DD260594A1 - Anordnung zur grundabstandsregelung mit getrimmter unterwasserauftriebsboje - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Ueberwachungsschaltung zum Abschalten von Transistorstufen bei fehlenden Eingangsimpulsen, insbesondere von solchen Transistorstufen, die stark belastet sind. Weiterhin kann die Ueberwachungsschaltung benutzt werden, um fehlersichere Schaltungen zu realisieren. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass bei einer UND-(NICHT)-Verknuepfungsschaltung ausser dem Signaleingang ein Sperreingang mit einem RC-Glied vorgesehen ist, der von einer Ladeschaltung gespeist wird. Bei vorhandenen Eingangsimpulsen wird der Kondensator am Sperreingang laufend auf "High"-Potential aufgeladen. Bei fehlenden Eingangsimpulsen nimmt dieser Eingang den "Low"-Pegel an und blockiert die UND-(NICHT)-Verknuepfungsschaltung. Fig. 1

Description

Hierzu 3 Seiten Zeichnungen

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung bezieht sich auf eine Überwachungsschaltung zum Abschalten von Transistorstufen bei fehlenden Eingangsimpulsen, insbesondere von solchen Transistorstufen, die viel Strom verbrauchen und die durch Überlastung zerstört werden könnten. Weiterhin kann die Schaltung auch diskriminieren, so daß bei einigen fehlenden Eingangsimpulsen noch kein Abschalten erfolgt, während bei mehreren fehlenden Impulsen die Abschaltung sofort erfolgt.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

In der EP 0095 579, H 03 K-17/08, wird eine Schutzschaltung für einen Schalttransistor beschrieben. Die Schutzschaltung überwacht die Basis-Emitterspannung des Schalttransistors. Die EP 0153 492, H 03 K-5/08, „Schutzschaltung für durch elektrische Signale gesteuerte Geräte", beschreibt eine bipolare Schaltung zum Schutz gegen einen zu hohen Kpllektorstrom im Endtransistor.

Im WP 155 575, H 03 K-19/007, „Schaltungsanordnung zum sicheren Abschalten von transistorgeschalteten Lasten", ist im Stromzweig eine „Strompfadsicherung vorgesehen, die über eine elektronische Schaltungsanordnung zum Abschmelzen gebracht wird, wenn am Transistorschalter der Leistungsstufe ein Emitter-Kollektor-Durchbruch auftritt".

In der EP 0156 251, H 03 K-19/007, „Schaltungsanordnung zur Speicherung dynamischer logischer Signale", ist eine Schaltungsanordnung beschrieben, bei der das Eingangssignal über eine Tor-Schaltung geführt ist, die die Betriebsspannung von einer Gleichrichterschaltung erhält. Diese Gleichrichterschaltung wird ebenfalls vom Eingangssignal angesteuert. Fehlen einige Eingangsimpulse, so wird die Betriebsspannung der Torschaltung nur geringfügig herabgesetzt, fehlen dagegen mehrere Eingangsimpulse, so sinkt die Betriebsspannung der Torschaltung erheblich ab, und durch die Torschaltung gelangen keine Eingangsimpulse mehr.

In der DE-OS 2803 557, H 03 K-17/08, „Abschaltvorrichtung für ein steuerbares Halbleiterbauelement", wird eine Schaltungsanordnung beschrieben, die ein Temperaturmeßglied am Leistungstransistor vorsieht. Dieses Temperaturmeßglied steuert ein Zeitglied, das den Stromfluß im Endtransistor begrenzt.

In der DE-OS 2533 083, F 02 P-3/04, wird eine Schaltung vorgestellt, die den Strom durch eine Zündspule einer Transistorzündanlage abschaltet, wenn der Motor zum Stillstand kommt. Diese Schaltung ist mit bipolaren Transistoren, Dioden, Widerständen und Kondensatoren aufgebaut und ist relativ bauelementeaufwendig.

Allgemein haben alle diese Schaltungen den Nachteil, daß sie relativ viele Bauelemente benötigen und daher für eine Integration nicht gut geeignet sind. Die Störanfälligkeit der genannten Schaltungsanordnungen ist relativ groß, weil keine durchgehende Integration möglich ist. Sie sind meist nur für einen speziellen Zweck anwendbar und nicht allgemein einsatzfähig.

