DD285831A5 - Drucksensor fuer kleine druecke - Google Patents
Drucksensor fuer kleine druecke Download PDFInfo
- Publication number
- DD285831A5 DD285831A5 DD33066089A DD33066089A DD285831A5 DD 285831 A5 DD285831 A5 DD 285831A5 DD 33066089 A DD33066089 A DD 33066089A DD 33066089 A DD33066089 A DD 33066089A DD 285831 A5 DD285831 A5 DD 285831A5
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- pressure
- rigid center
- pressure sensor
- membrane
- sensor according
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Drucksensor mit biegesteifem Zentrum fuer die Messung sehr kleiner Druecke der aufgabengemaesz mit einer einheitlichen Membrandicke auskommt und auf zusaetzliche Biegefedern verzichtet. Erreicht wird das dadurch, dasz die Druckmembran zwischen Einspannungsrahmen des Halbleitersubstrates und biegesteifem Zentrum mindestens zwei Abschnitte mit einer Breite aufweist, die kleiner als die Abmessungen des biegesteifen Zentrums sind, und dasz die Bereiche zwischen diesen Abschnitten eine Breite aufweisen, die groeszer als die Breite der schmalen Abschnitte ist, wobei der groeszte Teil dieser Bereiche eine wesentlich groeszere Breite als die der schmalen Abschnitte aufweist. Die schmalen Abschnitte der Druckmembran enthalten Teile eines elektromechanischen Wandlers (z. B. piezoresistive Widerstaende, piezoelektrische Schichten) oder aber das biegesteife Zentrum ist Teil eines elektromechanischen Wandlers (z. B. Differentialkondensator). Fig. 1{Druckmeszgeraet; Drucksensor; kleiner Nenndruckbereich; Silizium; Membran; biegesteifes Zentrum; Piezowiderstaende; Membrangestaltung; einheitliche Membrandicke}
Description
Hierzu 4 Seiten Zeichnungen
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Messung von statischen und dynamischen Drücken in Gasen und Fluiden für kleine Nenndruckbereichs, vorzugsweise unterhalb von 1 kPa.
Druckwandler auf Halbleiterbasis realisieren vorzugsweise ein piezoresistives oder kapazitives Meßprinzip (S. K. CLARK, thindiaphragm pressure sensors. IEEE Transactions on Electron Devices ED-26 (1979) 12, S. 1887-1895). Dabei werden die Auslenkungen einer Druckmembrai ι oder infolge der Auslenkung in der Druckmembran hervorgerufene mechanische Spannungen oder Dehnungen in elektrische Ausgangssignale umgesetzt. Die Druckmembran wird dazu durch lokales Abdünnen eines Halbleitersubstrates, vorzugsweise aus Silizium, erzeugt, so daß sie monolithischer Bestandteil des Drucksensorchips ist. Übliche Ausführungen von Drucksensoren mit homogenen Druckmembranen weisen Verformungskörper auf, die Rechteck-(z.B. DD 137166), Quadrat-(z.B. DE 3538453, US 4400681),Kreis-(z.B. CD 133714, DE 2856708,US 4439752)oderAchteckform (z.B. DD 150376, DE 3345988) besitzen.
Für kleine Nenndruckbereiche wächst jedoch für alle Plattenformen der Linearitätsfehler stark an (H. M. HELM u. a.: Zur Nichtlinearität dünner Rechteck-Wandler-Platten. Feingerätetechnik 28 [1979]3, S. 126-129; A. LENK, U. MENZEL: Nichtlinearität dünner Kreisplatten als Wandler von Drücken in mechanische Spannungen und Ausschläge. Feingerätetechnik 30 [1981 ]2, S. 56-60; A. LENK, K. SÄGER: I Inearitätsfehler der mechanischen Spannung und des Ausschlages kreisringförmiger Druckmeßplatten. TU-lnformation 09-03-86. TU Dresden, Sektion Informationstechnik 1986). Das führt dazu, daß bei maximal zulässigem Linearitätsfehler die Empfindlichkeit piezoresistiver Drucksensoren unterhalb einer bestimmten Grenze mit kleiner werdendem Nenndruck abnimmt (J. BINDER u. a.: Silicon pressure sensors for the 2kPa to 40MPa range. Siemens Forschungsund Entwicklungsberichte 13 [198416, S. 294-302) und sich dadurch die entwertbezogenen Fehlerkennwerte proportional der Empfindlichkeitsverringerung vergrößern. Dieses Effekt kann durch besondere konstruktive Ausführungen von Halbleiterdruckwandlern für kleine Meßbereiche auf mehreren Wegen entgegengewirkt werden, bei denen das Auftreten von nichtlinearen Membran-Spannungen im Verformungskörper des Meßelementes erheblich verringert wird:
1. In der Druckmembran befindet sich ein biegesteifes Zentrum. Der mechanische Verformungskörper ist damit z. B. ein Quadrat-(US 4236137, SU 1303857) oder Kreisringmembran (US 3341794, SU 1408 263).
