetztem Wärmeentzug aus dem Inhalt der Kokille 6 nahezu unbehindert durch die Heizstäbe 8a, 8b, 8c, 8d, 8e und 8f an die Kühleinrichtung 19 abgegeben werden, die sie wiederum an das Kühlwasser überträgt. Die Wärmeübertragung durch Strahlung ist äußerst effektiv, da sie mit dem 4. Exponenten der Tempera­ turdifferenzen abläuft. Seitliche Temperaturgradienten, die zu einer gewölbten Phasengrenze und zu einem schrägen Dendritenwachstum führen könnten, treten praktisch nicht auf. Die Kühleinrichtung mit ihren Kühlmittelanschlüssen braucht zum Umschalten nicht bewegt zu werden.

Das Umschalten von Heizung auf Kühlung muß indessen nicht schlagartig erfolgen: Die Aussagen, daß der Isolierschieber 18 während mindestens eines Teils der Erstarrungsphase entfernt wird und daß die Bodenheizein­ richtung während mindestens eines Teils der Erstarrungsphase abge­ schaltet wird, läßt durchaus die Möglichkeit zu, zu Beginn der Erstarrungs­ phase ein langsames "Ankeimen" durchzuführen, um die Ausbildung eines für Solarsilizium unerwünschten feinkristallinen Gefüges zu vermeiden. Gerade diese Möglichkeit wird durch die Erfindung besonders gefördert.

Bezugszeichenliste

1

Kristallisationskammer

2

Kammerunterteil

3

Kammeroberteil

4

Trennfuge

4

a Dichtflansch

4

b Dichtflansch

5

Kristallisationseinrichtung

6

Kokille

6

a Kokillenöffnung

6

b Stützplatte

7

Behälter

7

a Boden

8

Bodenheizeinrichtung

8

a Heizstab

8

b Heizstab

8

c Heizstab

8

d Heizstab

8

e Heizstab

8

f Hetzstab

8

g Isolierleiste

8

h Isolierleiste

8

i Seitenteil

8

j Seitenteil

9

Wärmedämmeinrichtung

10

Bodenrahmen

11

Zarge

12

Deckel

12

a Zarge

13

Deckenheizeinrichtung

14

Kontakte

15

Siliziumschmelze

16

Hohlraum

17

Linearführung

17

a Schieberkasten

18

Isolierschieber

18

a Pfeil

18

b Oberfläche

19

Kühleinrichtung

20

Kühlplatte

20

a Kühlkanäle

21

Anschluß

22

Anschluß

23

Chargierbehälter

24

Chargieröffnung

25

Pfeile
B Breite
d Durchmesser
L Länge
s lichte Abstände

Claims (23)

1. Verfahren zum Einschmelzen von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille (6) und zum gerichteten Erstarren der Schmelze (15) in dieser Kokille (6), die einen Boden (7a) besitzt, unter dem zur Zufuhr der Schmelzwärme eine Bodenheizeinrichtung (8) und zur Abfuhr der Erstarrungswärme bei der gerichteten Erstarrung eine Kühleinrich­ tung (19) angeordnet sind, wobei als Bodenheizeinrichtung (8) unter dem Boden (7a) der Kokille (6) eine mit Zwischenräumen versehene Widerstandsheizeinrichtung verwendet wird, dadurch gekennzeich­ net, daß die Kühleinrichtung (19) mit einem freien Abstand unterhalb der Bodenheizeinrichtung (8) angeordnet wird, und daß während der Schmelzperiode bei eingeschalteter Bodenheizeinrichtung (8) zwischen dieser und der Kühleinrichtung (19) ein Isolierschieber (18) in waagrechter Richtung eingebracht wird, durch den eine Sichtver­ bindung zwischen der Bodenheizeinrichtung (8) und der Kühleinrich­ tung (19) unterbrochen wird, und daß während mindestens eines Teils der Erstarrungsphase der Isolierschieber (18) in waagrechter Richtung herausgezogen wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Boden­ heizeinrichtung (8) während mindestens eines Teils der Erstarrungs­ phase abgeschaltet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufschmelzen einer Erstcharge mindestens eine Folgecharge nach­ chargiert wird, um das Volumen der Kokille (6) zumindest weitge­ hend aufzufüllen.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die minde­ stens eine Folgecharge durch Abwärme der Kokille (6) vorgeheizt wird.