Ziel der Erfindung

Das Ziel der Erfindung ist, eine Überwachungsschaltung anzugeben, die Transistorstufen bei fehlenden Eingangsimpulsen abschaltet, so daß bei stationären Anlagen Batterien nicht vorzeitig entladen werden und Transistorstufen vor Überlastung geschützt werden, die mit einem geringen Aufwand an Bauelementen realisiert werden kann und als integrierte Schaltung gut geeignet ist, so daß eine geringe Störanfälligkeit und eine hohe Ausbeute erreicht werden und die sowohl in der Steuer- und Regelungstechnik als auch in der Informationstechnik als Überwachungsschaltung vorteilhaft eingesetzt werden kann.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine Überwachungsschaltung anzugeben, die z. B. Transistorendstufen beim Ausfall der Eingangsimpulse abschaltet, so daß im Ausgangs-„Low"-Zustand kein Strom durch den Endtransistor fließt, die sowohl mit Bipolar- als auch mit MOS-Transistoren als integrierte Schaltung aufgebaut werden kann und die eine programmierbare Abschaltzeit aufweist.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß ein Impulseingang mit dem Eingang einer Ladeschaltung und mit einem Eingang einer UND-Verknüpfungsschaltung verbunden ist, daß ein Ausgang der Ladeschaltung auf einen weiteren Eingang (Sperreingang) der UND-Verknüpfungsschaltung, auf einen Widerstand und parallel auf einen Kondensator geführt ist. Der andere Anschluß des Widerstandes und des Kondensators ist mit Masse verbunden. Die Betriebsspannung speist die Ladeschaltung und die UND-Verknüpfungsschaltung. Die UND-Verknüpfungsschaltung weist außerdem einen Masseanschluß und einen Ausgang auf.

In einer ersten Variante der erfindungsgemäßen Überwachungsschaltung können mehrere Signaleingänge und mehrere Ladeschaltungen vorgesehen werden. Alle Ausgänge der Ladeschaltungen sind dabei zusammengeschaltet und mit dem Widerstand und dem Kondensator verbunden.

An Stelle der UND-Verknüpfungsschaltung kann auch eine UND-NICHT-(NAND)-Verknüpfungsschaltung verwendet werden. Zur Verbesserung des elektrischen Verhaltens kann vordem Sperreingang eine Schmitt-Trigger-Stufe vorgeschaltet werden. In einerweiteren Variante kann derWiderstand in Reihe mit dem Sperreingang der Verknüpfungsschaltung geschaltet werden. Die Ladeschaltung besteht bei einer Realisierung der Überwachungsschaltung mit bipolaren Bauelementen vorwiegend aus Widerständen, Transistoren und Dioden. In einer CMOS-Realisierung werden dagegen vorwiegend p-Kanal-MOS-Transistoren verwendet.

In der Realisierungsvariante mit bipolaren Bauelementen ist ein Impulseingang auf den Emitter eines Bipolar-Transistors und den Eingang einer Ladeschaltung geführt. Der Eingang der Ladeschaltung ist mit dem Knotenpunkt einer Reihenschaltung aus Widerstand und Diode in der Ladeschaltung verbunden. Die Katode der Diode ist auf den Ausgang der Ladeschaltung geführt. Der Ausgang der Ladeschaltung ist mit dem Kondensator und dem Widerstand verbunden. Der andere Anschluß des Kondensators ist mit Masse verbunden. Der andere Anschluß des Widerstandes ist auf die Basis eines Bipolar-Transistors geführt. Der Kollektor des Bipolar-Transistors ist mit einem Widerstand und der Basis eines weiteren Bipolar-Transistors verbunden. Der Kollektor dieses Bipolar-Transistors ist wieder mit einem Widerstand und der Basis eines Endtransistors zusammengeschaltet. Der Kollektor des Endtransistors ist auf den Ausgang geführt. Die Emitter der letztgenannten Bipolar-Transistoren sind mit Masse verbunden. Die Betriebsspannung ist auf die Ladeschaltung und die Kollektorwiderstände geführt.