2. In der Druckmembran sind zwei biegesteife Zentren realisiert, wobei der Spalt zwischen beiden Bereichen als Biegefeder wirkt (US 4065970, SU 1404852).
3. Die Druckmembran ist an eine Biegefeder gekoppelt, deren elektromechanischen Wandlerelement, meistens piezoresistiv, ein druckproportionales Ausgangssignal erzeugt (DD 213758). Druckmembran und Biegefeder können monolithisch verbunden sein (DD 262307, US 4570498, SU 1210076).
Diese Varianten sind vorteilhaft im Druckbereich unter 1OkPa einsetzbar, führen jedoch für Nenndrücke von (0,1... 1 kPa) ebenfalls zum Ansteigen des Linearitätsfehlers bis in den Prczentbereich. Aus diesem Grund werden für den Druckbereich unterhalb von 100Pa, z.T. bereits unter 1 kPa, Drucksensoren mit biegesteifem Zentrum vorgeschlagen, deren Druckmembran kleine dickere Bereiche in Balkenform, die als Biegefedern wirken und die Nachgiebigkeit des Verformungskörpers bestimmen, und sehr dünne Bereiche, die nur zur Druckabdichtung dienen, besitzen (US 4570498). Druckmembran und biegesteifes Zentrum sind vorteilhafterweise wiederum quadratisch (H. REIMANN: New mechanical structures to achieve low pressure silicon sensors and accelerometer. Kongreßunterlagen zur Sensor 88. Nürnberg: AMA1988, S.265-280) oder kreisförmig (Y.MATSUOKA u.a.: Differential pressure/piessure ti ansmitters applied with semiconductor sensors. IEEE Transactions on Industrial Electronics IE-33 (198612, S. 152-157).
Diese Verformungskörper weisen gegenüber den homogenen Druckmembranen mit biegesteifem Zentrum eine wesentlich geringere Steifigkeit hinsichtlich des Ausschlages des biegesteifen Zentrums bei Druckbelastung auf, da der Beitrag der sehr dünnen Bereiche der Druckmembran gegenübor dem der Biegefederelemente zur Gesamtsteifigkeit sehr gering ist. Damit wird die Nennauslenkung bereits bei wesentlich kleineren Nenndrücken erreicht, ohne daß eine Erhöhung des Linearitätsfehlers eintritt (G.GERLACH: Die Berechnung der Linearitätsfehler piezoresistiver Druckaufnehmer mit analytischen Ansätzen. Forschungsbericht 20/87. TU Dresden, Sektion Informationstechnik. 1987).
Jedoch ergeben sich durch die unterschiedlichen Dicken der beiden Bereiche der Druckmembran Nachteile für die Herstellung des Verformungskörpers, die für Sensoren auf Halbleiter-, speziell auf Siliziumbasis üblicherweise durch naßchemisches Ätzen erfolgt (K.E. PETERSEN: Silicon as a mechanical material. Proceedings of the IEEE 70 (1982)5, S.420-457). Verfahrenstechnisch vorteilhaft ist die Abdünnung unter Ausnutzung von Ätzstoppmechanismen. Infolge der unterschiedlichen Tiefe der Einatmungen für die beiden Membranbereiche ist nur eine der Dicken reproduzierbar einstellbar, während dio andere Dicke nur durch Abbruch dos Ätzprozesses nacli einer vereinbarten Zeit möglich ist, so daß verfahrensbedingt erhebliche Dickentoleranzon auftreten können. Bei Verzicht auf Ätzstoppverfahren sind zur Herstellung der erforderlichen Verformungskörperstruktur mindestens zwei Ätzschritte erforderlich, wobei wiederum zwei getrennte Ätzmasken notwendig sind.
