DE1001049T1 - Verfahren zur Reinigung von organometallischen Verbindungen - Google Patents
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Claims (17)
1. Verfahren zur Reinigung einer organometallischen Vorläuferverbindung zur Verwendung
bei der Herstellung einer Metallschicht mittels chemischer Dampfablagerungs-Technik
welches die Schritte umfasst,
Bereitstellen der Vorläuferverbindung in einem Gefäss,
Einbringen eines Amins in das Gefäss,
Einbringen eines Amins in das Gefäss,
Verdampfen der Vorläuferverbindung und Transportieren der verdampften Vorläuferverbindung
aus dem Gefäss, wobei das Amin Sauerstoff-Verunreinigungen der
verdampften Vorläuferverbindung reduziert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiter den Schritt umfasst, das Metall der
Vorläuferverbindung auf einem S ubstrat abzulagern.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder nach Anspruch 2, wobei das Amin eine geringe
Flüchtigkeit hat.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei das Amin eine geringere Dichte aufweist als
die nicht-verdampfte Vorläuferverbindung.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4, wobei das Amin ein tertiäres Amin ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Amin N-N-Dimethyldodecylamin ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2-6, wobei die verdampfte Vorläuferverbindung in
einem Trägergas zu dem Substrat transportiert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Amin in dem Gefäss in Lösung bereitgestellt
wird, um hauptsächlich mit der Sauerstoff-enthaltenden Spezies zu reagieren, um diese
aus dem Dampf zu entfernen.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Amin oberhalb des Bodens einer Röhre
bereitgestellt wird, mittels der das Trägergas und die verdampfte Vorläuferverbindung
aus dem Gefäss zu dem Substrat transportiert wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vorläuferverbindung
eine organometallische Indiumverbindung ist.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Vorläuferverbindung R3In ist, worin R C, bis C4
ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Vorläuferverbindung Trimethylindium ist.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Herstellung von Gruppe III
und Gruppe V Metallschichten.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die chemische
Dampfablagerungs-Technik metallorganische Dampfphasen-Epitaxy ist.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Verwendung als ein Getter zur
Entfernung von Sauerstoffverunreinigungen aus einer Sauerstoffverunreinigung enthaltenen
Vorläuferverbindung, wobei die verdampfte Vorläuferverbindung aus einem vorgeschalteten
Ausgangs-Gefäss durch die Aminlösung geleitet wird.
16. Licht hoher Intensität emittierende Diode, hergestellt aus einer auf einem Substrat mittels
des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1-15 abgeschiedenen Metallschicht.
17. Solarzelle, die aus einer mittels des Verfahren nach einem der Ansprüche 1-15 auf einem
Substrat abgeschiedenen Metallschicht hergestellt ist.
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