Bei einer weiteren Variante mit CMOS-Bauelementen ist der Impulseingang mit einem Widerstand und mit Gates von MOS-Transistoren zusammengeschaltet, die einen Eingangs-CMOS-Negator bilden. Der Ausgang dieses CMOS-Negators ist mit dem Eingang der Lädeschaltung und mit den Gates von weiteren MOS-Transistoren verbunden, die einen CMOS-Signaleingang einer CMOS-NAND-Schaltung darstellen. Der Eingang der Ladeschaltung ist auf das Gate eines p-Kanal-MOS-Transistors geführt. Das Source des p-Kanal-MOS-Transistors ist mit der Betriebsspannung zusammengeschaltet, während das Drain mit dem Ausgang der Ladeschaltung verbunden ist. Der Ausgang der Ladeschaltung ist mit den Gates weiterer MOS-Transistoren, die den CMOS-Sperreingang darstellen, und mit einem Kondensator und Widerstand zusammengeschaltet. Der zweite Anschluß des Kondensators und des Widerstandes ist mit Masse verbunden. Bei der CMOS-NAND-Schaltung sind die n-Kanal-MOS-Transistoren zwischen Masse und dem Ausgang in Reihe und die p-Kanal-MOS-Transistoren zwischen dem Ausgang und der Betriebsspannung parallelgeschaltet. Der Ausgang der CMOS-NAND-Schaltung ist auf einen weiteren Negator geführt. Der Ausgang dieses CMOS-Negators steuert einen n-Kanal-Ausgangstransistor an.

In der letztgenannten Variante können vorteilhaft der Kondensator als MOS-Kapazität und der Widerstand als MOS-Transistor ausgebildet werden.

Ausführungsbeispiel

Die Erfindung soll nachstehend an Ausführungsbeispielen erläutert werden

Dabei zeigen

Fig. 1: die Prinzipschaltung und

Fig.2 und 3: Ausführungsbeispiele mit bipolaren und CMOS-Bauelementen.

Gemäß Fig. 1 ist ein Impulseingang 1 mit dem Eingang 2 einer Ladeschaltung 11 und dem Eingang 5 einer UND-Verknüpfungsschaltung 9 verbunden. Der Ausgang 3 der Ladeschaltung 11 ist mit einem weiteren Eingang 4 (Sperreingang) der UND-Verknüpfungsschaltung 9, einem Widerstand 7 und einem Kondensator 6 zusammengeschaltet. In diesem Beispiel weist die UND-Verknüpfungsschaltung 9 zwei Eingänge auf. Der andere Anschluß des Widerstandes 7 und des Kondensators 6 ist mit Masse 8 verbunden. Die Betriebsspannung 12 ist mit der Ladeschaltung 11 und der UND-Verknüpfungsschaltung 9 verbunden. Die UND-Verknüpfungsschaltung 9 weist außerdem einen Masseanschluß 8 und einen Ausgang 10 auf. Sind weitere Signaleingänge erforderlich, so müssen weitere Eingänge bei der UND-Verknüpfungsschaltung 9 vorgesehen werden. Ebenfalls ist die Anzahl der Ladeschaltungen zu erweitern. Alle Ausgänge der Ladeschaltungen sind mit dem Widerstand 7, dem Kondensator 6 und dem Eingang 4 zu verbinden.

An Stelle der UND-Verknüpfungsschaltung 9 kann auch eine UND-NICHT-(NAND)-Verknüpfungsschaltung vorgesehen werden.

Weiterhin kann es in einigen Fällen erforderlich werden, vor dem Eingang 4 (Sperreingang) eine Schmitt-Triggerstufe vorzuschalten, um die erforderliche Flankensteilheit zu garantieren

Die Wirkungsweise gemäß Fig. 1 soll im folgenden Abschnitt erläutert werden:

Liegt am Signaleingang 1 der „Low"-Pegel an, so wird die Ladeschaltung 11 aktiviert. Der Kondensator 6 wird über den relativ niederohmigen Innenwiderstand der Ladeschaltung 11 auf nahezu den Wert der Betriebsspannung 12 aufgeladen. Damit liegen am Eingang 4 der „High"-Pegel und am Eingang 5 der „Low"-Pegel an. Am Ausgang 10 der UND-Verknüpfungsschaltung 9 erscheint somit der „Low"-Pegel. Ein geringer Strom fließt in diesem Zustand über den Widerstand 7 nach Masse 8 ab. Da derWiderstand 7 aber viel größer ist als der Innenwiderstand der Ladeschaltung 11, bleibt der „High "-Pegel am Eingang 4 erhalten.