Das Ziel der Erfindung besteht in der Verringerung des Hersteüungsaufwandes von Drucksensoren für sehr kleine Nenndruckbereiche.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Drucksensor mit biegesteifem Zentrum für die Messung sehr kleiner Drücke zu schaffen, der ohne Biegefedern auskommt und dessen Druckmembran eine einheitliche Dicke aufwoist.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Druckmembran zwischen Einspannrahmen des Halbleitersubstrates und biegesteifem Zentrum mindestens zwei Abschnitte mit einer Breite aufwoist, die wesentlich kleiner als die Abmessungen des biegesteifen Zentrums sind, und daß die Bereiche zwischen diesen Abschnitten eine Breite aufweisen, die größer als die Breite der schmalen Abschnitte ist, wobei der größte Teii dieser Bereiche eine wesentlich größere Breite als die der schmalen Abschnitte aufweist. Die schmalen Abschnitte der Druckmembran enthalten Teile eines elektromechanischen Wandlers (z.B. piezoresistive Widerstände, piezoelektrische Schichten) oder aber das biegesteife Zentrum ist Teil eines elektromechanischen Wandlers (z. B. Differentialkondensator). Da bei konstanter Dicke der Druckmembran die Bereiche mit großer Breite eine wesentlich kleinere Nachgiebigkeit hinsichtlich der Auslenkung des biegesteifen Zentrums durch den Meßdruck aufweisen als die schmalen Abschnitte wird die Gesamtnacligiebigkeit des Verformungskörpers im wesentlichen durch die Nachgiebigkeit der schmalen Teile der Druckmembran bestimmt. Damit wird die Nennauslenkung des biegesteifen Zentrums bei v/esentlich geringeren Nenndrücken erreicht, ohne daß sich die Membranspannungen in den schmalen Bereichen der Druckmembran erhöhen. In dem Verhältnis, wie sich der Anteil der schmalen Abschnitte der Druckmembran und damit auch bei gleichbleibendem Übertragungsfaktor und Linearitätsfehler der Nenndruckbereich.
Infolge der einheitlichen Dicke der Druckmembren ist ihre Herstellung in einem Ätzschritt unter Nutzung einer einzelnen Ätzmaske möglich. Durch die Anwendung eines Ätzstoppverfahrens kann die Dicke dsr Druckmembran homogen und reproduzierbar realisiert werden.
Fig. 1 bis 3: Draufsicht und Querschnitte eines erfindungsgemäß ausgeführten piezoresistiven Drucksensors und Fig.4 bis 8: weitere Beispiele erfindungsgemäß ausgeführter Drucksensoren.
vorzugsweise aus Silizium besteht, lokal abgedünnt ist, wobei der die Druckmeinbran 1 im Inneren enthaltene unabgedünnte
gleichmäßige Dicke auf. Im Inneren der Druckmembran 1 befindet sich ein biegesteifes Zentrum 3, mit einer Dicke h3, die gleichder Dicke h2 des Einspannungsrahmens 2, infolge eh.es zusätzlichen Ätzprozesses aber auch kleiner als die Dicke h2 des
auf(Fig.4).
b21> b1. Das führt dazu, daß die Gesamtsteifigkeit der Druckmembran 1 im wesentlichen durch dii schmalen Abschnitte 1 abestimmt wird, da die Nachgiebigkeit (reziproke Steifigkeit) einer Steifenmembran proportional Jer dritten Potenz ihrer Breiteist. Die Gebiete 1 b großer Breite b2 haben damit nahezu nur druckabdichtende Wirkung.
geschaltet sein können, und die ein druckproportionales elektrisches Ausgangssignal erzeugen.
