DD279136A1

DD279136A1 - Selektionsstufe fuer zwei frequenzbereiche

Info

Publication number: DD279136A1
Application number: DD32439488A
Authority: DD
Inventors: Rainer Schmidt; Dieter Guenther; Peter Doerner
Original assignee: Engels Fernsehgeraete Veb
Priority date: 1988-12-29
Filing date: 1988-12-29
Publication date: 1990-05-23
Also published as: DD279136B5

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Selektionsstufe fuer zwei Frequenzbereiche und findet beispielsweise in einem Kabeltuner fuer Fernsehempfaenger Anwendung. Die erfindungsgemaesse Selektionsstufe fuer zwei Frequenzbereiche ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Elektrode des aktiven Halbleiterbauelementes unmittelbar ueber eine Kapazitaet mit grossem Blindwiderstand fuer den tieferen Frequenzbereich mit dem Hochpunkt des Resonanzkreises und ueber eine Induktivitaet mit grossem Blindwiderstand fuer den hoeheren Frequenzbereich mit dem Verbindungspunkt der in Reihe geschalteten Induktivitaeten des Resonanzkreises verbunden ist. Fig. 1

Description

Ausführungsbeispiel

Die Erfindung soll nachfolgenden einem Ausführungsbeispiel erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigt: Fig. 1: das Schaltbild einer erfindungsgemäßen Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche.

In Fig. 1 gelangt das durch den Transistor 1 an dessen Ausgangselektrode 2 anstehende verstärkte Nutzsignal für den oberen Frequenzbereich über den Kondensator 3an den Hochpunkt des abstimmbaren Parallelresonanzkreises, bestehend aus der über den Anschluß 4 leitend geschalteten Diode 5 und einem Trennkondensator 6 sowie der einseitig hochfrequenzmäßig mit Masse verbundenen induktivität 7 und der Serienschaltung bestehend aus dem Trennkondensator 8 und der mit dem Anschluß 9 für die Abstimmspannung über den Widerstand 10 verbundenen, in Sperrichtung vorgespannten Kapazitätsdiode 11. Die Reihenschaltung bestehend aus Induktivität 12 und Trennkondensator 13 wird durch die hierzu parallel angeordnete Reihenschaltung, bestehend aus Diode 5 und Trennkondensator 6, hochfrequenzmäßig überbrückt und ist demzufolge wirkungslos. Gleichzeitig wird auch über die leitend geschaltete Diode 5 die Induktivität 14, über die auch der Betriebsgleichstrom für den Transistor 1 geführt wird, hochfrequenzmäßig an Masse geschaltet. Durch Umschaltung der Betriebsspannung vom Anschluß 4 an den Anschluß 15 erfolgt die Umschaltung in den unteren Frequenzbereich. Der sich hierfür ausbildende Parallelresonanzkreis besteht aus der Reihenschaltung der Induktivitäten 7 und 12, den Kondensatoren 8 und 13 sowie der mit dem Anschluß 9 über den Widerstand 10 verbundenen, in Sperrichtung vorgespannten Kapazitätsdiode 11. Die Verbindung zwischen der Ausgangselektrode 2 des Transistors 1 und dem Parallelresonanzkreis wird in diesem Falle zum überwiegenden Teil durch die Induktivität 14 realisiert. Das vorgenannte Resonanzgebilde, bestehend aus der Induktivität 14 sowie der Kapazität der Ausgangselektrode 2 des Transistors 1, ist wirkungslos. Über die Induktivität 14 erfolgt auch die Betriebsgleichspannungsversorgung für den Transistor 1. Der Kondensator 3 ist derart bemessen, daß er für die Kopplung nur einen untergeordneten Einfluß gegenüber der Induktivität 14 besitzt.

Claims

Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche, mit einem aktiven Halbleiterbauelement und einem Parallelresonanzkreis mit einer variablen Kapazität, einer Reihenschaltung von Induktivitäten und einer einer Induktivität parallelgeschalteten Schalteranordnung, gekennzeichnet dadurch, daß eine Elektrode (2) des aktiven Halbleiterbauelements (1) unmittelbar über eine Kapazität (3) mit großem Blindwiderstand für den tieferen Frequenzbereich mit dem Hochpunkt des Resonanzkreises und über eine Induktivität (14) mit großem Blindwiderstand für den höheren Frequenzbereich mit dem Verbindungspunkt der in Reihe geschalteten Induktivitäten (7,12) verbunden ist.