Ändert das Eingangspotential den Wert von „Low" nach „High", so wird der Innenwiderstand der Ladeschaltung 11 sehr groß. Der Pegel am Eingang 4 bleibt aber vorerst noch „High", weil die Entladung des Kondensators 6 über den Widerstand 7 langsam vorsieh geht (große Zeitkonstante). Am Eingang 5 liegt jetzt auch der „High "-Pegel an, und so kann am Ausgang 10 nun auch der „High"-Pegel wirksam werden. Bleibt über einen längeren Zeitraum der Pegel am Impulseingang „High", so entlädt sich der Kondensator 6 über den Widerstand 7 und erreicht schließlich den Wert „Low". Damit ist die „UND"-Bedingung nicht mehr erfüllt, und der Ausgang 10 wird in den „Low"-Zustand gezwungen.

Damit ist erreicht worden, daß beim „Hängenbleiben" des Eingangs im „High "-Zustand (z.B. beim Ausfall der Taktimpulse) der Ausgang nach einer gewissen Zeit, die durch die Zeitkonstante C6-R7 bestimmt wird, in den „Low"-Zustand gezwungen wird und damit den Stromfluß in nachfolgenden Transistorstufen unterbricht.

Die Polarität der Eingangs- und Ausgangsimpulse kann durch vor- und nachgeschaltete Negatoren entsprechend geändert werden.

Ist am Impulseingang 1 dagegen die normale Impulsfolge vorhanden, so schaltet der Impulseingang 1 nach der vorgegebenen Impulsbreite wieder in den „Low"-Zustand zurück. Die Ladeschaltung 11 wird wieder aktiviert und lädt den Kondensator 6, der sich zwischenzeitlich etwas entladen hatte, wieder auf den Wert der Betriebsspannung 12 auf. Am Eingang 4 der UND-Verknüpfungsschaltung 9 liegt damit immer der „High"-Pegel an. Am Ausgang 10 erscheint somit die am Impulseingang 1 vorgegebene Impulsfolge und kann weiter verstärkt werden.

Fig.2 zeigt ein konkretes Äusführungsbeispiel mitbipolaren Bauelementen. Die Schaltung ist so ausgelegt, daß beim „Hängenbleiben" des Impulseinganges 1 im „Low"-Zustand der Strom im Endtransistor nach einer gewissen Zeit abgeschaltet wird.

Gemäß Fig. 2 ist der Impulseingang 1 auf den Emitter eines Bipolar-Transistors 13 und-den Eingang 2 der Ladeschaltung 11 geführt. Der Eingang 2 der Ladeschaltung 11 ist mit dem Knotenpunkt 20 einer Reihenschaltung aus Widerstand 19 und Diode 21 verbunden. Die Katode der Diode 21 ist auf den Ausgang 3 der Ladeschaltung 11 geführt. DerAusgang3derLadesehaltung 11 ist mit dem Kondensator 6 und dem Widerstand 7 verbunden. Der andere Anschluß des Kondensators 6 ist mit Masse verbunden. Der zweite Anschluß des Widerstandes? ist mit der Basis des Bipolar-Transistors 13 zusammengeschaltet. Der Kollektor des Bipolar-Transistors 13 ist mit einem Widerstand 14 und mit der Basis eines weiteren Bipolar-Transistors 15 verbunden. Der Kollektor dieses Bipolar-Transistors 15 ist mit einem Widerstand 16 und der Basis eines bipolaren Endtransistors 17 zusammengeschaltet. Der Kollektor des Endtransistors 17 ist auf den Ausgang 18 geführt. Die Emitter der Bipolar-Transistoren 15 und 17 sind mit Masse 8 verbunden. Die Betriebsspannung 12 speist die Ladeschaltung 11 und die Negatoren mit den Bipolar-Transistoren 13 und 15..

Die Wirkungsweise der Schaltung gemäß Fig. 2 soll im folgenden Abschnitt erläutert werden.

Liegt am Impulseingang 1 der „High"-Pegel an, so wird über den Widerstand 19 und die Diode 21 der Kondensator 6 aufgeladen. Der Bipolar-Transistor 13 ist gesperrt, weil der Emitter ebenfalls auf „High "-Potential liegt. Damit kann nun der Bipolar-Transistor 15 durchgesteuert werden. Der Endtransistor 17 dieser Überwachungsschaltung ist somit gesperrt. Es kann kein Kollektorstrom fließen.

Ändert der Impulseingang 1 seinen Pegel von „High" nach „Low", so wird das Potential des Knotenpunktes 20 ebenfalls „Low". Der Kondensator 6 kann sich nur über den Widerstand? und die Basis-Emitterstrecke des Bipolar-Transistors 13 entladen und den Bipolar-Transistor 13 durchsteuern. Über die Diode 21 findet keine nennenswerte Entladung statt. Der Kollektor des Bipolar-Transistors 13 weist daher den „Low"-Pegel auf. Dadurch ist der Bipolar-Transistor 15 gesperrt. Der Enttransistor 17 kann damit durchgesteuert werden. Es fließt ein Kollektorstrom in diesem Transistor.

Bleibt der Impulseingang 1 für längere Zeit im „Low"-Zustand, so entlädt sich der Kondensator weiterhin und erreicht schließlich einen Spannungswert, der keinen Basisstrom mehr im Bipolar-Transistor 13 antreiben kann. Damit steigt das Kollektorpotential an, und der Bipolar-Transistor 15 kann durchgesteuert werden. Somit wird als Folge dann der Endtransistor 17 wieder gesperrt. Es kann nach einer gewissen Zeit, die durch die Zeitkonstante C6-R7 bestimmt wird, kein Kollektorstrom mehr im Endtransistor 17 fließen.

Ist am Impulseingang 1 dagegen die geforderte normale Impulsfolge vorhanden, so schaltet der Impulseingang 1 nach der vorgegebenen Impulsbreite wieder in den „High"-Zustand zurück. Damit kann sich der Kondensator 6 wieder aufladen und den Basissteuerstrom für eine kurzzeitige „Low"-Phase liefern. Am Ausgang 18 erscheint somit die am Impulseingang 1 vorgegebene Impulsfolge und kann entsprechend verstärkt werden.

Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit CMOS-Bauelementen. Diese Schaltung ist in diesem Beispiel ebenfalls so ausgelegt, daß beim „Hängenbleiben" des Impulseinganges 1 im „Low"-Zustand der Strom im n-Kanal-Endtransistor nach einer gewissen Zeit abgeschaltet wird.

Gemäß Fig. 3 ist der Impulseingang 1 mit einem Widerstand 19 und mit den Gates der MOS-Transistoren 22 und 23 zusammengeschaltet. Die MOS-Transistoren 22 und 23 sind zwischen Masse 8 und der Betriebsspannung 12 in Reihe geschaltet und stellen den Eingangs-CMOS-Negatordar. Der Ausgang 24 dieses Negators ist mit den Gates der MOS-Transistoren 26 und 29 und mit dem Eingang 2 der Ladeschaltung 11 verbunden. Der Eingang 2 der Ladeschaltung 11 ist auf das Gate eines p-Kanal-MOS-Transistors 25 geführt. Das Source dieses Transistors ist mit der Betriebsspannung 12 verbunden. Das Drain ist auf den Ausgang 3 der Ladeschaltung 11 geführt. Der Ausgang 3 der Ladeschaltung 11 ist mit den Gates der MOS-Transistoren 27 und 28, mit dem Kondensator 6 und dem Widerstand 7 zusammengeschaltet. Der zweite Anschluß des Kondensators 6 und des Widerstandes 7 ist mit Masse 8 verbunden. Die MOS-Transistoren 26 und 27 sind zwischen Masse 8 und dem Ausgang 30 in Reihe geschaltet, während die MOS-Transistoren 28 und 29 zwischen dem Ausgang 30 und der Betriebsspannung 12 parallelgeschaltet sind. Die MOS-Transistoren 26,27,28 und 29 stellen eine CMOS-NAND-Schaltung mit zwei Eingängen dar. Der Ausgang 30 dieser NAND-Schaltung ist auf die Gates der MOS-Transistoren 31 und 32 geführt. Diese Transistoren bilden den Ausgangs-CMOS-Inverter mit dem Ausgang 33. Der Ausgang 33 ist schließlich mit dem Gate des Ausgangstransistors 34 verbunden. Das Drain des Ausgangstransistors 34 ist auf den Ausgang 18 geführt, während Source mit Masse 8 verbunden ist. In dieser CMOS-Ausführung ist es vorteilhaft, den Kondensator 6 als MOS-Kapazität auszubilden und den Widerstand 7 durch einen MOS-Transistor zu realisieren. Dadurch ist eine geschlossene integrierte Schaltung realisierbar, ohne daß ein Zwischenanschluß herausgeführt werden muß