5. Vorrichtung mit einer Kristallisationskammer (1) zum Einschmelzen von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille (6) und zum gerichte­ ten Erstarren der Schmelze (15) in dieser Kokille (6), die einen Boden (7a) besitzt, unter dem zur Zufuhr der Schmelzwärme eine mit Zwischenräumen versehene Bodenheizeinrichtung (8) und zur Abfuhr der Erstarrungswärme bei der gerichteten Erstarrung eine Kühlein­ richtung (19) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung (19) mit einem solchen Abstand unterhalb der Bodenheizeinrichtung (8) angeordnet ist, daß zwischen dieser und der Kühleinrichtung (19) ein Isolierschieber (18) waagrecht verschiebbar angeordnet ist, durch den eine Sichtverbindung zwischen der Bodenheizeinrichtung (8) und der Kühleinrichtung (19) wahlweise unterbrechbar ist.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenheizeinrichtung (8) zu mindestens 50% ihrer Flächenausdeh­ nung in Richtung auf die Kühleinrichtung (19) strahlungsdurchlässig ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenheizeinrichtung (8) zu mindestens 80% ihrer Flächenausdeh­ nung in Richtung auf die Kühleinrichtung (19)strahlungsdurchlässig ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung (19) ortsfest angeordnet ist.

9. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Bodenheizeinrichtung (8) ein waagrechtes Gitter von Heizstäben (8a, 8b, 8c, 8d, 8e, 8f) vorgesehen ist, durch deren spaltförmige Zwischenräume die Wärmestrahlung bei herausgezogenem Isolierschieber (18) in Richtung auf die Kühleinrichtung (19) hindurchtreten kann.

10. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierschieber (18) eine Platte aus Grafitfolien ist.

11. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche (18b) des Isolierschiebers (18) in Richtung auf den Boden (7a) der Kokille (6) Wärme reflektierende Eigenschaften aufweist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierschieber (18) in einer waagrechten Linearführung (17) gelagert ist.

13. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierschieber (18) in einen Schieberkasten (17a) zurückziehbar ist, der seitlich an der Kristallisationskammer (1) angeordnet ist.

14. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizstäbe (8a, 8b, 8c, 8d, 8e, 8f) beidendig in Isolierleisten (8g, 8h) gelagert sind, die zur Abstützung der Kokille (6) dienen.

15. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kokille (6) seitlich und oben von einer Wärmedämmeinrichtung (9) umgeben ist, die eine Zarge (11) und einen abnehmbaren Deckel (12) mit einer Zarge (12a) besitzt, in der eine Deckenheizeinrichtung (13) gelagert ist.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckenheizeinrichtung (13) aus einem Gitter aus Heizstäben besteht.

17. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung (19) aus einer mit Kühlkanälen (20a) versehenen Kühlplatte (20) besteht.

18. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlplatte (20) von einem Bodenrahmen (10) aus Isolierstoff umgeben ist.

19. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizstäbe (8a bis 8f) des Gitters einen Durchmesser "d" zwischen 10 und 50 mm aufweisen.

20. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizstäbe (8a bis 8f) des Gitters in einem Abstand "s" zwischen 10 und 50 mm angeordnet sind.

21. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß in der Kristallisationskammer (1) eine Chargiereinrichtung (23) angeordnet ist.

22. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Chargiereinrichtung (23) oberhalb des Deckels (12) angeordnet ist.

23. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Chargiereinrichtung (23) durch Abwärme des Deckels (12) beheiz­ bar ist.