Hierzu 1 Seite Zeichnung

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft eine Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche und findet beispielsweise in einem Kabeltuner für Fernsehempfänger Anwendung.

Charakteristik des bekannten Standes der Technik

Eine bekannte Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche wird in der Funkschau 1975, Heft 18, S.83-86 beschrieben, in der die Ausgangselektrode eines bipolaren Transistors unmittelbar mit dem Hochpunkt eines Parallelresonanzkreises verbunden ist. Nachteilig an dieser Anordnung ist, daß die Kapazität der Elektrode des aktiven Bauelementes bezüglich der Schaltungsmasse unmittelbar als Parallelkapazität im Resonanzkreis und damit einengend auf den möglichen Abstimmbereich wirkt. Eine andere bekannte Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche wird in der DE-OS 2918636 dargelegt. Hierbei findet als koppelndes Element zwischen dem aktiven Halbleiterbauelement und dem Parallelresonanzkreis eine Kapazitätsdiode Anwendung, deren Sperrspannung mit der Abstimmung der Gesamtanordnung im gleichen Maße verändert wird. Neben dem erhöhten schaltungstechnischen Aufwand ist an dieser Lösung weiterhin nachteilig, daß die Betriebsspannungsversorgung für das aktive Halbleiterbauelement über zusätzliche, einen Gleichstrompfad bildende Bauelemente realisiert werden muß. Eine weitere Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche ist aus einem Kanalwähler der Fa. Grundig (Geräte mit 90-Chassis für die Saison 86/87) bekannt. In dieser ist eine Koppelanordnung zwischen der Vorstufe und dem Parallelresonanzkreis einer Filteranordnung vorgesehen, bei der zusätzlich zur variablen kapazitiven Kopplung mittels Kapazitätsdiode, die für die Gleichspannungszuführung benötigten Bauelemente zur Ausbildung einer zusätzlichen Resonanzanordnung, unter Einbeziehung der Ausgangskapazität des aktiven Halbleiterbauelementes, genutzt werden. Nachteilig hieran ist neben dem hohen schaltungstechnischen Aufwand der Einsatz einer zusätzlichen Schalterdiode für die letztgenannte Resonanzanordnung. Weiterhin kann auf den Einsatz von hochinduktiven Drosselelementen nicht verzichtet werden.

Ziel der Erfindung

Das Ziel der Erfindung besteht darin, den Bauelementeaufwand für eine Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche zu verringern und gleichzeitig ihr Betriebsverhalten zu verbessern.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Selektionsstufe für zwei Frequenzbereiche, die ein aktives Halbleiterbauelement und einen Parallel resonanzkreis mit einer variablen Kapazität, einer Reihenschaltung von Induktivitäten und einer einer Induktivität parallelgeschalteten Schalteranordnung enthält, derart auszubilden, daß bei Bereichsumschaltung zur Kopplung keine zusätzlichen Bauelemente benötigt werden und in allen Teilen beider Frequenzbereiche jedes Absinken des Kopplungsbetrages verhindert wird.

Erfindungsgemäß wird das dadurch erreicht, daß eine Elektrode des aktiven Halbleiterbauelementes unmittelbar über eine Kapazität mit großem Blindwiderstand für den tieferen Frequenzbereich mit dem Hochpunkt des Resonanzkreises und über eine Induktivität mit großem Blindwiderstand für den höheren Frequenzbereich mit dem Verbindungspunkt der in Reihe geschalteten Induktivitäten verbunden ist.

Damit wird die Wirksamkeit des für den entsprechenden Frequenzbereich vorgesehenen Koppelelementes über die zur Frequenzbereichsumschaltung des Parallelresonanzkreises verwendete Schalteranordnung gesteuert, wobei für den oberen Frequenzbereich die zwischen der Elektrode des Halbleiterbauelementes und dem Hochpunkt des Resonanzkreises angeordnete Kapazität und für den unteren Frequenzbereich die zwischen der Elektrode des Halbleiterbauelementes und dem Verbindungspunkt der in Reihe geschlateten Induktivitäten des Resonanzkreises angeordnete Induktivität für die Kopplung die dominierendere Wirkung aufweist.