Die Wirkungsweise dieser Schaltungsvariante gemäß Fig. 3 wird im folgenden Abschnitt erläutert:

Liegt am Impulseingang 1 der „High"-Pegel an, so weist der Ausgang 24 des Eingangs-CMOS-Negators einen „Low"-Pegel auf. Die Ladeschaltung 11 wird niederohmig, d. h. der p-Kanal-MOS-Transistor 25 wird voll leitend, und der Kondensator 6 wird auf den Wert der Betriebsspannung 12 aufgeladen. Am Ausgang 3 der Ladeschaltung 11 liegt damit der „High"-Pegel an. Da der Ausgang 24 den „Low"-Pegel aufweist, sind der MOS-Transistor 29 leitend und der MOS-Transistor 26 gesperrt. Somit liegt am Ausgang 30 der NAND-Schaltung der „High"-Pegel an. Dieser Pegel wird durch den nachfolgenden Negator, bestehend aus den MOS-Transistoren 31 und 32, invertiert, und am Gate des Endtransistor 34 liegt der „Low"-Pegel an. Der MOS-Transistor 34 ist gesperrt. Es kann kein Drainstrom fließen.

Ändert der Impulseingang 1 seinen Pegel von „High" nach „Low", so nimmt der Ausgang 24 des Eingangsnegators mit den MOS-Transistoren 22 und 23 den „High"-Zustand ein. Die Ladeschaltung 11 wird hochohmig. Der Kondensator 6 bleibt aufgeladen und entlädt sich langsam über den Widerstand 7 (Zeitkonstante C6 · R). Kurz nach dem Umschaltmoment sind also die Ausgänge 24 und 3 im „High"-Zustand. Damit ist der Ausgang 30 der NAND-Schaltung im „Low"-Zustand. Durch den Ausgangsnegator mit den MOS-Transistoren 31 und 32 wird am Ausgang 33 ein „High"-Pegel erzeugt. Dadufch wird der Endtransistore 34 leitend. Es kann ein Drainstrom fließen.

Bleibt der Impulseingang 1 für längere Zeit im „Low"-Zustand, so kann sich der Kondensator 6 so weit entladen, bis der Ausgang 3 der Ladeschaltung 11 einen Spannungswert angenommen hat, der dem „Low"-Pegel entspricht. Damit ändert sich der Pegel am Ausgang 30 und geht von „Low" nach „High ".Der Ausgangsnegator mit den Transistoren 31 und 32 invertiert diesen Pegel, und am Gate des Endtransistors 34 liegt der „Low"-Pegel an, der diesen Transistor sperrt. Der Drainstrom durch den Endtransistor wird abgeschaltet.

Ist am Impulseingang 1 dagegen die normale Impulsfolge vorhanden, so wird der Kondensator 6 immer wieder auf den „High"-Pegel aufgeladen. Am Ausgang 3 der Ladeschaltung 11 und damit am Sperreingang der NAND-Schaltung liegt immer der „High "-Pegel an. In diesem Zustand beeinflußt dieser Eingang nicht die Wirkungsweise der Schaltung. Sie wirkt wie ei η Negator. Am Ausgang 18 erscheint somit die am Impulseingang 1 vorgegebene Impulsfolge.

Claims (11)

1. Überwachungsschaltung zum Abschalten von Transistorstufen bei fehlenden Eingangsimpulsen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Impulseingang (1) mit dem Eingang (2) einer Ladeschaltung (11) und dem Eingang (5) einer UND-Verknüpfungsschaltung (9) verbunden ist, daß der Ausgang (3) der Ladeschaltung (11) auf einen weiteren Eingang (4) der UND-Verknüpfungsschaltung (9) und auf einen Widerstand (7) und parallel auf einen Kondensator (6) geführt ist, daß der andere Anschluß des Widerstandes (7) und des Kondensators (6) mit Masse (8) verbunden ist, daß die Betriebsspannung (12) auf die Ladeschaltung (11) und auf die UND-Verknüpfungsschaltung (9) . geführt ist und daß die UND-Verknüpfungsschaltung (9) einen Masseanschluß (8) und einen Ausgang (10) aufweist.

2. Überwachungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die UND-Verknüpfungsschaltung (9) mehrere Signaleingänge und mehrere Ladeschaltungen aufweist, wobei alle Ausgänge der Ladeschaltung mit dem Widerstand (7) und dem Kondensator (6) verbunden sind.

3. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle der UND-Verknüpfungsschaltung (9) eine UND-NICHT-(NAND)-Verknüpfungsschaltung vorgesehen ist.

4. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Eingang (4) eine Schmitt-Triggerstufe vorgeschaltet ist.

5. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (7) in Reihe mit dem Eingang (4) der Verknüpfungsschaltung (9) liegt.

6. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladeschaltung (11) Widerstände, Transistoren und Dioden enthält.

7. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladeschaltung (11) einen oder mehrere p-Kanal-MOS-Transistoren enthält.

8. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Impulseingang (1) auf den Emitter eines Bipolar-Transistors (13) und den Eingang (2) der Ladeschaltung (11) geführt ist, daß der Eingang (2) mit einem Knotenpunkt (20) einer Reihenschaltung aus einem Widerstand (19) und einer Diode (21) verbunden ist, daß die Katode der Diode (21) auf den Ausgang (3) der Ladeschaltung (11) geführt ist, daß der Ausgang (3) der Ladeschaltung (11) mit dem Kondensator (6) und dem Widerstand (7) verbunden ist, daß der andere Anschluß des Kondensators (6) mit Masse (8) verbunden ist, daß der zweite Anschluß des Widerstandes (7) mit der Basis des Bipolar-Transistors (13) zusammengeschaltet ist, daß der Kollektor des Bipolar-Transistors (13) mit einem Widerstand (14) und der Basis eines zweiten Bipolar-Transistors (15) verbunden ist, daß der Kollektor des zweiten Bipolar-Transistors (15) mit einem Widerstand (16) und der Basis eines dritten Bipolar-Transistors (17) zusammengeschaltet ist, daß der Kollektor des dritten Bipolar-Transistors (17) auf einen Ausgang (18) geführt ist, daß die Emitter des zweiten und dritten Bipolar-Transistors (15; 17) mit Masse (8) verbunden sind und daß die Betriebsspannung (12) auf die Ladeschaltung (11) und auf den zweiten Anschluß der Kollektorwiderstände (14; 16) geführt ist.

9. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 4 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Impulseingang (1) mit einem Widerstand (19) und den Gates von einem ersten und zweiten MOS-Transistor (22; 23) zusammengeschaltet ist, daß diese MOS-Transistoren (22; 23) zwischen der Betriebsspannung (12) und Masse (8) in Reihe geschaltet sind, daß ein Ausgang (24) mit den Gates von einem dritten und vierten MOS-Transistor (26; 29) und mit dem Eingang (2) der Ladeschaltung (11) verbunden ist, daß der Eingang (2) der Ladeschaltung (11) auf das Gate eines p-Kanal-MOS-Transistors (25) geführt ist, daß das Source des p-Kanal-MOS-Transistors (25) mit der Betriebsspannung (12) verbunden ist, daß das Drain des p-Kanal-MOS-Transistors (25) mit dem Ausgang (3) der Ladeschaltung (11) verbunden ist, daß der Ausgang (3) der Ladeschaltung (11) mit den Gates von einem fünften und sechsten MOS-Transistor (27; 28), mit dem Kondensator (6) und dem Widerstand (7) zusammengeschaltet ist, daß der zweite Anschluß des Kondensators (6) und des Widerstandes (7) mit Masse (8) verbunden ist, daß der dritte und fünfte MOS-Transistor (26; 27) zwischen Masse (8) und dem Ausgang (30) in Reihe geschaltet sind, daß der vierte und sechste MOS-Transistor (28; 29) zwischen dem Ausgang (30) und der Betriebsspannung (12) parallel geschaltet sind, daß der Ausgang (30) auf die Gates von einem siebenten und achten MOS-

Transistor (31; 32) geführt ist, daß die letzteren MOS-Transistoren (31; 32) zwischen Masse (8) und der Betriebsspannung (12) in Reihe geschaltet sind, daß der Ausgang (33) der Reihenschaltung auf das Gate eines neunten MOS-Transistors (34) geführt ist, daß das Source des MOS-Transistors (34) mit Masse (8) verbunden ist und daß das Drain des MOS-Transistors (34) mit dem Ausgang (18) zusammengeschaltet ist.

10. Überwachungsschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensator (6) als MOS-Kapazität ausgebildet ist.

11. Überwachungsschaltung nach den Ansprüchen 9 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand (7) als MOS-Transistor ausgebildet ist.