regelmäßige geometrische, z. B. quadratische, rechteckig oder kreisrunde Form besitzen (Fig. 5 und 6), es sind jedoch auchkonstruktive Lösungen möglich, bei denen die schmalen Abschnitte 1 a der Druckmembran 1 durch Zwingen 5 realisiert sind, die
anisotrop wirkenden naßcher.nschen Ätzmittel für Halbleitersubstrate, die bekanntermaßen an konvexen Ätzstrukturenschnellätzende Kristallflächen schaffen, die mit größerer Ätzrate abgetragen werden.
quadratförmige biegesteife Zentrum 3 weist eine Kantenlänge von 5 mm auf und besitzt wie oben angegeben die gleiche Dickewie der Einspannrahmen 2. Die Breite b1 der schmalen Abschnitte 1 a beträgt 0,5 mm und die Breite b2 der Bereiche 1 b beträgt2mm. Die piezoresistiven Widerstände weisen einen spezifischen Widerstand von φ = 65πιΩ auf, haben eine Länge von 100μund eine Breite von 20Mm. Der Abstand der Widerstandsbahn vom Einspannrahmen 2 bzw. biegesteifen Zentrum 3 ist 25pm.
Empfindlichkeit von -— = 0,5% ermittelt
R
Im vorliegenden Beispiel beträgt das für die Erfindung wesentliche Verhältnis von b2/b1 = 4. Unter der Formulierung b2 > b1 soll mindestens der Faktor 2, d.h.b2 2b1 verstanden werden, wogegen b2»>b1 bis in die Größenordnung von Faktor 50 gehen kann.
Claims (9)
1. Drucksensor aus Halbleitermaterial, bestehend aus einer drucksensitiven Druck membran, einem Einspannungsrahmen, der monolithisch die Druckmembran trägt, und einem biegesteifen Zentrum, das monolithisch von der Druckmembran umschlossen wird, und dessen Druckmembran Teile eines elektromagnetischen Wandlers enthält oder dessen biegesteifen Zentrum Bestandteil eines elektromechanischen Wandlers ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckmembran aus mindestens zwei schmalen Abschnitten, deren Breite wesentlich kleiner ist als die Abmessungen des biegesteifen Zentrums sind und Bereiche, die diese schmalen Abschnitte verbinden und eine Breite aufweisen, die größer als die Breite der schmalen Abschnitte sind, besteht und daß die Druckmembran in allen Abschnitten eine gleichmäßige Dicke besitzt.
2. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der innere Teil des Einspannungsrahmen und das biegesteifen Zentrum rechteckförmig sind, wobei die Rechtecke unterschiedliche Seitenverhältnisse aufweisen.
3. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das biegesteife Zentrum eine Kreisform und der innere Teil des Einspannungsrahmen eine Ellipsen- oder ellipsenähnliche Form besitzt.
4. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der innere Teil des Einspannungsrahmens Kreisform und das biegesteife Zentrum Ellipsen- oder ellipsenähnliche Form besitzt.
5. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der innere Teil des Einspannungsrahmens und des biegesteifen Zentrums Quadrat-, Rechteck-, Achteck- oder Kreisform besitzen und der Einspannrahmen und das biegesteife Zentrum Zwingen aufweisen, die die schmalen Abschnitte der Druckmembran bilden.
6. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der innere Teil des Einspannungsrahmens Rechteck- oder Quadratform besitzt, daß das biegesteife Zentrum eine aus einer Rechteck- oder Quadratform durch Unterätzung der konvexen Ecken erzeugte Form besitzt und die schmalen Abschnitte der Druckmembran durch die unterätzten konvexen Ecken des biegesteifen Zentrums in ihrer flächenmäßigen Ausdehnung begrenzt sind.
7. Drucksensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die schmalen Abschnitte der Druckmembran durch unterätzte konvexe Ecken der Zwingen des Einspannungsrahmens oder des biegesteifen Zentrums oder des Einspannungsrahmens und des biegesteifen Zentrums in ihrer flächenmäßigen Ausdehnung begrenzt sind.
8. Drucksensor nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die schmalen Abschnitte der Druckmembran als mechanoelektrische Wandler piezoresistive Widerstände enthält, oder sich auf ihnen piezoresistive Widerstände oder piezoelektrische Schichten befinden.
9. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das biegesteife Zentrum oder ein Teil des biegesteifen Zentrums die druckveränderliche Elektrode eines Kondensators ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD33066089A DD285831A5 (de) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Drucksensor fuer kleine druecke |
DE19904021424 DE4021424A1 (de) | 1989-07-11 | 1990-07-05 | Drucksensor fuer kleine druecke |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD33066089A DD285831A5 (de) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Drucksensor fuer kleine druecke |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD285831A5 true DD285831A5 (de) | 1991-01-03 |
Family
ID=5610771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD33066089A DD285831A5 (de) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Drucksensor fuer kleine druecke |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD285831A5 (de) |
DE (1) | DE4021424A1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5156052A (en) * | 1990-12-20 | 1992-10-20 | Honeywell Inc. | Ribbed and bossed pressure transducer |
DE19810756A1 (de) * | 1998-03-12 | 1999-09-23 | Fraunhofer Ges Forschung | Sensoranordnung zur Messung von Druck, Kraft oder Meßgrößen, die sich auf Druck oder Kraft zurückführen lassen, Verfahren zur Herstellung der Sensoranordnung, Sensorelement und Verfahren zur Herstellung des Sensorelements |
DE19914728B4 (de) * | 1998-12-03 | 2004-10-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung |
NO313723B1 (no) | 1999-03-01 | 2002-11-18 | Sintef | Sensorelement |
AU2002214601A1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-04-29 | Endevco Corporation | Pressure sensor |
DE102008003716A1 (de) * | 2008-01-09 | 2009-07-30 | CiS Institut für Mikrosensorik GmbH | Mikromechanischer Drucksensor |
AT520304B1 (de) * | 2018-03-21 | 2019-03-15 | Piezocryst Advanced Sensorics | Drucksensor |
-
1989
- 1989-07-11 DD DD33066089A patent/DD285831A5/de not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-07-05 DE DE19904021424 patent/DE4021424A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4021424A1 (de) | 1991-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2132547B1 (de) | Drucksensor | |
DE60317273T2 (de) | Sensor für mechanische Verformungsmessverfahren | |
DE3741941C2 (de) | ||
EP1550349B1 (de) | Membran und verfahren zu deren herstellung | |
DE2429894A1 (de) | Polykristalliner monolithischer druckfuehler und verfahren zu dessen herstellung | |
DE102008040525A1 (de) | Mikromechanisches Sensorelement, Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Sensorelements und Verfahren zum Betrieb eines mikromechanischen Sensorelements | |
EP0494143B1 (de) | Vorrichtung zur messung mechanischer kräfte und kraftwirkungen | |
EP1876434A2 (de) | Vorrichtung zum Messen von Kräften, insbesondere Drucksensor, und zugehöriges Herstellverfahren | |
DE3702412C2 (de) | ||
DD285831A5 (de) | Drucksensor fuer kleine druecke | |
EP0628209B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines druckdifferenz-sensors | |
DE3824695C2 (de) | ||
EP0309725B1 (de) | Piezoelektrisches Kraftmessverfahren | |
DE3148403A1 (de) | "differenzdruckmesser" | |
DD291398A5 (de) | Piezoresistiver drucksensor | |
DD267107A1 (de) | Drucksensor fuer kleine nenndruecke | |
EP0567482B1 (de) | Drucksensor | |
DE10205585A1 (de) | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2830121A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mit piezowiderstandseffekt arbeitenden drucksensoren | |
DD288000A5 (de) | Verfahren zur herstellung von sehr schmalen siliziumsensoren fuer kleine nenndruecke | |
DD267105A1 (de) | Drucksensor mit biegesteifem zentrum und verfahren zur herstellung desselben | |
DE102017206709A1 (de) | Drucksensorvorrichtung mit hoher Empfindlichkeit | |
DD272737A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer schmalen (100)-orientierten rechteckigen membran aus monokristallinem silizium | |
DD288032A5 (de) | Verfahren zur herstellung von (110)-orientierten siliziumplattenstreifen fuer mechanische sensoren | |
DD288031A5 (de) | Verfahren zur herstellung von (110)-orientierten siliziumplattenstreifen fuer mechanische sensoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RPI | Change in the person, name or address of the patentee (searches according to art. 11 and 12 extension act) | ||
RPI | Change in the person, name or address of the patentee (searches according to art. 11 and 12 extension act) | ||
ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |